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Características de los transistores

El transistor produce resultados que pueden ser comparables a los de un


tubo de vacío, pero hay una diferencia básica entre los dos dispositivos.
El tubo de vacío es un dispositivo controlado por tensión mientras que
el transistor es un dispositivo controlado por corriente. Un tubo de vacío
funciona normalmente con su rejilla polarizada en el sentido negativo,
o de alta resistencia, y su placa está polarizada en sentido positivo, o de
baja resistencia. El tubo conduce sólo por medio de electrones, y su
contrapartida en cuanto a conducción es el transistor NPN, cuyos
portadores mayoritarios son siempre electrones. No hay equivalente de
tubo de vacío para los transistores PNP, cuyos portadores mayoritarios
son los huecos.
El transistor se puede conmutar en corte y conducción variando la
polarización en el electrodo de base con respecto al potencial de emisor.
Ajustando la polarización a un punto situado aproximadamente a mitad
de camino entre el corte y la saturación se situará el punto de trabajo del
transistor en la región activa de funcionamiento. Cuando funciona en
esta región el transistor es capaz de amplificar. Las características de un
transistor polarizado en la región activa se pueden expresar en términos
de tensiones de electrodo y de corrientes lo mismo que en los tubos de
vacío.
El comportamiento del transistor se puede analizar en términos
matemáticos por medio de ecuaciones que expresan las relaciones entre
sus corrientes, tensiones, resistencias y reactancias. Estas relaciones se
denominan parámetros híbridos y definen los valores instantáneos de
tensión y de corriente que existen en el circuito sometido a examen. Los
parámetros permiten predecir el comportamiento del circuito en
particular sin construirlo realmente.
A continuación se enumeran algunos de los parámetros más útiles en las
aplicaciones del transistor:
1. Ganancia de tensión: Se expresa como razón de la resistencia de
salida a la resistencia de entrada. La resistencia de entrada de un
transistor típico es baja, aproximadamente 500 ohmnios, mientras
que la resistencia de salida es relativamente alta, ordinariamente más
de 20.000 ohmnios. Para un transistor de unión la ganancia de
resistencia suele ser mayor de 50.
2. Ganancia de tensión: Es el producto de alfa y la ganancia de
resistencia. Aunque un transistor de unión tenga un valor de alfa
menor que la unidad, si por el contrario posee una ganancia de
resistencia del orden de 2.000 a causa de que su resistencia de salida
es extremadamente alta, la ganancia de tensión será
aproximadamente 1.800
3. Ganancia de potencia: Es el producto de alfa elevado al cuadrado
y la ganancia de resistencia. Es del orden de 400 o 500.
Hay tres configuraciones básicas: conexión de base a masa, conexión de
emisor a masa y conexión de colector a masa. Las tres corresponden,
aproximadamente, a los circuitos de rejilla a masa, cátodo a masa y placa
a masa en la terminoogía del tubo de vacío.
El circuito de base a masa tiene baja impedancia de entrada y alta
impedancia de salida, y desde el circuito de entrada hasta el de salida no
se produce inversión de fase de la señal. El circuito de emisor a masa
tiene una impedancia de entrada más alta y una impedancia de salida
más baja que el circuito de base a masa, y se produce una inversión de
fase entre la señal de entrada y la de salida. Esto proporciona
ordinariamente la máxima ganancia de tensión en un transistor. El
circuito de colector a masa tiene impedancia de entrada relativamente
alta, impedancia de salida baja y no produce inversión de fase de la señal
desde e circuito de entrada hasta el de salida. La ganancia de potencia y
la ganancia de tensión son ambas bajas.

Parámetros característicos del transistor

En este capítulo, se exponen los principales parámetros que se utilizarán


para el trabajo con transistores.
Parámetro α

El parámetro α de un transistor indica la relación de semejanza que se


produce en la corriente de colector y las variaciones de las corrientes del
emisor.
Así por ejejmplo, en el caso de que en un transistor se haya medido una
variación de la corriente de colector de 7.92 mA, entre dos puntos de
funcionamiento, y una variacioón de 8 mA en la corriente de emisor,
tendremos que:

Dado que la corriente de base, suele ser muy pequeña, en la mayor parte de
los transistores el valor del parámetro α se acerca a la unidad.
Ganancia de corriente o parámetro β de un transistor

La circunstancia de que una pequeña corriente de base controle las


corrientes de emisor y colector mucho más elevadas, indica la capacidad
que posee un transistor para conseguir una ganancia de corriente. Así, la
ganancia de corriente de un transistor es la relación que existe entre la
variación o incremento de la corriente de colector y la variación de la
corriente base.

Así, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se obtenga una variación


de corriente de colector de 8 mA y de 0.08 mA en la corriente de base, la
ganancia será:

La ganancia de corriente de los transistores comerciales varía bastante de


unos a otros. Así, nos podemos encontrar transistores de potencia que
poseen una β de tan sólo 20. Por otro lado, los transistores de pequeña señal
pueden llegar a tener una β de 400. Por todo ello, se pueden considerar qe
los valores normales de este parámetro se encuentran entre 50 y 300.
En las tablas de especificaciones técnicas, que facilitan los fabricantes de
transistores, en vez de utilizarse la β para identificar la ganancia de
corriente, se suele utilizar h . Así por ejemplo, para el transistor de
FE

referencia BC108 se lee en sus hojas de características, una h entre 150 y


FE

290; lo que nos indica que la ganancia de corriente de este transistor, puede
encontrarse entre estos valores.
¿Cómo es posible que en las hojas de características del transistor BC 108 nos
indiquen que posee una ganancia comprendida entre 150 y 290?
La respuesta está en que la ganancia de corriente de un transistor varía de
una forma sustanciosa con la corriente de colector. Además, la temperatura
ambiente influye positivamente en el aumento de dicha corriente. Hay que
pensar que al aumentar la temperatura de la unión del diodo colector
aumenta el número de portadores minoritarios y, por tanto, se produce un
aumento de la corriente de colector.
Para poder cuantificar este fenómeno, los fabricantes de transistores
proporcionan, en las hojas de especificaciones técnicas, curvas de ganancia
de corriente, donde se relacionan las variaciones que sufre β con respecto a
la corriente de colector y a la temperatura ambiente.
En estas curvas, se puede apreciar cómo la ganancia de corriente aumenta
hasta un valor máximo mientras la corriente de colector aumenta;
sobrepasado ese límite, para mayores valores de dicha corriente, la ganancia
decrece. También, se hace observar la existencia de tres curvas distintas,
que indican diferentes condiciones de trabajo para diferentes temperaturas
ambiente.
Cuando se diseña un circuito con transistores hay que tener en cuenta estas
variaciones de la ganancia de corriente, de lo contrario se podrían cometer
errores sustanciales, que invalidarían las condiciones de trabajo requeridas
por el diseño inicial.
Relación entre los parámetros α y β
Combinando las expresiones de los parámetros anteriores: α = I /I y β =
C E

I /I y teniendo en cuenta la relación existente entre las diferentes corrientes


C B

que se dan en el transistor I = I +I , se pueden encontrar las expresiones


E C B

matemáticas que relacionen ambos parámetros, tal como se indica a


continuación.

Así, por ejemplo, para determinar el parámetro α de un transistor que


tuviese una ganancia de corriente de 150, operaríamos así:

Tensiones de ruptura

Al igual que ocurría con los diodos, cuando se polariza inversamente


cualquiera de las uniones de un transistor aparecen pequeñas corrientes
inversas, que no provocarán la ruptura de dichas uniones si la tensión que
se aplica no supera los valores máximos fijados en las hojas de
especificaciones técnicas.
1. Tensión inversa colector-base (V ) con el emisor abierto
CBO
En este caso, la unión formada por la base y el colector están
polarizadas inversamente con la tensión V . Como ocurría con
CB

los diodos, esto provoca la circulación de una pequeña corriente


de fuga (I ) que no será peligrosa hasta que no se alcance la
CBO

tensión de ruptura de la unión. Normalmente esta tensión suele


ser elevada (del orden de 20 a 300 V).
Nunca deberá trabajarse, por supuesto, con una tensión superior
a la indicada por el fabricante en sus hojas técnicas. Este dato
suele aparecer indicado con las siglas V .
CBO

2. Tensión inversa colector-emisor con la base abierta

En este otro caso, se ha abierto la base, por tanto, se aplica una


tensión entre el colector y el emisor que es igual a la suma de las
tensiones de las fuentes de emisor a colector. Esta fuerte
diferencua de potencial provoca un pequeño flujo de electrones
que emite el emisor y que se sienten fuertemente atraídos por el
potencial positivo de la fuente. El resultado es una pequeña
corriente de fuga de emisor a colector I . Al igual que ocurría
CEO

anteriormente, el valor de esta corriente está determinado por la


tensión colector-base (V ) aplicada. En las hojas técnicas
CEO

también aparece la tensión máxima de funcionamiento (V ) que


CEO

en ningún caso debe ser superada, para evitar el peligro de


destrucción del semiconductor.
Así, por ejemplo, para el transistor BC 108, en las hojas de
especificaciones técnicas aparecen los siguientes valores para las
tensiones de ruptura: V = 30V y V = 20V, lo que significa
CBO CEO

que este transistor nunca deberá operar con tensiones superiores


a estos valores especificados.
Resistencia de entrada

Se podría decir que la resistencia de entrada de un transistor es la que


presenta éste, visto desde los bornes de entrada.
Al observar la característica de transferencia del transistor, representada en
la figura de abajo, se puede ver que la intensidad de base aumenta con la
tensión base-emisor.

Pues bien, a la relación existente entre las variaciones de tensión base-


emisor y las de la corriente de base, que se corresponden con la tensión y la
corriente de entrada, se la denomina resistencia de entrada, es decir:

Para realizar el cálculo de la resistencia de entrada nos valdremos de la


curva característica de transferencia.
Regiones de trabajo

Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del


sentido o del signo de los voltajes de polarización en cada una de las uniones
del transitor, éste se puede encontrar en alguna de las cuatro regiones que
se pueden observar en el gráfico de la derecha. Estas regiones son; Región
activa directa, Región de saturación, Región de corte y Región activa
inversa. A continuación podemos observar el comportamiento de cada una
de estas regiones.
La región activa directa corresponde a una polarización directa de la unión
emisor-base. Esta es la región de operación normal del transistor para
amplificación.
La corriente de colector es proporcional a la corriente de base

Centrando la atención en la recombinación de los electrones en la base


procedentes del emisor podemos observar que allí donde había un hueco
pasa a haber, tras la recombinación, un ión negativo inmóvil. Si desaparecen
los huecos de la base y se llena de iones negativos, se carga negativamente,
y se repelen los electrones procedentes del emisor. En este caso se impediría
la circulación de la corriente, es decir, es necesario que la corriente de base
reponga huecos para que haya corriente de colector.

Por tanto, por cada electrón recombiando hay que introducir un hueco
nuevo que neutralice la carga negativa. Si la reposición de huecos es lenta
(corriente I pequeña) la capacidad de inyectar electrones será baja, debido
B

a la repulsión eléctrica. Este fenómeno tiene la propiedad de ser


aproximadamente lineal, con lo que se puede establecer que:

en donde es un coeficiente adimensional, denominada ganancia directa de


corriente, o bien ganacia estática de corriente.
Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base, atraídos
por el potencial positivo aplicado al colector, pueden atravesar la unión BC,
y dar origen a la corriente de colector IC

Mediante el emisor, se inunda la base de electrones, aumenta drásticamente


el número de portadores minoritarios del diodo base-colector, con lo que su
corriente inversa aumenta también
Región activa inversa

Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor-base y a una


polarización directa de la unión colector-base. Esta región es usada
raramente.

Región de corte

Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones. La operación en


ésta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo
aplicaciones de conmutación en el modo apagado, pues el transistor actúa
como un interruptor abierto (IC 0).

En este caso las dos uniones están polarizadas en inversa, por lo que existen
zonas de deplección en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay
portadores de carga móviles, por lo tanto, no puede establecerse ninguna
corriente de mayoritarios. Los portadores minoritarios sí pueden atravesar
las uniones plarizadas en inversa, pero dan lugar a corrientes muy débiles.
Por lo tanto, un transistor en corte equivale a efectos prácticos, a un circuito
abierto.

Región de saturación

Corresponde a una polarización directa de ambas uniones. La operación den


esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo
encendido, pues el transistor actúa como un interruptor cerrado (VCE 0).
Avalancha secundaria. Curvas SOA.
Si se sobrepasa la mácima tensión permitida entre colector y base con el
emisor abierto (V ), o la tensión máxima permitida entre colector y emisor
CBO

con la base abierta (V ), la unión colector - base polarizada en inverso entre


CEO

en un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo, denominado


avalancha primaria.
Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando
con tensiones por debajo de los límites anteriores debido a la aparición de
puntos calientes (focalización de la intensidad de base), que se produce
cuando tenemos polarizada la unión base - emisor en directo. En efecto, con
dicha polarización se crea un campo magnético transversal en la zona de
base que reduce el paso de dicha polarización se crea un campo magnético
trransversal en la zona de base que reduce el paso de portadores minoritarios
a una pequeña zona del dispositivo (anillo circular). La densidad de
potencia que se concentra en dicha zona es proporcional al grado de
polarización de la base, a la corriente de colector y a la V , y alcanzando
CE

cierto valor, se produce en los puntos calientes un fenómeno degenerativo


con el consiguiente aumento de las pérdidas y de la temperatura. A este
fenómeno, con efectos catastróficos en la mayor parte de los casos, se le
conoce con el nombre de avalancha secundaria (o también segunda ruptura).
El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del
transistor es producir unos codos bruscos que desvían la curva de la
situación prevista (ver gráfica inferior derecha).

El transistor puede funcionar por encima de la zona límite de la avalancha


secundaria durante cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello
el fabricante suministra unas curvas límite en la zona activa con los tiempos
límites de trabajo, conocidas como curvas FBSOA.
Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de
cruvas para corriente pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo
concreto.
Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo.
Durante el toff, con la polarización inversa de la unión base-emisor se
produce la focalización de la corriente en el centro de la pastilla de Si, en
un área más pequeña que en polarización directa, por lo que la avalancha
puede producirse con niveles más bajos de energía. Los límites de I y C

V durante el toff vienen reflejados en las curvas RBSOA dadas por el


CE

fabricante.
Curvas características

Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis


parámetros para determinar el estado eléctrico del mismo: tres tensiones y
tres corrientes. Aplicando las leyes básicas de resolución de circuitos
pueden presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parámetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito


determinado y bajo la acción de unas excitaciones concretas, existirán unos
valores de estos cuatro parámetros que caracterizan por completo el estado
del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de operación (Q).
Las curvas características más empleadas en la práctica son las que
relacionan V con I y V con I e I . Con frecuencia, estas curvas son
BE B CE C B

facilitadas por los fabricantes.


Características VBE-IB
Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las
variaciones de la tensión de polarización V sobre la corriente de base I .
BE B

Estas gráficas reciben el nombre de curvas características de transferencia.


Las curvas que se obtienen son muy similares a la de un diodo cuando se
polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prácticamente constantes, por lo que serán de
gran ayuda para localizar averías en circuitos con transistores.

La función que liga V con I es la característica de un diodo, y puede


BE B

aplicarse dado que la unión base - emisor, es una pn normal, igual que la de
diodo, y al polarizarla, seguirá el mismo comportamiento que aquel.
La curva representada en la figura sigue la expresión:

Características VCE-IC

Estas características también son conocidas como familia de colector, ya


que son las correspondientes a la tensión e intensidad del colector. En la
siguiente figura, se muestran una familia de curvas de colector para
diferentes valores constantes de la corriente base.

Idealmente, en la Región Activa, la corriente de colector depende


exclusivamente de la de base, a través de la relación I =β+I . Por lo tanto,
C B

en el plano V -I la representación estará formada por rectas horizontales


CE C
(independientes de V ) para los diversos valores de I (en este caso se ha
CE B

representado el ejemplo para β=100).


Evidentemente, no se dibujan más que unos valores de I para no B

emborronar el gráfico. Para I =0, la corriente de colector también debe ser


B

nula. La región de corte está representada por el eje de abscisas. Por contra,
para V =0 el transistor entra en saturación, luego esta región queda
CE

representada por el eje de ordenadas.


Hasta aquí se presenta la característica ideal, pero como era de esperar, la
realidad es un poco más compleja, y las curvas quedarán como representa
la siguiente figura:
Las diferencias son claras:

 En la Región Activa la corriente del colector no es totalmente


independiente de la tensión colector-emisor. Para valores altos de la
corriente cobra importancia la resistencia interna del transistor.
 La región de saturación no aparece bruscamente para V =0, sino que
CE

hay una transición gradual. Típicamente se suele considerar una


tensión de saturación comprendida entre 0.1V y 0.3V.
Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de funcionamiento del
transistor. Se puede comprobar que, para una tensión constante de colector-
emisor, si se producen pequeñas variaciones de la corriente de base (del
orden de µA) esto origina unas variaciones en la corriente de colector
mucho más elevadas (del orden de mA), de lo cual se deduce la capacidad
del transistor para amplificar corrientes.
Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensión V afecta muy poco
CE

a la corriente de colector I . Si se aumenta V demasiado (por encima de


C CE

V ), la unión del colector entra en la región de ruptura y éste puede llegar


CEO

a destruirse. Sin embargo, si la tensión V es muy pequeña (por debajo de


CE

los 0.7V), la corriente de colector será muy débil, obteniéndose una


ganancia de corriente muy baja. En conclusión, para conseguir que el
transistor trabaje como amplificador de corriente, la tensión de polarización
inversa V debe mantenerse por encima de 0.7V y por debajo de la tensión
CE

de ruptura.
Recta de carga del transistor

Hemos de conocer el comportamiento del transistor trabajando con una


determinada resistencia de carga y averiguar el punto de funcionamiento
del mismo. Para ello, trazamos la recta de carga del transistor en las curvas
de colector para poder determinar los puntos de funcionamiento.
Para determinar la corriente que circula por el colector (emisor común),
podemos aplicar la ley de Ohm entre los extremos de la resistencia de carga
R . La tensión aplicada a esta resistencia se corresponderá con la tensión
L

total aplicada por la fuente V menos la caída de tensión que se produce


CC

entre el colector y el emisor V . De esta forma obtendremos la siguiente


CE

expresión, que se corresponderá con la ecuación de la recta de carga:

Para dibujar esta recta sobre la cruva característica, lo primero que hay que
hacer es encontrar sus extremos (I =0 y V =0).
C CE

Para V =0 CE

Para I =0
C

Llevando estos valores a la curva característica de colector, obtendremos la


recta de carga para una determinada resistencia de carga R y una fuente V .
L CC

A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres partes fundamentales:


puntos de corte, punto de saturación, punto de trabajo.
El punto de corte es donde la línea de carga corta a la curva correspon-
diente a la corriente de base igual a cero (I =0). Dada la escasa polarización
B

directa a que queda sometido el diodo de emisor-base, la corriente que


aparece por el colector es prácti-
camente nula (sólo circula una pequeñísima corriente de fuga I ). Haciendo
CEO

una aproximación, se puede decir, sin equivocarse mucho, que el punto de


corte se da en la intersección de la recta de carga con el eje horizontal, es
decir cuando V =V .
Cecorte CC

El punto de saturación aparece donde la línea de carga corta a la


intensidad de base de saturación. En este punto, la corriente de colector es
la máxima que se puede dar para la operación de transistor, dentro de los
límites de la recta de carga. Haciendo una aproximación, se puede decir que
el punto de saturación aparece en la intersección de la recta de carga con el
eje vertical, es decir, cuando:

Para corrientes de base superiores a la de saturación se produce también el


efecto de saturación en el transistor.
El punto de trabajo es aquél donde el transistor trabaja de una forma
normal y que, normalmente, se encuentra entre la zona de corte de
saturación. Para determinar el punto de trabajo (Q) de transistor para una
determinada corriente de base (I ), se busca el punto de intersección de la
B

recta de carga con la curva correspondiente a dicha corriente de base.


Por último, hay que indicar que, cuando se diseña un circuito para un
transistor, se tiene que procurar que el transistor nunca opere por encima de
la curva de potencia máxima. Esto se consigue eligiendo valores adecuados
de la tensión de fuente V y de la resistencia de carga R , de tal forma que
CC L

la recta de carga trazada con dichos valores, esté siempre por debajo de la
curva de potencia máxima. En la figura siguiente, es esquematiza esta
situación:
Obtención de la Ganancia a partir de las curvas características

La ganancia en corriente de un transistor se definía como la relación que se


da entre la variación de la corriente d el colector y la variación de corriente
de base. Para determinar dicha ganancia se puede recurrir a las
características del colector.
Como ejemplo, supongamos que las curvas características del transistor
ensayado es la que se muestra en la figura de la izquierda.
Para un punto de funcionamiento situado en V =20V, según las cruvas de
CE

la figura de la izquierda, la intensidad de colector variará entre I =28mA e


C

I =43mA, mientras que la intensidad de base lo hará entre I =0.10mA e


C B

I =0.15mA. La ganancia se calcula así:


B

Hemos de tener en cuenta que punto de funcionamiento se encuentra


trabajando el transistor, es decir, la tensión que se le está aplicando al
mismo, y con ello, la ganancia calculada, será para esa tensión de trabajo,
siendo para otra, otra ganancia diferente de la calculada en otro punto.
Curva de máxima potencia del transistor

Una de las aplicaciones de las curvas características de un transistor, es que,


a partir de éstas se pueden determinar los límites de funcionamiento del
mismo. Estos límites están determinados por una potencia máxima que
puede desarrollar un transistor sin provocar su destrucción.
Veamos en qué consiste éste fenómeno:
El transistor posee una resistencia entre el colector y el emisor, que varía en
función dela intensidad que se le aplique a su base I . Por esta resistencia
B

variable circula una corriente I , relativamente grande, que provoca en la


C

misma una potencia calorífica o calentamiento, debido al efecto Joule. Esta


potencia se calcula realizando el producto de la tensión V , aplicada entre
CE

el colector y el emisor, por la instensidad de colector I . (P = V ·I ).


C CE C

Como esta potencia se transforma íntegramente en calor, provoca un


aumento de la temperatura en el transistor que, en el caso de salirse de los
límites admisibles, provocará la destrucción del mismo.
La potencia máxima trabajo de un transistor es un dato que proporciona los
fabricantes en las hojas de especificaciones técnicas.
Así, por ejemplo, para el transistor BC107 se indica una potencia máxima
de 300mW.
Con este dato se puede trazar una curva de potencia máxima sobre la familia
de curvas de colector, para así poder determinar para qué tensiones de
colector-emisor y corrientes de colector es posible trabajar con el transistor
sin que se deteriore.
Por ejemplo, para no superar los valores límite, en el caso del transistor
BC107 se deberá cumplir en todo momento la expresión:
Luego la curva de potencia máxima para este transistor será tal que el
producto V ·I =0.3W.
CE C

En la figura de la derecha, se muestran las curvas correspondientes a la


familia de colector del transistor BC107, y en las que se ha añadido la curva
de potencia máxima.
La hipérbola divide a la característica en dos zonas diferenciadas: la zona
prohibida de funcionami-
ento, que queda por encima de la misma (sombreado con naranja), en la cual
la potencia es mayor de 300mW y, por lo tanto, es donde el transistor corre
peligro de destrucción por la acción del calor; y la zona de trabajo, que
queda por debajo de la hipérbola, y en la cual la potencia es inferior a
300mW.
Influencia de la temperatura ambiente en la potencia máxima de un transistor
La potencia máxima que puede disipar un transistor, en forma de calor,
depende de la temperatura máxima permitida en la unión colector T (max). j

Esta temperatura nunca debe ser superada, ya que a partir de ella se puede
destruir el transistor. Este dato aparece en las hojas de características del
componente. Así, por ejemplo, el transistor BC107 posee una T (max) dej

175ºC.
La potencia máxima a que puede trabajar un transistor también depende de
la temperatura ambiente. Hay que tener en cuenta que el calor producido en
las uniones se conduce a través del encapsulado del transistor y se disipa al
aire que le rodea. Cuanto mayor sea la temperatura de este aire (temperatura
ambiente), peor será la ventilación del transistor, y por lo tanto, menor la
potencia máxima que se le puede exigir al mismo.
Por lo general, en las hojas de características técnicas se indica la potencia
máxima para una temperatura ambiente de 25ºC.

En el caso de que la temperatura ambiente fuese superior habría que


encontrar la potencia máxima de funcionamiento para que el transistor
trabaje dentro de sus límites de temperatura admisibles. En algunas hojas
de especificaciones técnicas aparece la curva de reducción, como la que se
encuentra en la figura de la derecha.
Esta curva, nos indica que para una temperatura ambiente de 25ºC, la
potencia máxima es de 125mW. Sin embargo, para 55ºC, la potencia
máxima disminuye a 50mW.
En el caso de que se desee aumentar la potencia de un transistor, se puede
acoplar un disipador de calor, o aleta de refrigeración en la superficie de la
cápsula del mismo, de esta forma, se consigue que el calor se evacúe con
mayor facilidad hacia el aire exterior.

El transistor como amplificador

Introducción

La necesidad de amplificar las señales es casi una necesidad constante en la


mayoría de los sistemas electrónicos. En este proceso, los transistores
desarrollan un papel fundamental, pues bajo ciertas condiciones, pueden
entregar a una determinada carga una potencia de señal mayor de la que
absorben.
El análisis de un amplificador mediante su asimilación a un cuadrípolo (red
de dos puertas), resulta interesante ya que permite caracterizarlo mediante
una serie de parámetros relativamente simples que nos proporcionan
información sobre su comportamiento.

En los amplificadores, gracias a los transistores se consigue la intensidad


de los sonidos y de las señales en general. El amplificador posee una entrada
por donde se introduce la señal débil y otra por donde se alimenta con C.C.
La señal de salida se ve aumentada gracias a la aportación de esta
alimentación, siguiendo las mismas variaciones de onda que la de entrada.
La señal de entrada, de bajo nivel, del orden de unos pocos milivotios, la
aportan dispositivos como el micrófono (transforman ondas sonoras en
señales eléctricas que siguen las mismas variaciones que las primeras),
sensores térmicos, luminosos, etc.

Cuando un amplificador realiza la función de elevar la señal que ha sido


aplicada a su entrada, se dice que ha producido una determinada ganancia.
Se puede decir que la ganancia de un amplificador es la relación que existe
entre el valor de la señal obtenida a la salida y el de la entrada.
Dependiendo de la magnitud eléctrica que estemos tratando, se pueden
observar tres tipos de ganancia: ganancia en tensión, ganancia en corriente
y ganancia en potencia.
De esta forma podemos definir los siguienteas parámetros:
1. Ganancia de tensión (normalmente en decibelios): A = V / V v o i

2. Impedancia de entrada (ohmnios): Z = V / Ii i i

3. Impedancia de salida (ohmnios): Z = V / I (para V = 0)


o o o g

4. Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): A = I / I i o i

5. Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): A = P / P p o i

Un amplificador será tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia y


menor sea su impedancia de entrada y salida.
En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de forma
que lo que es válido para un margen de frecuencias no tiene porqué serlo
necesariamente para otro. De todas formas, en todo amplificador existe un
margen de frecuencias en el que la ganancia permanece prácticamente
constante (banda de paso del amplificador). El margen dinámico de un
amplificador es la mayor variación simétrica de la señal que es capaz de
presentar sin distorsión a la salida; normalmente expresado en voltios de
pico (V ) o Voltios pico-pico (V ).
p pp

Ampliación

Para comprender el funcionamiento del transistor como amplificador, se


partirá del circuito de la figura, en el que el transistor se conecta en la
configuración denominada de emisor común.

El generador V asegura que la unión base-emisor esté polarizada en


eb

sentido directo. Una batería V (V >> V ) proporciona la tensión de


c c be

polarización inversa a la unión del emisor.


El circuito de entrada, en el que se aplicará la señal que se desea amplificar,
es el que contiene a la base y el emisor. El circuito de salida está conectado
a las terminales del colector y del emisor. R es la resistencia de carga del
c

circuito de salida.
Supondremos que, cuando la tensión de entrada es nula (terminales de
entrada cortocircuitadas), las corrientes que circulan por cada terminal son
I , I e I , con los sentidos indicados en la figura.
e b 0

A continuación, se calcularán cuales son los incrementos que se producen


en dichas intensidades si se modifica ligeramente la tensión Web, aplicando
una ddp adicional a la entrada.
En este desarrollo, se admitirá que el incremento de tensión aplicado, es lo
suficientemente pequeño para que las variaciones de intensidad que provoca
estén relacionadas linealmente con él.
Asimismo, se despreciarán los efectos dinámicos producidos por la
aplicación de una diferencia de potencial, aplicada muy lentamente.
a. Variación de la intensidad de salida (-I ). 0

Como se muestra en la figura siguiente, la corriente de salida es


-I . Dicha intensidad tiene, tres componentes: I , I e I . Ahora
0 pb bb nc

bien, en un transistor polarizado en el modo activo, la corriente


I es muy superior a las otras dos (unas mil veces superior en el
pb

ejemplo anterior) por lo que, a efectos de cálculo de las


variaciones en la intensidad del colector, es admisible suponer
que:

Suponiendo que la variación de V , incremento de V, es pequeño,


eb

la variación de la corriente de salida es:

... y llamando transconductancia, g , al factor I /V , resulta que:


m 0 T

La transconductancia tiene las dimensiones de una conductancia


y su valor depende de la temperatura y del punto de
funcionamiento. A la temperatura ambiente, g vale unos 0.04 m

mOhmnios por mA de intensidad en el colector.


b. Variación de la intensidad de entrada (-I ) b

La corriente de base, tiene, según hemos expuesto, tres


componentes: I , I e I . De ellas, tan sólo las dos primeras
ne bb nc
dependen directamente de la tensión V . Nos limitaremos, por
eb

tanto a calcular sus variaciones.


De las ecuaciones anteriores se deduce que:

Por otra parte, el término exponencial puede expresarse en


función de la intentsidad del colector:

El incremento de la corriente de base es:

Denominando a todo el término entre corchetes, tendremos que:

El parámetro o cuantifica el efecto que, sobre la corriente de base,


produce un incremento de la tensión V . Así al disminuir la
eb

barrera de potencial en la unión emisor-base, se produce un


aumento de huecos inyectados desde el emisor, aumentando la
concetración de portadores minoritarios en la base, lo que
conduce a un incremento de la tasa de recombinación. Debido a
ello, I crece.
bb

Por otra parte, la disminución de la barrera de potencial antes


citada, supone un incremento del número de electrones
inyectados en el emisor desde la base, con lo que se produce un
aumento de la corriente I .
ne

c. Variación de la tensión colector-emisor (V ). ce

La tensión colector-emisor es:

Por tanto, si V se incrementa, V variará como:


eb ce

La expresión anterior implica que el incremento de la tensión


colector-emisor puede aumentar sin límite, sin más que
incrementar suficientemente la resistencia de carga R . Tal 0

suposición no es cierta cierta ya que hay que tener presente que,


en el modelo simplificado que se ha desarrollado, no se ha tenido
en cuenta el efecto de la tensión de polarización inversa V sobrecb

la anchura de la base, W. Valores muy elevados de g R suponen


m m

una importante variación de V , lo que modificaría notablemente


cb

la anchura W, no siendo válidas entonces las premisas del modelo


utilizado.
d. Ganancias de corriente y de tensión:
Supongamos que, a la entrada del circuito de la siguiente figura,
se aplica una señal alterna de pequeña amplitud, y frecuencia lo
suficientemente pequeña para que puedan ser despreciados los
efectos dinámicos que no han sido tenidos en cuenta en el modelo
anterior.
En estas condiciones, por el circuito de entrada circulará una
corriente alterna -I -AI . Es decir, sobre la corriente -I que existía
b b b

para un incremento de tensión 0, se superpone una corriente


alterna de amplitud incremento de la intensidad de base.
De forma análoga, en el circuito de salida aparecerá una corriente
alterna de amplitud igual al incremento de la intensidad de
colector, superpuesta a -I (corriente de colector para un
c

incremento de tensión 0).


Se define ganancia en intensidad como:

Obsérvese que, al ser no mucho menor que 1, la ganancia de


instensidad puede tomar valores muy elevados.
De forma análoga, se defina la ganancia de tensión como:

En definitiva, la señal de entrada, se ve amplificada tanto en


intensidad como en tensión.