Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
CURSO
DE
ELECTRÓNICA
II
Editorial E.S.I.M.E.
i
PRÓLOGO
La obra se presenta como premisa de la electrónica de potencia básica,
atendiendo los planes y programas de estudio, de la oferta educativa ofrecida por el
instituto; el objetivo en la exposición temática el de optimizar el tiempo de clase
personalizada.
D.A.A.
ii
Índice
Contenido Pag.
CAPÍTULO 1.
1 RECTICACIÓN POLIFÁSICA. 1
1.1 GENERACIÓN DE ENERGÍA ELÉCTRICA. 1
1.1.1 LEY DE LENZ. 1
1.1.2 LEY DE FARADAY. 2
1.1.3 UNA ESPIRA QUE GIRA BAJO EL EFECTO DE UN CAMPO 3
MAGNÉTICO.
1.1.4 DEDUCCIÓN DE LA LEY DE LENZ A PARTIR DE LA LEY DE FARADAY. 6
1.1.5 DETERMINACIÓN DE LA FORMA DE ONDA DE LA FUERZA
ELECTROMOTRIZ. 7
1.1.6 FACTOR DE CRESTA (F.C.). 10
1.2 SISTEMAS POLIFÁSICOS.. 11
1.2.1 DIFERENCIA DE POTENCIAL. 11
1.2.2 SISTEMA DE GENERACIÓN BIFÁSICA. 15
1.2.3 SISTEMAS DE GENERACIÓN TRIFÁSICA.. 18
1.3 TRANSFORMACIÓN TRIFÁSICA 25
1.3.1 SENTIDOS DE TENSIONES Y CORRIENTES DEL TRANSFORMADOR. 25
1.3.2 DIAGRAMAS FASORIALES Y CONEXIONES DE TRANSFORMADORES
TRIFÁSICOS. 25
1.3.3 PRESENTACIÓN DE LAS CONEXIONES TRIFÁSICAS DE SECUENCIA
POSITIVA, DE DOS SECCIONES POR FASE. 28
1.3.4 ALTERNATIVA DE CONEXIÓN ZIG-ZAG DE SECUENCIA POSITIVA Y
SU ANÁLISIS. 29
1.3.5 PRESENTACIÓN DE LAS CONEXIONES TRIFÁSICAS DE SECUENCIA
NEGATIVA, DE DOS SECCIONES POR FASE. 38
1.3.6 ALTERNATIVA DE CONEXIÓN ZIG-ZAG DE SECUENCIA NEGATIVA Y
SU ANÁLISIS. 39
1.4 RECTIFICACIÓN POLIFÁSICA DE CONMUTACIÓN NATURAL O NO
CONTROLADA. 46
1.4.1 CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE MEDIA ONDA. 46
1.4.2 CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE ONDA COMPLETA. 50
1.4.3 CIRCUITO RECTIFICADOR HEXAFÁSICO DE MEDIA ONDA. 51
1.4.4 CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE DOBLE ESTRELLA. 52
PRÁCTICA 1 RECTIFICACIÓN POLIFÁSICA MEDIA ONDA. 55
PRÁCTICA 2 RECTIFICACIÓN POLIFÁSICA ONDA COMPLETA. 57
PRÁCTICA 3 SISTEMAS DE RECTIFICACIÓN POLIFÁSICOS
ESPECIALS. 59
TABLA 1 PARÁMETROS IMPORTANTES DE LOS CIRCUITOS
RECTIFICADORES MONOFÁSICOS SIN FILTRO. 62
TABLA 2 CARACTERÍSTICAS DE LOS RECTIFICADORES
POLIFÁSICOS (IDEALES). 63
BIBLIOGRAFÍA. 64
iii
Contenido Pag.
CAPÍTULO 2
2 TRANSISTOR MONOUNIÓN. 65
2.1 PARÁMETROS. 65
2.2 CURVA CARACTERÍSTICA. 68
2.3 DETERMINACIÓN DE LAS RESISTENCIAS DE INTERBASE Y LA
RAZÓN INTRÍNSECA DE BLOQUEO. 70
2.3.1 RESISTENCIAS DE INTERBASES. 70
2.3.2 RAZÓN INTRÍNSECA DE BLOQUEO 71
2.4 RESISTENCIA NO LINEAL GOBERNADA POR CORRIENTE 72
2.5 CIRCUITO BÁSICO DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN COMO
CIRCUITO OSCILADOR DE RELAJACIÓN. 73
2.5.1 SEÑAL DE SALIDA DE DIENTE DE SIERRA 73
2.5.2 SELECCIÓN DEL VALOR DE LA RESISTENCIA DE EMISOR. 77
2.6 SEÑAL DE SALIDA DE PULSO AGUDO POSITIVO. 78
2.6.1 DETERMINA CIÓN DEL TIEMPO DE SUBIDA. 78
2.6.2 DETERMINACIÓN DEL TIEMPO DE BAJADA. 80
2.7 GENERACIÓN DE LA SEÑAL DE PULSO AGUDO NEGATIVO. 84
2.7.1 ANÁLISIS DEL CIRCUITO OSCILADOR DE RELAJACIÓN CON
ESTABILIZACIÓN DEL VOLTAJE PICO. 85
TABLA 1 DESIGNACIÓN Y DEFINICIONES DE PARÁMETROS DEL
TRANSISTOR MONOUNIÓN. 93
PRÁCTICA 4 DETERMINACIÓN DE LAS CARACTERÍSTICAS DEL
TRANSISTOR MONOUNIÓN. 94
PRÁCTICA 5 GENERADOR DE PULSOS CON TRASNSISTOR
MONOUNIÓN. 96
BIBLIOGRAFÍA UJT. 98
iv
Contenido Pag.
CAPÍTULO 3
3 TIRISTORES. 99
3.1 TIPOS DE TIRISTORES. 100
3.2 DIODO SHOCKLEY O DIODO DE CUATRO CAPAS. 101
3.2.1 CURVA CARACTERÍSTICA. 102
3.3 TIRISTOR DE CUATRO CAPAS Y TRES TERMINALES DE CONEXIÓN. 103
3.3.1 CONSTITUCIÓN GENERAL DEL SCR. 103
3.3.2 CONSTRUCCIÓN BÁSICA DEL SCR. 104
3.3.3 OPERACIÓN DEL SCR. 105
3.3.4 DIAGRAMA EQUIVALENTE FUNCIONAL DEL SCR. 107
3.3.5 ANALOGÍA DE OPERACIÓN DEL RECTIFICADOR CONTROLADO DE
SILICIO CON DOS TRANSISTYORES. 107
3.3.6 CURVA CARACTERÍSTICA DEL SCR. 109
3.3.7 CARACTERÍSTICAS DE PUERTA DEL SCR 111
3.3.8 CIRCUITO DE DISPARO BÁSICO Y CONSTRUCCIÓN DE LA LÍNEA DE
CARGA. 112
3.3.9 TIPOS DE ENCAPSULADOS. 113
3.3.10 CARACTERÍSTICAS DE DISPARO DEL SCR. 114
3.4 USO DEL UJT PARA EL DISPARO DEL SCR. 128
3.4.1 CIRCUITO DE DISPARO CON UJT SINCRONIZADO. 128
3.4.2 CIRCUITO DE DISPARO SIN SINCRONISMO EMPLEANDO UN UJT. 133
3.5 TIRISTOR TRIODO BIDIRECCIONAL (TRIAC). 134
3.5.1 CARACTERÍSTICAS DE PUERTA. 135
3.5.2 APLICACIONES. 136
3.5.3 CONEXIÓN ANTIPARALELO. 137
3.6 CONTROL DE ÁNGULO DE FASE. 138
3.6.1 VALOR MEDIO Y EFICAZ DE LA TENSIÓN EN LA CARGA DEL
RECTIFICADOR CONTROLADO DE MEDIA ONDA. 139
3.6.2 VALOR MEDIO Y EFICAZ DE LA TENSIÓN EN LA CARGA DEL
RECTIFICADOR CONTROLADO DE ONDA COMPLETA. 140
3.6.3 EFECTO DE LA CARGA INDUCTIVA EN LA FORMA DE ONDA
ENTREGADA POR EL RECTIFICADOR. 141
3.6.4 EFECTO DEL DIODO DE GIRO LIBRE. 142
PRÁCTICA 6 CARACTERÍSTICAS DEL SCR. 143
PRÁCTICA 7 CONTROL DE ENERGÍA CON SCR. 145
BIBLIOGRAFÍA. 147
v
Contenido Pag.
CAPÍTULO 4
vi
Contenido Pag.
CAPÍTULO 5
vii
1. RECTIFICACIÓN POLIFÁSICA
Figura 1.1
En la figura 1.1, la espira se mueve a velocidad constante, siguiendo las
trayectorias marcadas con números romanos.
Trayectoria I-II, conductor 1 y f.e.m. E1.
Trayectoria III-IV conductor 2 y f.e.m. E2.
Tenemos que E1=E2. y la corriente cambia de sentido, I1 contrario a I2.
1
La espira al desplazarse sobre el campo del polo, cambia la cantidad de flujo
abarcado en función de la velocidad; cumpliéndose la LEY DE LENZ, las corrientes
inducidas reaccionan contra el cambio de flujo (reforzándolo o disminuyéndolo), en
forma inversa para ambos costados del conductor, ver figura 1.1.
Figura 1.2
En la figura 1.2, se observa que en el conductor los electrones ( - ) se
concentran en el polo negativo y en el polo positivo hay defecto de electrones ( + ),
lo cual nos genera una diferencia de potencial con la polaridad indicada de menos a
más; que corresponde a la fuerza electromotriz inducida.
2
1.1.3 UNA ESPIRA QUE GIRA BAJO EL EFECTO DE UN CAMPO
MAGNÉTICO.
La generación de la energía eléctrica por métodos electromecánicos,
tiene su mejor aprovechamiento por el giro de espiras de conductor eléctrico dentro
de campos magnéticos permanentes. En la figura No. 1.3, se muestra un generador
elemental, representado por una espira rotando dentro de dos polos magnéticos y
un detalle del conductor moviéndose dentro del flujo magnético uniforme.
Figura 1.3
A = D×l = 2r ×l (1.6
3
D Diámetro de giro de la espira, m.
r Radio de giro de la espira, m.
l Longitud activa del conductor (la que se encuentra bajo el efecto del campo
magnético directamente).
De la figura 1.3, la velocidad perpendicular (V) que corta el flujo magnético.
v = vT cos θ (1.7
Para ángulos de θ = 90 ,v = 0 y θ = 0 ,v = vT .
o o
4
Podemos manipular la frecuencia eléctrica, con la modificación del número
de revoluciones (n), a un valor fijo y constante
Otra forma de modificar la frecuencia de la tensión generada, sería
incrementando el número de pares de polos, así, para el doble de la frecuencia
generada:
n
2 f = 2P (1.15
60
Pn
E = 4.443 NΦ
60
= 74 Pn N Φ 10 −3
(1.16
Ecuación muy identificada en el ambiente de la electricidad, recordar que no
existen polos magnéticos aislados.
Graficando la f.e.m. inducida; tenemos una función de perfil sinusoidal,
correspondiente al coseno, donde el factor de la función k = 2π f N Φ = Vmax , se
exhibe en la figura 1.4.
Figura 1.4
5
1.1.4 DEDUCCIÓN DE LA LEY DE LENZ A PARTIR DE LA LEY DE
FARADAY.
En la figura 1.5, se muestra el desplazamiento de una espira dentro de un
campo magnético uniforme.
Figura 1.5
La ley de Faraday ecuación 1.3, nos dice que:
e = Blv
Al desplazarse la espira, la razón de los incrementos espacio – tiempo se
expresa la velocidad:
∆S
v= (1.17
∆t
Y por ésta acción el área abarcada por la espira se incrementa:
∆A = l × ∆S (1.18
Substituyendo las ecuaciones No. 1.17 y 1.18 en la ecuación No. 1.6 se
tiene:
B × ∆A
e= (1.19
∆t
La densidad de campo magnético está dado por la ecuación 1.4..
Φ
B=
A
6
Donde:
B Densidad de campo magnético; Weber/m2 (Wb/m2) o también Tesla (T)
A Área; mts.2 (m2).
Φ Flujo; Weber (Wb).
Φ = BA
Despejando de la ecuación 1.4 al flujo: (1.20
Entonces tomando incrementos tenemos: ∆ Φ = B × ∆ A (1.21
∆Φ
e = −N
∆t
Que corresponde a la LEY DE LENZ, mostrada en la ecuación 1.2.
Figura 1.6
7
El área total que abarca la espira con su longitud activa es AT = l . D y para
un ángulo de giro dado (α). AT = l . D sen α (1.22
Sustituyendo el área total en la fórmula del flujo de la ecuación No. 1.20
tenemos:
φ = BlD senα (1.23
Y haciendo a BlD una constante k, entonces:
φ = k sen α (1.24
d Φ
Como e = − N de la ley de Faraday , entonces: e = − NBlD cos α (1.25
d t
Tomando a N B l D como una constante k1 entonces: e = − k1 cos α (1.26
Figura 1.7
Vamos a transferir el movimiento rotacional de vueltas por minuto
(revoluciones por minuto) a grados sexagesimales.
La velocidad rotacional (velocidad angular) por lo general se acostumbra a
dar en rpm, así:
8
El periodo de la onda será el tiempo transcurrido en una revolución o ciclo,
asignándole la letra T, se tiene el tiempo del recorrido de una onda completa en un
ciclo y será expresado en segundo / ciclo, de tal forma que resulta la inversa de la
frecuencia:
seg ciclo 1
T= Y f = ; Tenemos que: f= (1.13
ciclo seg T
Las expresiones quedan dadas como una función del tiempo a cualquier
frecuencia.
El ángulo de desplazamiento expresado en radianes, dado que α = ωt,
donde ω queda expresado en rad / seg, como una velocidad angular.
Si ω = 1 vuelta/seg. refiriéndo a la frecuencia ( f ), tenemos:
ω = 1 vuelta x f = 2 π f = 2 π (rad/s) (1.27
T
Para las funciones determinadas de flujo y f.e.m. inducida tendremos:
9
1.1.6 FACTOR DE CRESTA (FC).
Figura 1.8
10
1.2 SISTEMAS POLIFÁSICOS
11
1.2.1.1 Notación para la corriente.
Figura 1.9
b) Empleando la notación de doble subíndice, como se muestra en el
diagrama eléctrico de la figura 1.10, para la corriente Iab el cual define que la
corriente fluye de la terminal a hacia la terminal b.
Figura 1.10
Los dos métodos indican la dirección de circulación de la corriente en un
instante, en el que se considera para una corriente alterna, durante el semiciclo
positivo del perfil de la forma de onda.
Figura 1.11
12
b) Empleando la notación de doble subíndice, para el cual es necesario
identificar los elementos del circuito con literales (normalmente) o números,
mostrándose en la figura 1.12.
Figura 1.12
Para la d.d.p. Vab en la resistencia el punto a estará a un potencial mayor
Figura 1.13
Nota: Método que se emplea con regularidad en sistemas fasoriales,
mostrando la dirección y la fase; adelantada para la inductancia (+θ) y atrasada
para la capacitancia (-θ).
13
b) En el diagrama de la figura 1.14, se presenta la suma fasorial, partiendo
del origen para el circuito de la figura 1.12 (para elementos L y C reales).
Figura 1.14
En el método de notación de doble subíndice el orden de los subíndices nos
indica la dirección de la caída de potencial (cuando la función de la tensión
temporal, está en el semiciclo positivo), observemos en los diagramas eléctricos
que las flechas que indican la dirección de corrientes, corresponden al mismo
sentido que las caídas de potencial, ya que la corriente convencional circula en el
sentido de los potenciales decrecientes.
En el diagrama eléctrico tendremos: Vad = Vab + Vbc + Vcd (1.33
14
parámetro del primer miembro de la ecuación. Éste método de análisis es muy útil,
cuando se tienen muchas componentes de un circuito o se trata de un circuito
complejo (como lo es un sistema polifásico).
Figura 1.15
E AB = E AN − E BN
15
Por otro lado también tenemos que el fasor E BN = − E NB , quedando la d.d.p.
AB igual a:
E AB = E A N + E N B (1.38
E AB = 2 E AN ∠135º (1.39
E AB = E AN − E BN
= E∠90º + E∠180º
= E (cos 90º + j sen 90º ) + E (cos 180º + j sen 180º )
(1.40
= E ( −1 + j1 )
= 2 E∠135º
Los valores instantáneos que toma el fasor, son representados por una
función temporal, la cual podrá ser dada por una función seno o coseno y en
nuestro caso tomaremos el seno.
En la figura 1.15, se muestra la función temporal de los tres fasores en el
que se observan sus ángulos de defasamiento y el valor de sus amplitudes, en
función del valor eficaz de la tensión fase a neutro (todas la gráficas de valores
temporales tratadas en el texto serán en función del valor eficaz); corroborando que
la tensión instantánea entre fases es la diferencia de los valores de eAN menos
eBN .
Ecuaciones de las funciones temporales de los fasores.
16
En la representación fasorial tenemos la alternativa de adoptar la secuencia
negativa, la cual es causada por el cambio de giro del alternador, figura 1.16.
Figura 1.16
Las ecuaciones fasoriales serán:
E AN = E∠ − 90º
E BN = E∠0º
E AB = E AN − E BN
= E AN + E NB
(1.42
= 2 E∠ − 135º
Las expresiones matemáticas para los valores instantáneos está dado por
las mismas funciones temporales de la ecuación 1.33; dado que son variables
dependientes del ángulo de rotación (consecuentemente también del tiempo) y
conservan los mismos ángulos de defasamiento (90º en los dos sentidos de giro).
Visto de otra forma, consideremos los ángulos medidos en el sentido positivo
en el diagrama fasorial; teniéndose las funciones siguientes:
17
1.2.3 SISTEMA DE GENERACIÓN TRIFÁSICA.
Figura 1.17
Aquí podemos observar que para la misma tensión generada por fase en
ambos sistemas, en el sistema tipo Estrella se tendrá mayor tensión de línea, que
para el sistema tipo Delta; resultado de la composición de los fasores, disposición y
conexión de los devanados.
18
1.2.3.1 Análisis del sistema Delta.
En la figura 1.-18, se ha representado a los devanados del generador con
las posiciones que toman los fasores en el plano complejo (así se acostumbra),
indicando su ángulo relativo entre las tensiones generadas por fase.
Figura 1.18
La conexión delta de la figura 1.18, corresponde a la secuencia positiva
porque se han efectuado la conexión de los puntos AC’, BA’ y CB’.
Se tiene que las tensiones de fase ( Ef ) y las tensiones de línea ( El ) son las
mismas, la cual la designaremos como E, al módulo del fasor ( valor eficaz ).
Las ecuaciones fasoriales para secuencia positiva en notación polar serán:
Figura 1.19
19
Funciones temporales de la conexión Delta de secuencia positiva.
eAB = 2E sen( ωt )
eBC = 2E sen( ωt − 120º ) (1.45
eAB = 2E sen( ωt )
eBC = 2E sen( ωt + 120º ) (1.47
20
Ecuaciones fasoriales de la conexión Estrella de secuencia positiva.
E AB = E AN − EBN
= E AN + E NB
= E∠0º + E∠60º
= E(cos0º + j sen0º ) + E(cos60º + j sen60º )
= E( 3 2 + j 3
2 ) (1.49
= 3E( 3
2 + j 12 )
= 3E(cos 30º + j sen 30º )
= 3E∠30º
21
Diagrama fasorial de la conexión Estrella, figura 1.20.
Figura 1.20
eAN = 2E sen( ωt )
eBN = 2E sen( ωt − 120º )
eCN = 2E sen( ωt + 120º )
(1.50
eAB = 3 2E sen( ωt + 30º )
eBC = 3 2E sen( ωt − 90º )
eCA = 3 2E sen( ωt + 150º )
22
Gráficas de las funciones temporales conexión Estrella de secuencia
positiva, figura 1.21.
Figura 1.21
Ecuaciones fasoriales de la conexión Estrella con secuencia negativa.
E AA' = E AN = E AN ∠0º = E∠0º
= 3E( 0 + j1 )
= 3E(cos 90º + j sen 90º )
= 3E∠90º
23
En los diagramas fasoriales de la conexión Estrella de secuencia negativa,
figura 1.20, concluimos que se llegan a los mismos resultados de la secuencia
positiva, con respecto a magnitudes y ángulo de fase.
eAN = 2E sen( ωt )
eBN = 2E sen( ωt + 120º )
eCN = 2E sen( ωt − 120º )
(1.53
eAB = 3 2E sen( ωt − 30º )
eBC = 3 2E sen( ωt + 90º )
eCA = 3 2E sen( ωt − 150º )
Se hace notar que las funciones temporales de ambos sistemas difieren en
el ángulo de fase y ésta condición operativa afecta a equipos eléctricos y/o
electrónicos.
24
1.3 TRANSFORMACIÓN TRIFÁSICA.
Una forma sencilla de acondicionar o modificar las tensiones alternas se
realiza por medio de transformadores, aprovechando el fenómeno de inducción de
tensiones, en el cual se varía el flujo sobre un conductor estacionario.
En sistemas trífásicos se tiene la alternativa de modificar las tensiones por
dos métodos:
a) Por medio de un transformador del tipo trifásico.
b) Por medio de tres transformadores del tipo monofásicos (preferentemente
de características idénticas).
Figura 1.22
1.3.2
DIAGRAMAS FASORIALES Y CONEXIONES DE
TRANSFORMADORES TRIFÁSICOS.
25
Estrella – Estrella simples
26
Delta serie - Hexafásico
Figura 1.23
27
De los circuitos mostrados tendremos que el devanado primario (el que
recibe la energía) será el de alta tensión y el secundario (el que entrega la energía
al sistema) el de baja tensión; éste último constituirá la fuente que alimentará a los
rectificadores que deberán conectarse en forma adecuada para lograr la
rectificación.
En el proceso de la rectificación, la corriente continua de cada diodo circulará
por el devanado secundario de cada fase y esto puede dar lugar a la saturación en
el núcleo del transformador; lo que se traduce en una corriente primaria elevada de
magnetización, manifestado por la saturación de la curva de magnetización del
material ferromagnético.
En el sistema de transformación trifásico, el circuito puede modificarse para
obtener la conexión Zig - Zag, que evita este inconveniente dado que en cada
núcleo correspondiente a la fase, existen dos arrollamientos en los cuales las
corrientes circulan en sentidos opuestos, dando como resultado la neutralización
los flujos magnéticos inducidos.
28
Figura 1.24
29
Figura 1.25
TENSIONES DE FASE.
Para la línea 1.
30
Hemos seguido el planteamiento de las ecuaciones, tomando en cuenta la
polaridad de los devanados, polaridad de entrada positiva y no polaridad negativa.
3 1
= 3V − j = 3 V {cos 30º − jsen30º }
2 2
= 3 V ∠ − 30º
Para la línea 2.
31
Para la línea 3.
1 3 1 3 3
= V − + j +V + j = V 0 + j2
2 2 2 2 2
= 3 V {0 + j1} = 3 V {cos 90º + j sen90º }
= 3 V ∠90º
TENSIONES DE LÍNEA.
V L 12 = V L1 − V L 2 = 3 V ∠ − 30º − 3 V ∠210º
{ }
= 3V {[ cos( −30º )] + j [ sen( −30º )]} − 3V cos ( 210º ) + j sen ( 210º )
= 3V {[ cos 30º ] − j [ sen30º ]} − 3V {[ − cos 30º − j sen30º ]}
3 1 3 1 3
= 3V − j − 3V − − j = 3V 2 + j0
2 2 2 2 2
= 3V { }
3 + j0 = 3 V {1 + j0} = 3{cos0º + j sen0º }
= 3 V ∠0º
32
Para la línea 2-3.
33
En la figura 1.26, se exhiben las conexiones del segundo caso, en el que las
secciones de devanados se agrupan, así: para la línea L1 1-4 y 8-11
correspondiente a la fase A; línea L2 2-5 y 9-12 correspondiente a la fase B y línea
L3 3-6 y 7-10 correspondiente a la fase C. Corroborándose con el diagrama
fasorial, que exhibe la dirección del fasor correspondiente a la dirección del
devanado dado por su polaridad.
Figura 1.26
TENSIONES DE FASE.
V L1 = V 1−4 − V 8 −11 = V ∠0º −V ∠ − 120º = V ∠0º +V ∠60º = 3V ∠30º
V L2 = V 2−5 − V 9−12 = V ∠ − 120º −V ∠120º = V ∠ − 120º +V ∠ − 60º = 3V ∠ − 90º
V L3 = V 3−6 − V 7 −10 = V ∠120º −V ∠0º = V ∠120º +V ∠180º = 3V ∠150º
TENSIONES DE LÍNEA.
V L 12 = V L1 − V L2 = 3V ∠30º − 3V ∠ − 90º
= 3V ∠30º + 3V ∠90º = 3V ∠60º
V L 23 = V L2 − V L3 = 3V ∠ − 90º − 3V ∠150º
= 3V ∠ − 90º + 3V ∠ − 30º = 3V ∠ − 60º
V L 31 = V L3 − V L1 = 3V ∠150º − 3V ∠30º
= 3V ∠150º + 3V ∠ − 150º = 3V ∠180º
34
En la figura 1.27, se muestran las conexiones del tercer caso, en el que las
secciones de devanados se agrupan, así: para la línea L1 1-4 y 9-12
correspondiente a la fase A; línea L2 2-5 y 7-10 correspondiente a la fase B y línea
L3 3-6 y 8-11 correspondiente a la fase C. Corroborándose con el diagrama
fasorial, que exhibe la dirección del fasor correspondiente a la dirección del
devanado dado por su polaridad.
Figura 1.27
TENSIONES DE FASE.
TENSIONES DE LÍNEA.
V L 12 = V L1 − V L2 = 3V ∠150º − 3V ∠30º
= 3V ∠150º + 3V ∠ − 150º = 3V ∠180º
V L 23 = V L2 − V L3 = 3V ∠30º − 3V ∠ − 90º
= 3V ∠30º + 3V ∠90º = 3V ∠60º
V L 31 = V L3 − V L1 = 3V ∠ − 90º − 3V ∠150º
= 3V ∠ − 90º + 3V ∠ − 30º = 3V ∠ − 60º
35
En la figura 1.28, se muestran las conexiones del cuarto caso, en el que las
secciones de devanados se agrupan, así: para la línea L1 1-4 y 8-11
correspondiente a la fase A; línea L2 2-5 y 9-12 correspondiente a la fase B y línea
L3 3-6 y 7-10 correspondiente a la fase C. Corroborándose con el diagrama
fasorial, que exhibe la dirección del fasor correspondiente a la dirección del
devanado dado por su polaridad.
Im
5 L2
1 2 3
2
5 9
4 6
L1 L2 L3
Re
12 10 7
7 8 9 3
11
L1 6
10 11 8
12 4 1 L3
Figura 1.28
TENSIONES DE FASE.
TENSIONES DE LÍNEA.
36
Ésta representación de conexión fasorial trifásica, es pictórica; por el hecho
de exhibir en el diagrama de fasores, junto a las conexiones de éstos, manifestando
la composición fasorial por línea y por fase, con las secciones de las fases
correspondientes; notemos que las llegadas por no polaridad invierten la dirección
del fasor, como se pudo observar en el diagrama fasorial completo de la figura
1.28.
Figura 1.29
37
1.3.5 PRESENTACIÓN DE LAS CONEXIONES TRIFÁSICAS DE
SECUENCIA NEGATIVA, DE DOS SECCIONES POR FASE
Figura 1.30
38
1.3.6 ALTERNATIVAS DE CONEXIÓN ZIG-ZAG, DE SECUENCIA
NEGATIVA Y SU ANÁLISIS.
Se presentan los cuatro casos posibles del tipo de conexión Zig-Zag de un
banco trifásico en secuencia negativa; los argumentos de los fasores base, en sus
diagramas muestran un defasamiento de 120° geométricos entre ellos (grados
sexagesimales). En la figura 1.31, se exhiben las conexiones y el diagrama
fasorial del primer caso, en el que los grupos de devanados por fase serán: 1-4 y 7-
10 correspondiente a la fase A, 2-5 y 8-11 correspondiente a la fase B con 3-6 y 9-
12 correspondiente a la fase C; mostrando su conexión a las líneas (L1, L2 y L3).
Figura 1.31
Desarrollo de ecuaciones en conexión Zig-Zag.
TENSIONES DE FASE.
Para la línea 1.
V L1 = V 1−4 − V 9 −12 = V ∠0º −V ∠ − 120º = V ∠0º +V ∠60º
{ }
= V {[ cos( 0º )] + j [ sen( 0º )]} + V cos ( 60º ) + j sen ( 60º )
1 3 3 3
= V {1 + j0} + V + j =V + j
2 2 2 2
3 1
= 3V + j = 3 V {cos 30º + jsen30º }
2 2
= 3 V ∠30º
Hemos seguido el planteamiento de las ecuaciones, tomando en cuenta la
polaridad de los devanados, polaridad de entrada positiva y no polaridad negativa.
39
En el diagrama fasorial para la línea 1, tratando a los fasores como suma,
tendríamos el siguiente desarrollo.
1 3 3 3
=V + j + V {1 + j0} = V + j
2 2 2 2
3 1
= 3V + j = 3 V {cos 30º + j sen30º }
2 2
= 3 V ∠30º
Para la línea 2.
1 3 3 3
= V − + j + V {−1 + j 0} = V − + j
2 2 2 2
3 1
= 3 V − + j = 3 V {− cos 30º + j sen30º }
2 2
= 3 V ∠180 − 30º = 3 V ∠150º
40
Para la línea 3.
1 3 1 3 3
= V − + j +V + j = V 0 − j2
2 2 2 2 2
= 3 V {0 − j1} = 3 V {cos − 90º + j sen − 90º }
= 3 V ∠ − 90º
TENSIONES DE LÍNEA.
41
Para la línea 3-1.
V L 31 = V L3 − V L1 = 3 V ∠ − 90º − 3 V ∠30º
{ }
= 3V {[cos( −90º )] + j [ sen( −90º )]} − 3V cos ( 30º ) + j sen ( 30º )
3 1 3 3
= 3V {0 − j1} − 3V + j = 3V − −j
2 2 2 2
1 3
= 3 V − − j = 3{− cos60º − j sen60º }
2 2
= 3V ∠ − 120º
En la figura 1.32, se exhiben las conexiones del segundo caso, en el que las
secciones de devanados se agrupan, así: para la línea L1 1-4 y 8-11
correspondiente a la fase A; línea L2 2-5 y 9-12 correspondiente a la fase B y línea
L3 3-6 y 7-10 correspondiente a la fase C. Corroborándose con el diagrama
fasorial, que exhibe la dirección de los fasores correspondiente a la dirección de la
polaridad de los devanados.
Figura 1.32
42
TENSIONES DE FASE.
TENSIONES DE LÍNEA.
V L 12 = V L1 − V L2 = 3V ∠ − 30º − 3V ∠90º
= 3V ∠ − 30º + 3V ∠ − 90º = 3V ∠ − 60º
V L 23 = V L2 − V L3 = 3V ∠ 90º − 3V ∠ − 150º
= 3V ∠ 90º + 3V ∠30º = 3V ∠ 60º
V L 31 = V L3 − V L1 = 3V ∠ − 150º − 3V ∠ − 30º
= 3V ∠ − 150º + 3V ∠ 150º = 3V ∠ 180º
En la figura 1.33, se muestran las conexiones del tercer caso, en el que las
secciones de devanados se agrupan, así: para la línea L1 1-4 y 9-12
correspondiente a la fase A; línea L2 2-5 y 7-10 correspondiente a la fase B y línea
L3 3-6 y 8-11 correspondiente a la fase C. Corroborándose con el diagrama
fasorial, que exhibe la dirección del fasor correspondiente a la dirección de la
polaridad de los devanados.
Figura 1.33
43
TENSIONES DE FASE.
TENSIONES DE LÍNEA.
V L 12 = V L1 − V L2 = 3V ∠ − 150º − 3V ∠ − 30º
= 3V ∠ − 150º + 3V ∠150º = 3V ∠180º
V L 23 = V L2 − V L3 = 3V ∠ − 30º − 3V ∠ 90º
= 3V ∠ − 30º + 3V ∠− 180º = 3V ∠ − 60º
V L 31 = V L3 − V L1 = 3V ∠ 90º − 3V ∠ − 150º
= 3V ∠ 90º + 3V ∠ + 30º = 3V ∠ 60º
En la figura 1.34, se muestran las conexiones del cuarto caso, en el que las
secciones de devanados se agrupan, así: para la línea L1 1-4 y 8-11
correspondiente a la fase A; línea L2 2-5 y 9-12 correspondiente a la fase B y línea
L3 3-6 y 7-10 correspondiente a la fase C. Corroborándose con el diagrama
fasorial, que exhibe la dirección del fasor, correspondiente a la polaridad del
devanado.
4 Im
1 2 3 1
L3
8 6
L1
11 Re
4 5 6 3
12 10 7
L1 L2 L3
7 8 9
9
10 11 12
5 L2
Figura 1.34
44
TENSIONES DE FASE.
V L1 = V 8−11 − V 1−4 = V ∠ 120º −V ∠0º = V ∠ 120º + V ∠180º = 3V ∠ 150º
V L2 = V 9 −12 − V 2−5 = V ∠ − 120º −V ∠ 120º = V ∠ − 120º + V ∠ − 60º = 3V ∠ − 90º
V L3 = V 7 −10 − V 3−6 = V ∠0º −V ∠ − 120º = V ∠0º +V ∠60º = 3V ∠ 30º
TENSIONES DE LÍNEA.
V L 12 = V L1 − V L2 = 3V ∠ 150º − 3V ∠ − 90º
= 3V ∠ 150º + 3V ∠ 90º = 3V ∠ 120º
V L 23 = V L2 − V L3 = 3V ∠ − 90º − 3V ∠ 30º
= 3V ∠ − 90º + 3V ∠ − 150º = 3V ∠ − 120º
V L 31 = V L3 − V L1 = 3V ∠ 30º − 3V ∠ 150º
= 3V ∠ 30º + 3V ∠ − 30º = 3V ∠0º
Las ecuaciones desarrolladas como podrá observarse, se basan en el
diagrama fasorial, con su fase correspondiente, que podemos corroborar con las
conexiones, la figura 1.35 sintetiza la conexión realizada en la figura 1.34.
Ésta representación de conexión fasorial trifásica figura 1.35, es pictórica;
por el hecho de exhibir en el diagrama las conexiones en los fasores, para la
secuencia mostrada. La secuencia de las conexiones se realiza en los devanados
parciales de cada fase, manifestando la composición fasorial por línea y por fase,
notemos que las llegadas por no polaridad invierten la dirección del fasor, como se
pude observar en el diagrama fasorial completo de la figura 1.34.
Figura 1.35
45
Del análisis anterior, podemos observar la conservación del orden de las
fases (es decir su secuencia, en éste caso negativa), su fase y su módulo,
dependiente de la conexión realizada por grupo de devanados parciales, al final las
tensiones de línea resultado de las conexiones, también conservan su magnitud
(módulo) y su secuencia de fases; por otro lado, cumplen con el requisito para
poder conectarlos en paralelo o serie y tendrán necesariamente que coincidir con
los pares a interconectarse; no perdamos de vista el hecho de que la
representación en el plano cartesiano complejo, es una decisión en tomar la
referencia del mismo y por lo tanto; la podemos cambiar para hacer congruentes
las líneas de conexión de otros sistemas asociados.
46
Figura 1.36
En el circuito rectificador vemos que se tiene un devanado secundario de
transformación en conexión estrella con neutro, necesariamente para contar con un
retorno de la corriente que circula en los diodos rectificadores. Su operación se
entenderá por el análisis de la forma de onda de la figura 1.37, en donde podemos
concretar que el diodo que estará en conducción será el de mayor valor de tensión
instantánea positiva aplicada (diodo 1 con la tensión vaN, diodo 2 con la tensión vbN
y diodo 3 con la tensión vcN), la cual polarizará directamente al dispositivo
correspondiente.
Figura 1.37
47
Figura 1.38
Aplicada para una función tipo v = Vmax sen( ωt ) , de la figura 1.38, tenemos:
π π
1 +
VCC =
2π ∫π 2 m
−
2 m
π Vmax sen ( ωt ) d( ωt )
m
π π
m +
= Vmax [ − cos( ωt )] 2 m
π π
2π −
2 m
m π π π π
= Vmax − cos + − cos −
2π 2 m 2 m
48
Sintetizando.
π
α= (1.56
m
senα
VCC = Vmax (1.57
α
Aplicada para una función tipo v = Vmax sen( ωt ) , figura 1.38, tenemos:
1
π π
m + 2
VCA = ∫ sen 2 ( ωt )d( ωt )
2 m 2
π π Vmax (1.61
2π −
2 m
Efectuando la integración.
1
V m 2π 2
VCA = max 1 +
2π sen (1.62
2 m
Sintetizando.
π
α= (1.63
m
La tensión eficaz en la carga.
49
Vmax sen(2α ) 1
VCA = 1+
2
(1.64
2 2α
Haciéndolo extensivo a la intensidad de corriente, la corriente eficaz en la
carga.
V V sen(2α ) 1
I CA = CA = max 1+
2
(1.65
RL 2 RL 2α
PCA = VCA I CA
2
Vmax sen(2α ) (1.66
= 1 +
2RL 2α
Figura 1.39
50
Figura 1.40
c b´
a
a´
_
b c´
RL
D1 D2 D3 D4 D5 D6
+
Figura 1.41
51
1.4.4 CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE DOBLE ESTRELLA.
Figura 1.42
Las tensiones de los puntos comunes de las estrellas están defasados 180º
sexagesimales, los cuales son conectados al reactor de interfase y su punto central
de éste, es la salida de conexión hacia la carga.
En cualquier instante la corriente es suministrada por dos fases, una en cada
estrella y de regreso la corriente es dividida entre los dos secundarios por el reactor
de interfase; por lo consiguiente el reactor y los devanados del transformador,
tendrán la misma capacidad de conducción de corriente.
52
Para el rectificador trifásico de media onda tendremos tres impulsos por
ciclo, figura 1.37; de ahí que la tensión media en la carga será:
1 150º
VCC = 3
2π ∫ 30º
Vmax sen( ωt )d( ωt )
3Vmax
= [ − cos( ωt )] 150º
2π
30º
3V
= max [ − cos150º + cos 30º ]
2π
3V
= max [ cos 30º + cos 30º ]
2π
3V 3
= max 2
2π 2
3 3
= Vmax = 0.827 Vmax
2π
sen α π π
VCC = Vmax ; como: α = =
α m 3
180º
= = 60º
3
Substituyendo el valor del ángulo:
3
sen60º 2 = 3 3 V = 0.827 V
VCC = Vmax = Vmax
π π 2π
max max
3 3
Observando los resultados anteriores concluimos que se llega al mismo
valor por los dos métodos; por lo tanto para la tensión de 127 V, la tensión media
será:
VCC= 1.169 × 127=148.5 V.
53
Problema 2. Para las mismas condiciones del problema anterior, resuelva
ahora para el rectificador trifásico tipo puente.
1 120º 3Vmax
VCC = 6 ∫ V sen( ωt )d( ωt ) = [ − cos( ωt )] 120º
2π 60º π
max 60º
3V 3V 3
= max [ − cos120º + cos60º ] = max [ 2cos60º ] = Vmax
π π π
= 0.955Vmax = 1.35Vef
sen α π π
VCC = Vmax donde α= = = 30º
α m 6
1
= Vmax 2 = 3 V = 0.955 V = 1.35 V
π π
max max ef
54
LABORATORIO DE COMPONENTES Y CIRCUITOS ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ll
PRÁCTICA 1
1. Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de comprender através de la
experimentación, el comportamiento de los rectificadores polifásicos de
conmutación natural, energizados con una fuente trifásica; y la de determinar los
parámetros de la rectificación de media onda; para diferentes tipos de conexiones.
3. Procedimiento.
3.1 Identifique los elementos del circuito, anotando sus características.
3.2 Verifique el buen estado de los componentes del circuito, reemplazando
los elementos, sí es el caso.
3.3 Conecte la maqueta de experimentación a la fuente trifásica de la
consola de pruebas, para el grupo de conexiones 1, 3, 5 y 6 de la figura 1.23
(consulte los apuntes, conexiones estrella-estrella simples, delta-estrella series,
delta serie-hexafásico y delta serie-zigzag (conexiones con los devanados simples
de alta y baja tensión). Los transformadores monofásicos que integran la maqueta
de experimentación son de las siguientes características: 120 V -120 V / 15 V - 15
V y 50 VA. Use como carga de los rectificadores una resistencia de 1 K Ω a 10 W.
3.4 Sin conectar la maqueta; regule la tensión de salida de la fuente
trifásica a un valor de 120 V de fase (la salida de la fuente trifásica del tablero de
prueba, integrado por un juego de 3 autotransformadores que se encuentran en
conexión estrella con acceso al neutro).
3.5 Energice la maqueta de experimentación através de los fusibles
invariablemente(montados en la entrada de la maqueta).
3.6 Toma de lecturas:
a) En corriente alterna tome las tensiones de las terminales del
primario, secundario del banco de transformación y en la carga.
b) En Corriente Directa tome lecturas de tensión y corriente en los
diodos y carga.
55
c) Por medio del osciloscopio observe y grafique las formas de onda
en la fuente de alimentación de corriente alterna (baja tensión), diodos y en la
carga.
d) Determine la potencia consumida en la carga y en los diodos.
4 Cuestionario.
4.1 Describa el funcionamiento de los circuitos rectificadores, tratados en la
práctica.
4.2 De acuerdo con los resultados obtenidos en práctica, ¿cual es el
circuito más eficiente y porque?.
4.3 De los circuitos empleados en la práctica, ¿cual recomienda para uso
en la industria?.
4.4 ¿ Que sucede en cualquiera de los circuitos tratados, sí uno de los
diodos está en circuito corto o en circuito abierto?.
4.5 Mencione las ventajas de utilizar el rectificador trifásico, en lugar del
rectificador monofásico.
4.6 Investigue las ventajas y desventajas de la rectificación trifásica,
realizada con transformadores monofásicos y con transformadores trifásicos.
56
LABORATORIO DE COMPONENTES Y CIRCUITOS ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ll
PRÁCTICA 2
1. Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de comprender através de la
experimentación, el comportamiento de los rectificadores polifásicos de
conmutación natural, energizados con una fuente trifásica; y la de determinar los
parámetros de la rectificación de onda completa (seis impulsos por ciclo); para
diferentes tipos de conexiones del banco de transformación.
3. Procedimiento.
3. 1 Identifique los elementos del circuito, anotando sus características.
3.2. Verifique el buen estado de los componentes del circuito,
reemplazando los dañados, sí es el caso.
3.3 Conecte la maqueta de experimentación a la fuente trifásica de la
consola de pruebas, para el grupo de conexiones 2, 4, 7 y 8 de la figura 1.23 (ver
los apuntes, conexiones estrella/delta simples, delta/delta series, delta serie/doble
estrella y delta abierta/delta abierta series (que incluye los devanados de alta y baja
tensión). Los transformadores monofásicos que integran la maqueta de
experimentación son de las siguientes características: 120 V -120 V / 15 V - 15 V y
50 VA. Use como carga de los rectificadores una resistencia de 1 K Ω a 10 W.
3.4 Sin conectar la maqueta; regule la tensión de salida de la fuente
trifásica a un valor de 120 V de fase (la salida de la fuente trifásica del tablero de
prueba, integrado por un juego de 3 autotransformadores que se encuentran en
conexión estrella con acceso al neutro).
3.5 Energice la maqueta de experimentación através de los fusibles
invariablemente.
3.6 Toma de lecturas:
a) En corriente alterna tome las tensiones de las terminales del
primario, secundario del banco de transformación y en la carga.
b) En Corriente Directa tome lecturas de tensión y corriente en los
diodos y en la carga.
57
c) Por medio del osciloscopio observe y grafique las formas de
onda en la fuente de alimentación de corriente alterna (baja tensión),en los diodos y
en la carga.
d) Determine la potencia consumida en la carga y en los diodos.
4. Cuestionario.
4.1 Describa el funcionamiento de los circuitos rectificadores tratados en la
práctica.
4.2 De acuerdo con los resultados obtenidos en práctica, ¿cual es el
circuito más eficiente y porque?.
4.3 De los circuitos empleados en la práctica, cual recomienda para uso en
la industria.
4.4 ¿Que sucede en cualquiera de los circuitos tratados, sí uno de los
diodos está en circuito corto o en circuito abierto?.
58
LABORATORIO DE COMPONENTES Y CIRCUITOS ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II
PRÁCTICA 3
1. Objetivo.
3. Procedimiento.
59
4 Toma de lecturas.
VAT1 VBT1
l1
L1
6 6
5 4 1 5 4 1
NAT NBT
2 2 l2
L2
11 9 11 9
VAT2 VBT2
8 12 8 12
10 7
10 7
60
Tome las tensiones de fase y de línea (primarias y secundarias), reporte las
formas de onda del rectificador y compruebe los valores medidos en el
experimento, con los determinados teóricamente; recabados en su hoja de campo.
4. Cuestionario.
4.1 Describa el método de la determinación de la polaridad de un
transformador, por suma de tensiones.
4.2 En función de los resultados de la práctica, ¿Cuál conexión de
transformación le resulta más ventajosa y porque?
4.4 Investigue las ventajas del empleo en la rectificación de un banco de
transformación monofásico u otro trifásico.
4.5 ¿Cuál sería una de las causa de la diferencia del perfil de las ondas
rectificadas de media onda y de onda completa?; sí es que las hay.
4.6 Conecte y compruebe el doblador de tensión, siguiente figura.
4.8 Por conexión de los devanados de baja tensión, ¿Cómo podría lograr el
doblador de tensión y el duplicador de corriente?; reporte los circuitos equivalentes
correspondientes.
61
TABLA 1, PARÁMETROS IMPORTANTES DE LOS CIRCUITOS
RECTIFICADORES MONOFÁSICOS SIN FILTRO
62
TABLA 1(Continuación).
ECUACIÓN ONDA COMPLETA
DIODOS MEDIA ONDA TOMA CTO.
GENERAL MEDIA PUENTE
Potencia en el PD I 2 cc rD I 2 cc I 2 cc
Diodo rD rD
4 4
m 2 3 4 6 12
Tensión sen α 0.637 Vmax 0.827 Vmax 0.900 Vmax 0.955 Vmax 0.989 Vmax
media en la VCC = Vmax
carga
α
π 180
α = rad = grad
m m
Tensión
eficaz en la 0.707 VMax 0.841 Vmax 0.905 Vmax 0.956 Vmax 0.989 Vmax
Vmax sen 2α
carga VCA = 1+
2 2α
Factor de
forma VCA 1.110 1.016 1.005 1.001 1.000
Decimal F=
VCC
Indice de
ondulación V 'CA 0.482 0.183 0.098 0.042 0.001
Decimal β=
VCC
63
BIBLIOGRAFÍA
64
2. TRANSISTOR MONOUNIÓN
2.1 PARÁMETROS
Figura 2.1
65
a una temperatura de 25ºC con un rango típico de resistencia entre 4 KΩ y 12 KΩ,
para diversos dispositivos disponibles en el mercado.
Donde:
RBB Resistencia de base 1 (uno) a base 2 (dos), Ohm (Ω).
RB1 Resistencia del cátodo del diodo a la base 1 (uno), Ohm (Ω).
RB2 Resistencia del cátodo del diodo a al base 2 (dos), Ohm (Ω).
Figura 2.2
En el diagrama equivalente del transistor monounión de la figura 2.3, para la
tensión de emisor nula (VE = 0) y la d.d.p. de interbases distinto de 0 (VB12 ≠ 0), la
terminal de conexión de la base 2 (dos) es positiva respecto a la terminal de
66
conexión de la base 1 (uno) y el diodo se encuentra polarizado inversamente
através del divisor de voltaje, formado por las resistencias internas del transistor.
Figura 2.3
VRB 1 = I B RB1
VB12
= RB1
RBB
RB1
= VB12 (2.2
RBB
= ηVB12
RB1
η= (2.3
RBB IE = 0
V = ηV +V (2.4
P B12 D
67
Se tiene que el voltaje del diodo (VD) es del orden de 0.35 V a 0.7 V y
tomado como ideal sería 0 V, por lo que en algunas ocasiones para análisis rápido
tomamos en forma práctica la ecuación 2.5.
VP = ηVB12 (2.5
Figura 2.4
68
Ésta es una curva cualitativa para una tensión de polarización constante
(figura 2.4); en la región de corte el diodo de emisor está polarizado inversamente,
circula una corriente de emisor de fuga (IEO) del orden de nanoampers (nA),
equivalente a la corriente inversa de un transistor de unión de silicio (ICO), menor
que cualquier valor de corriente de polarización directa.
La región de corte termina en el punto pico en el que la tensión de emisor es
máxima e igual al voltaje pico (VEmax = VP), punto en el que se establece la
circulación de la corriente de emisor al valor de la corriente pico (IP); la corriente
pico es un parámetro dado por el fabricante con valores típicos de 2 a 50 µA, cabe
mencionar que los parámetros de corriente pico y voltaje pico son dependientes de
la temperatura en razón inversa.
En la figura 2.4, al aumentar la corriente de emisor a partir del valor pico, se
inicia una disminución del voltaje de emisor hasta un valor mínimo llamado voltaje
valle (VV), correspondiente a la corriente valle (IV).
El voltaje valle toma valores típicos entre 1 y 4 V, según el dispositivo
seleccionado y junto con la corriente valle de 1 a 25 mA sus valores son dados por
el fabricante.
La región de resistencia negativa queda limitada por el punto pico y punto
valle de la curva característica.
La región de saturación se localiza en la curva característica a la derecha
del punto valle, en ésta se observa en los incrementos de la corriente de emisor se
aumenta el voltaje de emisor, comportándose el dispositivo como un diodo
rectificador.
La característica de tensión – corriente del emisor,en la entrada de un
transistor monounión típico, es similar a la exhibida en figura 2.5, básicamente para
la región de resistencia negativa, las cuales son suministradas por el fabricante a
una temperatura de 25º C.
Figura 2.5
69
2.3 DETERMINACION DE LAS RESISTENCIAS DE INTERBASE Y
LA RAZÓN INTRÍNSECA DE BLOQUEO.
Figura 2.6
R RVBB
ER = VBB ∴ RBB = −R (2.6
R + RBB ER
70
2.3.2 RAZÓN INTRÍNSECA DE BLOQUEO.
Con el auxilio del circuito, figura 2.7, podemos determinar la razón intrínseca
de bloqueo en el que la tensión máxima manifiesta en la terminal de emisor
corresponderá a la tensión pico.
Figura 2.7
71
2.4 RESISTENCIA NO LINEAL GOBERNADA POR LA CORRIENTE
Figura 2.8
72
2.5 CIRCUITO BÁSICO DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN
COMO CIRCUITO OSCILADOR DE RELAJACIÓN.
El dominio de los dispositivos electrónicos hasta hace poco tiempo fue de los
circuitos osciladores sinusoidales, aun cuando varios tipos de osciladores de
relajación fueron diseñados por especialistas para formas de onda no sinusoidales;
de las formas de onda más comunes podemos mencionar: cuadrada, rectangular,
diente de sierra, triangular y trapezoidal. En la mayoría de los generadores de onda
no senoidales, se basan en el tiempo de carga y descarga de un capacitor através
de una resistencia (circuito RC), estableciendo la frecuencia de oscilación o
intervalo de relajación; para dispositivos electrónicos de estado sólido aplicado a
circuitos osciladores y temporizadores.
En el circuito oscilador a base de transistor monounión (UJT), figura 2.9,
tenemos un generador de 3 (tres) pulsos de salida: el primero es un pulso positivo
que se obtiene en base 1 (B1), un pulso negativo en base 2 (B2) y un pulso tipo
diente de sierra en el emisor (E).
Figura 2.9
73
Figura 2.10
74
La tensión de carga del capacitor para valores instantáneos está dado por la
ecuación 2.9, cuando una tensión de directa (continua) es aplicada através de una
resistencia, el tiempo requerido para la carga del condensador, es determinado por
la constante de tiempo τ(en segundos),
t
−
vCE = VBB + Ae τ
, τ = RE CE (2.9
t
−
Teniéndose: vCE = VBB ( 1 − e τ
) (2.10
V p = ηVBB
1
t1 = RE CE ln (2.11
( 1 −η )
1
t1 = 2.3RE CE log (2.12
( 1 −η )
75
Para la tensión del condensador.
t
−
vCE = VBB + (VV − VBB )e τ
(2.13
t
−
ηVBB = VBB + (VV − VBB )e τ
Despejando a η
VV − VBB − τt ( η − 1 )VBB −
t
η =1+ e , teniéndose: =e τ
VBB VV − VBB
( 1 − η )VBB 1
= t
VBB − VV
eτ
V −V
t1 = RE CE ln BB V (2.14
VBB − ηVB12
El voltaje de valle (VV) puede tomarse como un valor promedio a las
diferentes tensiones de inter bases (VB12) y la relación intrínseca de bloqueo (η)
como una constante de las curvas características ó tomando los datos promedio
típicos que suministra el fabricante.
76
2.5.2 SELECCIÓN DEL VALOR DE LA RESISTENCIA DE EMISOR.
Figura 2.11
VBB − VP
RE max = (2.15
IP
VBB − VV
RE min = (2.16
IV
El valor de la resistencia de emisor tendrá el intervalo.
77
En la práctica se recomienda que el valor menor seleccionado de la
resistencia de emisor, sea de 2 a 3 veces el valor de la resistencia de emisor
mínima calculada (RE = 2 a 3 RE min), con el objeto de evitar que el transistor se
sature y deje de oscilar.
Figura 2.12
+
Tenemos: VCE = VP ; VD = 0 ,I E ≥ 0 ,t = 0
78
El voltaje pico en función de la diferencia de potencial (d.d.p.) de interbases
de la ecuación 2.5. será:
VP = η VB 12
RBB
VB12 = VBB (2.19
R1 + RBB
η RBB
VP = VBB (2.20
R1 + RBB
η RBB R1
VB1 =VR1 = VBB (2.21
( R1 + R'B1 ) ( R1 + RBB )
Teniendo la ecuación 2.13.
t
−
vCE = VP = VBB + (VV − VBB ) e τ
; τ = RE CE
t
−
ηVB12 = VBB + ( VV − VBB )e τ
V − VV
t1 = RE C E ln BB (2.22
VBB − ηVB12
t1 = RE C E ln
(VBB − VV ) ( R1 + RBB ) (2.23
VBB RBB ( 1 − η ) + R1
79
2.6.2 DETERMINACIÓN DEL TIEMPO DE BAJADA
R1
V 'B1 = V 'R1 = VV (2.24
R1 + R' B 1
La resistencia intrínseca de emisor a base 1 (R’B1) para la operación del
transistor en la región de resistencia negativa, tiene una valor típico aproximado de
30 a 100 Ω para los diferentes tipos de transistores monounión (UJT). Cuando
contamos con mayor información del transistor como son los datos de tensión y
corriente valle, podemos proponer un valor de la resistencia intrínseca (R’B1) en
función de éstos datos.
VV
R' B1 = (2.25
IV
t
−
vC = V0 e RC
(2.26
Donde:
VC = VV , V0 = VP , R = R1 + R’B1 , C = CE y t = t2 .
Tenemos:
t2
−
VV = VP e τ
, τ = ( R1 + R' B1 )C E (2.27
Despejando al tiempo t2 :
VP
t2 = ( R1 + R' B1 )CE ln (2.28
VV
80
Problema 1. Diseñe un circuito oscilador de relajación con transistor
monounión (UJT), que tenga una frecuencia de oscilación de 1 KHz y una espiga
de tensión máxima en la base 1 (VB1) de 5.0 V; dibuje el circuito final, el perfil de la
ondas de salida en emisor (VE) y base 1 (VB1). Se utiliza el transistor 2N492 de las
características siguientes: RBB = 6 KΩ, fmax = 0.9 MHz, η = 0.56, PD = 0.5 W, IP = 4
µA, IV = 19 mA, VV = 2.7 V y VD = 0.7 V.
Solución:
Circuito propuesto del transistor monounión.
Figura 2-13
η RBB R1VBB
VB1 = VR1 =
( R1 + R'B1 )( R1 + RBB )
De los datos aportados tenemos las incógnitas del voltaje de polarización
(VBB) y la resistencia (R1), por lo que la corriente valle (IV) y voltaje valle (VV), se
tienen como base y podemos proponer un valor de la resistencia intrínseca en
conducción de base 1 (R’B1) de 50 Ω adicionada a la resistencia externa de la base
1 (R1); en función de los parámetros de la caída de potencial y corriente valle;
aplicando ésta ecuación regularmente, en la práctica se tienen mejores resultados,
con la consideración tomada a continuación:
VV
R1 + R' B1 = (2.29
IV
Substituyendo valores y despejando a R1.
2.7
R1 = − 50 = 92Ω
19 × 10 −3
Despejando la tensión de polarización (VBB) y substituyendo valores.
81
La diferencia de potencial de interbases (VB12) se determina por la ecuación
2.19, en condiciones de corte del transistor.
RBB 6000
VB12 = VBB = 14 = 13.79 V
R1 + RBB 92 + 6000
La tensión pico (VP) se determina de la ecuación 2.5.
R1 92
V ' B1 = V ' R1 = VV = 2.7 = 1.7 V
R1 + R' B1 92 + 50
Cálculo del rango de resistencia de emisor (RE),ecuaciones 2.15, 2.16 y 2.17.
VBB − VP 14 − 7.72
RE max = = = 1.57M Ω
IP 4 x 10 −6
V −V 14 − 2.7
RE min = BB V = = 594.7 Ω
IV 19 × 10 −3
Rango de resistencia de emisor.
Periodo de oscilación.
t2 50 × 10 −6
CE = = = 0.3 × 10 -6 F = 0.3 µ F
V 7.72
( R1 + R'B1 ) Ln P 142 ln 2.7
VV
82
De la ecuación 2.22, empleada para determinar el tiempo de carga del
capacitor y despejamos a la resistencia de emisor (RE).
t1 0.95 × 10 − 3
RE = = = 5 388 Ω
C ln VBB − VV −
0.3 × 10 ln
6 14 − 2.7
E V − ηV 14 − ( 0.56 × 13.79 )
BB B12
R1 92
V '' R1 = VBB = 14 = 0.21 V
R1 + RBB 92 + 6000
Figura 2.14
83
2.7 GENERACIÓN DE LA SEÑAL DE PULSO AGUDO NEGATIVO.
10 000
R2 = (2.30
ηVBB
84
Transistores con matrícula 2N489 MIL, 2N1671A, 2N1671B y 2N2160.
0.40 RBB ( 1 − η ) R1
R2 ≅ + (2.31
η RBB η
El fabricante de dispositivos electrónicos Motorola, recomienda los siguientes
valores:
R2 = 0.015 RB B η VB B (2.32
Figura 2.15
85
Determinación del tiempo de subida (t1), tomando la sección continua del
pulso de salida en emisor.
De la ecuación 2.5 despreciando la tensión de la unión PN (VD).
V = ηV
P B12
La diferencia de potencial entre las terminales de base 1 y base 2 estando el
transistor en corte, está dado por el divisor de tensión.
RBB
VB12 = VBB (2.34
R1 + R2 + RBB
R1 RBBηVBB
VB1 = (2.36
( R1 + R' B1 ) ( R1+ R2 + RBB )
86
Determinación del tiempo de bajada.
Las condiciones operativas del transistor monounión son las mismas que
para el caso de considerar exclusivamente a la resistencia R1 , en la determinación
del tiempo de bajada (t2), por lo que aplicaremos las ecuaciones 2.24 y 2.28
respectivamente.
R1
V ' B1 = VV
R1 + R' B1
VP
t2 = ( R1 + R' B1 )CE Ln
VV
Por otro lado la diferencia de potencial en base 1, estando el transistor
monounión en estado de corte.
R1
V '' B1 = VBB (2.37
R1 + R2 + RBB
RB1
η=
RBB I E =0
87
Problema 2. Al circuito del problema 1, adicionarle la resistencia de
estabilización por temperatura (R2), para las mismas condiciones operativas del
circuito.
Solución: La d.d.p. máxima de base 1, está dada por la ecuación 2.36,
cuyo dato es de 5 V.
R1 RBB η VBB
VB1 = VR1 =
( R1 + R'B1 ) ( R1 + R2 + RBB )
Analizando vemos que tenemos 3 (tres) incógnitas R1 , R2 y VBB.
De la ecuación 2.33.
R2 = 0.15 RBB
= 0.15 x 6000 = 900 Ω
Los datos de la corriente valle y voltaje valle no han variado por lo que el
valor de la resistencia R1 será el mismo al del problema 1.
R1 = 92 Ω
Despejando de la ecuación 2.36 a la tensión de polarización (VBB), y
substituyendo valores.
VR1( R1 + R' B1 )( R1 + R2 + RBB )
VBB =
R1η RBB
5( 92 + 50 )( 92 + 900 + 6 000 )
= = 16 V
92( 0.56 )( 6 000 )
La d.d.p. de interbases (VB12), se calcula por la ecuación 2.34.
RBB
VB12 = VBB
R1 + R2 + RBB
6000
= 16.05 = 13.72 V
92 + 900 + 6000
La tensión pico de la ecuación No. 2.5 despreciando la tensión de la unión
PN (VD).
VP = ηVB12
= 0.56 x 13.72 = 7.68 V
88
Voltaje en base 1 (V’B1) estando el emisor en saturación, el cual es el mismo
que en el problema No. 1.
V’B1 = 1.7 V
Periodo de oscilación.
1 1
f = 1 000 Hz , T= = = 1× 10 -3 s = 1 ms
f 1 × 10 3
89
Despejando de la ecuación 2.22, a la resistencia de emisor y substituyendo
valores.
t1
RE =
V −V
CE ln BB V
VBB − ηVB12
0.95 × 10 −3
= = 6004 Ω ≅ 6 K Ω
−6 16 − 2.7
0.337 × 10 ln
16 − ( 0.56 )( 13.72 )
El valor de la resistencia de emisor se encuentra dentro del rango calculado.
La tensión de la base 1 estando en corte el trasistor monounión (no circula la
corriente de emisor), ecuación 2.37.
R1
V '' B1 = VBB
R1 + R2 + RBB
92
= ( 16 ) = 0.21V
92 + 900 + 6000
Diagrama del circuito con los valores calculados, figura 2.16.
Figura 2.16
90
A partir de los diagramas equivalentes funcionales podemos aproximar las
formas de onda para los tres estados definidos de operación del dispositivo, los
cuales se ilustran en la figura 2.17.
Figura 2.17
Para el estado de corte del transistor monounión.
D.d.p. en la base 2.
RBB + R1
V '' B 2 = VBB
R1 + R2 + RBB
6 000 + 92
= 16 = 13.94V
92 + 900 + 6 000
91
D.d.p. en base 2, está implícita por la tensión pico.
RB2 + R' B1
VB2 = VB1 + (VBB − VB1 )( )
R2 + RB2 + R' B1
2 640 + 50
= 5 + ( 16 − 5 ) = 13.24 V
900 + 2 640 + 50
Para el estado final de conducción.
La d.d.p. en base 2, está implícita por la tensión valle.
RB2 + R' B1
V ' B2 = V ' B1 + (VBB − V ' B1 )
R2 + RB2 + R' B1
2 640 + 50
= 1.7 + ( 16 − 1.7 ) = 12.415 V
900 + 2 640 + 50
Formas de onda de salida de emisor, base 1 y base 2; figura 2.18.
Figura 2.18.
92
TABLA 1, DESIGNACIÓN Y DEFINICIONES DE PARÁMETROS
DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN (UJT).
93
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ll
PRÁCTICA 4
1. Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de comprobar la forma de operar del transistor monounión y
determinar sus parámetros.
3. Procedimiento.
3.1 Empleando el óhmetro, efectúe las mediciones de las terminales del dispositivo, según
se indica en la figura 1, reportando sus mediciones realizadas.
94
3.3. Obtenga la curva característica del transistor monounión, correspondiente a los
parámetros de corriente de emisor y voltaje de emisor base uno. Empleando en circuito de la figura
2; para mejores resultados, tenga en cuenta la fuente triangular de pendiente positiva del valor de
10 V a 120 Hz (habilitada con un generador de funciones), aun cuando es posible sustituirla por un
rectificador monofásico de onda completa; reporte los parámetros pico y valle del transistor. Para
una tensión de polarización (VBB) de 10 V y 15 V.
3.4 Resultados.
3.5 Conclusiones.
3.6 Preguntas.
95
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ll
PRÁCTICA 5
1. Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de entender la forma de operar del transistor monounión
como dispositivo de relajación y determinar experimentalmente sus parámetros.
2. Equipo y material a emplear.
1 Pza. Fuente de tensión variable de C,D.
1 Pza. Osciloscopio de doble trazo.
1 Pza. Multímetro.
1 Pza. Potenciómetro 1 MΩ - 0.5 W (lineal preferentemente).
1 Pza. Potenciómetro 20 KΩ - 0.5 W (lineal preferentemente).
1 Pza. Resistencias 100 Ω, 470 Ω y 1 K Ω a 0.5 W.
1 Pza. Capacitores 0.01 µF, 0.05 µF, 0.1 µF, 0.5 µ F y 1.0 µF a 50 V C.D.
1 Pza. Transistor 2N 2646.
3. Procedimiento.
3.1 Empleando el óhmetro, efectúe las mediciones de las terminales del dispositivo, según
se indica en la figura 1, reportando sus mediciones realizadas de prueba del transistor.
Figura 1
3.2 Del circuito mostrado en la figura 2, para una tensión de 10 V y 15 V de la fuente de
polarización ( VBB ) efectúe lo siguiente:
96
c) Modifique la posición de los potenciómetros a su valor mínimo, hasta que no exista
oscilación, reporte la lectura del ampérmetro.
d) Modifique la posición de los potenciómetros a su valor máximo, hasta que no exista
oscilación, reporte la lectura del ampérmetro.
Figura 2
e) Para la condición del punto "a", a una tensión de polarización de 15 V, intercambie el
capacitor y anote los incrementos de tiempo en la tabla de valores; para el perfil de la onda de salida
en base 1, indicada en la figura 3.
f) Grafique el periodo de conmutación del transistor para los diferentes valores del
capacitor.
3.4 Resultados.
Corrobore teóricamente los resultados y formas de onda del circuito (con su hoja de campo previa).
3.5 Conclusiones.
97
BIBLIOGRAFÍA
REF TITULO ESCRITOR EDITORIAL EDICIÓN
1 Digital Logic Circuits Sol Libes Hayden 1978
2 SCR MANUAL Staff General Electric General Electric 1979
3 Teoría de circuitos y Robert Boylestad,
DispositivosElectrónicos Louis Nashelsky Pearson 8.a
4 Principios de electrónica Albert Poul Malvino Mc. Graw Hill 1986
5 Electrónica IV Raúl Ruiz Meza E.S.I.M.E.-I.P.N. 1977
6 Semiconductor Pulse Brinton B. Mitchell Rinehart Press 1970
Circuits
7 Experimentos con Howard H. Gerrish Limusa 1976
transis. y emicond.
8 Dispositivos Electrónicos Margarita García B. Edit. E.S.I.M.E,- 1988
II Arturo Cepeda S. I.P.N.
9 Power Electronics and W. Shephed & L. N. Cambrige University 1987
Motor control Hulley
10 The Electronics Problem Staff of Research and Staff of Research 1988
Solver Education Association and Education
Association
11 Lab. Integral de Joel Ruiz de Aquino Alhambra Mexicana 1977
Electrónica
12 Manual de Ing. Donald G. Fink / H. Mc Graw Hill 13.a
Eléctrica II WEayne Beaty
13 Electrónica de Potencia Muhammad Rashid Pearson Education 3.a
2009
14 Principios de Electrónica Albert Malvino, David Mc Graw Hill 7.a
Bates
15 Dispositivos Electrónicos Floyd, T.L.(s.f.) Pearson Education 8.a
2008
16 Manual de Ingeniería Donald G. Fink Mc. Graw Hill 13.a
Eléctrica II H. Wayne Beaty
98
3. TIRISTORES
99
En un tiristor como lo es el SCR (Silicon Controlled Rectifier), su control se
efectúa por medio de un electrodo de mando llamado puerta (del inglés gate),
gatillo o compuerta, cuya acción se menciona comúnmente como disparo,
consistente en una señal eléctrica aplicada a la puerta que hace que entre en
conducción y/o permanezca en estado de bloqueo (en no conducción); mientras
no se aplique ésta señal el dispositivo no cambiará de estado (condiciones
normales de operación), ésta acción de disparo precisa el tiempo de aplicación de
la señal, implicando que tanto la señal de mando o de control, como la señal a
controlar; sean ambas función del tiempo y concurran en un determinado instante
(se encuentren ambas señales sincronizadas).
En el caso de estar el SCR en un circuito de rectificación, como elemento
principal de control de la energía, la acción de control sobre éste permitirá variar a
voluntad el valor medio de la tensión entregada por el circuito rectificador.
En relación con las propiedades de los dispositivos semiconductores y los
de gas, podemos enumerar las ventajas del SCR sobre el TIRATRÓN (que
hicieron el desplazamiento de éste último)
a) No necesita precalentamiento y por consiguiente no consume energía por éste
concepto.
b) Volumen reducido, por ser un elemento de estado sólido.
c) Resistente a impactos y aceleraciones, por ser un elemento de estado sólido.
d) Posibilidad de operación en cualquier posición.
e) Insensibilidad a las sobrecargas (dentro de sus rangos de operación).
f) Vida media muy larga.
g) Velocidad elevada de conmutación, aplicación a rectificadores (velocidad
normal) y a inversores (rápidos).
h) Poca dependencia de la corriente.
100
3.2 DIODO SHOCKLEY O DIODO DE CUATRO CAPAS.
Figura 3.1
101
3.2.1 CURVA CARACTERÍSTICA.
Figura 3.2
ID Corriente de fuga de polarización directa.
IR Corriente de fuga de polarización inversa.
VFDM Voltaje de polarización directo máximo.
VRR Voltaje inverso de ruptura.
IH Corriente de mantenimiento o de sostenimiento (holding).
IFAV Corriente media.
Figura 3.3
102
3.3 TIRISTOR DE CUATRO CAPAS Y TRES TERMINALES DE
CONEXIÓN.
Dispositivo semiconductor biestable (estado conmutable de bloqueo a
conducción y viceversa), pero con la particularidad de que la acción de disparo
sólo puede producirse en un solo cuadrante de la curva característica tensión
contra corriente correspondiente al ánodo - cátodo. La forma de disparar al tiristor
através de su compuerta de mando da como resultado dos tipos de dispositivo:
Figura 3.4
103
En términos cualitativos podemos
decir que el SCR está construido de la
forma siguiente:
104
3.3.3 OPERACIÓN DEL SCR.
El dispositivo tiene dos condiciones de operación estables que son los
estados de bloqueo y conducción.
a) Rectificador controlado de silicio (SCR) en bloqueo, figura 3.7.
Figura 3.7
La condición de bloqueo se presenta con la polarización inversa, bajo esas
condiciones las uniones J1 y J3 están polarizadas inversamente y la unión J2 se
encuentra polarizada directamente, el dispositivo permanece en no conducción
hasta antes del voltaje inverso de ruptura. Rebasando la tensión de polarización
inversa el dispositivo entra en conducción por el fenómeno de avalancha, que
ocurre en las dos uniones j1 y j3 , estas rompen su estado de bloqueo y
consecuentemente la corriente que es inversa se hace muy elevada, lo que
provoca la destrucción del dispositivo.
Figura 3.8
El pulso positivo en la puerta produce una inyección de huecos h3 (cargas
positivas) de la capa P2 a N2, éste flujo de huecos que cruza la unión j3 produce un
flujo de electrones n3 de N2 a P2, estos electrones (n3) por efecto transistor son
105
pasados por la unión J2 como n2 hasta la capa N1. La concentración de electrones
n2 alteran la distribución de portadores de carga en la capa N1 y algunos llegan a
atravesar la unión j1 (n1), que a su vez provocan un flujo de huecos h1 desde la
capa P1 a la capa N1, los cuales por efecto transistor pasan de la capa N1 a P2,
cruzando la unión J2 como portadores de carga positivos h2 (huecos).
Los portadores de carga h2 alteran la distribución de carga existente en la
capa P2 y algunos llegan a cruzar la unión J3 convirtiéndose en portadores de
carga h3.
Figura 3.9
106
3.3.4 DIAGRAMA EQUIVALENTE FUNCIONAL DEL SCR.
Figura 3.10
Figura 3.11
107
Figura 3.12
108
3.3.6 CURVA CARACTERÍSTICA DEL SCR.
a) Con el interruptor abierto (SW) para corriente de puerta nula (IG = 0),
para polarización directa e inversa.
Para polarización directa.- Superando el voltaje directo de disparo o voltaje
de ruptura (Vd) el dispositivo entra en conducción, limitada la corriente de ánodo
por la resistencia de carga (RL).
Para la polarización inversa.- Excediendo el voltaje de ruptura inverso (VRI),
el dispositivo entra en conducción de avalancha (se destruye).
Figura 3.13
109
VRI Voltaje inverso de ruptura.
110
3.3.7 CARACTERÍSTICAS DE COMPUERTA DEL SCR.
Figura 3.15
111
En los tiristores tipo SCR que operen en circuitos de inversores, se requiere
un pulso firme (seguro) en la señal de puerta, esto debido al tipo de señal que
maneja el dispositivo con una alta velocidad de corriente (di/dt) y frecuencia
elevada (se manejan generalmente pulsos cuadrados o de sección rectangular).
El fabricante de dispositivos electrónicos de éste tipo, suministra las curvas
características de disparo por pulsos, éstas indican el ancho del pulso máximo
permisible a distintos valores de potencia pico de entrada en la compuerta. El
pulso especificado es rectangular y el ancho de éste es a corriente nominal del
dispositivo (IA NOM), una forma típica de ésta curva se muestra en la figura 3.16.
Figura 3.16
Figura 3.17
112
Figura 3.18
Para el disparo con corriente continua se consultará cuál es la potencia
máxima, en general VGDC << VG (t) y para disparos con pulsos cuadrados según
se vio en la gráfica dependerá de la duración del pulso de acuerdo con la siguiente
relación: Potencia media permitida ≥ potencia máxima del pulso x ancho del pulso
x tasa de repetición. Por otro lado se tiene que la tensión de disparo de puerta se
relaciona con la tensión de bloqueo directo de la siguiente forma:
VG Tensión de disparo de puerta.
I Vd Tensión de bloqueo directo.
VG = Vd 1 − G IG Corriente de compuerta.
I GT
IGT Corriente de compuerta de trabajo.
Figura 3.19
113
3.3.10 CARACTERÍSTICA DE DISPARO DEL SCR.
Figura 3.20
t
IGmax
0° 90° 180°
Figura 3.21
114
El objetivo principal de ésta curva es la de relacionar el nivel de la señal de
mando o disparo con la forma de onda de la tensión aplicada al ánodo - cátodo del
SCR. La curva característica dinámica de disparo, garantiza los niveles de tensión
de disparo en el tiempo o del ángulo de conducción, manteniendo la potencia
máxima que es posible de manejar en un nivel de seguridad.
El disparo del SCR se podrá efectuar de varios métodos, dentro de los que
podemos mencionar los siguientes:
El método más eficiente para controlar el disparo del SCR (su encendido),
es mediante la variación del ángulo de disparo (θ d); el ángulo de disparo se
determina con respecto a la tensión aplicada (en general cuando en su perfil de
onda ha tomado valor de cero) y a éste método se le llama Control de ángulo de
fase. El proceso de abrir y cerrar el tiristor, lo llamaremos conmutar (en
conducción y no conducción) teniéndose dos formas de hacerlo, conmutación
natural (se refiere normalmente al apagado, por descenso del nivel de tensión A-K
de cero volts de la onda) y conmutación forzada cuando se logra el nivel de
tensión A-K de cero volts,por medio de dispositivos auxiliares.
Figura 3.22
115
Figura 3.23
t
IGmax
0° 90° 180°
A A´
iGT t
0 d c
Figura 3.24
116
b) Disparo por corriente directa pulsante (CD).
La señal de disparo se obtiene de una fuente de corriente directa pulsante a
un nivel adecuado (como la suministrada por un rectificador de media onda), para
lo cual empleamos el circuito de la figura 3.25 (se observan los circuitos de fuerza
y de control).
Figura 3.25
t
IGmax
0° 90° 180°
A A´
iGT t
0 d c
Figura 3.26
117
de tensión en la carga finaliza en los 180° sexagesimales), según observamos en
la figura 3.26. El método de control por corriente directa pulsante es un control de
conducción limitada igual que el de corriente continua, con respecto a sus ángulos
de disparo y de conducción, pero además tiene la desventaja de que la corriente
instantánea de disparo es variable en el semiciclo (es decir no tiene un valor
constante, por el cambio de magnitud para cada valor de tensión de polarización)
y por otro lado es muy dependiente de cambios en la temperatura.
Figura 3.27
Respecto a las gráficas de las figuras 3.5 y 3.26, hacemos hincapié para la
figura 3.27, la zona corresponde al ángulo de conducción del perfil de onda
temporal ( de 0° a 180° sexagesimales), es la tensión o diferencia de potencial
aplicada a la carga; en nuestro caso no tiene deformaciones por ser resistiva.
118
Problema 1. El circuito de la figura 3.25, el SCR tiene las siguientes
características: corriente de trabajo de puerta IGT = 0.1mA, d.d.p. en la puerta de
trabajo VGT = 0.5V, diodo de silicio y vi= 24 V pico (valor de la fuente de tensión
alterna). Determine el ángulo de disparo para el valor de las resistencias R1 = 100
KΩ y R2 = 10 KΩ.
Figura 3.25
Por KVL aplicada en el circuito de puerta.
vi = I G ( R1 + R2 ) + VD + VG
Tomamos como valor la diferencia de potencial en el instante de disparo
(vd), cuando se logra la corriente de puerta de trabajo (IGT).
En el diodo VD= 0.7 V y en la puerta VG = VGT = 0.5 V.
vd = Vmax sen θ
12.2 = 24sen θ
Despejando el ángulo.
12.2
θ = sen −1 = sen −1 0.508 = 30.6º
24
119
Que corresponderá al ángulo de disparo (θd) de la semionda positiva de la
señal de entrada, antes de superar los 90° sexagesimales.
Los valores temporales de cada uno de los parámetros en juego como son:
tensión aplicada, corriente de puerta, voltaje ánodo cátodo y caída de tensión el la
resistencia de carga, son mostrados en la figura 3.28.
Figura 3.28
120
Problema 2. En el circuito de la figura 3.29, el SCR tiene una corriente de
puerta par el disparo del SCR de una magnitud de 10 mA, carga resistiva de 20
Ω (R) y se tiene una forma de onda en la carga como la mostrada.
Figura 3.29
Preguntas:
Solución.
1. Para el circuito de puerta en el instante de disparo por KVL tenemos:
ein = IGT ( R + RG ) +VD + VGT (1
121
Despejando a la resistencia limitadora o de control RG.
VR 10
RG = −R= − 20 ≈ 1 K Ω (3
I GT 10 × 10 -3
VR = RG I GT = 3000 × 0.01 = 30 V (4
VR 40
RG ≈ = = 4K Ω
I GT 10×10 -3
Los resultados a primera vista son valores aproximados, por el perfil del
semiciclo de la onda senoidal, no existe la proporcionalidad exhibida de los
resultados.
122
Problema 3. Se tiene el siguiente circuito con SCR, figura 3.30, en el cual
se determinará la función que desempeña y sus parámetros de operación.
Figura 3.30
En la rama CK y RK.
VAA = VCK + VRK (1
En la rama R1 y R2.
VAA = VR1 + VR2 (2
De la ecuación 1:
VCK = 0; teniéndose que VAA = VK = VRK = 20 V.
123
Para la ecuación 2, por divisor de tensión:
R2
VR2 = VP = VAA
R1 + R2
15
= 20 = 7.1 V
15 + 27
También:
VR1 = VAA − VR2
= 20 − 7.1 = 12.9 V
De la ecuación 4:
VG = VP - VK
= 7.1 - 20 = -12.9 V
VCK = VAA - VK
= 20 - 6.4 = 13.6 V
Tensión máxima de carga del capacitor, instante en el que entra en
conducción el SCR.
De la ecuación de carga del capacitor:
−
t
vC = E 1 − e , τ = RC
τ
− 1
t
VCK = VAA 1 − e τ , τ = RK CK
Para el punto K la tensión evoluciona en forma exponencial de tal forma
que:
VK = VAA − VCK
− 1
t
= VAA − VAA 1 − e τ
124
t1
−
VK = VAA − VAA + VAAe τ
t1
−
= VAAe τ
(5
Despejando de la ecuación 5 al tiempo (t1), para valores de la constante de
tiempo.
VAA
t1 = RK CK ln (6
VK
Correspondiente al tiempo de carga del capacitor.
Substituyendo valores en la ecuación 6.
20
t1 = 0.33 × 10 −6 × 470 × 10 3 ln
6.4
= 0.1767 s = 177 ms
En el momento en que entra en conducción el SCR, después del
tiempo transcurrido (t1), la tensión VK se incrementa a partir del valor 6.4 V por el
hecho de que la corriente de ánodo cruza por la resistencia RK .
VCK = 13.6 V
Y
RA I A + VAK = 40 × 10 −6 × 22 + 1 ≅ 1
125
Teniéndose que:
VCK>VRA + VAK
Figura 3.31
Observe la diferencia de las magnitudes de los tiempos, pudiendo despreciarse el
de microsegundos en la gráfica.
126
EJEMPLOS DE CIRCUITOS PRÁCTICOS CON SCR.
1. Circuito rectificador de media onda con control de conducción limitada de
90º a 180º sexagesimales, para una carga de 100 W.
Figura 3.32
Figura 3.33
127
3.4 USO DEL UJT PARA DISPARO DEL SCR.
a) El pulso de salida del UJT dispara con cierta confiabilidad al SCR, con respecto
a la energía que maneja la puerta del SCR éste no excede la potencia máxima.
Figura 3.34
128
Describiendo el circuito tenemos:
Figura 3.35
129
Para el UJT sin circulación de la corriente de emisor.
VZ V 20
I R1 = ≈ Z = = 0.0033 A =3.3mA
R1 + RBB + R2 RBB 6000
V − VP VZ − VP 20 − 12.6
RE max = BB = = = 3.7 M Ω
−6
IP IP 2 × 10
V − VV VZ − VV 20 − 3
RE min = BB = = = 4.25k Ω
−3
IV IV 4 × 10
6 3
RE = RE min RE max = 3.7 × 10 × 4.25 × 10 = 125k Ω
130
Cálculo de la resistencia de base dos del transistor UJT, aplicando la
ecuación No. 2.33.
R2 = 0.15 RBB = 0.15 × 6 000 = 900 Ω ≈ 1 k Ω
Se tomó el valor comercial más próximo.
P 1
IZ = Z = = 0.05 A = 50 mA
VZ 20
La resistencia R3 limitará la corriente a 50 mA, por consiguiente tendremos
que su caída de tensión será:
VR23 2
100
WR = = = 4.5 W
3 R3 2.2 × 10 3
131
Tomando en cuenta valor máximo de la tensión de alimentación.
132
3.4.2 CIRCUITO DE DISPARO SIN SINCRONISMO EMPLEANDO UN UJT.
Figura 3.36
133
3.5 TIRISTOR TRIODO BIDIRECCIONAL (TRIAC).
Figura 3.37
Figura 3.38
134
3.5.1 CARACTERÍSTICAS DE PUERTA.
Figura 3.39
135
3.5.2 APLICACIONES.
136
3.5.3 CONEXIÓN ANTIPARALELO.
Figura 3.40
Figura 3.41
137
3.6 CONTROL DE ÁNGULO DE FASE.
Una de las formas del control de energía eléctrica entregada por una fuente
de tipo estático es mediante el control del ángulo de fase. El método más eficiente
para controlar el encendido de un tiristor, es mediante la variación del ángulo de
disparo del tiristor, al método de control se le llama control de ángulo de fase y es
aplicable tanto al SCR como al Triac. En el circuito de la figura 3.42, se muestra un
rectificador monofásico controlado de media onda, en el que se podrá variar
la tensión media de salida, desde 0 V a un valor máximo, generándose las formas
de onda de salida mostradas como son: la tensión de la fuente, la tensión en la
resistencia de carga, la corriente en la carga y la tensión entre el ánodo – cátodo
del SCR.
Figura 3.42
138
3.6.1 VALOR MEDIO Y EFICAZ DE LA TENSIÓN EN LA CARGA DEL
RECTIFICADOR CONTROLADO DE MEDIA ONDA.
Figura 3.43
1 π
2π ∫θd
Vmed = Vmax senθ dθ
1
= Vmax ( cos θ d + 1) (1
2π
1
1 π 2
Vef = ∫ θ θ
2 2
V sen d
2π θd
max
1
V
= max 2 (π − θ d ) + sen 2θ d 2 (2
2 2π
139
3.6.2. VALOR MEDIO Y EFICAZ DE LA TENSIÓN EN LA CARGA DEL
RECTIFICADOR CONTROLADO DE ONDA COMPLETA.
Figura 3.44
1 π
π ∫θ
Vmed = V max senθ dθ
d
1
= Vmax ( cos θ d + 1) (1
π
La tensión eficaz es:
1
1 π 2
Vef = ∫ Vmax 2 sen 2 θ d θ
π θd
1
Vmax
= 2 (π − θ d ) + sen 2θ d 2 (2
2 2π
140
3.6.3 EFECTO DE LA CARGA INDUCTIVA EN LA FORMA DE
ONDA.ENTREGADA POR EL RECTIFICADOR.
Figura 3.45
141
3.6.4. EFECTO DEL DIODO DE GIRO LIBRE FWD (acrónimo de Free
wheel diode).
Figura 3.46
142
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II
PRÁCTICA 6
1. Objetivo.
3. Realización de la práctica.
Figura 1
143
3.2. Para el circuito de la figura 2, para las tensiones de polarización ánodo -
cátodo de 10, 20, 30, 40 50 y 60 V; efectúe lo siguiente:
Figura 2
a) Energice el circuito con ambas fuentes, estando el potenciómetro en su valor máximo,
registre los valores indicados en cada uno de los instrumentos.
b) Reduzca lentamente el valor de la resistencia del potenciómetro y abra el circuito de
puerta, observe lo que ocurre y regístrelo.
c) Después del punto b, ahora conecte el circuito de puerta aumentando el valor de
resistencia del potenciómetro y observe lo que ocurre.
d) Partiendo del punto c en el que el SCR se encuentra disparado (es decir en
conducción), disminuya la tensión de polarización del ánodo hasta que se obtenga la
lectura mínima de corriente ánodo (ésta será la corriente de sostenimiento).
e) Partiendo del punto c en el que el SCR se encuentra disparado (es decir en
conducción), efectúe un corto circuito entre el ánodo y el cátodo del dispositivo,
observe y registre sus lecturas (tenga cuidado de que el vóltmetro se encuentre
disponible para registrar lecturas mayores de 60 V).
Figura 3
Reporte la corriente de sostenimiento determinada por la gráfica resultante.
144
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II
PRÁCTICA 7
1. Objetivo.
La finalidad de esta práctica es la de comprobar la operación del Rectificador
Controlado de Silicio, regulando a un circuito rectificador de onda completa realizado con
diodos rectificadores; operando el SCR por control de ángulo de fase disparado por un
circuito de pulsos empleando un transistor del tipo UJT.
Figura 1
145
3. Realización de la práctica.
3.3 Observe y registre las formas de onda de los puntos A, B, C, D y E (tomados del
punto de referencia). Para la posición del potenciómetro de valores de resistencia
máximo, medio y mínimo (para el valor de resistencia máximo no se tendrá disparo del
SCR y para el valor de resistencia mínimo se tendrán los 6 o 7 pulsos en medio periodo
de disparo del UJT y plena conducción del SCR).
NOTA.- Relacione las gráficas a un tiempo de referencia, para lo cual será
necesario tomar un punto constante de medición).
3.4 Observe y registre las formas de onda de los puntos F, Referencia contra el
punto E para la posición del potenciómetro de valores de resistencia máximo, medio y
mínimo; (tomado como referencia de medición el punto de medición E).
3.5 Preguntas.
a) Describa brevemente el funcionamiento del circuito.
b) ¿ Que relación existe entre los pulsos de disparo del UJT y la conducción del SCR?.
c) ¿ Que entiende por control de ángulo de fase ?.
d) ¿ Que entiende por sincronía del circuito ?.
3.5. Resultados y conclusiones.
146
BIBLIOGRAFÍA
REF TÍTULO ESCRITOR EDITORIAL EDICIÓN
1 Power Electric and W. Shepherd and L.N. Cambrige University 1987
Motor Control Hulley Press.
2 Power Control Boyd Larson Prentice Hall 1983
Electronics
Thyristor Phase B.R. Pelly
3 Controlled Converters Jhon Wiley and Sons 1971
and Cycloconverters
4 The Electronic Dr. M. Fogiel, Director Research and 1988
Problem Solver Education
Association
5 Tiristores y Triacs Henry Lilen Marcombo 1976
Boixasreau Editores
Power semiconductor S. B. Dewan,
6 Drives G.R. Slemon and Prentice Hall 1984
A. Stroughen.
7 Electrónica industrial Prentice Hall
dispositivos y Timothy J. Maloney Hispano Americana, 1983
sistemas S.A.
8 Tiristores, Conceptos Rajendra Kumar
y Aplicaciones Suganchi Krishna Limusa 1985
Kumar Suganchi
9 Control Electrónico de
los Motores de Robert Chauprade Gustavo Gili, S.A. 1983
Corrriente Comtínua
10 Electrónica Industrial,
Electrónica de Hansruedi Bühler Gustavo Gili, S.A. 1985
Potencia
11 Electrónica de Raymond Ramshaw Marcombo 1977
potencia
12 Electrónica de Muhammad H. Rashid Pearson education 3.a
potencia 2009
13 Dispositivos Thomas L.Floyd Prentice Hall 8.a
Electrónicos 2008
14 Teoría de circuitos y Robert L. Boylestaed Pearson Educación 10.a
dispositivos Louis Nashelky México 2009
electrónicos
15 Electrónica de Eduard Ballester Alfa Omega 2012
Potencia Robert Pique Marcombo
16 Principios de Albert Malvino Mc Graw Hills 7.a
Electrónica David J. Bates
147
4. CIRCUITOS INTEGRADOS
Los circuitos integrados (CI) se diseñan para efectuar una función específica,
teniéndose como principal objetivo el ahorro de espacio, que ocuparía un circuito
discreto que realice la misma función. Esto hace por otra parte que en el diseño se
tengan circuitos normalizados y básicos procesadores de información, dentro de
éste grupo de dispositivos electrónicos se tienen a los siguientes circuitos
integrados: amplificadores diferenciales, amplificadores operacionales,
temporizadores, reguladores de voltaje, compuertas lógicas, multiplexores,
demultiplexores, codificadores, decodificadores, indicadores numéricos,
microcomputadoras, microprocesadores, etc.
Los C.I. forman dos grandes grupos por la función que desempeñan:
Sistemas Analógicos (lineales) y Sistemas Lógicos o Digitales (no lineales).
148
Figura 4.1
149
El circuito integrado monolítico consiste en un pequeño monocristal de silicio
de unas dimensiones promedio por lado de 0.050 plg. a 0.100 plg. y de un espesor
conveniente que contiene elementos pasivos y activos. Los circuitos integrados
monolíticos se construyen por los métodos utilizados en la fabricación de
transistores, que incluye crecimiento epitexial, difusión de impurezas mediante
máscaras, crecimientos de óxidos y eliminación de óxidos. Las ventajas que se
obtienen es gran confiabilidad, reducción de tamaño y bajo precio.
Se presentan en varios tipos de envases y encapsulados en formas
cilíndricas, piramidales de base rectangular y con materiales plásticos, vítreos,
cerámicos y metálicos (ver figura 4.2).
El tipo de envase es asociado a la potencia que es capaz de manejar; al
grado de que se le llegan a adaptar aditamentos para asociarlos a disipadores de
calor, cuando estos son aplicados a circuitos de mediana y gran potencia.
Figura 4.2
150
a) Resistencias de difusión. Éstas son hechas junto con los componentes activos
como son los diodos, transistores, etc., por lo general son del mismo material
semiconductor de silicio.
b) Resistencias de película delgada. Son depositadas en substratos de cerámica o
vidrio y hechas de materiales tales como: cromato de óxido de silicio (las cuales
son depositadas por el método de mallas), otros materiales como el nicromel,
tantalio y el cermet (se depositan por evaporación o bombardeo de partículas
(Sputtering)).
c) Resistencia de película gruesa. Son depósitos de compuestos metálicos
depositados por bombardeo de pequeños granos (Sand Blasting) o depositados
por técnicas de láser, efectuados através de mallas sobre cerámica.
En este tipo de resistencia se logran valores de 1Ω a 10 MΩ, con tolerancia
de ± 2 % a ± 50 % con potencias muy pequeñas.
Figura 4.3
151
4.4 AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Figura 4.4
Aún cuando existen muchos amplificadores operacionales se tienen dos
tipos básicos por lo que respecta al número de salidas y son con dos y una salida,
éste último es el más usual y cuenta además con otras terminales de conexión, en
las que se conectan redes externas con la finalidad de mejorar su operación como:
estabilización, compensación por frecuencia, compensación por polarización, etc.
b) Entrada no inversora. Ésta nos producirá en la salida una señal del mismo signo
que la entrada, es decir, para una señal positiva de entrada tendremos una
salida positiva (para señales alternas no existirá defasamiento).
152
c) Terminales de polarización positiva y negativa. Entiéndase que la polarización
es la aplicación de diferencia de potencial (d.d.p.) aplicados a los circuitos
internos del amplificador y que por lo común son tomados de una fuente positiva
y negativa referida a un punto, éste punto de referencia podrá ser el mismo al
que se refiera el conjunto de todo el circuito electrónico. No necesariamente la
fuente de polarización tendrá que ser positiva/negativa pero sí la terminal
negativa tendrá un nivel menor de tensión que la positiva; la cual se deberá
tener invariablemente, dado que sí no se cumple el circuito interno no será
polarizado correctamente y sí éste circuito integrado no está protegido contra
tensiones inversas de polarización se dañará irremediablemente.
e out= f ( e 1 - e 2 )
153
e) Balance perfecto (desviación nula para señales iguales de entrada, es decir
Vsalida = 0.
f) Corriente de entrada cero (no circula corriente hacia el interior del amplificador
operacional, teniendo por acceso las terminales inversora, no inversora o
ambas).
g) Factor de rechazo en modo común infinito.
h) Todas las características iguales a cualquier temperatura.
Los amplificadores operacionales tienen ganancias de tensión elevadas
hasta de 1 000 000 y solo algunos con ganancias bajas; éstos últimos se emplean
en circuitos de sensores de muy pequeña señal, conectados directamente a sus
entradas. Por razones prácticas el Amplificador operacional no puede funcionar con
ganancias tan elevadas, controlando dichas ganancias a valores de manejo común.
Figura 4.5
154
Por definición la ganancia de un circuito eléctrico está dada por el cociente
de la tensión de entrada entre la tensión de salida, así tendremos las ganancias en
lazo abierto y el lazo cerrado.
V
Ganancia en lazo abierto A = out
Vd
Vout
Ganancia en lazo cerrado G =
Vin
En la que:
Vin Señal de entrada
Vd Señal de diferencia
Vout Señal de salida
A Ganancia dada por el fabricante (Dato dado en manuales).
G Parámetro dependiente de las redes de conexión
R in I in = e in , − I fb R fb = − e out
Substituyendo en la ganancia.
e out R fb I fb R fb
G=− =− =−
e in R in I in R in
Figura 4.6
155
R fb 100
Para: e in = 1 V , Tenemos que la ganancia será: G = − =− = − 10
R in 10
Por lo que la señal de salida es: e out = G e in = ( −10 )1 = − 10 V
A partir de las caídas de tensión: VR = I in R in = 1 V = e in
in
VR fb = I out R fb = − 10 V = e out
Los valores de las corrientes: e in 1V
I in = = = 0.1 × 10 − 3 A = 0.1 mA
R in 10 KΩ
e out 10 V
I fb = = = 0.1 × 10 − 3 A = 0.1 mA
R fb 100 KΩ
∴ I in = − I fb , donde I in = I fb
Con el fin de facilitar la operación y los análisis de las diferentes
configuraciones del amplificador operacional, lo tomaremos idealmente,
corroborándose experimentalmente que se tienen magníficos resultados, por sus
ganancias extremadamente altas en lazo abierto; por otro lado la de considerar que
la señal de diferencia (Vd ) es aproximadamente cero.
156
Relacionándola con la configuración de la entrada inversora tenemos:
R
G = fb + 1 Es decir: G = Ginv + 1
Rin
Dando valores de: ein= 1 V, Rin = 10 KΩ y Rfb = 100 KΩ
R fb 100
La salida de tensión será: eout = + 1 ein = + 1 1 = 11 V
Rin 10
Figura 4.8
157
4.4.7 AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO INTEGRADOR.
Figura 4.9
R fb
La tensión de salida está dada por la ecuación eout = −ein
Rin
Figura 4.10
158
Considerando un comportamiento lineal del amplificador operacional, para
una señal de entrada del tipo escalón, en la salida obtendremos una señal tipo
rampa, como se podrá observar en la figura 4.11.
Figura 4.11
Figura 4.12
159
En el nodo del punto suma por KLC tenemos:
e in d vc
i in + i fb = 0 , dado que i in = y i fb =C fb
R in d t
Substituyendo tenemos:
e in d vc
+ C fb =0
R in d t
Separando variables e integrando.
1
∫d v R inC fb ∫
c =− e in dt
1
R inC fb ∫
=− V max sen ω t d t
Vmax
= cos ω t
ω R inC fb
Teniéndose las formas de onda, figura 4.13, que es una senoide defasada
con un ángulo de adelanto de 90º.
Figura 4.13
160
4.4.8 AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO SUMADOR Y
SUBSTRACTOR.
Por lo general para ésta función del amplificador operacional se emplea con
la entrada inversora, figura 4.14, ya que la alternativa permite tener ganancias
fraccionarias (G<1).
Figura 4.14
Desarrollando tenemos:
i fb = − ( i 1 + i 2 + ... + i n )
R R R
e out = − e 1 fb + e 2 fb + ... + e n fb
R1 R2 R n
El signo y la función que desempeña el amplificador operacional,
dependerá de la señal de entrada.
Figura 4.15
161
En el nodo del punto suma.
i in + i fb = 0 ∴ i fb = − i in = − i c
∆ e in
e out = − C in R fb
∆t
Figura 4.16.
= −2 × 10 − 6 × 500 × 10 3 × 5 = − 5 V
162
4.4.10 AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO INTEGRADOR CON EL
PARALELO DE LA RESISTENCIA Y EL CAPACITOR DE
RETROALIMENTACIÓN.
Figura 4.17
e
En donde: x = e out , τ = C fb R fb y k =− in
C fb R in
t
e in −
Substituyendo: e out = − C fb R fb + Ae τ
C fb R in
163
t
R fb −
e out = − e in + Ae τ
R in
La constante A se determina para condiciones iniciales.
Figura 4.18
+
En el tiempo t =0 y e out = 0
En la ecuación.
t
R fb −
e out = − e in + Ae τ
R in
Substituyendo.
R fb R fb
0=− e in + A ∴ A= e in
R in R in
Tenemos:
t
R fb R fb −
e out = − e in + e in e τ
R in R in
R fb −
t
=− e in 1 − e
τ
R in
Para el valor final de t= ∞ , e = 0∞
R R
e out = − fb e in ( 1 − e − ∞ ) = − fb e in
R in R in
Solución:
R fb 100
e out = − e in = − ( −10 ) = 10 V
R in 100
164
Aplicando la ecuación en forma estricta:
En donde:
(
e out = v C , τ = R fb R L )C fb y E = Tensión inicial del capacitor.
El nivel de tensión de salida será:
t
−
e out = E e τ
Figura 4.19
165
Para la condición inicial de operación, se tiene descargado el capacitor y su
impedancia es cero, por lo que el circuito opera como la configuración de inversor
simplemente, de ahí que:
R fb
v C fb = 0 , e out = − e in
R in
Sumando efectos, ahora tomando en cuenta a la carga del capacitor como
integrador, para la señal de corriente continua:
R fb t
e out = − e in − e in
R in R inC fb
R t
= − fb +
R in R inC fb in
e
Del producto, la parte proporcional será el primer sumando y la parte integral
será el segundo sumando del paréntesis de la tensión de salida.
Ejemplo: Para una señal de entrada de un pulso cuadrado, figura 4.20, con
los siguientes datos:
E in=-20 V, R in=500 KΩ, R fb=50 KΩ, RL=10 KΩ , C fb=4 µF y t=1 s.
R t
e out = − fb +
R in R inC fb in
e
50 1
=− + ( − 20 )
500 0.5 × 4
= 2 + 10 = 12 V
No debemos perder de vista, que la tensión obtenida nunca podrá ser mayor
que la de polarización, de otra forma el circuito entregara una señal de salida
saturada al nivel de tensión de la polarización.
e out ≤ V polarizacion
El tiempo de descarga del capacitor por descenso de la señal de entrada,
después del tiempo transcurrido de 1 segundo:
t
−
vC = E e τ
166
Para el ejemplo tenemos que la tensión inicial es de 12 V y la tensión final es
de 2 V, considerada para el nivel de tensión proporcional.
t
t −
− ( R fb + R L )C fb
vC = E e τ
, 2 = 12 e y despejando a t:
t = ( R fb + R L ) C fb Ln 6 = ( 50 × 10 3 + 10 × 10 3 ) 4 × 10 − 6 Ln 6 = 0.43 s
Figura 4.20
τ = ( R fb + R L ) C fb
= ( 50 × 10 3 + 10 × 10 3 ) 4 × 10 − 6 = 0.24 s
167
4.4.12. AMPLIFICADOR OPERACIONAL EN CONFIGURACIÓN DIFERENCIAL.
Figura 4.21
Figura 4.22
168
Observemos: la señal V1 ingresa a la configuración de inversor y la señal V2
a la configuración como no inversor, ambas señales aplicadas al punto suma y
tratándose de señales lineales; es posible determinar el procesado de ambas
señales aplicando el teorema de superposición.
Figura 4.23
R3
Vout 1 = − V1 (1
R1
Figura 4.24
169
En la sección inferior del diagrama de la figura 4.24, por divisor de tensión,
determinamos la diferencia se potencial en el punto suma VS.
R4
Vs = V2 (2
R2 + R4
R1 + R3
VOUT 2 = Vs (3
R1
R1 + R3 R4
VOUT 2 = V2
R1 R2 + R4
(4
( R + R3 ) R4 V
= 1
( R2 + R4 ) R1 2
Aplicando el teorema de superposición, para las dos tensiones de salida
tomadas en forma individual, determinamos la respuesta del amplificador
diferencial, ecuación 5.
=
( R1 + R3 ) R4 V − R3 V (5
( R2 + R4 ) R1 2 R1 1
Por otro lado la impedancia del amplificador en la entrada. Será:
Z diferencial = R1 + R2 (6
170
4.4.13. CARACTERÍSTICAS REALES DEL AMPLIFICADOR
OPERACIONAL.
a).- Tensión de desviación del cero de entrada (afectan al cero del punto
suma para un amplificador de pequeña señal el cual es dependiente de la
temperatura de apertura de operación) estas magnitudes se conocen como de
deriva y se manifiestan en tensión y corriente y en el que no necesariamente existe
una correlación entre la tensión y la corriente ni en magnitud ni en signo.
2. Características de salida.
• Impedancia de salida.
• Tensión y corriente de salida.
3. Características de transferencia.
• Ganancia de tensión en lazo abierto (por grande que sea siempre será
finita y el amplificador operará de acuerdo con sus elementos pasivos de
entrada y retroalimentación)
• Ganancia.
• Resistencia de salida.
• Resistencia de entrada.
171
• Capacitancia de entrada.
• Ganancia unitaria del ancho de banda.
172
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II
PRÁCTICA 8
1. Objetivo.
3. Realización de la práctica.
173
3.1- Amplificador en la conexión de la configuración de inversor.
174
3.4 Amplificador Operacional como sumador y sustractor.
+V
_
1 Vpp +
-V
Del circuito propuesto, aplique una señal alterna con perfil de onda cuadrada
a una frecuencia de 500 Hz, de la magnitud exhibida y trace las formas de salida
del amplificador; modifique los valores a 1 KΩ y 0.1 µF, conservando la resistencia
de 10 KΩ. Determine la forma de salida teóricamente y compare con la obtenida en
el experimento, para ambos casos.
175
BIBLIOGRAFÍA
176
5. CIRCUITO TEMPORIZADOR 555
TABLA 1
FABRICANTE MATRÍCULA
Signetics NE 555
Fairchild µA 555
National Semiconductor LM 555/LM 555C
Texas Instruments SN 72555/LM 555C
Exar XR-555
RCA CA 555/CA 555C
Philips/Silvania ECG 955
Harris HA 1755
Motorola MC 1455/MC 1555
Toshiba TA 7555P
Intensil SE 555/NE 555
Lithic Systems LC 555
Raytheon RM 555/RC 555
Una de las grandes ventajas del 555 es su compatibilidad, ésta realizada con
circuitos integrados digitales de la familia TTL y también con aplicaciones directas
de circuitos analógicos.
En la integración del 555, dentro de su estructura general, en términos
medios el paquete semiconductor (chip), consta internamente de 20 transistores, 15
resistencias y 2 diodos; dependiendo del fabricante en particular.
El circuito equivalente para el 555 fabricado por la compañía Signetics, se
muestra en la figura 5.1 y el que podemos comparar con los también fabricados por
las compañías Exar, figura 5.2 y por RCA, figura 5.3.
177
Figura 5.1
Figura 5.2
178
Figura 5.3
179
5.1 ANTECEDENTES DEL 555.
Figura 5.4
Figura 5.5
180
En éste tipo de biestable (Flip Flop), se limita la actuación de las entradas, en
la condición de que las entradas no pueden ser activas simultáneamente; es decir,
son estados no permitidos.
En el Flip Flop de entradas activas bajas, implementado con compuertas
NAND, las salidas son indefinidas o ambiguas y lo mismo corresponde para las
entradas de niveles altos, implementadas con compuertas NOR.
Figura 5.6
181
Figura 5.7
Figura 5.8
182
En la figura 5.9 a, se presenta el circuito básico de un comparador analógico
- digital, en el que se integra por un comparador analógico y un biestable activado
por niveles, para el caso el nivel alto (1).
VCC Vref
VCC
R _ QC P . Cero
R Q
+
Flip Flop
C P . Uno
Tr S Q
R1
R2 T
Señal de disparo
( Trigger)
(a
(b
Figura 5.9
En la figura 5.9b, se presenta la evolución de las gráficas de comportamiento
de los puntos más importantes, exhibiendo su operación en el tiempo. Inicialmente
183
la salida Q del temporizador, se encuentra en un nivel de cero volts y la salida de Q
al nivel de +V volts y el condensador está cortocircuitado por el transistor Tr, por
estar en un estado de saturación. Cuando se aplica un pulso positivo en la entrada
T (una señal de disparo) del Flip Flop; su salida Q pasa a un nivel alto y la salida Q
pasa a un nivel bajo, con lo cual el transistor Tr se coloca en estado de corte. Se
inicia así la carga del condensador C através de R hasta que su tensión VC iguala
la tensión de referencia; en ese instante la salida del comparador QC pasa de un
nivel bajo a un nivel alto y restablece a la condición de nivel bajo de la salida Q del
Flip Flop y a un nivel alto la salida Q .
La tensión de referencia Vref, es posible establecerla a partir de la fuente VCC,
mediante un divisor de voltaje, como el que se exhibe en la figura 5.10, dado por R1
y R2.
Figura 5.10
184
Flip Flop operado por flancos de subida, lo cual se indica con el símbolo > colocado
en la entrada del disparo T del bloque del Flip Flop. Sí todos los elementos del
circuito de la figura 5.10, excepto RA y C; se coloca en un solo circuito integrado,
representándolo en un solo paquete por el bloque de la figura 5.11.
Figura 5.11
Figura 5.12a
185
Figura 5.12b
186
positiva que la no inversora (+), hace que la salida Q del Flip Flop pase a cero (QT
se pone en uno o nivel alto) y que se inicie la carga del capacitor C.
Cuando la tensión en el condensador VC supera el valor de la tercera parte
de VCC desaparece la puesta a cero del Flip Flop porque la salida del comparador
inferior cambia de estado. Cuando VC alcanza los dos tercios de VCC pasa a un
nivel alto la salida del comparador superior, su entrada no inversora (+) y se realiza
así la puesta a uno del Flip Flop con lo cual la salida QT del temporizador, pasa a
nivel cero, y se inicia la descarga del condensador C através de la resistencia RB.
Cuando VC disminuye por debajo de 1/3 de VCC, vuelve a pasar a un nivel alto la
salida del comparador inferior, se pone a cero la salida Q del Flip Flop y se inicia un
nuevo ciclo, concretando de está manera su operación como Generador de Pulsos.
Con una modificación más del circuito electrónico del temporizador analógico
digital de la figura 5.12a, es posible emplearlo como circuito temporizador o como
oscilador monoestable. El diagrama de la figura 5.13a, opera como temporizador.
+
_
Figura 5.13a
La entrada inversora del comparador (-) B se conecta a un nivel alto VCC
através de una resistencia R2, y constituye la entrada de la señal de disparo
externa. La salida no inversora (+) del comparador A, se conecta al terminal común
de la resistencia R1 y el condensador C.
En la figura 5.13b, se muestra el diagrama temporal de las señales de interés
del circuito, partimos de que se activa la puesta en estado inicial (en éste caso
activa con nivel bajo, recuerde el pequeño circulo a la entrada del bloque), que sitúa
187
a uno la salida Q del Flip Flop (Q=1) nivel alto y provoca la descarga del capacitor
C al saturarse el transistor Tr. Al bajar el nivel a cero de la señal de disparo, hace
que pase a nivel alto la salida del comparador B, que genera una puesta a cero del
Flip Flop y a su vez la salida del inversor QT pasa a un nivel uno. Se inicia de ésta
forma la carga del condensador C, hasta que su tensión alcanza los 2/3 VCC,
instante en que pasa a nivel uno la salida del comparador A, que provoca la puesta
a uno del Flip Flop (QT pasa a cero) y retorna al estado inicial; que se considera
como normal, el sistema permanecerá en éste estado mientras no se produce una
nueva señal de disparo
Figura 5.13b
De lo expuesto se deduce que en las figuras 5.12 y 5.13, se puede integrar
un solo bloque multifuncional, que opere indistintamente como un circuito
monoestable o astable, conectando los elementos externos adecuados; el cual se
presenta en la figura 5.14, como un bloque multifuncional del Temporizador
Analógico Digital, mostrándose sus conexiones, circuito que permiten una
versatilidad en el diseño de circuitos.
188
_
+
_
Figura 5.14
189
+
_
Figura 5.15
Figura 5.16
190
5.3 TIPOS DE ENCAPSULADOS.
Figura 5.17
191
5.4 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
En la tabla 2, se presentan un listado de las características eléctricas
específicas del circuito integrado 555, que se ajustan en general a los fabricantes.
TABLA 2
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS del circuito integrado lineal 555:
TA = 25˚C, Vcc =+5V a +15V a menos que se especifique otra cosa.
SE 555 NE 555
PARÁMETROS CONDICIONES DE
PRUEBA MIN TYP MAX MIN TYP MAX UNITS
Tensión de 4.5 18 4.5 16 V
alimentación
Corriente de Vcc = 5v, RL = ∞ 3 5 3 6 mA
alimentación Vcc = 15v, RL = ∞ 10 12 10 15 mA
Error de temporizado RA, RB = 1KΩ a 100
KΩ
Exactitud inicial C = 0.1 µF 0.5 2 1 %
Deriva por 30 100 50 Ppm /˚C
temperatura
Deriva de tensión de 0.005 0.02 0.01 %/V
alimentación
Tensión de umbral * 2/3 2/3 X Vcc
Tensión de disparo Vcc = 15v 4.8 5 5.2 5 V
Vcc = 5v 1.45 1.67 1.9 1.67 V
Corriente de disparo 0.5 0.5 µA
Tensión de 0.4 0.7 1.0 0.4 0.7 1.0 V
restablecimiento
Corriente de 0.1 0.1 mA
Restablecimiento
Corriente umbral ** 0.1 0.25 0.1 0.25 µA
Nivel de control de Vcc = 15v 9.6 10 10.4 9 10 11 V
tensión Vcc = 5v 2.9 3.33 3.8 2.6 3.33 4 V
Caída de tensión de Vcc = 15v
salida (baja) I drenaje = 10mA 0.1 0.15 0.1 0.25 V
= 50mA 0.4 0.5 0.4 0.75 V
=100mA 2 2.2 2 2.5 V
= 200mA 2.5 2.5
Vcc = 5v
I drenaje = 8mA 0.1 0.25
= 5mA 0.25 0.35 V
Caída de tensión de I fuente = 200mA 12.5 V
salida (alta) Vcc = 15v
I fuente = 100mA
Vcc = 15v 13 13.3 12.7 13.3 V
Vcc = 5v 3 3.3 5 3.3 V
2.75
Tiempo de subida de 100 100 nseg
salida
Tiempo de bajada 100 100 nseg
de la salida
* Prueba a VCC de 5 V y 15 V.
** Se determina para un valor máximo Ra+Rb=20 MΩ a 15 V de operación.
192
5.5 ANÁLISIS MATEMÁTICO DEL 555
8 4 Inicialización
Comparador
R1 Ra
de umbral
Umbral 6
+ 3
U3 U4
_ R Q
R2 Control 5 U1 Salida
Flip Buffer
Rb
Flop
+ U2 Q RL
Disparo S
_
C1
2 Comparador
7 de disparo
Descarga Rc Q1
Ra =Rb =Rc = 5 K
Tierra 1
Figura 5.18a
Observe que la entrada de umbral (thershold) terminal 6, está
conectada a la entrada del disparo (trigger) terminal 2. El circuito formado por las
resistencias R1, R2 y el condensador C1, tiene la función de controlar el voltaje de
entrada a los comparadores. Cuando el circuito es energizado, la tensión en el
condensador vC1 es de 0 V, porque C1 está completamente descargado. Bajo ésta
condición el comparador de umbral U1, aplica un nivel de tensión bajo a la entrada
Reset (R) del Flip Flop, esto por el nivel de voltaje aplicado al terminal no inversora
(+) del comparador U1, e inversamente le aplicamos un nivel de tensión bajo (0 V) a
la terminal inversora del comparador de disparo U2 entregando un nivel alto a la
entrada Set (S) del Flip Flop. Como resultado, la salida del circuito (Out) terminal 3,
es de un nivel de voltaje alto. Al mismo tiempo, la salida Q inversora del Flip Flop
193
es de un nivel de tensión bajo, el transistor Q1 está en estado de corte Off, y C1
inicia su carga libremente através de R1 y R2. A medida que el capacitor C1 se
carga, el voltaje en sus terminales crece hasta alcanzar el valor de la tensión de
umbral de 2/3 VCC. Cuando esto sucede, el comparador de umbral U1 aplica un nivel
+ −
alto a la entrada Reset (R) del Flip Flop (V 〉V salida alta) y en el comparador de
disparo sucede en forma inversa, teniéndose un nivel de tensión bajo en la entrada
+ −
Set (S) del Flip Flop (V 〈V salida baja).
El resultado del cambio de estado del Flip Flop, es que la salida Q y la salida
del circuito Out, terminal 3, se hace baja; por consiguiente la salida Q del Flip Flop
se hace alta, en consecuencia el transistor Q1 entra en conducción (estado on)
hasta la saturación y establece un camino para la corriente de descarga del
capacitor C1, através de R2. Aquí podemos hacer una pausa para denotar que
tenemos un tiempo implícito de carga TC y una constante de tiempo de carga
τ C = ( R1 + R2 ) C1 ; por otro lado también tenemos un tiempo de descarga Td ligado
a su constante de tiempoτ d = R2C1 ; que serán fundamentales en la operación del
circuito integrado 555. Cuando el nivel de voltaje de C1 se hace ligeramente inferior
al voltaje de disparo, entrada inversora del comparador U2 (1/3 VCC), el
comparador de disparo aplica un nivel alto a la entra Set (S) del Flip Flop y el
comparador de umbral un nivel bajo a la entra de Reset (R) del Flip Flop. De lo
expuesto vemos que la salida retorna a su estado inicial (Alto), por lo tanto se tiene
un ciclo de operación del 555, manifestado por la carga y descarga del capacitor C1,
así la salida oscila indefinidamente entre los niveles de tensión alto y bajo,
entregando de ésta forma lo que conocemos como un tren de pulsos o impulsos, a
una determinada frecuencia, la cual es función de las constantes de tiempo de la
carga y descarga del condensador C1, en la figura 5.18b, se muestran las gráfica de
comportamiento de los puntos de interés.
Figura 5.18b
194
El condensador C1 en su operación tiene dos niveles de tensión, ver figura
5.18b, fijados por el divisor de voltaje formado por las resistencias Ra, Rb y Rc, y la
entrada de los comparadores que va de VC1 = 1 VCC a VC1 = 2 VCC ; el primer valor
3 3
de tensión será la tensión de disparo, terminal 2 y el segundo valor será la tensión
de umbral, terminal 6.
De la expresión matemática para la determinación de la tensión de carga del
condensador, son funciones del tiempo y está dada por la ecuación.
T
− c
τc
vc ( t ) = E 1 − e
De las gráficas de la figura 5.18b, correspondientes a la carga del
condensador C1, observamos que la tensión evoluciona de 1 VCC a 2 VCC ,. Por
3 3
lo que se toman éstos valores como la tensión inicial y final de la carga del
condensador.
−
Tc
1 V = 2 VCC 1 − e τ c
3 CC 3
Cuya solución para el tiempo de carga.
Tc = 0.693 ( R1 + R2 ) C1
Durante el tiempo de descarga Td, la salida del 555, terminal 3 es de un nivel
de tensión bajo, ver figura 5,18b, siendo menor que el tiempo de carga.
Expresión matemática de la descarga de un capacitor hasta una tensión final.
Td
−
τd
vd ( t ) = E e
De las gráficas de la figura 5.18b, correspondientes a la descarga del
condensador C1, observamos que la tensión evoluciona de 2 VCC a 1 VCC . Por lo
3 3
se toman éstos valores como la tensión inicial y final de la descarga del
condensador.
Determinándose el tiempo de descarga por la ecuación.
.
Td = 0.693 R2C1
La suma de los tiempos de la carga y la descarga del capacitor,
forman el período de oscilación (T) de la señal de salida.
T = 0.693 ( R1 + 2 R2 ) C1
Y la frecuencia de oscilación ( f ) es la inversa del período T.
1 1
f = =
T 0.693( R1 + 2 R2 )C1
195
La razón entre el tiempo de conducción y el período. Se conoce como
ciclo útil (D), del inglés Ducty cycle, expresada en por ciento (%).
Tc R + R2
D= 100 = 1 100 [% ]
T R1 + 2R2
De ahí cuanto mayor sea el tiempo de carga, mayor será el ciclo útil y
viceversa, para una señal Tc = Td se tendrá a D = 50% .
Ejemplo.
Determine los tiempos de carga, descarga, periodo, frecuencia de oscilación
y el por ciento de ciclo útil, para el circuito con 555 mostrado en la figura 5.18; con
los valores de los componentes siguientes: R1=1 KΩ, R2=120 KΩ y C1=0.01µF.
Solución.
Tiempo de carga Tc.
Tc = 0.693 ( R1 + R2 ) C1
= 0.693 ( 1 + 120 ) × 10 3 × 0.01 × 10 − 6
= 838.5 × 10 −6 ≅ 839 µ s
Período T
T = Tc + Td
= 839 + 832
= 1671µ s ≅ 1.67ms
Frecuencia f
1
f =
T
1
=
1.67 × 10 −3
= 598.8Hz ≅ 600Hz
196
Ciclo útil D
Tc
D= 100
T
839
= 100
1671
= 50.2 % ≅ 50%
Tenemos como resultado una onda del tipo cuadrado, por tener
aproximadamente el mismo tiempo en el nivel alto y en el nivel bajo, de la salida.
Como una herramienta de cálculo, en la figura 5.19 se anexan la gráfica de
relación entre resistencias y capacitancias, para tener en forma económica la
frecuencia de oscilación; también en la figura 5.20, se tienen la gráfica para
determinar el por ciento del ciclo útil, en función de las resistencias R1 y R2.
Figura 5.19
197
Figura 5.20
Figura 5.21
198
Ésta configuración del circuito 555, se denomina temporizador de un disparo
(One shot), aquí tenemos conectadas a un punto común las terminales de conexión
6 de umbral y 7 de descarga.
El circuito externo formado por las resistencias R1 y R2, el capacitor C1 y el
interruptor pulsador S1, controla el voltaje de entrada a cada comparador y
establece el instante de arranque y la duración del pulso de salida.
En condiciones normales, con el interruptor pulsador abierto, la entrada de
disparo terminal 2, está a un nivel de tensión de la fuente de alimentación de
corriente continua VCC através de R2 y el comparador de disparo U2, aplica un nivel
de tensión bajo a la entrada de Set S del Flip Flop.
Al mismo tiempo, la salida del temporizador (Out) terminal 3, es de un nivel
de tensión bajo, la salida Q del Flip Flop U3 es de un nivel de tensión alto, el
transistor Q1 está saturado (On) y su colector, terminal 7, provee el camino para la
descarga del capacitor C1 al conectar a tierra la terminal de umbral Terminal 6.
Como resultado el comparador de umbral U1, aplica un nivel bajo de tensión
a la entrada Reset R del Flip Flop. Puesto que la entrada Set S del comparador de
disparo U2, es también de nivel de tensión bajo, el estado inicial de la salida (Out)
terminal 3, se mantiene, es decir sigue en nivel bajo.
Cuando se oprime el botón pulsador S1 momentáneamente, el disparo
terminal 2, recibe un nivel de tensión bajo y el comparador de disparo U2 aplica un
nivel de tensión alto a la entrada Set S del Flip Flop U3. Como resultado, la salida
del 555 (Out) terminal 3, pasa del estado de nivel de tensión bajo al nivel de tensión
alto. Al liberar el interruptor pulsador S1, la entrada Set S retorna otra vez al estado
bajo, pero la salida del 555 (Out) se mantiene en el estado alto. Al mismo tiempo, la
salida Q del Flip Flop es de estado bajo, el transistor Q1 está en estado de corte
(Off) y el capacitor C1 comienza a cargarse através de la resistencia R1.
Cuando en voltaje de C1 se hace ligeramente superior a los 2/3 de Vcc , el
comparador de umbral U1 aplica un nivel alto a la entrada Reset R del Flip Flop y la
salida del circuito (Out) terminal 3, se hace nuevamente baja.
Como consecuencia de este proceso la salida se ha sostenido en nivel alto
durante un determinado tiempo, el cual se inicia a partir del instante en que se
aplicó el disparo, terminal 2, un nivel de tensión bajo al oprimir el interruptor
pulsador S1. Es decir el circuito ha entregado a su salida un pulso de tensión.
La duración del pulso, llamado periodo de temporización se determina
mediante la fórmula siguiente:
T = 1.1R1C1
199
La tensión máxima de carga del capacitor C1 será la tensión del comparador
de umbral U1 de 2/3 Vcc , de su terminal 5 de control, que se debe superar para el
cambio de estado en un tiempo de carga Tc, para una constante de tiempo
τc=R1C1.
Aplicando los niveles de tensión a la ecuación de carga del condensador.
2 T
− c
τc
Vcc = Vcc 1 − e
3
Resolviendo:
T
1 − c
− Vcc = −Vcc e τ c
3
Despejando al tiempo de carga del condensador.
1
−Tc = τ c Ln = τ c ( −1.0986 )
3
∴Tc = 1.1 τ c = 1.1 R1C1
Ejemplo:
Solución.
Tc = 1.1R1C1
= 1.1 × 1 × 10 6 × 100 × 10 −6
= 110 s
200
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS.
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II
Práctica 9
1. Objetivo.
La finalidad de ésta práctica, es la de comprobar la operación del circuito
integrado 555, en su modalidad de astable. Observar como varía la frecuencia
de la señal de salida, en función de las componentes externas,
Figura 1
201
3. Realización de la práctica.
202
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS.
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II
Práctica 10
1. Objetivo.
La finalidad de ésta práctica, es la de comprobar la operación del circuito
integrado 555, en su modalidad de monoestable (como temporizador).
Demostrar el efecto del pulso de disparo, sobre la señal de salida del
temporizador. Observar como la duración del pulso de salida, es función de las
componentes externas,
Figura 1
203
3. Realización de la práctica.
204
BIBLIOGRAFÍA
205
El Libro de Electrónica II del autor
Ing. Domingo Almendares Amador
Dirección de Bibliotecas y Publicaciones.
I.P.N.
La edición fue de ________ ejemplares más sobrantes para reposición.
CURSO
DE
ELECTRÓNICA
II