Chaves Eletrônicas de RF

MICROCIRCUITOS PASSIVOS DE MICROONDAS

Julho 2013

Autor:
Daniel Henrique da S. Souza, Eng.
Índice
Lista de Figuras ............................................................................................................. iv
1 Introdução ....................................................................................................................... 6
2 O diodo pin ..................................................................................................................... 8
2.1 Desenvolvimento diodo PIN .................................................................................... 8
2.2 Noções básicas de diodo PIN e operação ............................................................. 9
2.3 Utilizações e vantagens......................................................................................... 10
3 Por que o diodo pin é usado em chaves de RF? ....................................................... 11
4 Características da polarização direta e reversa ......................................................... 12
4.1 Polarização direta .................................................................................................. 12
4.2 Polarização reversa ............................................................................................... 13
5 Algumas características do diodo pin ......................................................................... 14
5.1 Faixa de Frequência de operação ........................................................................ 14
5.2 Isolamento .............................................................................................................. 14
5.3 Perda de inserção.................................................................................................. 15
5.4 Perda de retorno e VSWR..................................................................................... 16
5.5 Velocidade de Comutação .................................................................................... 16
5.6 Distorção harmônica e de intermodulação........................................................... 17
6 Configurações e circuitos............................................................................................. 19
6.1 Chave de lance único e polo único ....................................................................... 19
6.1.1 Série SPST...................................................................................................... 19
6.1.2 Shunt SPST..................................................................................................... 20
6.2 Chaves de duplo lance e polo único..................................................................... 20
6.3 Chaves multi-lance (Multi-throw) .......................................................................... 21
6.4 Chaves compostas ................................................................................................ 22
6.4.1 Chaves série-shunt compostas ........................................................................ 22
6.4.2 Chaves compostas TEE................................................................................... 23
6.5 Chaves sintonizadas.............................................................................................. 24
6.5.1 Chave SPST série sintonizada ......................................................................... 24
6.5.2 Chave SPST shunt sintonizada ........................................................................ 25
6.6 Circuito equivalente aglomerado de linha de transmissão de ¼ de comprimento
de onda................................................................................................................... 25
6.7 Chave transmissora-receptora.............................................................................. 26
7 Exemplo de aplicação: Chave SPDT para Wimax ..................................................... 27

ii
8 Circuitos de polarização (drivers) para chaves de RF ............................................... 32
9 Chaves RF de alta frequência ..................................................................................... 35
9.1 Alguns exemplos de chaves de alta frequência:.................................................. 36
A. SP4T AlGaAs PIN Diode Switch ........................................................................... 36
B. SP4T GaAs MMIC ................................................................................................. 39
C. SPDT GaAs MMIC Switch..................................................................................... 41
10 Implementação de chave SPDT em microstrip .......................................................... 44
10.1 Metodologia ................................................................................................... 44
10.2 Cálculos ......................................................................................................... 45
10.3 Fabricação ..................................................................................................... 47
10.4 Resultados ..................................................................................................... 48
11 Conclusão ..................................................................................................................... 49
Referências Bibliográficas ........................................................................................... 50

iii
 LISTA DE FIGURAS

Figura 1: seção transversal do pin ....................................................................................... 8

Figura 2: diferença entre diodo convencional e pin ............................................................ 8
Figura 3: Diodo pin comercial............................................................................................... 9
Figura 4: Curva IV aproximada do diodo PIN.................................................................... 12
Figura 5: Circuito equivalente para polarização direta ..................................................... 12
Figura 6: Circuito equivalente para polarização reversa .................................................. 13
Figura 7: diagrama de tempo e definição do tempo de comutação de uma chave ........ 17
Figura 8: Harmônico da frequência fundamental .............................................................. 17
Figura 9: Segunda e terceira ordem da distorção de intermodulação ............................. 18
Figura 10: Chave série SPST............................................................................................. 19
Figura 11: Chave shunt SPST............................................................................................ 20
Figura 12: Chave série SPDT ............................................................................................ 20
Figura 13: Chave shunt SPDT ........................................................................................... 20
Figura 14: Chave multi-lance shunt de banda limitada..................................................... 21
Figura 15: Chave SPST série-shunt .................................................................................. 22
Figura 16: Chave SP3T TEE .............................................................................................. 23
Figura 17: Chave SPST série sintonizada......................................................................... 24
Figura 18: Chave SPST shunt sintonizada........................................................................ 25
Figura 19: Lumped Circuit Equivalent of Quarter Wave Line ........................................... 25
Figura 20: Chave antena de 1/4 de comprimento de onda .............................................. 26
Figura 21: Configuração SPDT double-throw modificada ................................................ 29
Figura 22: Setup de medidas ............................................................................................. 29
Figura 23: Chave SPDT experimental ............................................................................... 30
Figura 24: Circuito de polarização para diodo pin ............................................................ 34
Figura 25: Mesmo circuito usando componentes mais rápidos ....................................... 34
Figura 26: Aparência física da MA4AGSW4 ..................................................................... 37
Figura 27: Esquema elétrico MA4AGSW4 ........................................................................ 37
Figura 28: Driver MA4AGSW4 ........................................................................................... 38
Figura 29: Aparência física TGS4306-FC ......................................................................... 40
Figura 30: Esquema elétrico TGS4306-FC ....................................................................... 40
Figura 31: Aparência física TC950 .................................................................................... 42

iv
Figura 32: Esquema elétrico TC950 .................................................................................. 42
Figura 33: Circuito de polarização TC950 ......................................................................... 42
Figura 34: Circuito básico em microstrip ........................................................................... 44
Figura 35: Fluxograma do projeto da chave diodo pin ..................................................... 45
Figura 36: Parâmetro do microstrip simples ...................................................................... 45
Figura 37: Estrutura de stub radial..................................................................................... 46
Figura 38: diagrama do circuito com dimensões em milímetros ...................................... 47

Lista de Tabelas

Tabela 1: Fórmulas para IL e ISO das configurações ...................................................... 23

Tabela 2: Comparação dos parâmetros simulados com os medidos – modo perda de
retorno................................................................................................................ 31
Tabela 3: Comparação dos parâmetros simulados com medidos – isolamento da chave
............................................................................................................................ 31
Tabela 4: Ligação do transistor ao diodo pin .................................................................... 33
Tabela 5: Características Elétricas SP4T AlGaAs PIN Diode Switch .............................. 36
Tabela 6: Características Elétricas SP4T GaAs MMIC .................................................... 39
Tabela 7: Características Elétricas SPDT GaAs MMIC Switch........................................ 41
Tabela 8: Resultados para diodo P1 OFF ......................................................................... 48
Tabela 9: Resultados para diodo P1 ON ........................................................................... 48
Tabela 11: Resultados para diodo P2 ON ......................................................................... 48
Tabela 10: Resultados para diodo P2 OFF ....................................................................... 48

v
1 INTRODUÇÃO

Introduzido na década de 1960, o termo "estado sólido", descreve dispositivos

eletrônicos que não contêm tubos de vácuo nem dispositivos mecânicos, tais como
relés. Em componentes de estado sólido, os elétrons fluem através de materiais
semicondutores sólidos sem aquecimento, em vez de fluírem através de um vácuo
aquecido como um tubo de vácuo. Germânio ou silício são bem conhecidos. Os tubos
de vácuo foram rapidamente substituídos pelos semicondutores.

Chaves de RF e microondas podem ser categorizadas em duas igualmente

importantes e essenciais grupos:

i ) Chaves eletromecânicas

ii ) Chaves de estado sólido

Atualmente, a tecnologia de chaves MEMS (sistemas-micro-eletromecânicos) está

emergindo. Chaves de estado sólido são mais confiáveis e apresentam uma vida útil
mais longa do que o seus homólogos eletromecânicos, devido à sua resistência a
choques, vibração e desgaste mecânico. Eles também oferecem um tempo de
comutação mais rápido. Portanto chaves de estado sólido são preferidas em sistemas
onde comutação rápida e longo tempo de vida são essenciais.

As chaves eletrônicas de radio frequência que serão descritas no presente

trabalho tem como componentes fundamentais as chaves de estado sólido. As chaves
eletrônicas de radio frequência são uma das diversas aplicações das chaves de estado
sólido.

Existem três tipos principais de chaves de estado sólido:

 Diodos PIN

 Transistores de efeito de Campo (FET)

 Híbridos (FET e PIN)

6
 Porém, especificamente sobre as chaves eletrônicas de radio frequência:
uma chave de RF (Radio Frequência) e microondas é um dispositivo para
direcionar sinais de alta frequência através de caminhos de transmissão.

Similar às chaves elétricas, chaves de RF e microondas estão disponíveis

em diferentes configurações fornecendo flexibilidade para criar matrizes
complexas e automatizar sistemas de teste para muitas aplicações diferentes.

Algumas configurações de chaves de RF:

 Single-pole-double-throw (SPDT or 1:2): direciona sinais de uma porta de

entrada para dois caminhos de saída.

 Multiport or single-pole-multiple-throw (SPnT): fornece uma única porta de

entrada para três ou mais caminhos de saída.

 Transfer or double-pole-double-throw (DPDT): pode ser usada para alternar

entre duas entradas e duas saídas, como uma chave “aberta”, para sinal
reverso, ou caminho (chave “fechada”) para componente de teste.

 Bypass: inserir ou remover um componente de teste a partir de um caminho de

sinal.

A ênfase deste trabalho será nas chaves eletrônicas de RF que utilizam

diodo PIN, porém nas diversas configurações existentes.

7
2 O DIODO PIN

O diodo PIN é essencialmente um refinamento da junção PN do diodo comum.

Seu desenvolvimento surgiu das atividades desenvolvidas no diodo PN original e
aplicações para o novo diodo logo foram encontradas.

A junção do diodo PIN difere da junção PN diodo básica no fato que o diodo PIN
possui uma camada de material de material intrínseco entre as camadas P e N. Como
resultado da camada intrínseca, diodos PIN tem uma tensão de ruptura elevada e eles
também apresentam um baixo nível de capacitância de junção. Além disso, a maior
região de depleção do diodo PIN é ideal para aplicações como um fotodiodo.

Figura 1: seção transversal Figura 2: diferença entre diodo

do pin convencional e pin

2.1 Desenvolvimento diodo PIN

Após a junção PN ter sido compreendida e desenvolvida na década 40, outras

pesquisas em variantes da junção PN básica foi realizadas.

As primeiras referências a este foram um retificador de alta potência que

funcionava em baixa frequência que foi desenvolvida em 1952 por Hall, e alguns
desenvolvimentos posteriores realizados por Prince em 1956.

Embora o diodo PIN tenha tido alguns aplicações iniciais com retificadores de
potência, mais tarde percebeu-se que a menor capacitância de junção poderia ser
utilizado em aplicações de microondas. Em 1958, alguns dos primeiros dispositivos de
microondas foram desenvolvidos e, posteriormente, na década de 1960 eles ganharam
uma aceitação mais ampla neste função.

8
 Com a introdução de dispositivos semicondutores como o foto dispositivos, viu-
se o seu aumento de utilização o PIN, pois também começou a ser usado como célula
fotoelétrica. Sua extensa região de depleção tornou-o sua utilização ideal neste papel.

Figura 3: Diodo pin comercial

2.2 Noções básicas de diodo PIN e operação

O diodo PIN pode ser representado esquematicamente como sendo uma junção
PN, mas com uma camada intrínseca entre o as camadas N e P. A camada intrínseca
do diodo PIN é uma camada sem dopagem, e como resultado, isso aumenta o
tamanho da região de depleção - a região entre a camada de P e N, onde não existem
portadores majoritários. Esta mudança na estrutura dá ao diodo PIN suas propriedades
únicas. O diodo PIN opera exatamente da mesma forma que um díodo normal. A única
diferença real é que a região de depleção, que normalmente existe entre as regiões P e
N em um diodo normal (polarizado diretamente ou reversamente) é maior.

Em uma junção PN, a região do P contém lacunas, uma vez que tenha sido
dopada para assegurar que exista uma predominância de lacunas. Da mesma forma a
região do N foi dopada para conter o excesso de elétrons. A região entre as regiões P e
N não contém portadores de carga como quaisquer lacunas ou elétrons. Como a região
de depleção não tem portadores de carga, ela atua como um isolante.

Dentro de um diodo PIN região de depleção existe, mas se o diodo é polarizado

diretamente, os portadores entram na região de depleção (incluindo a região intrínseca)
e como os dois tipos de transporte se encontram, a corrente começa a fluir.

9
 Isso pode ser comparado a encher um balde de água com um furo ao lado.
Quando a água atinge o nível do furo, começa a vazar água do mesmo. Da mesma
forma, o diodo começará a conduzir corrente uma vez que os elétrons e lacunas
espalhados atingem um ponto de equilíbrio, em que o número de elétrons é igual ao
número de lacunas na região intrínseca.

Quando o diodo é polarizado diretamente, a concentração dos portadores (ou

seja, lacunas e elétrons) é muito maior do que a concentração de portadores no nível
intrínseco. Devido a este alto nível de injeção de portadores, o campo elétrico prolonga-
se profundamente (quase todo o comprimento) para a região. Este campo elétrico
auxilia na aceleração do transporte de portadores de carga da região (ou camada) p
para a região n, o que resulta em uma operação mais rápida do diodo, tornando-se um
dispositivo adequado para operações de alta frequência.

2.3 Utilizações e vantagens

Como resultado da sua estrutura e de algumas propriedades que são de

utilização particular, o diodo PIN é usado em um grande número de áreas.

Retificador de alta tensão: O diodo PIN pode ser usado como um retificador de
alta tensão. A região intrínseca proporciona uma maior separação entre as regiões N e
P, permitindo que maiores tensões invertidas sejam toleradas.

Chave de RF: O diodo PIN proporciona uma chave RF ideal. A camada

intrínseca entre as regiões N e P aumenta a distância entre elas. Isto também diminui a
capacitância entre eles, aumentando desse modo, o nível de isolamento quando o
diodo é polarizado inversamente.

Fotodetectores: Como a conversão de luz em corrente ocorre dentro da região

de depleção de um fotodiodo; o aumento da região de depleção pela adição da
camada intrínseca melhora o desempenho por aumentar o volume no qual ocorre à
conversão da luz.

Estas são três das principais aplicações para diodos PIN, embora também
possam ser utilizadas em outras áreas.

10
 O diodo PIN é um componente ideal para proporcionar comutação eletrônica em
muitas áreas da eletrônica. É particularmente útil para aplicações de design de RF e
para fornecer a comutação, ou atenuando elemento em chaves de RF e atenuadores
de RF. O diodo PIN é capaz de fornecer níveis muito mais altos de confiabilidade do
que relés de RF que muitas vezes são a única alternativa.

3 POR QUE O DIODO PIN É USADO EM CHAVES DE RF?

Um diodo PIN é um dispositivo semicondutor que funciona como uma resistência

variável em microondas e RF.

Um diodo PIN é um dispositivo controlado por corrente, em contraste com um

diodo varactor que é um dispositivo controlado por tensão. Quando a corrente de
controle de polarização direta do diodo PIN é variada continuamente, ele pode ser
usado para atenuar, nivelando, e modulando a amplitude de um sinal de RF. Quando a
corrente de controle é ligada e desligada, ou em passos discretos, o dispositivo pode
ser usado para chaveamento, modulação de impulso, e defasador de um sinal de RF.

O pequeno tamanho físico do PIN do diodo de microondas comparado com um

comprimento de onda, velocidade de chaveamento de alta, e baixo nível de reatâncias
parasitas, torna o mesmo um componente ideal para o uso em miniatura em circuitos
de controle de sinais RF banda larga.

Além disso, o diodo PIN tem a capacidade de controlar sinal de RF de grande

potência, enquanto é alimentado por níveis de potência muito menores.

VARIAÇÃO
DA  ATENUADOR

CORRENTE  MODULADOR DE AMPLITUDE

CORRENTE  CHAVE
SENDO LIGADA  MODULADOR DE IMPULSO
E DESLIGADA  DEFASADOR

11
4 CARACTERÍSTICAS DA POLARIZAÇÃO DIRETA E REVERSA

4.1 Polarização direta

Quando polarizado diretamente, a baixa dopagem da camada I é inundada com

portadores de carga altamente dopados das camadas n e p. Quando isso acontece o
diodo pin está conduzindo corrente e a resistência de RF varia com o ponto de
polarização. O diodo pin comporta-se como um resistor controlado por corrente para
sinais de RF.

Figura 4: Curva IV aproximada do diodo PIN

Circuito equivalente:

Figura 5: Circuito equivalente para polarização direta

12
4.2 Polarização reversa

A polarização reversa do diodo pin pode ser modelada como um capacitor e um

resistor em paralelo. Em um dispositivo ideal a resistência paralela deveria ser infinita
por que não existem cargas livres na camada I. Em um dispositivo prático no entanto,
impurezas e outros problemas no processo de fabricação causam pequeno vazamento
de corrente.

Circuito equivalente:

Figura 6: Circuito equivalente para polarização reversa

13
5 ALGUMAS CARACTERÍSTICAS DO DIODO PIN

5.1 Faixa de Frequência de operação

Como as tecnologias de consumo forçam a utilização dos espectros de

frequência nos seus limites, chaves de banda larga, inegavelmente, tem uma vantagem
sob as de banda estreita. Sistemas de teste com acessórios de banda larga aumenta
flexibilidade do sistema de teste de pela extensão da cobertura de frequências. Isso
reduz custos e economiza recursos.

Considere o caso, onde um executa-se um sistema de teste que testa produtos

GSM e UMTS em 2.2 GHz e posteriormente torna-se necessário testar produtos WLAN
em 5 GHz.

Neste caso, demandar-se-ia a compra de equipamentos que permitissem

aumentar a frequência do sistema em 5 GHz ou mais. Equipamentos como
analisadores de rede que geralmente são executados em banda larga, são menos
prováveis de limitarem tais aplicações. Por outro lado, acessórios, tais como chaves
pode ser uma restrição.

5.2 Isolamento

O isolamento é definido como a relação entre o nível de potência, quando o

caminho do chave está "Off" ao nível de potência quando o interruptor estiver "on".

Em outras palavras, é a supressão de um sinal em excesso da perda de

inserção, na porta "desligada". Alto isolamento em chaves é fundamental para a
maioria das aplicações de medição. Bom isolamento impede que sinais de dispersão
vazem do caminho de sinal desejado.

Alto isolamento é especialmente crítico em sistemas de medição, onde os sinais

são consistentemente encaminhados para uma variedade de fontes e receptores
através de várias portas de teste chaveadas. Se estes sinais de dispersão são
autorizados a passar, a integridade medição é severamente comprometida.

14
5.3 Perda de inserção

A perda de inserção, expressa em decibéis (dB), de uma chave é determinada

medindo a perda de potência de um sinal que é enviado através da porta comum e sai
da porta que está no estado "ON".

A perda de inserção desempenha um papel importante em muitas aplicações.

Em aplicações de recepção, a sensibilidade e gama dinâmica efetiva do sistema são
reduzidas por perda de inserção. Em aplicações de sistema onde a energia adicional
necessária para compensar a perda não está disponível (amplificadores em particular),
a perda de inserção será uma especificação crítica de uma chave.

Perda de inserção em chaves de estado sólido é geralmente atribuído a três

fatores.

1. Perdas de resistência devido à resistência finita da série dos componentes

conectados em série, particularmente em diodo PIN e capacitores "Q" (relativos ao
fator de qualidade) finitos.

2. Perdas VSWR devido ao descasamento dos terminais do interruptor ou

dentro da chave.

3. Perda no condutor ou linha de transmissão dentro do própria chave devido à

presença de microstrip, linha coaxial ou guia de onda para interconexão de linhas .

15
5.4 Perda de retorno e VSWR

Perda de retorno, expressa em dB, é uma medida da relação das ondas

estacionárias de tensão (VSWR). Perda de retorno é causada pela diferença de
impedância entre os circuitos. Em frequências de microondas, as propriedades dos
materiais, bem como as dimensões de um elemento de rede têm um papel importante
na determinação do casamento ou descasamento de impedância causado pelo efeito
distribuído.

VSWR é um indicador de ondas refletidas voltando para dentro da linha de

transmissão, o que aumenta as perdas de RF. Impedâncias incompatíveis aumentam o
SWR e reduzem a potência transferida. Se VSWR é alto, maior potência na
transmissão linha vaza de volta para a fonte, o que pode, potencialmente, fazer com
que ela aqueça ou oscile.

5.5 Velocidade de Comutação

Velocidade de comutação é definida como o tempo necessário para mudar o

estado de um braço da chave (porta) de "ON" para "OFF" ou de "OFF" para "ON".
Velocidade de comutação é muitas vezes caracterizada de duas maneiras: tempo de
subida / tempo de descida e tempo ON / tempo OFF.

A Figura 4 mostra um diagrama de temporização de uma chave e as definições

utilizadas para descrever a mudança no tempo. Tempo de subida é o tempo que leva
para que a saída de RF detectada eleve-se de 10% a 90% do valor final, quando um
braço chave é alterado de um estado de "desligado" para um estado "ligado".

Tempo de descida é o tempo que leva para que a saída de RF detectada caia de
90% a 10 do valor inicial, quando o braço de uma chave é alterado de um estado "on"
para um "off" Estado.

16
 Figura 7: diagrama de tempo e definição do tempo de
comutação de uma chave

5.6 Distorção harmônica e de intermodulação

Distorção harmônica é um tom-único (frequência única) produto de distorção

causada pela não linearidade do dispositivo. Quando um dispositivo não linear (todos
os semicondutores incluindo chaveadores de estado sólido inerentemente apresentam
um grau de não-linearidade) está estimulado por um sinal a uma única frequência f1,
sinais de saída espúrios podem ser gerados nas frequências harmônicas 2f1, 3f1,
4f1,...,Nf1. Harmônicos são usualmente medidos em dBc, dB sobre saída fundamental
do sinal.

Figura 8: Harmônico da frequência fundamental

17
 Distorção de intermodulação surge quando a não linearidade de um dispositivo
ou sistema com múltiplas frequências de entrada cause saídas indesejadas em outras
frequências, fazendo com que os sinais de um canal interferem nos canais adjacentes.
A redução da distorção de intermodulação tornou-se mais importante à medida que o
espectro ficou mais cheio e os canais ficaram mais firmemente espaçados.

Estes produtos espúrios são matematicamente relacionados com os sinais de

entrada fundamentais. É uma prática comum limitar a análise para dois tons (duas
frequências fundamentais, f1 e f2, que são normalmente separados por uma pequena
frequência deslocada de cerca de 1 MHz), devido à complexidade para analisar mais
de duas frequências de entrada de cada vez.

As frequências de saída da intermodulação de dois tons de saída são:

onde P, Q = 0,1, 2, 3, ...

A ordem dos produtos de distorção é a soma de P + Q. Assim, os produtos de

intermodulação terceira ordem dos dois sinais, f1 e f2, deveriam ser:

Figura 9: Segunda e terceira ordem da distorção de intermodulação

18
6 CONFIGURAÇÕES E CIRCUITOS

Nesta e nas seções seguintes, diagramas de circuitos de chaves simples e o

composta são indicadas, assim como informações adicionais sobre o desempenho
necessário para projetar a chave. Nós supomos no presente desenvolvimento, que a
estrutura da chave individual é uma rede de duas portas simétrica linear e que a
impedância característica (Zo) da entrada da fonte de energia, a estrutura do chave, a
impedância de carga, e todas as linhas de transmissão conectando estes componentes
são 50 Ohms. Para o caso mais geral, onde o Zo de entrada não é igual ao Zo de
saída, o leitor deve buscar algum texto sobre a teoria geral das redes.

6.1 Chave de lance único e polo único

6.1.1 Série SPST

Os diodos SPST PIN podem ser usados em projetos de banda larga. O

isolamento máximo (ISO) obtido depende da capacitância do díodo (Ct). A perda de
inserção (IL) e dissipação de potência(Pd) dependem do diodo polarizado diretamente
com a resistência séries (Rs). As equações para Isolamento ISO e perda de inserção IL
e as características de desempenho são fornecidas abaixo.

PARÂMETROS EQUAÇÕES
Perda de inserção

Potência dissipada

Potência máxima(P av)

Isolamento

Tensão de pico

Corrente de pico

Figura 10: Chave série SPST

19
 Essas equações dizem respeito apenas às chaves SPST casadas. Para
VSWR(s) > 1.0, multiplicar estes equações pelo fator [2s / s + 1], designado "sigma",
para calcular o Pd.

6.1.2 Shunt SPST

A chave SPST Shunt oferece alto isolamento sobre uma ampla gama de
frequências (aproximadamente 20 dB para uma única chave diodo ). A perda de
inserção é baixo porque não há elementos de chaveamento em série com a linha de
transmissão. O diodo está eletricamente e termicamente ligado ao terra em um lado da
linha de transmissão e tem maior capacidade de dissipação de potência Pd do que o
circuito SPST. ISO e Pd são funções das resistências série Rs. Perda de inserção IL
depende principalmente de Ct. As equações de projeto são fornecidas abaixo.

PARÂMETROS EQUAÇÕES

Perda de Inserção

Potência dissipada
(polarização direta)

Potência dissipada
(polarização reversa)

Isolamento
Figura 11: Chave shunt SPST
Tensão de pico

Corrente de pico

6.2 Chaves de duplo lance e polo único

Figura 12: Chave série SPDT Figura 13: Chave shunt SPDT
20
 Dois lances de chaves, em que a potência do sinal em uma única linha de
transmissão de entrada pode ser ligada para qualquer uma das duas linhas de
transmissão de saída. Se a chave SPDT é simétrica, cada ramo chave funciona como o
equivalente SPST, mas o isolamento de chaveadores multi-lance aumenta em 6 dB.

Este efeito ocorre porque o ramo OFF é desviado pelo ramo ON e o sua
terminação de 50 Ohm, causando uma tensão de RF através do diodo "OFF" 50%
menor do que para o caso da chave SPST equivalente.

O projeto da chave SPDT Shunt melhora o desempenho elétrico da mesma, pela

inserção de linhas de transmissão de um 1/4 quarto de comprimento de onda entre a
fonte de potência do sinal e os diodos PIN. O isolamento deste projeto é
aproximadamente o dobro (ou seja, 3 dB) do que a chave shunt SPST mais de 6 dB,
devido ao efeito da junção multi-linha. No entanto, a largura de banda é agora limitado
a menos de uma oitava.

6.3 Chaves multi-lance (Multi-throw)

Chaves Multi-lance são difíceis de fazer usando apenas diodos shunt. Uma
banda limitada da chave multi-lance shunt (que é menos do que uma oitava),utiliza
duas seções quarto de comprimento de onda em cascata, cada um terminado por um
diodo shunt. Esta configuração dá ao ramo OFF uma alta impedância de entrada na
porta comum (fonte de sinal) para evitar "carregamento" de impedância do braço ON
que poderia ocorrer.

Figura 14: Chave multi-lance shunt de banda limitada

21
 Estas configurações podem atingir alto nível de isolamento (70 a 90 dB), com
diodos de shunt adicionais seções de linha de transmissão. Estes projetos se tornam
ainda mais restritos em largura de banda e perda de inserção à medida que se
aumenta a quantidade de seções adicionadas. Nas bandas de microondas, o
isolamento é limitado por acoplamento cruzado entre os componentes da chave,
causando alguns ponto de alimentação direta do sinal entre as portas de entrada e
saída de sinal direto.

6.4 Chaves compostas

Chaves compostas diferem dos chaves multi-lance, pois as chaves da série-

shunt são usados em combinações para melhorar o desempenho geral do switch. A
banda larga da perda de inserção da chave série é combina com a ampla banda de
isolamento da chave shunt em um número de combinações a seguir.

6.4.1 Chaves série-shunt compostas

Figura 15: Chave SPST série-shunt

22
6.4.2 Chaves compostas TEE

Figura 16: Chave SP3T TEE

As mais simples chaves compostas são as chaves serie-shunt e a chave TEE .

Estes circuitos oferecem melhor desempenho global, mas a complexidade de circuito
adicionada degrada o VSWR e a perda de Inserção. Uma vez que todos os diodos não
são simultaneamente polarizados em um estado ou outro, há um aumento na
complexidade da polarização do circuito. Um resumo dos parâmetros de desempenho
global para as chaves SPST série e shunt e para as chaves compostas série-shunt e
TEE é mostrada para comparação na tabela 1.

Para todas as configurações precedentes, a tabela fornece os principais

parâmetros de projeto de chaves de RF, os quais perda de inserção e isolamento.
Tabela 1: Fórmulas para IL e ISO das configurações

23
6.5 Chaves sintonizadas

Uma simples chave SPDT shunt sintonizada é mostrada na figura 9. A presença

de linhas de transmissão de quarto de comprimento de onda restringem a largura de
banda total, mas melhoram o desempenho da chave sob a largura de banda. Da
mesma forma, muitas aplicações de chaves de RF de operam em uma faixa de
frequência limitada. Linhas distribuídas podem ser utilizadas para melhorar
desempenho da chave como mostram os seguintes exemplos.

A perda de inserção e isolamento para os circuitos das figuras 14 e 15 pode ser

calculada a partir das fórmulas na Tabela 1. A resistência total de diodo, RS, utilizada
nestes cálculos é duas vezes aquela de um single diodo SPST switch, a menos que a
corrente de polarização seja aumentada para compensar este efeito.

O isolamento máximo obtido, usando vários diodos espaçados por um quarto de

comprimento de onda, é o dobro do valor em dB obtido com uma única chave diodo.
Um aumento adicional no isolamento pode ser obtido pela adição de mais seções de
quarto de onda a nestes projetos. Tais chaves sintonizadas têm larguras de banda
inferiores a 10%, o que é bastante adequado para aplicações de rádio sem fio.

6.5.1 Chave SPST série sintonizada

Figura 17: Chave SPST série sintonizada

24
 6.5.2 Chave SPST shunt sintonizada

Figura 18: Chave SPST shunt sintonizada

6.6 Circuito equivalente aglomerado de linha de transmissão de ¼ de

comprimento de onda

Técnicas de quartas-de-onda, usando elementos da linha distribuídos, são

impraticáveis em frequências abaixo de UHF por causa de sua dimensão física. Linhas
de quartas-de-comprimento de onda podem ser simuladas com elementos de circuitos
agrupados em uma rede. As equações para o cálculo dos valores equivalentes L e C
também são mostradas.

Figura 19: Lumped Circuit Equivalent of Quarter Wave Line

25
6.7 Chave transmissora-receptora

Chaves transmissoras-receptoras são uma classe de chaves sintonizadas SPDT

series-Shunt, utilizado por projetistas de transceptores de comunicações para conectar
alternadamente antena do transceptor para qualquer transmissor ou receptor.

Figura 20: Chave antena de 1/4 de comprimento de onda

26
7 EXEMPLO DE APLICAÇÃO: CHAVE SPDT PARA WIMAX

A seção 4 apresenta diferenças configurações de chaves de RF, bem como as

equações necessárias para projeto. Neste item será apresentado um exemplo de
aplicação para Chaves de radio frequência baseadas no diodo PIN: uma chave SPDT
para WiMAX. Os parágrafos seguintes são a transcrição de boa do artigo onde o
exemplo de aplicação foi apresentado.

Sistemas de comunicações 4G sem fio, como Wimax e 3GPP são voltados para
alto desempenho em taxas de dados para usuários do sistema sem fio móvel e fixo.
Para oferecer tal desempenho, componentes de alta frequência são necessários. Um
desses componentes é apresentado aqui, um modo de absorção simétrico de polo
único, chave double throw para Wimax baseados na tecnologia dos diodos PIN.

A chave possuiu uma topologia série-shunt para operação de banda larga ao

longo da faixa de frequência do Wimax (2,3 a 2,7 GHz). Possui perda de inserção
inferior a 0,75 dB, isolação melhor do que 30 dB. A chave pode lidar com níveis
significativos de potência de entrada RF sem exibir compressão de amplitude.

Há uma demanda crescente para lidar com sinais de potência mais elevada,
com baixa perda de inserção e para funções de alto desempenho de comutação de
funções em sistemas WiMAX, os diodos PIN oferecem uma tecnologia viável para
proporcionar o desempenho necessário para aplicações de estações base WiMAX.

Um componente importante em estações base WiMAx é a chave da antena

SPFT. Uma desta aplicação com diodos PIN é o baixo custo e o tamanho reduzido.

Uma das funções de chaveamento em uma estação base Wimax é seleção de

sinais RF entre o caminho do receptor ou transmissor, e essa pode ser alcançada pelo
uso de uma chave SPDT. Para esta aplicação, a transmissão / recepção (Tx / Rx)
interruptor deve apresentar baixa perda de inserção e de alto isolamento, a fim de
manter a alta qualidade do sinal com o mínimo de degradação do desempenho.

27
 O dispositivo que será apresentado é uma Chave estação base WiMAX SPDT
baseado em um diodo PIN de silício. Um diodo PIN é um semicondutor que pode ser
representado como uma resistência de corrente controlada. Ele pode ser usado para
construir um elemento de comutação eletrônica, uma vez que é facilmente integrado
com um circuito planar e capaz de alta velocidade operação.

Quando nenhuma polarização é aplicada, ele comporta-se como uma

capacitância. Quando a polarização é aplicada, um diodo PIN funciona como um
indutor. Existem diversas vantagens em se utilizar um diodo pin ao invés de um
transistor de efeito de campo (MESFET), são algumas:

 Menos susceptível a danos causados por descargas elétricas

 Extensa área de junção necessária para lidar com elevados níveis de

energia, conforme necessidades da estação WiMAX.

 Chave de diodo PIN é mais robusta que uma chave MESFET, uma vez
que é capaz de sobreviver a operações de comutação, na presença de
elevados níveis de potência de RF.

 Características de distorção mais baixas em relação ao MESFET

SPDT convencionais podem apresentar problemas de desempenho para um

aplicativo de estação base WiMAX em termos de perda de inserção alta, isolamento
inadequado entre as portas, alto consumo de corrente, baixa capacidade de potência.

Mas, por meio de um cartão no qual três diodos PIN são colocados em séries
(série-série em série), como mostrado na figura 18, o isolamento porta-a-porta pode ser
melhorado em mais de 25 dB, especialmente quando se opera com elevados níveis de
potência de transmissão.

28
 Figura 21: Configuração SPDT double-throw modificada

Infelizmente, a pena para alcançar esse alto nível de isolamento com vários
diodos PIN é a pobre perda de inserção. Durante a polarização direta, a perda da
transmissão é igual à soma das resistências RF (D1, D3 e D5), resultando em perda de
inserção relativamente elevada de mais do que 1,5 dB.

Medições com o interruptor de diodo PIN experimentais foram realizados com o

setup mostrado na figura 19; o qual inclui:

 E5270A eight-slot parametric measurement mainframe

 E5071B ENA vector network analyzer

Figura 22: Setup de medidas

29
 Durante o modo de transmissão, o canal 2 do E5270A foi definido com +5 VDC
de polarização e o canal 4 foi definido com -5 VDC. Durante o modo de recepção, o
canal 2 foi definido para -5 VDC e canal para definido para VDC +5 VDC de
polarização.

Modelo E5071B é um VNA de quatro portas, que fornece medições precisas de

desempenho dos componentes de RF. A chave para medições precisas reside na
calibração do sistema em todas as frequências. Isto é conseguido através da aplicação
de cargas de precisão, curtos, e circuitos abertos para as portas de teste durante uma
sequência de medição de calibração.

A magnitude e a fase da onda incidente e das ondas refletidas são gravadas por
um computador interno, e esta informação é usada para corrigir os erros ocorridos
durante as medições em um dispositivo sob teste (DUT). Baseado na arquitetura da
figura 20, uma Chave SPDT de absorção-experimental foi fabricada com dielétrico
RO4003C de Rogers Corporation. Este dielétrico não é um PTFE.

Figura 23: Chave SPDT experimental

30
 Na tabela 2 estão os resultados das medições de perda de inserção, perda de
retorno e isolamento.

Tabela 2: Comparação dos parâmetros simulados com os medidos – modo perda de retorno

Na tabela 3 os resultados foram comparados com os resultados simulados. Isso

mostrou necessidade de pequenas alterações nos valores de alguns dos componentes
do circuito experimental, a fim de aproximar o desempenho obtido com o desejado.
Observou-se que a perda de inserção medida é melhor que a simulada.

Tabela 3: Comparação dos parâmetros simulados com medidos – isolamento da chave

Os resultados obtidos a partir do Chave SPDT experimental demonstraram a

possibilidade de utilizar um HSMP-3860 Epi PIN diodo em um chave SPDT com perda
baixa e alta frequências de isolamento no WiMAX.

Ainda assim, o esforço adicional é necessário para encontrar melhores níveis de

desempenho para este projeto.

31
8 CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO (DRIVERS) PARA CHAVES DE RF

Ainda que atualmente existam dispositivos fabricados em tecnologias como

MMIC ou HMIC que integrem o circuito de polarização e a chave (DPDT, SPDT, SP3T,
etc...), isso ainda não se tornou um padrão. Logo, o projetista de circuitos de RF deve
ter a capacidade de projetar os circuitos que polarizam as chaves de RF.

O objetivo do driver (circuito de polarização) do diodo PIN é chavear os diodos

PIN entre dois estados impedância, um estado de baixa impedância polarizado
diretamente e um estado de alta impedância polarizado reversamente. O chaveamento
dos estados de impedância pode ser controlado por um sinal TTL.

O driver transforma o sinal TTL em uma condição de polarização; ou uma

corrente de polarização direta ou uma tensão de polarização reversa. Para alternar
entre esses estados o driver tem que? Esgotar a carga da camada I nos diodos PIN.
Assim, para o chaveamento rápido é importante que o driver possa fornecer correntes
suficientemente grandes.

Para traduzir o sinal TTL para as condições de polarização, transistores são

usados. Os transistores do driver podem fornecer mais corrente do que o baixo nível
TTL do circuito. Os transistores no driver afetam consideravelmente as características
do mesmo.

Existe uma multiplicidade de transistores destinados a um amplo espectro de

aplicações. Quando se consideram transistores para um driver de diodo PIN existem
um conjunto de parâmetros importantes. Os requisitos de polarização do diodo pin
serão traduzidos em requerimentos de tensão e corrente de manobra.

Se velocidade de chaveamento é de suma importância, os drivers baseados em

transistores precisam ser rápidos. Em uma aplicação de chaveamento isto se traduz
em baixas capacitâncias parasitas nos transistores. Como uma pequena capacitância
tem que ser carregada antes que o transistor possa mudar entre os estado ON e OFF ,
o driver deverá ser mais rápido.

32
 Nas figuras a seguir, têm-se circuitos de driver (polarização) de dois estados:
polarização de corrente direta ou polarização de tensão reversa, ambas aplicáveis ao
diodo pin.

Existem cinco categorias de desempenho para circuitos de driver

1. Compatibilidade entre a potência do sinal da fonte e a interface TTL

2. Velocidade de comutação

3. Alta potência, pulso de vazamento de corrente da fonte.

4. Detecção de falhas

5. Drivers complementares

Deve também notar-se que a relação entre os transistores do driver e do diodo PIN são:

Tabela 4: Ligação do transistor ao diodo pin

Drivers Pin

PNP Catodo para terra

NPN Anodo para terra

Uma vez que para alta tensão transistores NPN são mais fáceis de serem
obtidos, circuitos PIN de alta potência requerem que o anodo fique ligado ao terra (do
diodos pin). Dois circuitos de polarização são mostrados abaixo. Um é um circuito típico
e o outro é o mesmo circuito com componentes de maior velocidade.

33
 Figura 24: Circuito de polarização para diodo pin

Figura 25: Mesmo circuito usando componentes mais rápidos

34
9 CHAVES RF DE ALTA FREQUÊNCIA

Atualmente o GaAs é um dos materiais mais utilizados em chaves de alta

frequência, as quais costumam alcançar até 90 GHz. Logo após a invenção do
transistor o silício tornou-se o material preferido para a fabricação de semicondutores.
Entre os materiais conhecidos como semicondutores o silício era muito atrativo por sua
abundância, baixo custo e facilidade de uso.

O silício apresenta alguns problemas. Ainda que as velocidades dos circuitos

construídos em silício estejam sendo aumentadas continuamente elas ainda são
inferiores às velocidades obtidas com circuitos fabricados com outros materiais. Para
os projetistas dos sistemas atuais de alta performance o silício não é mais a única
escolha.

O GaAs (arseneto de gálio) foi reconhecido como um material semicondutor com

performance superior ao do silício nos fins dos anos 70. Ainda que o GaAs tenha sido
sempre mais difícil de fabricar do que o silício, as propriedades do material permitem
que os elétrons alcancem velocidades cinco vezes maiores do que no silício. Os
circuitos com mesma geometria operam com velocidades de duas a quatro vezes
maiores.

Circuitos digitais de alta velocidade são componentes importantes na obtenção

de melhores desempenhos em sistemas de comunicação, computadores, sistemas
eletrônicos militares e instrumentação. Circuitos integrados baseados em substratos de
arseneto de gálio, GaAs, aparecem como uma boa solução para aplicações de alta
velocidade, apresentando a vantagem da baixa dissipação de potência em taxas de
Gb/s.

Uma importante aplicação dos circuitos baseados em substratos de arseneto de

gálio são as chaves RF de alta frequência. Como veremos nos exemplos a seguir. Uma
das principais vantagens do arseneto de gálio em relação ao silício é a mobilidade
eletrônica do mesmo. Enquanto a mobilidade eletrônica do silício é 800 cm 2/Vs , a do
arseneto de gálio é 5000 cm 2/Vs.

35
9.1 Alguns exemplos de chaves de alta frequência:

A. SP4T AlGaAs PIN Diode Switch

O MA4AGSW4 é um dispositivo de alumínio - arseneto de gálio, unipolar, de

quatro lances (SP4T), chave diodo PIN. A chave tem recursos avançados nos ânodos
AlGaAs que são formadas usando tecnologia de hetero-junção patenteada pela MA-
COM Tech. Esta tecnologia produz uma chave com menos perda em relação às
produzidas através de processos convencionais com GaAs. Tanto quanto uma redução
de 0,3 dB na perda de inserção que pode ser realizado em 50GHz. Estes dispositivos
são fabricados num wafer epitaxial OMCVD usando um processo projetado para alta
uniformidade e extremamente baixas características parasitas. Os próprios diodos
apresentam resistência em série baixa, baixa capacitância e velocidade de comutação
rápida. Eles são totalmente passivados com nitreto de silício e têm uma camada de
adicional de polímero para a proteção do zero. O revestimento protetor evita danos na
junção do diodo e pontes de ar no ânodo, durante o manuseio e montagem. Circuitos
de polarização são necessários.

 Fabricante : MA-COM Technology Solutions / Modelo: MA4AGSW4

 Características de interesse:

Tabela 5: Características Elétricas SP4T AlGaAs PIN Diode Switch

36
 Aparência física

Figura 26: Aparência física da MA4AGSW4

 Esquema elétrico equivalente

Figura 27: Esquema elétrico MA4AGSW4

37
  Esquema do MA4AGSW4 com um circuito de polarização

Figura 28: Driver MA4AGSW4

 Operação

A aplicação simultânea de uma corrente DC negativa na porta de baixa perda e

corrente DC positiva nas portas de chaveamento isoladas restantes é necessária para
o funcionamento MA4AGSW4, AlGaAs, chave PIN. A área traseira do chip é o RF e o
retorno DC para o plano de terra. O retorno DC está ligado à ligação comum J1. A
tensão de polarização direta em J2, J3, J4 e J5 não será superior a ± 1,6 V e é
tipicamente ± 1,4 volts com fornecimento corrente de ± 30 mA. No estado de baixa
perda, o diodo série deve ser polarizado diretamente e o diodo shunt polarizado
reversamente. Enquanto que para a porta isolada, o diodo shunt é polarizado
diretamente e o diodo série é polarizado reversamente. O projeto de rede polarizada
mostrada abaixo deve render mais que 30 dB RF para isolamento DC.

Disponível para uso em conjunto com o M/A COM Tech’s linha de chaves
AlGaAs são duas, totalmente integrados, banda larga, monolíticas, redes de
polarização que podem ser usados como uma alternativa para a sugestionada rede de
polarização de componentes individuais mostrada abaixo. Informações adicionais para
o MA4BN1840-1 e MA4BN1840-2 disponíveis nos datasheets.

A menor perda de inserção, P1dB, IP3, e velocidade de chaveamento é

alcançada através de uma tensão no resistor pull-up, no caminho de retorno DC, (J1).

38
Um valor mínimo de |-2V | é recomendado neste nó de retorno, que é possível com um
padrão, ± 5V TTL controlado pelo circuito de polarização (driver) do PIN diode.

B. SP4T GaAs MMIC

O TriQuint TGS4306-FC é uma chave do tipo circuito integrado monolítico de

micro-ondas GaAs (MMIC) que funciona opera de 70-90 GHz. Esta parte é projetada
usando processo de produção VPIN padrão comprovado pela TriQuint’s. A velocidade
de comutação para TGS4306-FC é normalmente menor que 5 ns,. O TGS4306-FC,
quando sacudido, fornece uma perda de inserção nominal de 3.0 dB, 8 dB de perda de
retorno no estado direto, e 20 dB de isolamento em banda automotiva.

O TGS4306-FC integra capacitores de bloqueio DC em todas as portas de saída

para reduzir a número de componentes off-chip. O TGS4306-FC tem uma camada de
passivação na superfície protetora, proporcionando robustez.

 Fabricante : Triquint / Modelo: TGS4306-FC

 Características de interesse:
Tabela 6: Características Elétricas SP4T GaAs MMIC

39
  Aparência física

Figura 29: Aparência física TGS4306-FC

 Esquema elétrico equivalente

Figura 30: Esquema elétrico TGS4306-FC

 Operação

Não disponível no datasheet do fabricante.

40
 C. SPDT GaAs MMIC Switch

O TC950 é uma chave do tipo circuito integrado monolítico de micro-ondas

GaAs (MMIC) projetado para baixo perda de inserção e alto isolamento DC até 75 GHz.
É intencionada para uso de propósito geral, polo único, lance duplo (SPDT). Uma série
e dois shunts pHEMTs por lance tipicamente fornecem 2,6 dB de perda de inserção e
29 dB de isolamento em 50 GHz. Este circuito integrado é fabricado em avançado
processo pHEMT GaAs gatelength 0,12 mícrons MWTC.

 Fabricante : Agilent

 Características de interesse:
Tabela 7: Características Elétricas SPDT GaAs MMIC Switch

41
  Aparência física

Figura 31: Aparência física TC950

Esquema elétrico equivalente

Figura 32: Esquema elétrico TC950

 Circuito de polarização

Figura 33: Circuito de polarização TC950

42
  Operação

As portas de entrada e saída de RF devem ser acopladas em DC ou AC. Se o

acoplamento é DC, as tensões das portas de entrada e de saída devem ser na faixa de
± 0,25 Volts para terra para garantir o desempenho do chaveamento. Máximo estado
OFF de isolamento é obtido com seleção de tensões desiguais.

Os estados "curto" e "aberto" fornecem algum grau de isolamento, mas não ao

longo de toda a largura de banda do dispositivo. Em adição, o estado aberto não é
recomendado por causa do potencial destrutivo do estresse de sobretensão causado
por altos valores de impedância nas portas de entrada e saída.

43
10 IMPLEMENTAÇÃO DE CHAVE SPDT EM MICROSTRIP

O alvo deste projeto é desenhar e construir uma chave diodo Pin em microstrip.
Suas regras são para o sinal direto ou potência fluindo em cada componente; o diodo
PIN é um tipo especial de dispositivo semicondutor.

Ele pode ser usado para construir um elemento chaveado eletronicamente, pode
ser facilmente integrado com circuitos planares e capaz de alta velocidade de
operação.

Neste projeto, uma conexão série de chaves diodo pin (tipo SPDT) foi escolhida e
feita em microstrip.

Figura 34: Circuito básico em microstrip

A estrutura do microstrip abrange a combinação de metal, mostrada na figura 34.

O dielétrico está agindo como um substrato de RT5880 Duroid com permissividade
relativa, εr = 2,2.

10.1 Metodologia

Microwave Harmonica (Ansoft designer) é usado para fazer o projeto. Ele é um

pacote CAD que pode ser manuseado em frequências de microondas. Ele tem a
habilidade para rodar a simulação no programa depois o circuito particular é construído,
os dados de saída são examinados (gráfico ou tabela) e o desempenho do circuito é

44
otimizado.

Autosketch é usado para desenhar um diagrama de circuito que poderia ser

realizado em microstrip conforme as dimensões. Por isso o circuito poderia ser
fabricado em microstrip usando projeto de circuito impresso.

Figura 35: Fluxograma do projeto da chave diodo pin

10.2 Cálculos

No projeto em microstrip, os principais parâmetros dimensionais são:

a) largura do microstrip, W e altura h

b) permissividade relativa do substrato, er

c) comprimento físico do microstrip

A espessura, t, do metal frequentemente é ignorada porque t < < h (altura do

substrato), ver figura 36

Figura 36: Parâmetro do microstrip simples

45
 Os comprimentos de meio comprimento de onda, /2 e um quarto de onda /4
da linha foram determinados usando a equação mostrada abaixo.

Onde (β1 é o comprimento)

A impedância de meio e quarto de comprimento de onda da linha é

respectivamente e .

Claramente, as linhas de quarto de onda são usadas para transformar o curto

circuito RF em um circuito aberto e vice-versa. Portanto para um curto circuito ser
terminado, ele deveria ter impedância de entrada infinita pois como (curto
circuito) o (circuito aberto).

A impedância característica de linhas /4 deveriam então ser infinitas = uma

vez que = / . No entanto, é escolhido para ser igual a 90 ohms para que o
comprimento das linhas /4 no microstrip não sejam muito pequenas, uma vez que por
causa disso se deveria aumentar a impedância das linhas.

As linhas /2, são usadas no projeto, para certificação de que toda a potência da
entrada é fornecida para saída. Enquanto, linhas /4 são como um link entre os
circuitos de polarização e os circuitos microstrip.

O circuito de polarização é conectado ao fim do curto circuito usando capacitor de

bypass (stub radial) e o microstrip. O stub radial mostrado na figura 37 é usado
particularmente em circuitos integrados monolíticos porque podem fornecer uma certa
precisão, ponto de impedância localizada nula (zero) e também para manter a baixa
impedância de entrada sobre o extensa faixa de frequências.

Figura 37: Estrutura de stub radial

46
 Na figura 37, o ângulo para o stub é escolhido como 90º pois ele (stub) se
aproxima de 0 em 4 GHz.

O valores dos capacitores chip (microondas) são 2,2 pF tipo "caso B". Ele foi
escolhido pois sua fornecida impedância de entrada é igual a zero na frequência de
ressonância em 4GHz. Por esta razão, o capacitor será visto como curto circuito em
sinal AC ao invés de circuito aberto em DC.

10.3 Fabricação

O completo circuito é realizado usando o Autosketch, depois de todas as

dimensões das linhas terem sido calculadas e verificadas. Ver figura 38. O gap de 4
mm de comprimento foi intocado para fixar os diodos pin e os capacitores chip.

Figura 38: Diagrama do circuito com dimensões em milímetros

47
10.4 Resultados

Tabela 8: Resultados para diodo P1 OFF Tabela 9: Resultados para diodo P1 ON

Tabela 11: Resultados para diodo P2 OFF Tabela 10: Resultados para diodo P2 ON

O diodo pin (no estado OFF) deveria ter se comportado como um resistor de alta
impedância para que a corrente não fluísse através da linha de transmissão.

Conhecimentos necessários para obter um circuito microstrip a partir de um

circuito elétrico convencional:

 Linhas de transmissão

 Projeto de circuitos microstrip

 Elementos de circuito concentrados

48
11 CONCLUSÃO

O presente trabalho permitiu aquisição de importantes conhecimentos sobre

chaves eletrônicas de radio frequência. A partir do estudo das diversões configurações
de chaves que utilizam diodo PIN obteve-se conhecimento de quais circuitos são
utilizados para direcionar sinais de altas frequências através de dispositivos e meios de
transmissão. O conhecimento adquirido sobre diodos PIN permitiu também ter maior
noção de algumas das aplicações de eletromagnetismo-eletrônica, como às
fotodetectores e os retificadores de alta potência.

Destaco que houve certa dificuldade em ser conciso no relatório, apresentando

somente os temas de real interesse, os quais são as chaves eletrônicas de alta
frequência.

Este relatório forneceu possíveis caminhos para futuros trabalhos experimentais,

os quais utilizem componentes de estado sólido. As interessantes e robustas
características dos mesmos, bem como relativo baixo custo de aquisição, abrem
margem para uma extensa gama de aplicações nos mais diversos ramos da
engenharia elétrica. Enfim, os conhecimentos adquiridos, certamente serão utilizados
para projetar dispositivos e sistemas que demandem as características apresentadas
pelos componentes de estado sólido.

49
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

Agilent , Disponível em
< http://www.home.agilent.com/upload/cmc_upload/All/Agilent-1GG6-
8054.pdf?&cc=BR&lc=por>
Acesso em 01 Ago. 2013

Macom Tech
<https://www.macomtech.com/datasheets/MA4AGSW4_rev4.pdf>
Acesso em 01 Ago. 2013

Triquint, Disponível em
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Acesso em 01 Ago. 2013

Chalmers, Disponível em
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< http://mwrf.com/components/design-spdt-switch-wimax >
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Radio-Electronics, Disponível em
< http://www.radio-electronics.com/info/data/semicond/pin_diode/p-i-n_diode.php >
Acesso em 27 Jul. 2013

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Agilent , Disponível em
< http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/5989-7618EN.pdf >
Acesso em 27 Jul. 2013

IEEE, Disponível em
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Penang, Malaysia.

YO3DAC / VA3IUL , Disponível em

<http://www.qsl.net/va3iul/Microstrip_Stripline_CPW_Design/Microstrip_Stripline _an
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Acesso em 06 Ago. 2013

51