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Universidade Federal de Campina Grande

Centro de Engenharia Elétrica e Informática


Dispositivos Eletrônicos – 2015.1
Aluno(a):
Professor: Raimundo Carlos S. Freire

3ª Verificação
1. No circuito da figura 1, Vtn = 0,5 V, Vtp = -0,5 V, nCox = 20 μA/V2, pCox = 10 μA/V2, W1/L1 =
W3/L3 = 160, W2/L2 = 80, W4/L4 = 240. Determine os valores das correntes I1 e I2 e das tensões
Vgs1 e Vds3. Dê o resultado em A e em mV.

Figura 1
I1 
1
2
W

 n C ox 1 V gs1  Vtn
L1
2  12  p Cox WL 2 V gs 2  Vtp 2 V gs1  1166mV
2
I1  711,111A
 2  10A / V 2 x80 3  V gs1  0,52
20A / V 2 x160 V gs1  0,5

I 2   p C ox 4 V gs 4  Vtp 2  711,111A
1 W
2 L 4

I 2  10A / V 2 x 240 3  1,166  0,52  711,111A  1424A


1
2
Verificando se os transistores Q3 e Q4 estão na saturação:
VDS3  1kx1,4243562mA  1,424V
Para Q3, 1,424  1,166  0,5 , portanto está na saturação
Para Q4, 3  1,424  3  1,166  0,5 , portanto está na saturação

2. Para o amplificador da figura 2, considere IP = 250 A, Vt = 0,5 V,  = 1000 μA/V2, VA = 50 V.


Determine: a) Os valores cc das correntes de dreno e das tensões VDS e VGS; b) As impedâncias
de entrada e saída (Rin e Rout); c) O ganho de tensão do amplificador (Av=vo/vi). Suponha os
capacitores muito grandes. Considere V A muito grande para o cálculo de VDS e VGS.

Figura 2
I D  250A Rin  100k
250A  1000A / V VGS  0,5 VS  0  VGS  1V
2 2
VA 50V
ro    200k
VGS  1,0V I D 250A VDS  VD  VS  3,5V
VD  5  10kx250A  2,5V Rout  200k // 10k  9,524k
Verificando se o transistor está na saturação:
3,5  0  0,5 , portanto está na saturação
g m  2 K (VGS  Vt )
g m  2 x1000 (1  0,5)  1mS
Av   g m Rout  9,524
3. Determine as tensões de dreno e de fonte e a corrente de dreno no circuito da figura 3.
Considere VDD = 10 V, Vt = 1 V e K = 0,5 mA/V2. Despreze o efeito da modulação do
comprimento do canal (isto é, suponha λ = 0).

Figura 3
10M
VG  x10V  5V
20M I D  0,5mA / V 2 5  6kI D  12
VD  10  6kI D
I D  0,5mA / V 2 VGS  12 I D  0,5mA
VD  7V
VS  6kxI D VS  6kxI D  3V
Verificando se o transistor está na saturação:
7  5  1 , portanto está na saturação
4.No circuito da figura 4, o FET tem Vt = 0,6 V,  = 0 e K = 1000 A/V2. Com vi = 60mVcoswt,
encontre o valor de vo para VG = 0,8 V e VG = 1,2 V.
O transistor está na região de triodo e
1
rDS 
2 K (VGS  Vt )
rDS
Vo  Vi
1k  rDS
Para VG = 0,8 V, rDS = 2,5 kentão Vo = 42,857mVcoswt.
Figura 4 Para VG = 1,2 V, rDS = 833,333 entãoVo = 27,27mVcoswt.
5. No circuito da figura 5, nCox = 40 A/V2, L1 = L2 = 1 m, W1 = 2 m, W2 = 80 m, L3 = L4 =
4 m, W3 = W4 = 80 m, V AN = 200 V, VAP = 100 V. Encontre o valor da transcondutância do
par diferencial. Se vi = 1,0 mV senWt, qual o valor de vo (ac)?
100
80 / 1 rop   250k
I D2  20A  800A 400A
2 /1
200
1 80 ron   500k
K 3  40A / V 2  400A / V 2 400A
2 4
250kx500k
G m  2 x800Ax400A / V 2  800S v 0  800Sx 1,0mVsenWt
250k  500k
v o  133,33mVsenWt
Figura 5