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I. OBJETIVOS:
cb´e y cb´c; son las capacitancias parasitas del transistor. cb´ c es la capacitancia de la
union colector-base apesarde que es una capacitanciavariable, sueleconsiderarse
constante en una región de operación particular del transistor. La capacitancia cb´ e, la
cual es capacitorbase-emisor.Elvalordeeste capacitorapareceenlas hojasdedatos
como Cib´. Esta capacitancia es la suma de la capacitancia de difusión del emisor
y la capacitanciadela union del emisor.Debidoaqueel primercapacitoresel mas
grandede los dos, cb´e es aproximadamente iguala la capacitancia de difusion
(conocida también como capacitancia de carga de la base).
IV. PROCEDIMIENTO:
C4
R4 C3
V1
12 V
C1
2. Sin aplicar la señal a medir:
Vi(p)=6.25mv
Para una frecuencia de 700KHz tenemos una señal de salida de: (2.65)(200m)v=0.53v
F(Hz) 800 1k 100k 200k 300K 700K 900K 1.5M 2.5M 3.5M 5M 7M 10M
Vo(V) 0.76 0.76 0.75 0.7 0.7 0.53 0.46 0.3 0.2 0.15 0.1 0.06 0.04
Vo/Vi
(d B) 41.6 41.6 41.5 40.9 40.9 38.5 37.3 33.6 30.1 27.6 24 19.6 16.1
Observamos en el cuadro y en las graficas que después de la frecuencia de corte superior hay una
caída en la ganancia, y conforme se incrementa la frecuencia la ganancia tiende a cero.
Para las frecuencias antes de la frecuencia de corte superior la ganancia es casi constante hasta
llegar a un punto de corte inferior, esto se estudio en la experiencia anterior.
V. CUESTIONARIO FINAL
A altas frecuencias también existe una alteración del factor de amplificación (β), puesto que
hay frecuenciasqueestánenfuncióndelapolarizacióndeltransistor,ylacorrecta
polarizacióndel transistor nos da un preciso valor del factor de polarización.
3. De acuerdo a su grafico encontrar fh.
A altas frecuencias aparecen las capacidades parasitas del transistor cb´ e, cb´ c, cce.