BJT

funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador

El transistor consta de un sustrato(usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas conmateriales específicos en cantidades

específicas) que forman dos uniones,bipolares,el emisor que emite portadores,el colector que los recibe o recolecta y latercera, que está intercalada entre las dosprimeras

, modula el paso de dichos

portadores (base).

transistor no polarizado siguiente figura vemos al tra

nsistor npn,primeramente cuando está sin polarizar (sin pilas yen circuito abierto) se produce una "Difusión”,

donde los electrones cruzan de la zona n a la zonap, se difunden, encuentran un hueco y se

recombinan. El resultado son dos zonas dedeplexión una en la unión E-B (WE) y otra en launión C-B.

 Esta difusión y recombinación se da hasta llegar al

equilibrio, hasta conseguir una barrera de potencial

de 0,7V (para el Si)a 25ºC y 0.3V para el Ge a 25ºC

Un transistor no polarizado es como dosdiodos en oposición. Cada diodo tiene

una barrera de potencial de{aproximadamente 0,7V.

POLARIZACION EN DIRECTA

Vbb polariza en directa el diodo del emisor y la fuente de la derecha, Vcc polariza en inverza el diodo de colector

¿Qué camino seguirán los electrones libres? Lamayoría irán hacia el colector. ¿Por qué? Existen dos

razones: la base está ligeramente dopada y es muyestrecha. Sólo unos pocos electrones libres se

recombinarán con los huecos en la base ligeramentedopada de la Figura. Después, como electrones devalencia, fluirán a través de la resistencia de base hasta

el terminal positivo de la fuente de alimentación VBB .

La ganancia de corriente es una importante ventaja de

un transistor y ha llevado a todo tipo de aplicaciones. En

los transistores de baja potencia (menos de 1 W), la

ganancia de corriente normalmente está comprendida

entre 100 y 300. Los transistores de alta potencia (por

encima de 1 W) tienen usualmente ganancias de

corriente comprendidas entre 20 y 100.

CONEXIÓN EN EMISOR COMUN

 La forma mas utilizada de de conectar un transistor:

es en emisor común (EC).

En la siguiente Figura, el lado común o tierra de cada

una de las fuentes de tensión está conectada al

emisor. Por ello, el circuito se denomina conexión en

emisor común (EC). El circuito tiene dos mallas: la

malla de la izquierda es la malla de la base y la de la

derecha es la malla de colector.

En la malla de base, la fuente VBB polariza en directa al diodo

de emisor con RB como resistencia limitadora de corriente.

CambiandoVBB o RB. podemos cambiar la corriente de base y,

por tanto, cambiar la corriente de colector

En la malla de colector, una tensión de fuente Vcc polariza

en inversa al diodo de colector a través de Rc. La tensión de

alimentación Vcc debe polarizar en inversa el diodo de colector

como se muestra, o de lo contrario, el transistor no funcionará

apropiadamente. Dicho de otra manera, el colector debe ser

positivo para recolectar la mayor parte de los electrones libres

 inyectados en la base.

Región activa:

 En esta región de funcionamiento normal del transistor,

cuando éste no está ni en su región de saturación ni en la

región de corte entonces está en una región intermedia, la

región activa. Esta región es la más importante si lo que se

desea es utilizar el transistor como un amplificador de

señal.

En esta región, el diodo de emisor está polarizado en

directa y el diodo de colector está polarizado en inversa.

Además, el colector captura casi todos los electrones que

el emisor ha inyectado en la base. Por esta razón, los

cambios en la tensión del colector no tienen efecto en la

corriente de colector. Gráficamente, la región activa es la

parte horizontal de la curva. En otras palabras, la

corriente del colector es constante en esta región .

regioN de disrupción o región inversa:

 Otra región de operación es la región de

disrupción. El transistor nunca debería

funcionar en esta región porque se destruiría.

A diferencia del diodo zener,que está

optimizado para trabajar en la zona de

disrupción el transistor no está preparado

para operar en esta región. Al invertir las

condiciones de polaridad del funcionamiento

en modo activo,el transistor bipolar entra en

funcionamiento en modo inverso.

región de corte:
 Observe que cuando la corriente de base es cero,

existe una pequeña corriente de colector. Esta curva

de la parte inferior es la región de corte del transistor

y la pequeña corriente de colector se denomina

corriente de corte de colector.

 ¿Por qué existe esta corriente de corte de colector?

Porque el diodo de colector presenta una corriente

inversa de portadores minoritarios y una corriente de

fugas superficial. En un circuito bien diseñado la

corriente de corte de colector es lo suficientemente

pequeña como para poder ignorarla. Por ejemplo, un

2N3904 presenta una I de corte de colector de 50

nA. Si la corriente de colector real es 1 mA, se podria

ignorar.
 REGION DE SATURACION

En esta región, el diodo de colector no tiene la

suficiente tensión positiva como para capturar todos los

electrones libres inyectados en la base. En esta región, la

corriente de base IB mayor que la normal y la ganancia

de corriente βdc es menor quela normal.

G Cuanto mayor

es la potencia, más alta es la temperatura de la unión.

 Los transistores se quemarán cuando la temperatura de

la unión se encuentre entre 150 y 200°C.