DEPARTAMENTO DE SISTEMAS ELECTRÓNICOS

ELECTRÓNICA I

TRABAJO PREPARATORIO
LABORATORIO No. 6

Tema de la práctica: POLARIZACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE

JUNTURA (BJT).

Ingeniera: Monica Patricia Medina

Realizado por: Richard Cuzco

Mateo López

Fecha: 09 de diciembre de 2015

Ecuador – Sangolqui
1. Consultar sobre

1.1. Procedimientos para la fabricación de un transistor.

Los transistores suelen construirse de Ge o de Si según la técnica usada. Los
transistores de aleación prácticamente se usan sólo con el Ge, debido en gran parte a
su temperatura de fusión mucho más baja que la del Si.
 Transistores de aleación
Se parte de discos de Ge monocristalino tipo N, luego se coloca en un molde de
grafito. Se introducen dos bolitas del componente de la aleación que se quiere
formar. La de mayor tamaño se coloca en la cara destinada al colector y la más
pequeña para el emisor.
El conjunto se introduce en un horno con una atmósfera neutra o ligeramente
reductora y se realiza el proceso de vuelco.

 Transistores por difusión

El emisor se obtiene por difusión (a veces aleación) de Indio para el Ge o de Fósforo
para el Si. Se metalizan las conexiones y se fijan los terminales por
termocompresión.

 Transistores planares
El proceso comienza por la obtención de máscaras de una escala 500:1
aproximadamente, para luego reducirse a tamaño natural mediante fotolitografía.
Estas máscaras van a determinar las zonas donde se han de hacer las difusiones
correspondientes a cada parte del transistor, incluidas las metalizaciones.
Obtenido de
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/fabricacionTransistores.html

1.2. A que se debe la acción amplificadora de un transistor.

La acción amplificadora del transistor se debe primero a la correcta polarización del

diodo, para que este puede ingresar a la región de amplificación o región lineal. El
factor de amplificación logrado entre la corriente de colector y la corriente de la base,
se denomina Beta de transistor.
La acción amplificadora del diodo depende además de otros factores como las
tensiones de ruptura de Colector Emisor, Base Emisor, Colector Base, potencia máxima,
disipación de calor.
Obtenido de
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/fabricacionTransistores.html
 1.3. Como se identifican los terminales de un transistor.
Usamos el multimetro en la posición de diodo, en el caso de ser un transistor npn, la
base es el pin común, por lo que si conectamos el terminal positivo del multímetro en la
base, y el terminar negativo en uno de los dos terminales del transistor en el que nos
marque el voltaje umbral de 0.7 sería el emisor, para un transistor pnp se debería
conectar el negativo en la base marcando un umbral de 0.7 en el emisor con el cable
positivo del multímetro.

2. Para un transistor con polarización fija calcule el punto de operación del transistor. Cada
grupo se impone el circuito.

Circuito a implementar
β = 152

RB
RC
910kΩ
3.3kΩ

Vcc
Q1 12V
2N3904

Análisis de la malla Base – Emisor

Planteando la ecuación de la malla tenemos.

 12 − 0.7
𝐼𝐵 = = 𝟏𝟐. 𝟒𝟏𝟕 𝝁𝑨
910𝑘

𝑰𝑩 = 𝟏𝟐. 𝟒𝟑𝟒 𝝁𝑨

Análisis de la malla Colector – Emisor

Para la segunda malla tenemos que:

𝐼𝑐 = 𝛽𝐼𝐵
𝐼𝑐 = 152 ∗ 12.417 𝜇𝐴 = 𝟏. 𝟖𝟖𝟕 𝒎𝑨
 𝑰𝒄 = 𝟏. 𝟖𝟗 𝒎𝑨

𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝛽𝐼𝐵
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 (1 + 𝛽)
𝐼𝐸 = 12.417 𝜇𝐴(1 + 152) = 𝟏. 𝟖𝟗𝟗 𝒎𝑨

𝑰𝑬 = 𝟏. 𝟗𝟎𝟐 𝒎𝑨

El voltaje del emisor en esta polaridad va a ser igual a cero, ya que está conectado
directamente a tierra.

𝑽𝑬 = 𝟎

𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸
𝑽𝑩𝑬 = 𝑽𝑩 = 𝟎. 𝟕 𝑽

𝑽𝑩 = 𝟎. 𝟕𝟏𝟏 𝑽
 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶
𝑉𝐶 = 12 − (1.887 𝑚𝐴 ∗ 3.3 𝐾Ω)
𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪 = 𝟓. 𝟕𝟕𝟑 𝑽

𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪 = 𝟓. 𝟕𝟔𝟒 𝑽

2.1. Realice el cuadro con los resultados obtenidos.

VOLTAJES VE VB VC VCE IB IC
Valor calculado 0 0.7 V 5.773 v 5.773 v 12.417 𝜇𝐴 1.887 𝑚𝐴
Valor simulado 0 0.711 V 5.764 v 5.764 v 12.434 𝜇𝐴 1.89 𝑚𝐴

3. Para un transistor Autopolarizado, calcule el punto de operación. Cada grupo se impone

el circuito.

Circuito a implementar RB
470kΩ
RC
2kΩ
β = 160
Vcc
20V
Q1
2N3904

RE
1kΩ
Análisis de la malla Base – Emisor

Planteando la ecuación de la malla tenemos que:

Relacionamos la corriente de emisor con la corriente de base

𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
𝐼𝑐 = 𝛽𝐼𝐵
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝛽𝐼𝐵
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 (1 + 𝛽)

Reemplazando en la ecuación de la malla

20 − 0.7
𝐼𝐵 =
470 𝐾Ω + 1k(160 + 1)

𝑰𝑩 = 𝟑𝟎. 𝟓𝟖𝟔 𝝁𝑨
 𝑰𝑩 = 𝟑𝟎. 𝟏𝟗𝟖 𝝁𝑨

𝐼𝑐 = 𝛽𝐼𝐵
𝐼𝑐 = (160) ∗ 30.586 𝜇𝐴
𝑰𝒄 = 𝟒. 𝟖𝟗𝟑 𝒎𝑨

𝑰𝒄 = 𝟒. 𝟗𝟗𝟐 𝒎𝑨
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝛽𝐼𝐵
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 (1 + 𝛽)
𝐼𝐸 = 30.586 𝜇𝐴(1 + 160)
𝑰𝑬 = 𝟒. 𝟗𝟐𝟒 𝒎𝑨
 𝑰𝑬 = 𝟓. 𝟎𝟐𝟑 𝒎𝑨

Análisis de la malla Colector – Emisor

Calculo de voltajes:

Voltaje Base:

VB  VBC  I E RE
VB  0.7   4.924m 1k 
VB  5.624V
 Voltaje Emisor:

VE  I E RE   4.924m1k   4.924V

Voltaje Colector:

VC  20  VRC
VC  20  I C RC
VC  20   4.893m  2k 
VC  10.214V

Voltaje Colector-Emisor:

VCE  VC  VE
VCE  10.214  4.924V  5.29V

VOLTAJES VE VB VC VCE IB IC IE
Valor calculado 4.924V 5.624V 10.214V 5.29V 30.586u 4.893m 4.924m
Valor simulado 5.023V 5.731V 10.014V 4.991V 30.198u 4.992m 5.023m

4. Para un transistor con circuito de polarización por divisor de tensión, calcule el punto de
operación del transistor. Cada grupo se impone el circuito.
Teniendo los datos del grafico además:
 IC
  150
IB
I E  I B  IC
VBE  0.7V

Hallar todas las corrientes y voltajes del transistor

Para determinar el punto de funcionamiento de nuestro circuito necesitamos resolverlo
mediante un circuito equivalente thevenin, para lo cual debemos tomar en cuenta que
la fuente de voltaje se comporta como un corco circuito.
12V
Circuito Equivalente Thevenin 220Ω

Vcc
Rc
1kΩ

Rth
2N3904

Vth
IB Re
100Ω

Ahora procedemos a calcular los componentes del circuito thevenin

Voltaje Thevenin
Para el voltaje thevenin no se necesita más que realizar un divisor de tensión
1k
VTH  12  1.2V
10k
Resistencia Thevenin
Si decimos que la fuente se comporta como un corto circuito las resistencias de la base
vienen a estar en una conexión en paralelo, por lo que:
RTH  R2 || R4  9k ||1k  0.9k 

Con este circuito equivalente thevenin procedemos al cálculo del punto de operación
del transistor.
Corriente de Base:

VTH  I B RTH  VBE  I E (R E )  0

VTH  I B RTH  0.7  I B    1 RE   0
I B  RTH  151RE   VTH  0.7
1.2  0.7
IB   31.25 A
0.9k  15.1k

Una vez calculada la corriente de base podemos calcular los demás ítems:

Corriente de Colector:
IC   I B  151 31.25   4.72mA
Corriente de Emisor:
I E  IC  I B  4.72m  31.25  4.75mA
Una vez calculadas las corrientes nos resta calcular los voltajes:
Voltaje Base:
VB  VBC  I E RE
VB  0.7   4.75m 100 
VB  1.175V
Voltaje Emisor:

VE  I E RE   4.75m100  475mV
Voltaje Colector:
VC  12  VRC
VC  12  I C RC
VC  12   4.72m 1k 
VC  7.28V

Voltaje Colector-Emisor:
VCE  VC  VE
VCE  7.28  475mV  6.805V
Simulación
Voltaje Emisor

Voltaje Base

Voltaje Colector
Voltaje Colector Emisor

Corriente Base

Corriente Colector

Corriente Emisor
 VOLTAJES VE VB VC VCE IB IC IE
Valor calculado 475mV 1.175V 7.28V 6.805V 31.25uA 4.72m 4.75m
Valor simulado 469.86V 1.175V 7.329V 6.859V 0.02798m 4.67m 4.7m

Fecha: ………………………..

HOJA DE DATOS PARA LA PRÁCTICA

INTEGRANTES: Cuzco Richard, Lopez David
Circuito1:
RB
RC
910kΩ
3.3kΩ

Vcc
Q1 12V
2N3904

VOLTAJES VE VB VC VCE IB IC
Valor calculado 0 0.7 V 5.773 v 5.773 v 12.417 𝜇𝐴 1.887 𝑚𝐴
Valor simulado 0 0.711 V 5.764 v 5.764 v 12.434 𝜇𝐴 1.89 𝑚𝐴
Valor Medido

Circuito2:

RB
RC
470kΩ
2kΩ

Vcc
20V
Q1
2N3904

RE
1kΩ

VOLTAJES VE VB VC VCE IB IC IE
Valor calculado 4.924V 5.624V 10.214V 5.29V 30.586u 4.893m 4.924m
Valor medido 5.023V 5.73V 10.014V 4.991V 30.198u 4.992m 5.023m

Circuito3:
 12V
220Ω

Vcc
Rc
1kΩ

Rth
2N3904

Vth
Re
100Ω

VOLTAJES VE VB VC VCE IB IC IE
Valor calculado 475mV 1.175V 7.28V 6.805V 31.25uA 4.72m 4.75m
Valor simulado 0.469V 1.175V 7.329V 6.859V 0.02798m 4.67m 4.7m
Valor Medido