Você está na página 1de 4

dx.doi.org/00.0000/NT0000-0000/0000.00.

000
Notas Técnicas, v. 0, n. 0, p. 0–00, 0000

Nota Técnica CBPF


TRANSDUTOR DE TEMPERATURA USANDO SEMICONDUTORES

Fabio Marujo da Silva∗


Centro Brasileiro de Pesquisas Fı́sicas – CBPF/MCTI Rua Dr. Xavier Sigaud,
150 – Rio de Janeiro – RJ – Brasil.
Submetido em 11/09/2017

Resumo: Este trabalho é uma transcrição crı́tica do artigo LOW-TEMPERATURE METER WITH SEMICON-
DUCTOR TRANSDUCERS, onde este artigo descreve o método e a técnica da utilização de um semicondutor
para medir baixas temperatura a uma distância de 500 metros do ponto de medida. O circuito apresentado é
baseado em um sistema eletrônico que mede a resistência de um diodo com os mesmos erros e ruı́dos de um
equipamento comercial e associa a resistência do diodo em uma temperatura.

Palavras chave: temperature, semiconductor, sensor.

Abstract: This paper is a critical transcription of the LOW-TEMPERATURE METER WITH SEMICON-
DUCTOR TRANSDUCERS, where this paper describes the method and technique of using a semiconductor to
measure low temperature at a distance of 500 meters from the measurement point. The presented circuit is based
on an electronic system that measures the resistance of a diode with the same errors and noises of a commercial
equipment and associates the resistance of the diode in a temperature.

Keywords: temperature, semiconductor, sensor.

tores cuja resistência possui uma relação exponencial com a


temperatura [4].

2. A RESISTÊNCIA DO DIODO

1. INTRODUÇÃO Na região de polarização direta a corrente no diodo é rig-


orosamente aproximada por:
A aplicação de transdutores de temperatura semicondu-
tores [1][2][3] em termometria de baixa temperatura tem
possibilidades diferentes. A não-linearidade da caracterı́stica
do termômetro de resistência a semicondutores em condições qVd
operacionais não laboratoriais impede a decodificação de da- i = Is (e kT − 1),
dos, especialmente na gravação automática. A possibilidade
de medições remotas e sua estabilidade de ruı́do também são onde:
importantes para medições comerciais.
O desenvolvimento desta nota técnica consiste em um Is = corrente de saturação.
equipamento eletrônico destinado a medições remotas (até q = carga do elétron.
500 m) para medição de baixas temperaturas que operam sob T = temperatura absoluta em kelvin.
condições de ruı́do comercial com termômetros semicondu- k = contante de Boltzmann.
Vd = Tensão atravessando o diodo.

Nessa equação, Is , é uma constante para o diodo a determi-


∗ Electronic address: fmarujo@gmail.com nada temperatura. A relação entre Is e os parâmetros fı́sicos
2 Fabio Marujo da Silva

Figura 3: Circuito proposto.

Figura 1: Diagrama em blocos do Sistema de medição.

Figura 4: Circuito de integração do transdutor de frequência 2.

3. DESENVOLVIMENTO DO DO CIRTUITO

As medições foram feitas por meio do circuito mostrado


na Figura 3.
Figura 2: Resistência versus temperatura. O gerador 1, que é um circuito RC, compreende uma
forma de um quadrupolo R1 ,C1 ,C2 e RT . O transdutor
de frequência 2 consiste em um circuito para converter a
frequência de oscilações sinusoidais em uma voltagem DC
serão simplificadas por aproximações [5], e podemos simpli- alimentados ao instrumento de gravação 3. As oscilações
ficar que a resistência no diodo é chamada de RT , e pode ser harmônicas são primeiro convertidas em pulsos retangulares
dada por: de duração e amplitude constantes e, em seguida, em uma
tensão de corrente contı́nua por meio de um circuito de
integração mostrado na Figura 4.
A conversão funcional da temperatura em uma frequência
das oscilações do gerador 1, a utilização da modulação de
frequência melhora a estabilidade do circuito em relação à
interferência elétrica. O efeito da temperatura T no fator de
B frequência do gerador RC pode ser representado por:
RT = Ae( T ),
1 1 B
f= √ = √ e(− 2T ) ,
2π R1C1C2 RT 2π R1C1C2 RT
onde A e B são coeficientes constantes.

O diagrama em blocos da Figura 1 mostra a estrutura do A relação da tensão de saı́da U com a frequência de cir-
sistema de medição de temperatura desde o sensor até a sua cuito de integração f é:
leitura no estágio final[6][7].

O circuito de medição utiliza um transdutor no circuito Eτ f


U= ,
de sintonia de um gerador harmônico RC. Os termômetros 1+τf
de resistência consistem em cristais de germânio de 0,15 x
0,15 x 3 mm dopados com zinco e gálio e fornecido com onde U é a amplitude do pulso, T = R’C’
dois contatos de ı́ndio fundidos. O material e a tecnologia Isto contém as condições fornecidas t > 5RiC1 e T’ >
da produção do transdutor foram desenvolvidos pelo Insti- ”5R0C20 , onde t é a duração do pulso, e T”é o perı́odo de
tuto de Semicondutores da Academia de Ciências do UkrssR. oscilações.
O cristal é colocado em uma cápsula de cobre de 18 mm
de comprimento e 3 mm de diâmetro preenchido com hélio
gasoso. Um condutor usado para ligar o termômetro é levado
através de um isolador de vidro padrão e o outro está conec- 4. FUNCIONAMENTO DO CIRCUITO
tado à cápsula. A constante de tempo do termómetro a 20,4o
K é de aproximadamente 0,15 seg. A caracterı́stica tı́pica do A tensão de saı́da U depende da temperatura T da seguinte
transdutor é mostrada na Figura 2. maneira:
CBPF-NT-999/17 3

1
U = Ea B ) ,
( 2T
[e + a]

Onde

Figura 5: Esquema do circuito utilizado no projeto.


1
a= 0 0 √ ,
R C1 (2π R1C1C2 A)
peciais para sua melhoria. O gerador RC que funcionou
Para tornar a caracterı́stica de saı́da U(T) tão linear quanto no circuito consiste em um quadrupolo em forma de L
possı́vel, o ponto de inflexão Ti desta função deve ser tomado com válvulas de tubos de tipo 6K1B (dois estágios de
no meio do intervalo de temperatura medido: amplificação), 6Zh5B (seguidor de cátodo) e 6N17B (am-
plificador AGC). O gerador tem uma faixa de 5-50 kHz. Seu
circuito R1C1C2 está defasado (com uma camada de espuma
de plástico). A instabilidade de frequência desse gerador
T2 − T1
Ti = , para uma operação de 3 horas à uma única frequência, ele
2 representa 8x10−4 para um T da ordem de 0,02o . O cabo de
entrada (do transdutor ao gerador RC tem 50 m de compri-
onde T1 e T2 são os valores extremos desse intervalo. mento. Isso fornece medições remotas da temperatura, mas
Ao expandir U(T) em uma série de Taylor em relação a contribui com um erro adicional devido para variações ∆Cc
δT(δT = T-Ti), é possı́vel calcular em cada caso particular da capacitância de cabo Cc no curso de operação:
a extensão em que U(T) se desvia de uma linha reta. Para
obter um transdutor disponı́vel e, portanto, para um dado B
o valor requerido de Ti é necessário que deve-se preencher a ∆f 1 ∆CC
seguinte condição para U”(T) = 0: | |= ,
f 2 C2 +CC

onde C2 =35000 pF. Com ∆Cc =50 pF, encontramos que


B − 4Ti 2TB
a= e i, |∆f/f| ∼
= 8.10−4 e ∆T ∼ = 0.02o .
B + 4Ti Pulsos de amplitude estável são obtidos por meio de um
multivibrador retardado cujo circuito é descrito em [4] onde
O valor de a pode ser ajustado facilmente ajustando R’ou é usado para obter pulsos de amplitude constante com uma
C1 ’. duração da ordem de dezenas de microssegundos. Nosso
Para o intervalo de 14-33o K e um transdutor dado com multivibrador produz 3µ segundos de pulso. O circuito usado
B=66 obtemos uma não-linearidade relativa de δT / T ou 1% em [4] produz em o fim dos pulsos de tais durações negati
(δT é o desvio de uma função linear). Ao medir temperaturas maiores superamos o nosso multivibrador. Esses overshoots
mais elevadas, é possı́vel reter o mesmo intervalo com uma são eliminados por meio do diodo adicional D217 visto na
não-linearidade menor ou, para a mesma linearidade, obter Figura 5.
uma tolerância maior para o parâmetro do transdutor B. Foi Levando em consideração a relação quase linear de U para
calculado, por exemplo, que, para obter uma caracterı́stica T e a relação linear entre U e E, é possı́vel considerar que
de saı́da Desvio de linearidade de 1% em uma faixa de 63- ∆T ∼ = ∆E ou ∆T=∆ET3 /E. A instabilidade de amplitude
83o K, os valores de B podem variar de 300o a 1200o . As- ∆ET3 /E no circuito acima é reduzida a um valor da ordem
sim, o circuito acima é adequado em muitos casos para obter de 0,5% para T3 = 20o Portanto, o erro devido à instabilidade
uma escala de medição de temperatura praticamente linear. da amplitude do pulso é ∆T ∼ =0,1o para T3 = T2 − T1 .
A contribuição principal para o erro de medição é feita pela
instabilidade da frequência do gerador RC, variações da ca-
pacitância do cabo de entrada durante as operações, instabili-
5. CONCLUSÃO
dade de amplitude dos impulsos alimentados ao circuito inte-
grador e erro do gravador. Por meio de cálculos matemáticos
simples, é possı́vel encontrar a relação do erro máximo T Assim podemos concluir que, o erro de medição máximo
com a instabilidade do gerador RC: total, sem levar em consideração o instrumento de gravação,
equivale a < 0.15o . O erro de um instrumento de classe de
saı́da com 0.5o é aproximadamente da mesma ordem (us-
∆ f 2T 2 amos um gravador Epp-09 com uma escala de 10 mv e equiv-
∆T = . , ale a ∆T ∼ =0.13o (se 80% da escala for usada). Portanto, o
f B instrumento é adequado para gravação automática de tem-
peraturas. O erro total de medição é inferior a 0,3o . Na
Uma instabilidade ∆f/f da ordem de 10−3 ou mesmo mel- prática, o erro máximo foi de 0,2o (no curso de operação
hor pode ser obtida sem que sejam adotadas medidas es- nós determinamos o erro do quadrado médio da raiz e o erro
4 Fabio Marujo da Silva

máximo, que é igual a três erros de RMS). No decorrer de tos e do transdutor permaneceram nos limites mencionados
testes prolongados, as caracterı́sticas básicas dos instrumen- acima.

[1] BLAKEMORE, J.; SCHULTZ, J.; MYERS, J. Review of Scien- Physics Letters, AIP, v. 49, n. 2, p. 85–87, 1986.
tific Instruments, AIP, v. 33, n. 5, p. 545–550, 1962. [6] CAETANO, R. et al. Modelagem dos dispositivos magnéticos
[2] COHEN, B.; SNOW, W.; TRETOLA, A. Review of Scientific de um laser de elétrons livres numerical modeling of magnetic
Instruments, AIP, v. 34, n. 10, p. 1091–1093, 1963. devices for a free electron laser. NOTAS TÉCNICAS, v. 5, n. 2,
[3] DMITRIENKO S. P. LOGVINENKO, N. I. I. I.; KOLOT, Z. M. 2015.
PTÉ, n. 6, 1965. [7] MARUJO, F.; AZZI, G.; BUCHNER, M. Desenvolvimento
[4] LOGVINENKO, S.; BEVZA, Y. G. Low-temperature me- de um medidor de campo magnético microcontrolado para
ter with semiconductor transducers. Measurement Techniques, aplicações em fı́sica experimental. NOTAS TÉCNICAS, v. 5,
Springer, v. 10, n. 1, p. 56–58, 1967. n. 2, 2015.
[5] CHEUNG, S.; CHEUNG, N. Extraction of schottky diode pa-
rameters from forward current-voltage characteristics. Applied