Electrónica I Proyectos

UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSE DE

CALDAS
FACULTAD DE INGENIERÍA
PROGRAMA CURRICULAR DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

ELECTRÓNICA I

LABORATORIO

PROYECTO 6:

Transistor BJT

OBJETIVO: Estudio de las características básicas de un transistor

bipolar.

Prelaboratorio:

1. Para un transistor tipo BJT NPN y PNP, de baja potencia y baja

frecuencia, investigue la definición, el significado y algunos
valores típicos de los siguientes parámetros:

a. Características estándar:

 Collector−Emitter Voltage, VCEO

 Collector−Base Voltage, VCBO
 Emitter−Base Voltage, VEBO
 Collector Current – Continuous, IC
 Total Device Dissipation @ TA = 25°C, PT
 Operating and Storage Junction Temperature Range, TJ.

b. Características extremas:

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 Collector−Emitter Breakdown Voltage, V(BR)CEO

 Collector−Base Cutoff Current, ICBO
 Emitter−Base Cutoff Current , IEBO
 Collector−Emitter Cutoff Current , ICES .

c. Características de funcionamiento:

 DC Current Gain , hFE

 Collector−Emitter Saturation Voltage , VCE(sat)
 Base−Emitter Saturation Voltage , VBE(sat)

2. Investigue como identificar, en un transistor NPN y uno PNP,

sus terminales, con la ayuda de un óhmetro solamente.

3. Para un transistor tipo BJT NPN y PNP, de baja potencia y baja

frecuencia, investigue las curvas características de entrada y de
salida en la configuración emisor común.

4. Para un transistor tipo BJT NPN y PNP, de baja potencia y baja

frecuencia, investigue como obtener en el laboratorio sus
curvas características de entrada y de salida en la
configuración emisor común.

Laboratorio:

1. Compruebe la identificación de los terminales de los

transistores NPN y PNP.

2. Obtenga las características de entrada y salida de un transistor

NPN en configuración emisor común.

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