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--
Metal -- + + + + N
--
-- + + + +
Barrera de tensión: VO = Fm- Fs
Fm > Fs y semiconductor tipo N
Polarización directa
Nivel energético del vacío q·(Fm- Fs-V)
q·(Fm- Fs)
-j
Estados
vacíos n q·c
q·(Fm- Fs) q·c
q·Fm Estados Electrones q·Fs
vacíos ECEC
q·(Fm- Fs-V)
EFm EEFs
Fs
EVV
Electrones Electrones
Electrones
-
--- ++ ++ + +
+ Metal - ++ ++ + +
--
N -
Fmm--F
F Fss- V
Fm > Fs y semiconductor tipo N
Polarización directa
EFm E
ECFs
EV E
Fs
Electrones Electrones EV
Electrones Muy
importante
------
---- + + + + + +
- Metal ------ + + + +
---- ++
N +
FFmm--FFss- V
Fm < Fs y semiconductor tipo P
Nivel energético del vacío
Estados
q·Fm vacíos
q·c
Estados
vacíos q·Fs
EC
EFm
EFs
Electrones EV
Huecos
Electrones
Características
•Menor caída de tensión en conducción que un diodo
de unión.
•Mayor rapidez de conmutación (los minoritarios no
intervienen en la conducción).
•Mayor corriente inversa.
•Menor tensión inversa máxima. Símbolo
Muy
importante
Fm < Fs y semiconductor tipo N
Nivel energético del vacío
q·c
q·Fm Estados Estados
vacíos vacíos q·Fs
Electrones
EFm EC
EFs
Electrones
EV
Electrones
EC
EFm EFs
EV
Electrones Electrones
Estados Estados
vacíos vacíos
- - - -
EC
EFm EFs
EV
Electrones
Electrones
Electrones
Efecto tunel
-- + +
+ -
--- + +
+
+ --
Metal --
--
+
+
+
+
+
+
N+ +
+
-
- N
-- + +
+ -
-