Si − CuInS2

Erick Leonel Espinosa Villatoro

Dr. Enrique Quiroga González
Semiconductores
15 de Enero de 2018

Si
El contenido de Si (25.7%) en la corteza terrestre es superado únicamente por el oxígeno (46.7%).
El Si consiste de 3 isótopos estables, Si (92.23%), Si (4.67%), Si (3.10%), y 12 isótopos artificiales
radioactivos números de masa de 22 a 39 y una vida media de 0.10 seg a 1.6x102 años. El Si (ver
Figura 1), es por ahora, el material más estudiado entre todas las sustancias conocidas (con un
posible competidor - el Ge). Se podría decir que el Si es la sustancia más ampliamente usada como
elemento activo de la mayoría de dispositivos electrónicos modernos utilizando sus propiedades
eléctricas, ópticas, fotoeléctricas, termoeléctricas, térmicas, mecánicas, y otras. La estructura
cristalina del Si bajo condiciones estándar es la misma que la del diamante [1–3].

Figura 1: Trozo de Si.

CuInS2
El compuesto ternario CuInS2 (CIS) es un semiconductor
con un ancho de banda directa Eg = 1.5 eV y una
conductividad eléctrica de tipo n y p a temperatura
ambiente. Se calculó un valor teórico del 30% para
la eficiencia de conversión fotovoltaica en este material.
CuInS2 fue considerado como un material prometedor
para fotodetectores y celdas fotovoltaicas. No se
Figura 2: Micrografía SEM de una incluye ningún componente altamente tóxico en este
película delgada de CulnS2 (Cu/In = compuesto semiconductor, debido a ello, es de interés
0.97) [4]. investigar sus propiedades fundamentales y experimentales
[4, 5].

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 Si − CuInS2

En la Tabla 1 se mencionan varias de las propiedades físicas y optoelectrónicas del Si y del CIS
[1–6].

Tabla 1: Propiedades Físicas, Ópticas y Electrónicas de Si y CuInS2 a 300 K.

Material Si CuInS2
/
Parámetro
B Al P As
∆Ed ∼ 0.046 eV ∼ 0.05 eV 0.5 eV
∆EA ∼ 0.045 eV
µh 500 0.36 (cm2 /V s)
(cm2 /V s)
µe 1450 1700 170 (cm2 /V s)
(cm2 /V s) (cm2 /V s)
Eg 1.12 eV 1.50 eV
α 9.5E4−1.3E3 0.711 0.68 > 10E5 (/cm)
Vis
4.5E − 5 Eg
(/cm)
n 5.5 − 3.7 Vis
3.5 Eg
n0 1x1018 cm−3 9.20x1016 9.68x1016 5.3x1015 cm−3
cm−3 cm−3
τ 11.7 11

¿Cómo dopar tipo p y tipo n a Si y CuInS2 ?

En [3] el material CuInS2 policristalino fue sintetizado a una T ≈ 1100 K usando elementos de una
pureza nominal de 5N. Los cristales tipo−n fueron crecidos por el método Bridgman horizontal [7]
del CIS fundido con un 1% de exceso de In.
Para aumentar la conductividad (que sea más conductor) de un SC (Semiconductor), se le suele
dopar o añadir átomos de impurezas a un SC intrínseco, un SC dopado es un SC extrínseco. Para
obtener Si tipo−n se suelen añadir impurezas de valencia 5 (As, Sb, P).

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 Si − CuInS2

Figura 3: Cristal de Si dopado con átomos de valencia 5 [8].

Los átomos de valencia 5 tienen un electrón de más, así con una temperatura no muy elevada
(a temperatura ambiente por ejemplo), el 5◦ electrón se hace electrón libre. Esto es, como solo se
pueden tener 8 electrones en la órbita de valencia, el átomo pentavalente suelta un electrón que será
libre. Siguen dándose las reacciones anteriores. Si metemos 1000 átomos de impurezas tendremos
1000 electrones más los que se hagan libres por generación térmica (muy pocos).

A estas impurezas se les llama "Impurezas Donadoras". El número de electrones libres se llama
n (electrones libres/m3 ).

ND = átomos de impurezas donadoras/m3

En cambio para obtener Si tipo−p se añaden impurezas de valencia 3 (Al, B, Ga).

Figura 4: Cristal de Si dopado con átomos de valencia 3 [8].

Los átomo de valencia 3 tienen un electrón de menos, entonces como nos falta un electrón
tenemos un hueco. Esto es, ese átomo trivalente tiene 7 electrones en la orbita de valencia. Al
átomo de valencia 3 se le llama "átomo trivalente" o "Aceptor".

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 Si − CuInS2

A estas impurezas se les llama "Impurezas Aceptoras". Hay tantos huecos como impurezas de
valencia 3 y sigue habiendo huecos de generación térmica (muy pocos). El número de huecos se
llama p (huecos/m3 )[8, 9].

NA = átomos de impurezas aceptoras/m3

Y existen varias técnicas para realizar un dopado del material SC, por ejemplo: Durante el
crecimiento (método Czochralski), por difusión o por implantación iónica [10].

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 Si − CuInS2

Usos
El Si se utiliza en aleaciones, en la preparación de las siliconas, en la industria de la cerámica
técnica y, debido a que es un material semiconductor muy abundante, tiene un interés especial en
la industria electrónica y microelectrónica como material básico para la creación de obleas o chips
que se pueden implantar en transistores, pilas solares y una gran variedad de circuitos electrónicos.
El silicio es un elemento vital en numerosas industrias. El dióxido de silicio (arena y arcilla) es
un importante constituyente del hormigón y los ladrillos, y se emplea en la producción de cemento
portland. Por sus propiedades semiconductoras se usa en la fabricación de transistores, celdas solares
y todo tipo de dispositivos semiconductores; también se están estudiando las posibles aplicaciones
del siliceno, que es una forma alotrópica del Si que forma una red bidimensional similar al grafeno.
Otros importantes usos del Si son [11]:

• Como material refractario, se usa en cerámicas, vidriados y esmaltados.

• Como elemento fertilizante en forma de mineral primario rico en silicio, para la agricultura.

• Como elemento de aleación en fundiciones.

• Fabricación de vidrio para ventanas y aislantes.

• El carburo de silicio es uno de los abrasivos más importantes.

• Se usa en láseres para obtener una luz con una longitud de onda de 456 nm.

• La silicona se usa en medicina en implantes de seno y lentes de contacto.

El CIS por su parte puede ser usado en varias aplicaciones dependiendo de su morfología, por
ejemplo, en forma de nanocristales (NCs) el CIS tiene un gran potencial para una variedad de
aplicaciones incluyendo la recolección de energía solar, catálisis, y en biomedicina [2].

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Bibliografía

[1] L. I. Berger, Ternary Diamond Like Semiconductors, 1st ed. CRC, 1969.

[2] A. P. Leach and J. E. Macdonald, “Optoelectronic properties of cuins2 nanocrystals and their
origin,” Physical Chemistry Letters, vol. 7, pp. 572–583, 2016.

[3] D. Cybulskai and A. Opanowics, “Electrical and photoelectrical properties of n − cuins2 single
crystals,” Cryst. Res. Technol., vol. 32, no. 6, pp. 813–820, 1997.

[4] Y. Ogawa, S. Uenishi, K. Tohyama, and K. Ito, “Preparation and properties of cuins2 thin
films,” Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 35, pp. 157–163, 1994.

[5] A. Amara, W. Rezaiki, A. Ferdi, A. Hendaoui, A. Dricia, M. Guerioune, J. Bernède, and

M. Morslib, “Electrical and optical characterisation of cuins2 crystals and polycrystalline
coevaporated thin films,” Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 91, pp. 1916–1921,
2007.

[6] H. Neumann, W. Horig, V. Savelev, J. Lagzdonis, B. Schumann, and G. Kühn, “The optical
properties of cuins2 thin films,” Electronics and Optics, vol. 7, pp. 167–171, 1981.

[7] P. Rudolph and F.-M. Kiessling, “The horizontal bridgman method,” Crystal Research
and Technology, vol. 23, no. 10-11, pp. 1207–1224, 1988. [Online]. Available: http:
//dx.doi.org/10.1002/crat.2170231002

[8] (2018, Enero). [Online]. Available: http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/

tema2/Paginas/Pagina5.htm

[9] F. Morin and J. Maita, “Electrical properties of silicon containing arsenic and boron,” Physical
Review, vol. 96, no. 1, pp. 28–35, 1954.

[10] (2018, Enero). [Online]. Available: https://www.uv.es/candid/docencia/ed_tema-03.pdf

[11] W. D., S. E., and K. Hesse, “K. in proc. of the 19th european pvsec,” in Silicon, 2004, pp.
564–567.