Amplificadores laser para comunicaciones dpticas‘sistemas y redes opncas de comunicaciones 11.1. InTRopucciON Como ya se he comentado en varias ocasiones, uno de los principales problemas que surgen a la hora de plantear enlaces épticos entre puntos separados entre si por distancias mas 0 menos lar- gas, es el de disponer de los repetidores adecuados para poder mantener la sefal en un nivel decuado, La soluci6n comiinmente adoptada hasta hace algunos afios ha sido la instalacién de estaciones que convertian Ta sefial 6ptica en eléctrica y, a partir de ese momento, regenerarla para Hlevarla al nivel y configuraciOn deseados. Tras una nueva conversiGn a sefial pica, ésta volvia a ser introducida en la fibra para recorrer un nuevo tramo. Pero la anterior solucién, aunque plenamente vélida, limita en parte las ventajas inherentes en las transmisiones por fibra. Si, como se ha dicho, una de las ventajas de trabajar con scfiales Gpticas, es la de poder disponer de grandes anchos de banda, con la corsiguiente muy alta velo- cldad de transmisiGn, el requerir una conversién éptica-eléctrica-6ptica impone una limitacin a todo lo anterior dado que, en esas condiciones, Ia velocidad vendré limitada a la de los circuitos clectrdnicos empleados. Este hecho, como se verd més adelante, aparecerd de nuevo en el tema dle la conmutaci6n fotnica y del encaminamiento de sefiales épticas. Por otra parte, en los siste- max en los que se ha realizado un multiplexado de longitudes de onda, esto es, cuando se trans- riten diferentes frecuencias Gpticas por una misma fibra, el proceso de regeneracién requicre aque, previamente a la misma, ls distintos canales se separen, que cade uno de ellos sea tatado individualmente para, finalmente, volver 2 ser introducidos de nuevo ¢ la fibra, Parece pues que serfa conveniente hacer intervenir en el proceso de regeneraciGn de las se- fales épticas y, mas en concreto, en el de su amplificaci6n, a dispositivos que, en lo posible, fueran totalmente fot6nicos. Esto es, que sin la intervencién de la Electrénica, fuesen capaces dde realizar Gpticamente todo el procesado de la sefial. Este tema, como puede pensarse, no es nuevo y, de hecho, ha sido uno de los que ha recibido atencién constante desde cl mismo inicio ide las Comunicaciones Opticas. Por otra parte, y centrdndonos en el tema de 1a pura amplifica- cidn Gptica, un amplificador de este tipo podria tener una ventaja adicional que uno electsénico muy dificilmente podria cumplir. Si el amplificador éptico simplemente amplifica cualquier se- fia luminosa que le llega, podré ser usado con cualquier esquema de modulaci6n y velocidad de transmisi6n, Al mismo tiempo, sies lo suficientemente lineal, un tnico dispositivo podré ampli- ficar al mismo tiempo las diferentes sefiales, de distintas longitudes de onda y velocidad de ransmisi6n, que se han comentado antes. En los primeros afios de la actividad en este tema el objetivo central fue la obtencién de amplificadores Opticos basados en el uso de estructuras andlogas a las que habfan generado la radiaci6n inicial, esto es, diodos ‘semiconductores. Para ello, estos diodos, en lugar de actuar como osciladores, habrian de amplificar, dnicamente, la sefial Sptica que se hubiera hecho inci- dir sobre ellos. Esta forma de trabajo implica que para poder actuar como amplificadores habrfan de encontrarse en situaci6n de inversién de poblaciones y no disponer de cavidad reso- nante. Este tipo de solucién es la que se denomina amplificadores de semiconductor, amplifica- lores de laser de semiconductor, SLA, por Semiconductor Laser Amplifier 0, ya més reciente- mente, amplificador oscilador de semiconductor, SOA, por Semiconductor Oscillator Amplifier ‘Como se verd mas adelante, este amplificador presenta una serie de problemas que, aunque fac- tibles de resoluci6n, no 1a hacen cémoda en algunas situaciones. Por el contrario, su aplicacién ten otros entornos, como el de conversién de longitudes de onda para redes 6pticas, ha resultado ser mucho més factible y por ello esté hoy muy extendido este uso. Oira posible solucién y, como se verd, mucho mas conveniente es la de poder disponer de elementos que, en cirta manera, no introdujesen alteraciones esenciales en Ia estructura del sis-tema. Dado que la sefial se esté transmitiendo a través de una fibra Optica, seria I6gico que el proceso de amplificaci6n se realizase también en una estructura equivalente. O lo que es lo mis- ‘mo, que la propia fibra éptica pudiera realizar las funciones de amplificacién de la sefial. Esta nueva forma de trabajo, aunque mucho més reciente que la anterior, ha adquirido una fuerza considerable a partir de la década de los noventa y puede decirse que, en cierta manera, ha des- plazado casi de manera absoluta a la primera. Unicamente en unos determinados casos, el uso de los amplificadores de semiconductor sigue siendo usual; es la de su aplicacién como conver- sores de frecuencia. Este nuevo tipo de amplificadores son los que se denominan amplificadores de fibra dptica, OFA, por Optical Fiber Ampliers, de fibras amplificadoras, 0 de fibras dopa- das. Dado que el elemento més usado como dopaje de las fibras suele ser el erbio, el nombre de EDFA, por Erbium Doped Fiber Amplifiers es actualmente el més empleado. Como es evidente, las condiciones de trabajo de este nuevo tipo de fibras deberdn ser equivalentes a las menciona- das antes para los semiconductores: habrén de constituir un medio en el que se alcance inver- sién de poblaciones. Los problemas que se presentaban en los de semiconductor no estén aqui presentes, dada la configuraci6n de fibra Optica que poscen. Como en este momento son los empleados casi exclusivamente, serén ellos los primeros que se estudiardn. Finalmente, una nueva tecnologia esta entrando con fuerza en los dltimos afios en este campo. Bs Ja basada en el empleo del efecto Raman estimulado. Aunque el empleo en sistemas comerciales de amplificadores basados en él no es todavia un hecho habitual, parece bastante posible que en un futuro muy préximo puedan constituir la base de los sistemas multiplexados en longitudes de onda. 11.2. AmpLIFICADORES DE FIBRA DOPADA Consideraciones generales Las tierras raras fueron, desde mediados de los afios sesenta, elementos considerados candidatos potenciales para servir como elementos activos en materiales ldser. Pero Gnicamente desde 1986 entraron de manera significativa en la fabricaci6n de dispositivos con un uso generalizado. La raz6n fue la de su empleo como parte esencial en le fabricacién de amplificadores 6pticos con fibras dopadas con algunos de estos elementos. De todos ellos ha sido el erbio el que ha adquiri- do un mayor protagonismo, por su mejor adaptaciOn a las condiciones de la tercera ventana de as comunicaciones Spticas, aunque otras tierras raras también han sido estudiadas para otras condiciones de trabajo. La forma de trabajo de estos amplificadores no se diferencia en mucho de los conceptos ya estudiados cuando se introdujeron los conceptos fundamentales del laser. Como se recordard, la «A» de la palabra Laser procedia de amplificacién. Aunque en la actualidad cuando se met na Idser el dispositivo que aparece implicito es un oscilador, ya que proporciona por si mismo una cierta frecuencia éptica, el concepto inicial no era éste sino que estaba ligado a la amplifi- cacién, Y este concepto inicial es el que esté presente en los actuales amplificadores épticos. ‘Aunque aqui se verd, esencialmente, la forma de trabajo de un amplificador de fibra 6ptica do- pada con erbio, las caracteristicas generales de trabajo de los amplificadores dopados con otras tierras raras es la misma. Para la fabricaci6n de este tipo de amplificador se parte de un trozo de una fibra similar a las convencionales, de entre 10 y 30 metros, a la que se ha afiadido a la sflice, que es su mate- rial base, una pequefia cantidad de impurezas de una tierra rara, como erbio (Er), iterbio (Yb), neodimio (Nd) o praseodimio (Pr), no sobrepasando, por lo general, las 1.000 partes por mill6nou ——orstermas y reuse upenes ue Lurimunmauivires en peso. La sflice sirve inicamente como material soporte y todo el proceso de la amplificacién tiene lugar en los étomos de la impureza introducida. Como se ha comentado antes, es el erbio cl que ha acaparado el mayor interés de los fabricantes de amplificadores épticos debido a que su zona de trabajo se centra en una banda comprendida entre los 1.530 y los 1.560 nm, praseo- dimio y neodimio han sido empleados para experiencias en tomo a la tercera ventana. La raz6n de esta preferencia del erbio se debe a su comportamiento y éste, a su vez, se deri- va de la configuracién de sus niveles electr6nicos que son los que aparecen representados en la Figura 11.1. En ella aparecen reflejadas, con respecto al fundamental, las energias, o sus longi- tudes de onda correspondientes, en las que se encuentran los distintos niveles asi como algunas de las transiciones posibles, tanto de absorcién como de emisiGn. El primer nivel excitado, y desde el que las frecuencias de transicién se corresponderfan con las de la tercera ventana, tiene un tiempo de vida medio de unos 10 mseg, mientras que en los dos inmediatamente superiores es de tan solo 0,001 mseg. Este hecho hace que cualquier absorcién que se realice en ellos bom- bee a su vez, a una velocidad muy alta, los electrones que han sido excitados y se acumulen en ese primer nivel. Desde él podrén pasar el fundamental, bien por emisién espontinea 0 por esti- ‘mulada, si la situacién es favorable para ello. Esta forma de trabajo es, como puede apreciarse, la propia de un sistema ldser de tres niveles. En la Figura 11.1 aparece, a la derecha, una vista ampliada de lo que en realidad son el nivel fundamental y el primer excitado. Cada uno de ellos aparece dividido en un conjunto de niveles mucho més finos, derivados del efecto Stark, y entre los que también se pueden producir transi- ciones electrénicas. Aunque se han designado como niveles, podriamos designarlos también co- mo bandas 0 seudobandas. Este hecho puede equipararse, aunque sea por completo diferente, a la aparicién de las bandas de energfa en los semiconductores. Una primera diferencia es que aqui estén presentes niveles diferenciados y discretos dentro de cada una mientras que en los semiconductores las bandas son el resultado de una transici6n continua de unos niveles aPatgmnennn ee waves ye otros. Gracias a este hecho, pueden producirse absorciones, desde la parte inferior del nivel fun damental a la superior del primer nivel excitado, como se ha representado en la figura, y emi- siones desde la parte inferior de este tiltimo nivel a la superior del fundamental. La primera se sealizarfa a una longitud de onda de 1.450 nm y la segunda lo haria a 1.530 nm. Otras interme- dias son también posibles. Las tres posibilidades més importantes que aparecen as{ de bombeo son con longitudes de ‘onda de 800, 980 y 1.530 nm. De ellas, la tercera es la que més frecuentemente aparece en los sistemas actualmente en uso aunque se estén desarrollando un gran nimero en la segunda. Las razones de ello se deben a las diferentes caracteristicas que tiene la absorcién a cada uno de estos niveles, y que se derivan de sus espectros de absorcién, de los diferentes ruidos a que pueden dar lugar y a la disponibilidad de las fuentes de bombeo adecuadas. En concreto, la ab- sorcién a 980 nm tiene una mayor eficiencia de bombeo (alrededor de 10 4B/mW) que la de 1.530 (unos 6 dB/mW) asf como un ruido menor. Por ello, aunque las primeras fuentes utiliza- das fueron Las de 1.530-nm, por su mayor disponibilidad, el camino hacia las de 980 nm es ahora més usual. Sobre estos hechos se volveré mas adelante. Configuraciones de bombeo La diferencia més significativa que tiene lugar aqu{, con respecto a los léseres de tres niveles convencionales, es que en una fibra no es posible realizar un bombeo éptico transversal. La dni- ca posibilidad, compatible con la estructura de un sistema de comunicaciones 6pticas, es la de efectuar el bombeo de manera longitudinal, esto es, introduciendo la radiacién de bombeo a lo largo de la fibra, de manera andloga a como se transmite la sefial de informacién. Las dos posi- bilidades bésicas son las que se muestran en la Figura 11.2. En la primera, la radiaci6n de bom- ‘eo se introduce a la fibra amplificadora, mediante un acoplador, conjuntamente con Ja sefial de entrada y por ello ambas se propagan en igual sentido a lo largo de la fibra. En la segunda, poree ee isweins y neues opucas ae COMUMICACION es el contrario, e! bombeo se propaga en sentido contrario a Ia sefial que se va a amplificar. Una tercera posibilidad, no representada en la figura, es la de realizar un doble bombeo con las dos configuraciones anteriores actuando simulténeamente; esta configuraci6n se denomina de bom- beo dual. La ganancia, en este caso, puede llegar a duplicar la de un bombeo simple, pasando de unos 17 dB a cerca de 35 dB. Hay que indicar también que el bombeo en sentido opuesto al de propagacién de Ia sefal permite ganancias més altas que el realizado en el sentido en Ia de pro- pagacién. Por el contrario, sus caracteristicas de ruido son peores. Caracteristicas generales del comportamiento de un amplificador de fibra dopada ‘Antes de plantear analiticamente algunas de las caracterfticas de los amplificadores de fibra ddopada va a analizarse aqui, de manera fenomenolégice, cudl es su comportamiento general. ‘Como se ha indicado anteriormente, el bombeo del material Idser ha de llevarse a cabo & través del eje de la fibra. Esto hace que la intensidad de la radiacién de bombeo vaya. dismi- nuyendo, de manera gradual, segin avanza por la fibra. Esta variacin de intensidad, que en una fibra normal se debe a la atenuaci6n que presenta Ia misma, en esta ocasién es mas intensa por- que uhora proporciona la. energfa necesaria para excitar electrones a niveles superiores, est0 es, para el bombeo. Este hecho implica una disminuciGn significativa de su intensidad. A una po- fencia de bombeo fija, el inctemento de la longitud de la fibra, a partir de un cierto valor, no fupondré un incremento consecnente de la ganancia; de hecho puede llegar a producirse un de- tremento en la intensidad de la sefal por la fuerte atenuacién que tiene la fibra dopada. Resulta nsf obligado, en el disefio de un amplificador, estudiar de la manera més exacta posible Ia rela- tin existente entre la longitud de! tramo amplificador y la potencia de la radiacién de bombeo. Unn muestra de este efecto, asf como de los que se comentardn a continuacién, aparece en las Figuras 11.3 y 14. "Al mismo tiempo que ocurre lo anterior, aparece un hecho fuertemente ligado a él, Como la Intensidnd de bombeo que pasa por el segmento de fibra dopada no es constante, tampoco lo es in ponible inversién de poblaciones conseguida. Enel tramo inicial, con una intensidad de bom on fuerte, la inversién de poblaciones serd relativamente alta, consiguiéndose asf una emisin extimulada intensa y, por ello, amplificacién. Pero esta inversiGn se iré reduciendo segtin se va nivanzando por la fibra, ya que ird atenusndose la intensidad del bombeo y con ello se reduciré In inversién alcanzada, Megéndose a un punto en el que el bombeo puede ya no ser suficiente turn nlcanzar inversién, Debido a este hecho, la emisiGn estimulada desaparecerdy la fibra seré, i partir de ese momento, fibra atenuadora en lugar de amplificadora. ‘Conjuntamente con los anteriores fendmenos se encuentra otro que relaciona el valor de 1a imensidad de la sefial con la del bombeo. Los valores de ambas intensidades no pueden ser con- Nitlerados de manera independiente. Un bombeo de nivel reducido dard lugar a una inversién de hwabliciones no muy alta y sila intensidad de la sefales elevada puede ocurir que no todos los fotones de que estd compuesta sean capaces de provocar algin tipo de emisién estimulada, Si por el contrario, el bombeo es fuerte y el nivel de la seal de entrada es reducido, précticamente vito los fotones serdn capaces de dar lugar a emisiones estimuladas. La ganancia, que ¢s el Cacionte entre la intensidad de entrada y la de salida, no tendré el mismo valor en ambos casos. Ihe evta condicién pareceria desprenderse la recomendacién de que el bombeo adquiera el nivel ins alto que pueda dérsele. Pero esto tampoco es cierto ya que, por las propias caracteristicas tle los Stomos de erbio, una radiacién progresivamente creciente de bombeo no debe implicar ‘im crecimiento similar de electtones excitados a niveles superiores. A niveles superiores solosganancia (4B) Jongitud del ampiicador(m) Gaancisen funcén de Tongitud del ampli para eiflerentes walores dea poten de,bombe0, sanancia (4B) 8 10 potencia de bombeo (mW) Figura 11.4, Ganancia de un EDFA en funcién de la potencia de bombeo para diferentes igi del ampiiicador; Sespodriin subir tantos electrones como existan en el nivel fundamental y si la mayorfa de ellos ya han subido, fisicamente seré imposible subir electrones adicionales. Asi, un aumento del bom- beo no surtiré efecto significativo a partir de un cierto valor de éste. Se habré legado asf a una especie de saturacién. Cualquier incremento que se haga del bombeo no serd aprovechado para originar inversi6n, al no poder ser absorbido por el material activo. Hay que sefialar que este hecho, como resulta evidente, estard ligado con la longitud que se tenga de tramo amplificador ya que cuanto més largo sea éste, mayor seré su capacidad de absorber energia de bombeo a lo largo de toda su longitud. El iltimo punto que es necesario comentar aqui es el relativo al reido que puede introducir el amplificador. Los amplificadores dpticos presentan, ademés de los ruidos convencionales, un nuevo tipo que es caracteristico de ellos, Es el que se denomnina ruido por la amplificaci6n de la emisién esponténea o ruido «ASE>!. Su origen resulta evidente una vez planteada la estructura de este tipo de amplificadores. Una vez bombeado el material, no todos los electrones que s¢ encuentren en un nivel excitado caerdn al nivel inferior a través de un proceso de emisiGn esti- mulada; algunos de ellos lo hardn mediante emisién esponténea y, a su vez, algunos de estos generarén fotones que se desplacen en el sentido de la sefial viajando con ella. En su desplaza- miento por el tramo dopado pasardn por zonas en las cuales hay inversion de poblaciones y podrén dar lugar a nuevas emisiones estimuladas que ya no serén coherentes con la radiacién de entrada pero que serdn amplificadas. Estas sefiales no serdn sefiales con contenido de informa- ci6n sino que serfn ruido. Dado el conjunto de niveles finos con que cuentan las pseudo-bandas entre las que se producen la absorciones y las emisiones de la Figura 11.1, esta nueva radiacién cubriré un margen de longitudes de onda superior al de la sefial de entrada. Ademds de ello, al ser amplificada merced al bombeo realizado, sustraeré una parte de la inversiGn de poblaciones obtenida lo que menguard en parte la amplificacién de la sefal. Todos Jos hechos anteriores muestran que el planteamiento de una teorfa que los cubra inte- gramente es, por fuerza, muy dificil de ser levado a cabo y menos dentro del objetivo del pre-~ sente estudio. Por ello, en los préximos apartados se trataré de presentar un modelo muy simpli- ficado de algunos de los anteriores fendmenos que podrd servir de base para posteriores andlisis. Ecuaciones de balance y ganancia de un amplificador 6ptico de fibra dopada Aunque algunos de los conceptos que se van a introducir, han sido ya vistos en el anélisis del oscilador léser, serdn planteados aqui de nuevo para ofrecer una visién unitaria del conjunto. EI primer hecho que ha de considerarse en el disefio de un amplificador es su capacidad para absorber Ia radiacién de bombeo extemo necesaria para lograr inversiGn de poblaciones. Esta capacidad de absorcién esté ligada @ un parémetro denominado seccién transversal de absor- cidn, ¢,, que da idea de qué proporcién de la energia incidente es empleada en excitar electro- nes a niveles superiores y esté relacionada, como se indicé cuando se mostraron los niveles electr6nicos del erbio, con las propiedades de los niveles involucrados. Si la poblaci6n del nivel fundamental es N,, la velocidad de bombeo posible desde él es, de acuerdo con las ideas vistas cuando se plantearon las ecuaciones de Einstein, W,Nj. Este factor, W,, es funcién deg, y vie- ne dado por GaPy 1 3 Wo = ins 5 * Por Amplified Spontaneous Emission,donde P, es la potencia de bombeo, Av, 1a energia de cada uno de los fotones de bombeo de frecuencia vj, y Sel érea del micleo de la fibra dopada. De esta expresi6n se infiere que los valores elevados de ¢, dardn lugar a un bombeo mucho més eficiente. En la Figura 11.5 se muestra el comportamiento aproximado de esta seccién transversal de absorci6n para las regio- nes comprendidas en torno a 980 nm y 1.450 nm. Como puede verse, su dependencia con la longitud de onda es grande y de ahi el aspecto critico que tiene el bombeo con una u otra fre- cuencia éptica. Por otra parte es preciso indicar que la forma que presenta depende de] material que haya servido de soporte a los étomos de erbio, En el caso representado este material ha sido un fluorofostato. Otros, como silicatos o fosfatos darfan lugar a curvas con algunas pequefias diferencias. El segundo factor a tener en cuenta es el derivado del bombeo longitudinal que se lleva a cabo. Como se indicé antes, la radiacién se ird atenuando segtin avance por la fibra, por lo que @ no todo el material del tramo amplificador Hegaré la misma energfa de bombeo. La ley de varia- ci6n de esta energia viene también relacionada con la seccién de absorcién e indica que el de- cremento de potencia de bombeo, tras atravesar una longitud dz es dP y(z) = —o,P(2)N, dz con lo que P, decrece exponencialmente, Si N; fuera constante a lo largo del tramo amplificador, esta expresiGn se traducirfa en una exponencial simple, pero como en la realidad N, aumenta segiin avanza la radiaci6n por la fibra, ya que la potencia de bombeo que ha ido legando pre- viamente a esa zona ha ido disminuyendo con la distancia, ef decrecimiento es todavia mayor. En paralelo con la capacidad de absorber la radiacién de bombeo se encuentra la de emisién de radiacién estimulada, De andloga manera al caso anterior, esta propiedad viene dada por un nuevo pardmetro, la seccién transversal de emisién, o,, cuya relacién con el coeficiente de ga- nancia de! medio es 8 = (Nz — Ni) 8 secciba transversal de absorci6n (102 em?) seccidm transversal de absorcin (10-2 cm?) —_a 1 ed 960 970 980 990 1.000 1.010 1475 1.300 1.525 1.550 1.575 1.600y en donde V9 son las densidades de estados de los niveles fundamental y excitado, respectiva- mente, Como se ve, la ganancia es funcién de la inversién de poblaciones, Ny — Nz, y de la capacidad de emitir estimuladamente, dada por ,. De aqui puede obtenerse ya la velocidad de emision estimulada, merced a la potencia suministrada por la sefial, Pyeqai, que viene dada por FePactai hy,S Ree (Nz — Ni) = We(N2 — Ni) siendo W,, un pardmetro andlogo al caso anterior, GP rota 5-1 hs 8 Ww Una representacién de la seccién transversal de emisién, para el erbio a 1.540 nm, aparece en la Figura 11.6, Igual que en el caso de la absorcién aparece una fuerte dependencia con la Jongitud de onda y, también como allf, la curva depende del material soporte; el caso represen- tado es el de un fosfato. ‘A partir de las expresiones anteriores es posible ya obtener el comportamiento dinémico de un amplificador 6ptico. Y para ello se hace uso del hecho, comentado antes, de que las vidas medias de los niveles por encima del primer excitado son mucho més pequefias que la de éste, por lo que el conjunto puede asimilarse, sin demasiados errores, a un sistema de dos niveles tentre los que se produce la absorci6n y la emisi6n. Entre ellos, las ecuaciones de balance, muy similares a las vistas en el caso de los coeficientes de Einstein, serén oN zs anes les OM ae Mol = Wall MTP = seecidn transversal de absorciéa (10! em?)siendo, como entonces, W,N, el bombeo del nivel inferior al superior, W,(NV, ~ N,) la emision estimulada y el tercer término, Nz/tyq» 1a recombinacién esponténea del nivel excitado al fund: mental. El valor de tp varia entre 100 pseg y 10 mseg, mientras que un valor usual para la poblacién total, N, + N2, es de 8-10'* cm™ Para el caso de régimen estacionario, cuando desaparecen las variaciones temporales de las poblaciones, se obtiene gmap OTe oy ete 2 W, + WF tea ) Cuando el bombeo es lo suficientemente intenso se pueden efectuar las siguientes aproxima- ciones Wy >> We Wy>>I/texy No— Ni Ny + No con lo que la ganancia queda 8 = o(N2 — Ni) oN + Ni) siendo este valor el limite superior para la ganancia del medio o el valor maximo que puede aleanzar. Con todo Jo anterior puede ya pasarse a calcular cudl es la variacién de la potencia de la sefial segiin avanza por la fibra. As{ como el bombeo decrecfa con una exponencial decreciente, la ley seré ahora una exponencial creciente del tipo Pasa fe aa Protas © F(z — Ni)Prena que, merced a las expresiones anteriores, puede escribirse como Pat _ Wy II p80 p de OW, FW. Whey Wi siendo ap Mon Mtep Bo = Bmax W, + l/texp la ganancia del medio para sefial incidente nula, y Wear = 5 (We + 1/tesp) A. 2 Ja velocidad de saturacién. De andloga manera, la variacién de la potencia de bombeo puede expresarse, en funcién de estos parémetros, como dP, (W. + Vt) Te 7 TAN + NPL ae aw + kee Como puede apreciarse, Wx adquiere menores valores cuando W, se hace més reducido y esto tiene Iugar cuando se aproxima la radiaci6n al extremo del tramo amplificador (siempre suponiendo que el bombeo vaya en la misma direccién que la radiacién incidente). Con ello, elefecto de saturaci6n de la ganancia es mucho més fuerte a 1a salida del amplificador que @ su entrada. De hecho, cuando W, < 1/tep 0 Nz <.N,, la ganancia puede llegar a ser negativa, 0 10 que es lo mismo, hacer que la intensidad de la sefial que pasa por el amplificador disminuya. Este fenémeno es el que se vio en la Figura 11.3. En ella puede verse que la longitud éptima de cada caso, que se corresponde con el méximo de las curvas para las diferentes potencias de bombeo, varia aproximadamente de forma lineal con el bombeo. Espectro de la ganancia y ancho de banda del amplificador Ya se ha visto la fuerte dependencia con la longitud de onda que aparece en las curvas que dan las secciones transversales de absorcién y de emisién. Es evidente que esta dependencia incida directamente sobre la ganancia del amplificador y que ésta varfe fuertemente de unas frecuen- cias a otras, Con el fin de adquirir una idea aproximada de este comportamiento se veré aquf un modelo sencillo del mismo que, aunque no totalmente exacto, sf sefiala los aspectos mas impor- tantes que deben considerarse en el disefio bésico de un amplificador 6ptico. ‘La manera més fécil de interpretar la variaci6n con la frecuencia del coeficiente de ganancia del medio es la de suponer que éste se comporta, como ya se ha dicho antes, como un sistema de dos niveles. En esa situacién, la aproximacién mas usual es la de suponer que la linea tiene la forma de una Lorentziana y que por ello su expresiGn es Snax BO) = TE = Opus) ts + Prt Pen siendo Wax €l Valor de la frecuencia para la que la ganancia adquiere su valor m&ximo, 8aa- El parimetro tyy S€ conoce como tiempo de relajacién del dipolo, su valor suele estar por debajo del picosegundo y esté relacionado con el tiempo de emisién estimulada. La potencia de satura- Ci6n, Pro que indirectamente ya ha sido considerada antes, depende del tiempo de recombina- cin espontinea, tap» de la seccién transversal de emisi6n, ¢,. Siel sistema se encuentra aleja- do de la saturacién, esta ley puede quedar reducida a Snax OTE Oma En estas condiciones, el ancho de banda de la ganancia, definido como el margen de frecuen- cias comprendido entre los puntos de ganancia mitad, con respecto al méximo, viene dado porAc, = 2/teyn que en frecuencias ser 1 Test Ay, Vemos que si se desea un ancho de banda elevado, el tiempo de recombinacién estimulada ha de ser lo mAs pequefio posible. Este hecho est4, en ocasiones, en contraposicién con la necesi- dad de que este tiempo sea mayor que el de las transiciones de los niveles superiores para que se logre fécilmente inversi6n de poblaciones. Esta ganancia no es la del amplificador como un todo. Es, como ya se dijo antes, 1a del material. Para conocer la relaci6n entre ambas ha de considerarse la definicién dada antes de ganancia del amblificador, que eraComo la potencia al cabo de Ja longitud z = L del amplificador es P,.,, y para z = 0 la potencia es la de entrada, tenido en cuenta la variacién exponencial de la potencia a lo largo de la fibra, puede obtenerse fécilmente Go) = Ambas amplificaciones tienen su méximo en la misma frecuencia («@ = @®nqx) pero como puede apreciarse en la Figura 11.7, la curva correspondiente a G() es més estrecha que la de g(w). La Telaci6n entre las anchuras de ambas lineas es . Ing) 7? ono ears) con Au, como anchura de Iinea del amplificador y Gyx = €XP (max). El hecho més significa- tivo de esta expresiOn es que el ancho de banda del amplificador depende del valor de su ampli- ficacién. Queda ahora analizar las caracterfsticas de la saturacién de la ganancia. Este hecho se deriva de la expresi6n inicial de la ganancia del medio en funcién de la frecuencia, que se vio depend{a de la potencia de saturaci6n. Si se supone que la frecuencia de la sefial de entrada es, exactarmente, la del pico de la Iinea de ganancia, la variacién de Ia potencia con la distancia serf de la forma Prat _ __ SrmaxPsedat dz 1 + Preas/ Pea De esta expresién, y teniendo en cuenta que P(L) = GPay ™ Puy ¥ que P(0) = Pens $¢ obtiene ze, (=a O= Gaul G z) Como puede apreciarse, a partir del momento en que la potencia de salida alcanza el orden de magnitad de la de saturaciGn, el valor de la ganancia disminuye con respecto a su méximo ve- Jor Gig. La representacin para dos situaciones concretas aparece en las Figuras 11.8 y 11.9. Ruido del amplificador optico {Queda estudiar ahora uno de os aspectos més caracteristicos del comportamiento del amplifica- dlor éptico y que le diferencia de otros componentes ya visios de un sistema de comunicaciones. Ba el que se refiere al ruido que introduce y que, como se coment6 antes, proviene de la ampli- ficacidn, pore! propio amplificador, de 1a radiacién esponténea que genera alo largo del tramo de fibra dopada Este tipo de ruido presenta unas caracteristicas muy peculiares y ha de ser con- Kiderado de forma independiente al resto de los ruidos ya estudiados en la recepci6n y que eran ‘ganancia (dB) 9 5 10 potencia de Ia seal de sada (Bm) Salida para diferentes valores. de bores 2 SRS‘panancia (2B) 40 o Lt L L 120 1530 4.540 1.550 1.560 Jongitud de onda (am) igure 19/8) Garona de Un Ah fund Goi ongd generados, esencialmente, por el dispositivo de recepcién y los circuitos electrénicos con los que estaba relacionado, Este ruido se genera durante la transmisi6n a través del medio existente entre emisor y receptor y en éste tiltimo se sumaré con los que se han originado en él. ‘Como se indicé anteriormente, el medio amplificador no solamente va a amplificar la radia- cién de la sefial de informacién que le Ilegue sino que, al mismo tiempo, se producirin en él emisiones esponténeas que también serén amplificadas por la fibra dopada y, si el sentido en el que fueron generadas coincide con el de propagacién de la seiial, se propagardn unidas a ella. La primera caracteristica de esta nueva sefial es su espectro. Dado que podré originarse por tran- siciones de todos los posibles niveles finos del nivel excitado hacia todos los posibles niveles finos del nivel fundamental, su espectro ser mucho més ancho que el de la sefial amplificada. La comparacién entre la sefial de bombeo, la sefial que se ha amplificado por emisi6n estimula- day la derivada de la emisi6n espontanea, aparece en la Figura 11.10. Como puede apreciarse, su forma es anéloga a la del espectro de ganancia del amplificador, lo cual es légico por origen. Este raido es conocido, como ya se ha dicho, como ruido ASE y este nombre serd el que se usaré a partir de ahora, La densidad espectral de potencia de este tipo de ruido tiene la forma Pas Sase() = hrxMeglGO") ~ 1) = 7 opt donde resp €s el factor de inversién de poblaciones o de: emisién espontdnea y viene: dado por‘372 ~ Sistemas y redes Spticas de comunicaciones 1,56 1,58 Tongitud de onda (um) siendo m, las poblaciones de electrones en los niveles 1 y 2 respectivamente. Este pardmetro da idea de cudl es la inversiGn de poblaciones existente y, salvo en el caso de los amplificado- res basados en semiconductores, que se verdn més adelante, y en los que su valor esté proxi- no @ la unidad, en el resto de los casos es siempre mayor que 1, dependiendo de Ja velocidad de bombeo. G es la ganancia del amplificador y y, cuyo valor es también mayor que la uni- dad, un pardmetro en el que influye la no uniformidad del medio con respecto a 1a ganancia del mismo. "Aunque el ruido ASE se haya generado a una distancia importante de los fotodiodos recep- tores no quiere esto decir que no repercuta sobre el ruido que éstos introducen en la sefial en el receptor. De hecho, debido a su presencia, aparecen tres nuevas componentes de ruido que se han de sumar a las previamente existentes. Ello se debe a que, como se vio en su momento, la corriente eléctrica que se genera en e] fotodiodo cs el resultado de elevar al cuadrado los dife- rentes campos eléctricos que han incidido sobre él, dando lugar a batidos entre todos ellos. Asi, si los campos que llegan al detector son los debidos a la sefial y al campo derivado de la emi- Sin espontinea, la corriente que aparecerd en él serd proporcional al cuadrado del campo total, esto es ingat © Esetat + Enis)” = Eoetes + Etuico + Ener Erica Los dos primeros términos proceden, tnicamente de la sefal y del ruido de emisién esponténea, pero el tercero es una mezcla de ambos y constituye una sefal de batido entre ellos, Si su fre- Cuencia eg tal que se encuentra dentro del ancho de banda del amplificador del receptor, se de- gradard de manera significativa la relacin sefial-ruido existente. A estos términos habré que aiadirles los derivados del ruido de granalla shot y térmico, que ya se vieron en el capitulo correspondiente, y con los que el ruido ASE puede llegar también a realizar un batido anélogo.AIIpUNaUUIES tase pale LuNHUIReNUIES Ypunes Tomando s6lo en consideracién aquellos que pueden tener una mayor importancia, Ia potencia total de ruido en el fotodetector sera asf de 1a forma Ce La expresi6n de los términos que aparecen aquf por vez primera, o que alteran la forma vista anteriormente debido a la presencia del EDFA, es Ong = 24R(GP en + SpseBopdB siendo ® la responsividad, G la ganancia del amplificador dptico, B el ancho de banda de! am- plificador de entrada del receptor y Bog, el del éptico (este ancho, en el caso de una tnica linea era el que denominé Au, anteriormente). Pea es la potencia Optica de la sefial de entrada al EDFA. El resto de los tétminos es Orse—ase = F’Sise(2Bom — BB Orga ase = 4(RGP em) RSpseB) Oretat shot = 2GRGP en B Ram + Oh + ORse~Ase + Sror—Ase + Crtatsror + Osea ASE Sana - As = 29BSpse BoB ‘Una de las formas posibles de reducir la importancia de algunos de los términos anteriores es la de reducir en lo posible el ancho de banda de la sefial de ruido ASE que incide sobre el fotode- tector. Si esta sefial se tomara con el ancho con el que se gener6, cubrirfa una banda de aproxi- madamente 30 nm; si, por el contrario se introdujese un filtro 6ptico antes, este ancho podria reducirse a unos 125 GHz, lo que en el margen de longitudes de onda de 1.550 nm es tan solo 1 nm. Por otra parte, el término correspondiente al ruido térmico puede: despreciarse siempre que la ganancia del amplificador sea lo suficientemente grande. Como, ademés, GP, ser siempre mucho mayor que la potencia de ruido ASE, S,sBo_. puede despreciarse frente a él y, al mismo tiempo, o%se-ase Puede puede despreciarse frente @ Cyejui-se+ Finalmente, como R = (ng)/Chy), se verifica que RSase = NGMespX(G —1)>>9 cuando G es lo suficientemente grande, Con ello, el término que realmente es importante de todos los anteriores es el que se corresponde con el de batido entre la sefial y el ASE, y asf la relacién sefial-ruido a la salida del fotodetector es, aproximadamente, Pw G NG SNR =m = oS ase AhVMep{B (G- 1) Mesyx (G = 1) siendo Pent N= iB el mtimero de fotones por bit y habiendo tenido en cuenta que era Gfeg = R°G*Pie“aoternesry reas uptcas ue cumTUTeONES La expresi6n anterior que da la relaci6n sefial-ruido marca el limite maximo alcanzable por lo que para conseguir un valor apreciable se hace necesario incrementar el valor de P.y, antes de que sea demasiado débil. Si se desea un valor de SNR determinado, habré de ser entonces G-1 Page > 4AVBN sy XSNR oe © lo que es equivalent, el nimero de fotones por bit habré de ser G-1 Ny > 4riespxSNR eo De estos resultados es ya facil obtener el valor de la Figura de Ruido, cuya definici6n es, por anulogfa con los amplificadores electrénicos (SNR ens (SNR) Como la relaci6n sefial-ruido a la entrada es (RP en) Pea (SNR) = 2 RP__B * DB €l valor de la figura de raido seré G1 {EM ance Esta figura de ruido es la que se corresponde con el caso analizado aqui de que todos los demas ruidos, salvo el debido al ASE en su batido con la sefial, son despreciables frente a él. En cual- quier otro caso, F, seré mayor. Un amplificador ideal, en el que 7, fuera la unidad, daria una figura de ruido de 2, 0 1o que es igual, de 3 dB, siempre que x fuera también la unidad. En el uso de un EDFA, rigs €8té prOximo a 2 por lo que la relacién sefial-ruido de entrada se reduce en un factor de 4. Resulta pues evidente que en el disefio de un amplificador éptico habré de tenerse especial cuidado en que F, tenga el menor valor posible. Una representacién de esta figura de ruido para diferentes potencias de bombeo, en funcién de la longitud del amplificador, puede verse en la Figura 11.11. Aplicaci6n en sistemas de comunicaciones La ubicacién de un amplificador éptico depende del uso que se pretenda hacer de él. De esta ubicacién dependerd la potencia que la sefial tenga a su entrada y con ello su comportamiento. Resulta asf necesario hacer un pequefio andlisis de cuéles son esas posibilidades y con ello obte- ner una idea general de las caracteristicas de cada situacién, Las cuatro aplicaciones més comunes de un amplificador éptico son las que aparecen en la Figura 11.12. Las tres primeras se refieren a su uso en sistemas de comunicaciones a larga dis- tancia, sobre todo en el caso de la Figura 11.12.b que se denomina ubicacién en linea. Su fun- cién aqui es muy similar a la de los repetidores-regeneradores electrénicos, que se comentaronfigura de ruido (4B) al inicio de este capitulo, salvo en el hecho de que aqui no es posible aun la regeneracién de la sefial. Su principal ventaja, en cambio, es que pueden amplificar al mismo tiempo varios cana- les de diferentes longitudes de onda, sin necesidad de separarlos previamente. Este hecho seré comentado con mayor detalle cuando se vean los sistemas de multiplexado en el dominio de las longitudes de onda, WDM. El caso de la Figura 11.12.a tiene lugar cuando se precisa un sistema con una estabilidad may alta en la sefial. Ya se vio al estudiar los léseres de semiconductor, que las caracteristicas de la seftal de salida dependfan de la corriente que circulaba por la unién. Si se desea una poten- cia de alta es preciso aplicar también una corriente alta, pero este hecho repercute en variacio- nes en las propiedades del pulso de salida del léser en su inicio con respecto a las del final. Por ello, una de las formas de conseguir este factor es hacer trabajar al Ifser con una potencia media de salida y amplificar externamente éste para asf poder alcanzar mayores distancias. Hay que sefialar que el nivel de la sefial de entrada al EDFA habré de mantenerse por debajo de un cierto nivel para no alcanzar el nivel de saturacién. El tercer caso representado, el de la Figura 11.12.¢, se corresponde con una situacién inversa a Ja anterior. Ahora es el amplificador el que se sitia previamente al receptor. Su funcién aqui es incrementar e! nivel de la potencia que liegue a éste de manera que no sea preciso un disposi- tivo fotorreceptor como el APD que da lugar a una alta corriente eléctrica, con pequefia sefial 6ptica de entrada, a costa de introducir un alto nivel de ruido. La sensitividad del receptor. se mejora y con ello Ia calidad de la comunicacién. Finalmente, el caso de la Figura 11.12.d es un ejemplo de otras aplicaciones en las que el hecho fundamental no es el de trabajar en grandes distancias sino el de necesitar altas potencias 6pticas para distribuirlas a un conjunto de estaciones receptoras. Serfa la situacién, por ejemplo, de una distribucién de sefial de televisién a un mimero alto de receptores. La seftal inicialse eleva de manera que, una vez distribuida, legue con el nivel adecuado a todas las esta- ciones. Cada una de estas aplicaciones requiere un andlisis de: las condiciones de trabajo tanto del sistema global como del amplificador en particular. El estudio detallado de las mismas es bas- tante complejo y se sale del objetivo presente. Por ello tnicamente se dardn unas breves ideas de cules son sus caracterfsticas més significativas, esencialmente en el caso de los amplificado- res en linea. El principal objetivo de una amplificador en linea es, como es l6gico, el de compensar las pérdidas suftidas por Ja sefial después de atravesar una cierta Jongitud de tendido. La ganancia del amplificador deberd ser, al menos, del mismo valor que el decremento sufrido. En este pro- cceso, la sefial Optica incrementara su nivel y podré enfrentarse con una nueva longitud de enla~ ce, Pero al mismo tiempo que ocurre esto, también se habré generado él ruido ASE visto ante- riormente que se propagaré por la fibra, de igual manera que la sefial. Igual que ésta se atenuard en el nuevo tramo pero una parte de él Ilegar4 al posible siguiente EDFA y, consecuentemente, serd amplificado con la sefal. El resultado de todo ello se muestra en La Figura 11.13, en la que se representa la variacién de potencia de las sefiales existentes en funcién de la longitud recorri- da. Como puede apreciarse, la potencia éptica de la sefial disminuye de forma lineal hasta al- canzar un EDFA donde recupera el nivel previo. Del primero de ellos surge un ruido ASE que, como la propia sefial, disminuye linealmente con la distancia. Tras pasar por el EDFA alcanza tun nivel elevado, superior al que existfa antes del inicio del primer amplificador, ya que allf no habja ruido ASE. Esto hace que el nivel de este tipo de ruido vaya incrementéndose con la dis- tancia, segtin atraviesa los sucesivos amplificadores. El resultado final es que la relacién sefial- muido vaya empeorando segin se avanza en el enlace.i i I Una posible solaciiis para compensar el increment de ruido ASE mantenendo la molackin sefal-ruide constants e4 la de aumercar el aivel de la poteacia de la seal al enence lecalmanie ‘con La distancia. Asl, si lu longitud total def enlace os 1, = ML sieado Wel edmero ital de amplificadores existenees, cada uno de ellos con una panancaa G ~ exp(—aL) siendo a be aie mance deta fibre, y L la bongited de cada uno de lot vatos, la potencia de ASE peomediada & Qa Jonghed dees wars con N wmplificndoers serd CP aaron = Mt [expec = acne Oa donde Fyeso((7) 0 una factor de peanlizackin dado por tfa-1 Fmt 5 (Se) Este parimesro da el factor por el que hay que multiplicar la enerpla de ba seBal, peomedisds a todo el tramo, dato es la panancis, en una cadena de N amplificadores dpticet situados es easce- ds, para mantener una relacide sedial-ruido constante. Como comapcuencia de ip anseriar, se paede sefalar asf que cuamto: mayor sca ls ssparaciin entre amplificadores, mayor debend scr su ganancia. Pero una ganancia levads repercuticd en que lambidn el ruido ASE seri amplificado mis fuertemente. Debido a ele, es enlaces Grasaa- Hinticos, donde jos reqaitives de raid suelen ger mis altos, ta separaciéin extre amplificsdones ie reduce a uncd 50 km, con gatancias un reduciéas como 10 dB. Por ef comtrarie, en enlaces inerence t¢ pusden masicsey distaocias de 100 km, con gananciat de 20 dB 9 més por amplitl- cade, iii renee tage oot re anyere 378 Sistemas y redes Opticas de comunicaciones Otros tipos de amplificadores de fibra dopada Sin entrar en el detalle de todos los diferentes dopantes que se ademés del erbio, para la fabricacién de amplificadores 6pticos, las caracterfsticas de algunos de I que, potencialmente, podrén ser empleados el empleo de tierras raras como materiales tro no cubiertas por el objetivo final del conji onda comprendido entre 1310 nm y 1550 m ‘im y 1650 nm, Como puede apreciarse en junto es el de poder aencién son el praseodimio, que cubriria (que ubarcarfa la regién anterior @ estudio. han presentado en Ia literatura, se presentan en la Tabla adjunta los tipos que presentan unas caracteristicas més singulares y en un préximo futuro. Todos ellos estén basados en activos y tienen como fin cubrir regiones del espec- erbio y que pueden ser empleadas en futuros sistemas WDM. Esto es, el cubrir, en primer lugar, e} margen de longitudes de: la tercera ventana. Bl resto de las bandas c 1m y, posteriormente, el resto del margen entre 1280 ella, los dos elementos que estén siendo objeto de el primer margen de longitudes de onda y el talio, -ontintia objeto de Mirgenes de tas bandas propuestas de amplificacién éptica y tecnologias posibles Nombre dela banda| Significado | Longitud de onda, nm Dopante Banda 0 Original 1260-1360 Praseodimio Banda E Extendida 1360-1460 - Banda S Corta 1460-1530 Talio Banda C Convencional 1530-1565 Erbio Banda L Larga 1565-1625 Erbio Banda U Ultra-larga 1625-1675 = 11.3. AmpLiricaDoREs DE SEMICONDUCTOR Un amplificador de semiconductor se diferencia, conceptualmente, muy poco de un laser de se~ miconductor convencional, de los ya vistos en el capi ‘ocasiones han sido empleados léseres amplificaci6n de sefiales 6pticas. Su con dores de fibra dopada, en incrementar el ‘atraviese mediante un proceso de emisién esti la de valencia, en las que se ha logrado inversi nes en las tiene lugar este paso de sefial por el disposit diferentes de amplificadores. El pris imero son aquellos en los que € itulo correspondiente. De hecho, en muchas ‘bombeados justo por debajo del umbral para demostrar 1a icepto de trabajo se basa, como el caso de los amplifica~ J valor de la intensidad de una radiacién dptica que le imulada obtenida entre la banda de conduccin y {én de poblaciones. De acuerdo con las condicio- 0, aparecen en la literatura dos tipos xiste una cierta reflectividad en las caras que constituirian el resonador de un l4set normal, y reciben el nombre de Amplifica- Gores de Fabry-Perot, FPA, por Fabry-Perot Amplifiers. El segundo tipo lo constituyen aque- los en los que estas reflectividades hi Amplificadores de Onda Progresiva, de superficies con ret grupo intermedio, designado como Amy Travelling Wave Amplifiers, que se enc pardmetro que suele flectividades iguales plific a cero es, prdcticamente imposibl ‘an sido reducidas al m{nimo valor posible, y se denominan TWA, por Travelling Wave Amplifiers. Como la obtencién , aparece un tercer icadores de Onda Casi Progresiva, NIWA, de Near entran a mitad de camino entre los dos anteriores. Un tusarse para diferenciar estos tres tipos es el producto 1/2(G,RyR,), donde recorrido nico y Ry las reflectividades residuales de G, es la ganancia del amplificador en unlas dos caras de la estructura, En los FPA este parmetro es pricticamente 1a unidad, en los TWA seria casi cero y el limite para los NTWA es <0,17. Dado que en todos ellos es posible un mismo andlisis, con la salvedad de los diferentes valores en sus correspondientes R, y Ro, el estudio que se vers a continuacién seré comtin para los tres. De hecho, todos ellos reciben en la actualidad un mismo nombre genético que los engloba independientemente de sus caracterfsti- cas. Este nombre es el de Amplificadores Opticos de Semiconductor 0 SOA, por Semiconductor Optical Amplifiers. Dinamica y ganancia de un amplificador 6ptico de semiconductor Se va a presentar aqui un planteamiento muy simplificado de las ecuaciones de la ganancia de un amplificador Iéser, sin tener en cuenta toda una serie de factores reales que, de hecho, limita- ran luego el comportamiento del mismo. Este planteamiento permitird tener una visiGn general del mismo sobre la que, Iuego, se podrfan hacer las precisiones oportunas. La amplificaciGn tie~ ne lugar, como es l6gico, en la regiGn activa de un diodo léser de semiconductor. Un esquema simplificado del mismo aparece en la Figura 11.14, que como puede apreciarse es précticamente el mismo de una estructura Iéser convencional, con una regién activa de anchura W, altura dy Jongitud L. Las reflectividades de las caras se designan, como siempre, por Ry y Roy aunque en tuna primera aproximaci6n se prescindiré de ellas. El coeficiente de ganancia del material por unidad de longitud, g, se puede plantear que tiene un valor de pico proporcional a la densidad de portadores n y que su curva caracteristica en funcién de la longitud de onda es, aproximada- mente, parabélica asf como que es funcién de la antedicha densidad de portadores, Esta forma parabélica esté ligada a la aproximaci6n que se hizo al plantear el modelo simplificado de ban- das en semiconductores, el diagrama E — k. Se puede escribir asi Bm = AlN ~ No) ~ 03(2 ~ 2)?siendo a y a, unas constantes de ganancia, con valores usuales de 2,7-10~'® cm? y 0,15 cm~' nm™, respectivamente. No es la densidad de estados correspondiente a la situacién de transparencia en el material, con un valor de 1,1 - 10'* cm~? para los casos habituales, y 4, la longitud de onda para el pico de ganancia, y cuya expresiOn aproximada es A, = dg + as(N — No) by con a; = 2,7-10~'7 nm-cm™®. De estas relaciones, puede obtenerse que el ancho de banda de la curva, a +3 dB, es 2AA = 2. ‘A modo de ejemplo, para una longitud de la estructura de L = 350 um y una densidad de porta- dores en el umbral de N =.1,8-10'° cm™>, la anchura de la curva de ganancia es de unos 54 nm. Las ecuaciones anteriores muestran una serie de puntos interesantes que resaltar. Se ve que tun incremento en la corriente de polarizaci6n del diodo, y en consecuencia de la densidad de portadores, aumenta el pico de la ganancia del material y disminuye el de la longitud de onda. Este desplazamiento a frecuencias més altas presenta e! primer problema en el disefio de estos amplificadores, cuando presentan bajas reflectividades. Esto se debe a que en esas circunstan- cias Ia corriente umbral serd més alta que en un léser con espejos. Asi, por ejemplo, en amplifi- cadores TWA o NTWA disefiados para trabajar en la tercera ventana, unas reflectividades resi- duales de 10? dan lugar a desplazamientos de la longitud de onda de unos 50 nm. Este problema puede, en principio, ser aminorado aumentando la longitud del dispositivo, con lo que pueden trabajar 2 menores densidades de portadores para andlogas ganancias. La ganancia neta por unidad de longitud, g, viene definida en funci6n del coeficiente de ganancia del material, g,, el factor de confinamiento I" y el coeficiente de pérdidas efectivas por unidad de longitud, a, y cuyo valor es de 50 cm~'. Su expresi6n es 8=T8m— % La densidad de portadores y Ia intensidad éptica estén, por otra parte, relacionadas a través de la ecuacién de balance an _ i TB Grad ROY pe Ble +1) donde R(N) es la velocidad de recombinacién, I la intensidad de la sefial, Jay la intensidad total de emisi6n esponténea, j la densidad de corriente inyectada y q la carga del electrén. f es el coeficiente de emisién esponténea que define la fraccién de emisiGn esponténea total que ha sido acoplada a la gufa-onda, y cuyo valor es p= zI9 Suponiendo, asimismo, que a = 0 € Iesp = 0, en el estado estacionario se tendré iN, Ten, gD thy De las ecuaciones anteriores se puede obtener el coeficiente de ganancia del material en fun- cién de la intensidad media de la sefial, Jj Para ello pueden plantearse las siguientes expresio- nes para la ganancia, g_,, y la corriente de saturaci6n, 1,, wae 80 su T + Il hy yea "Tar siendo go el coeficiente de ganancia del material no saturado y en ausencia de sefial de entrada y que es 80 = Binlnmny con N, la correspondiente densidad de portadores. Se obtiene as{ que la ganancia en un pase nico por el material activo viene dada por ff tooal(in-*} Se ve asf que la ganancia disminuye al incrementarse el valor de la intensidad y que el cos- ficiente de ganancia del material se reduce en um factor de dos cuando la intensidad interna / ex igual a la de saturacién J, ‘Ademés de la ganancia, existe también otro parémetro cuya importancia puede ser significa: tiva cuando se analiza el comportamiento de estos dispositivos. Es el que se refiere al desplaza- miento total de fase que experimenta una sefial que se introduzca en el mismo. Para estudiaria, ‘aunque no se veré en profundidad, hay que partir del hecho de que el {ndice de refracciéin del material sufre también variaciones cuando se altera el valor de Ia densidad de portadores. Si esto es as{, variaré también Ja intensidad Optica con lo que ademés del despluzamiento de fase Gebido a paso nico por el amplificador, habré que sumarse una parte debida al cambio en In densidad nominal que habria en ‘ausencia de sefial. El cambio total de fase viene asf dado por ora lizi] G,donde @, = 2nIn/Z es el desplazamiento de fase nominal, esto es, sin ningiin tipo de agente fexterno, y b es el factor de ensanchamiento del ancho de linea, usualmente b = 5. “Todo lo anterior vuelve a confirmar el razonamiento anterior de la influencia de Ia intensi- dad sobre todos los pardmetros del amplificador. Tanto la ganancia como la fasc son funcién de ella. ¥ esto quiere decir que las. condiciones en las que se use el mismo serdn decisivas para su comportamiento. Cuando la sefial sea, por ejemplo, modulada en frecuencia, y de intensidad constante, no surgiré una distorsion de la sefial apreciable, dado el efecto de intensidad media que se ha comentado anteriormente. Pero cuando la intensidad varfe con el tiempo, la ganancia y Ia fase variardn con ella lo que sf originaré distorsién, La diferencia entre ambas situaciones esté marcada, como es I6gico, por el valor de la frecuencia de la sefial de entrada, f», supuesta sinusoidal y su relacién con la velocidad de recombinacién, t. As{, cuando f,, << 1/2nt, Ia ga- nancia y la fase quedan descritas con las anteriores ecuaciones, con la intensidad variando de acuerdo con la sefial de entrada. Si, por el contrario, f,, >> 1/21", la variacién con el tiempo puede considerarse anulada y Ia intensidad serd proporcional a la intensidad media de la sefial de entrada. Estos hechos, que no pueden ser analizados auf en una mayor profundidad, origi nan toda una serie de problemas que han dificultado la aplicacién préctica de este tipo de ampli- ficadores. Un hecho adicional que hay que destacar es el de la influencia de 1a longitud de la estructura sobre el ancho de banda del amplificador. De las expresiones anteriores puede obtenerse que ésta, para el caso de no saturaciGn, viene dada por 2d = 2. a Como puede apreciarse, no depende de la ganancia absoluta del dispositivo y es solo fun- cién de la longitud del mismo L. Asf, por ejemplo, el ancho de banda de un amplificador con L = 500 um y T = 0,3 es de 35 nm, lo que se corresponde con 4,6 10”? Hz. Esta ganancia se corresponde con la de tn Gnico paso por la estructura y, en consecuencia, es la de un TWA. La potencia de saturacién de salida P,, esto es, aquella para la que la ganancia ha disminuido en 3 dB, su valor es _ WDhy Pa Ta Con los valores de los casos anteriores, se obtiene + 1,0 dBm para la potencia de saturaci6n. A fin de incrementar esta cantidad, la nica forma posible de hacerlo es mediante la reduccién dde la vida media de los portadores 0 del factor de confinamiento. Ambos pardmetros adquieren asi una importancia fundamental a la hora del disefio de este tipo de amplificadores. Si todo lo anterior se referfa al caso de un Unico paso de la sefial por el dispositivo, la situa- ci6n real en cualquiera de los existentes, no serd esa. Incluso en el caso de los NTWA, siempre existen unos valores residuales de las reflectividades que conducen a una variaciGn en el com- portamiento global de! amplificador. Sin entrar en el detalle de su demostracién, puede indicar- se que los nuevos valores de la ganancia y la fase que aparecen ahora son pu (= RYU = Ra) (1+ SRG)? + 4./R,R2G, sen? & Yo= You O- woag[ ERGs 1 1 — JR\R:G, cos 24.