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AGOSTO • 2017
formulario
EXAMEN GENERAL PARA EL EGRESO DE LA LICENCIATURA
EN INGENIERÍA ELECTRÓNICA
AGOSTO • 2017
Este Formulario es un instrumento de apoyo para quienes sustentarán el Examen General
para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO) y está
vigente a partir de agosto de 2015.
D. R. 2017
Centro Nacional de Evaluación
para la Educación Superior, A. C. (Ceneval)
Octava edición
[EGEL-IINDU]
Directorio
Dirección General
Dr. en Quím. Rafael López Castañares
Dr. José Luis Tecpanecatl Xihuitl Dr. Julio César Rodríguez Quiñonez
Universidad Autónoma de San Luis Universidad Autónoma de Baja
Potosí California
II CO CP CA
donde:
II =Inversión inicial
CO = Costos de operación
CP = Costos de producción
CA = Costos de administración y ventas
TMAR * i
n
donde:
TMARmixta I1 PR1 %I1 %PR1 I2 PR2 %I2 %PR2 In PRn %In %PRn
donde:
11
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n
St
VPN S0
t 1 1 i t
donde:
1 i n 1
VPN P A VS
i 1 i n
donde:
n
FNEn VS
TIR
1 (1 i )n
(1 i )n
donde:
12
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UN
ROI
I
donde:
CF
PE
CV
1
VT
donde:
PE = Punto de equilibrio
CF = Costos fijos
CV = Costos variables
VT = Ventas totales
Costo beneficio
B B D
C C
donde:
13
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Ingeniería económica
Interés simple
I niP
Interés compuesto
F
i n 1
I
F P 1 i
n
1
P F
1 i n
Cantidad compuesta serie uniforme
1 i n 1
F A
i
14
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Fondo de amortización
i
AF
1 i n 1
i 1 i n
A P
1 i n 1
1 1 I n
P A
i
Series de gradiente
A G 1
i n
1 i n 1
m
r
ief 1 1
m
Capitalización continua
m
r
i lim 1 1 er 1
m m
Definición de “e”
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m
1
i lim 1 e
m m
F
em
P
P
e m
F
F
em 1
A
er 1
P
1 em
A
er 1
A 1 n
G 1 e m em 1
Pagos continuos
F
em 1
Aˆ r
P
em 1
Aˆ rem
Tasa mixta
i
1
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Valor presente
n
Vp Flujo(P / F , i , j )
j 0
Valor futuro
n
Vp Flujo(F / P, i , j )
j 0
n
Vp Flujo(P / F , i , j ) * A / P, i , j
j 0
SAUE CAUE
Recuperación de capital
CAUE SAUE RC
P Vs
A
iVs
P, i , n
Retiro y reemplazo
CAUE j RC j A j
n
Vp Flujo inicial Flujo(P / F, i , j )
j 1
Periodo de recuperación
ABS(flujo )
Pr
ingreso por periodo
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Razón costo-beneficio
B D
B
C C
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Radiofrecuencia
YrYt
C
2g1g0 Re YrYt
2 g1 Gs g0 GL
K
YrYt Re YrYt
2
Yr
MAG
4g1g0
donde:
2 2 2
1 S11 S22
K 1
2 S12S21
donde:
S11S22 S12S21 1
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Teorema de Miller
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1
fp1
R
2ro C C 1 g mRL L C CL
ro
CgL C g m g o gL CL g o gm
fp 2
2C C CL C C CL
donde:
1
RL
gL
1
r o
g o
21
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Considere el caso anterior (Respuesta en altas frecuencias de un amplificador emisor común (BJT)) y
en las expresiones según la figura.
SiCi>> Cπ y Cµ es despreciable
r ro
g R s2
Ri r RL ro m L
H s
1 1
s s
Ci Ri r Co ro RL
1
fp1
2Ci Ri r
22
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1
fp 2
2Co ro RL
Si Cµes despreciable:
1 ro
g Rs
Ri Cgs RL ro m L
H s
1 Ci Cgs 1
s s
Ri Ci Cgs Co ro RL
1
fp1
Ci Cgs
2R1
Ci Cgs
1
fp 2
2Co ro RL
Parámetros de dispersión
23
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b1 S11 S12 a1
b S
2 21 S22 a2
b1
S11 Coeficiente de reflexión del puerto 1 (Entrada)
a1 a
2 0
b2
S21 Coeficiente de transmisión del puerto 1 al 2 (Ganancia)
a1 a2 0
b1
S12 Coeficiente de transmisión del puerto 2 al 1 (Ganancia en inversa)
a2 a10
b2
S22 Coeficiente de reflexión del puerto 2 (Salida)
a2 a10
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Líneas de transmisión
Impedancia característica
2D
Z0 276log
d
donde:
1 D D
Z0 ln 138 r log
2 d r d
donde:
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Si t<<W
60 8b W W
ln Sí 1
e W 4b b
Z0
120 W
Sí 1
e W / b 1.393 0.667ln W / b 1.444 b
donde:
r 1 r 1 1
e
2 2 1 12b / W
En otro caso:
87 5.98b
Z0 ln
1.41 0.8W t
r = constante dieléctrica
W = ancho de la pista
t = espesor de la pista
b = distancia entre la pista al plano a tierra
60 4d
Z0 ln
0.67W 0.8 t / b
Impedancia característica
R j L
Z0
G j C
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Constante de propagación
R j L G j C
Velocidad de propagación
1
vp
LC
Tiempo de retardo
td LC
Ondas estacionarias
Coeficiente de reflexión
Vr
Vi
ZL Z0
ZL Z0
Si Vmax 1 y Vmin 1
entonces:
Vmax Vmin
Vmax Vmin
donde:
= Coeficiente de reflexión
Vr = Voltaje reflejado
Vi = Voltaje incidente
27
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V max 1
SWR
V min 1
y
SWR 1
SWR 1
Si ZL y ZL Z0 , entonces:
ZL
SWR
Z0
Si ZL y ZL Z0 , entonces:
Z0
SWR
ZL
donde:
Zin ZL
Z02
Zin
ZL
28
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a
b 2a b
2 b
C (F/m)
In b/a In d/a a
a
L (Hy/m) In b/a In d/a
2 b
2 cq 2 cq cq b
G (Ω M)-1
In b/a In d/a a
Rs 1 1 Rs 2 Rs
R (Ω/m) +
Alta 2 a b a b
frecuencia a
Z0 (Ω) In b/a In d/a
2 b
p 1 1 2p 2p
R (Ω/m) +
Baja a 2
2bt a 2 bt
frecuencia R i L
Z0 (Ω)
G i C
29
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Antenas
Ganancia directiva
Pantena de prueba
GdB
Pantena de referencia
dB
Resistencia de radiación
Pradiada
Rr 2
Ientrada
2
l
Rr 790
fm fL fH
Longitud efectiva
292
le
f
Área efectiva
Wr
Aef
Pi
P , Re E H
Impedancia característica del medio
E
H
Wr P , ds
30
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Directividad
Pmax
D
Wr
4r 2
Lóbulo
HPBW
Lóbulo trasero
0.5
Lóbulo lateral
BWn 2.25BW3dB
30Dt Pt
E
d
31
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Conectores
RJ45
32
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RJ11
Colores Colores
Posición RJ11 RJ10 RJ14 Par T/R ± Colores cat 5e/6 Colores
antiguos alemanes
1 1 3 T + blanco/verde blanco/verde naranja rosa
2 2 1 2 T + blanco/naranja blanco/naranja negro verde
3 3 2 1 1 R – azul azul/blanco rojo blanco
4 4 3 2 1 T + blanco/azul blanco/azul verde marrón
5 5 4 2 R – naranja naranja/blanco amarillo amarillo
6 6 3 R – verde verde/blanco azul gris
33
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VGA
Pines
34
Formulario para el sustentante del
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Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
USB
Patillaje
Pin 2 Data-
Pin 3 Data+
Pin 4 Ground
DB9
Se debe tener en cuenta que existen adaptadores DB9-DB25 para convertir fácilmente un enchufe
DB9 en uno DB25 y viceversa.
Pines
35
Formulario para el sustentante del
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Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
DB-25
Asignaciones de patas el conector D-25 para impresoras:Este conector trabaja para el puerto
paralelo.
36
Formulario para el sustentante del
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Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
IEEE.488
Terminales
37
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
RS-232 DB9
38
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RS – 422/485 DB – 9
39
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Formulario general
Matemáticas
Álgebra
Propiedades de desigualdades
Si x y x z y z
Si x y; z 0 xz yz
x,y,z
Si x y; z 0 xz yz
Si x y; y z x z
p
Las raíces racionales de f son de la forma donde p es factor de a0 y q de an.
q
40
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Para matrices A y B
AB T BT AT
det A det AT
det AB det A det B
A Adj A Adj A A
1
det (A-1 ) A no singular
det (A)
donde:
tr A= traza de A
AT= transpuesta de A
p an q an p q a n am an am n
am
a a
n m
n
a m n m n
amn
a
n 1 an a n
a n
an b b
p n a q n a p q n a n
ab n a n b
1
n
a a a n n x
n amx n am
n
b b b
m
m
n
am n
a an a i a
2
*No es válida en algunos casos por ejemplo: 22 2, 2 2
41
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a3 b3 a b a2 ab b2
a3 b3 a b a2 ab b2
b b2 4ac p p2
ax 2 bx c 0 x1,2 x 2 px q 0 x1,2 q
2a 2 4
an bn a b an 1 an 2b an 3b2 abn 2 bn 1
Logaritmos
x
log x y log x log y log log x log y
y
1
log x n n log x log n x log x
n
loga n n log a loga a 1
log1 0
Binomio de Newton
n n n n 1 n n 2 2 n n 3 3
a b n a a b a b a b
0 1 2 3
n n n 1 n 2 n k 1
k 1 2 3 k
42
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nx n n 1 x
2
1 x 1
n
1! 2!
Teorema binomial
n
n k n k
x a n x a
k 0 k
Permutaciones
Pn n ! 1 2 3 n
Combinaciones y ordenaciones
n! n Ck
r n k 1! n k 1
n
Ckn k ! n 1 ! k
k ! n k ! k
r con repetición
1
f x 1 x 1 x x2
2!
1 2 3 n 1
n n!
43
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f ´ a f ´ a
f x f a x a x a 2
1! 2!
f ´ 0 f ´´ 0
f x f 0 x x2
1! 2!
Expansión de Taylor
x x2 x3
ex 1 x
1! 2! 3!
A1x B1y C1
A2 x B2 y C2
Se resuelve mediante:
A1 B1
= = A1 B2 - B1 A2
A2 B2
C1 B2
x
C2 B2
C1 B2 B1 C2
A1 C2
y
A2 C2
A1 C2 C1 B2
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Se resuelve mediante:
A1 B1 C1
A2 B2 C2 A1B2C3 A2B3C1 A3B1C2 A3B2C1 A1B3C2 A2B1C3
A3 B3 C3
D1 B1 C1
D2 B2 C2
D3 B3 C3 D1B2C3 D2B3C1 D3B1C2 D3B2C1 D1B3C2 D2B1C3
x
A1 D1 C1
A2 D2 C2
A3 D3 C3 A1D2C3 A2D3C1 A3D1C2 A3D2C1 A1D3C2 A2D1C3
y
A1 B1 D1
A2 B2 D2
A3 B3 D3 A1B2D3 A2B3D1 A3B1D2 A3B2D1 A1B3D2 A2B1D3
z
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Álgebra lineal
Si B v 1, v 2 ,
, v n es base de un espacio V; x V
x B
1, 2 , , n
T
Si u, v , w V C espacio vectorial, entonces f u,v u | v es producto interno en V si:
1) u | v v |u
2) u | v w u | v u | w
3) u | v u | v
4) u | u 0 si u 0
12
v v |v norma de v
d u, v v u distancia de u a v
cos
u v coseno del ángulo entre u y v
u v
Si B g1, g2 ,
, gn es base ortogonal de un espacio V; v V y v
B
1, 2 , , n entonces
T
i
v | g i
i 1, 2, ..., n
g | g
i i
Si e1, e2 ,
, em es base ortonormal de un subespacio W del espacio V y v V; entonces, la
v |ei ei
m
proyección de v sobre W es:
i=1
46
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T V T v | v V
recorrido de V
N T v V / T v O núcleo de T
Para T:VW
A v1, v 2 ,
,v n base de V y B base de Wla matriz asociada a T, MBA T tiene por columnas a:
B
T v1 , T v 2 ,
B
, T v n
B
T v v con 0 y v 0
47
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Cálculo diferencial
En una curva y f (x) , la pendiente m varía en cada punto. La pendiente de la curva en un punto P
es también la tangente en dicho punto:
y '
m tan
x '
y
La intensidad media de variación de la función y f ( x ) es la relación de los incrementos
x
correspondientes al segmento de curva PP1
y f ( x x ) f ( x )
x x
Cuando x tiende a cero, el punto P1 tiende al punto P, y la secante PP1 , a la tangente a la curva en
P. De manera que la relación de incrementos se convierte en la relación de diferenciales, que es la
derivada (o Intensidad de cambio) de la función en P:
y dy
y ' lim f '( x )
x 0 x dx
Si para cada x de una curva se lleva la pendiente (o derivada) correspondiente y' como ordenada, se
obtendrá la curva de y ' f '( x ) , o de la primera derivada de la curva dada y f ( x ) . Si se deriva la
curva y ' f '( x ) se obtendrá y '' f ''( x ) o la segunda derivada de la curva dada y f ( x ) , etc.
(1 y 2 )3
y
48
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Punto de inflexión
Forma de la curva y f ( x )
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Crecimiento y decrecimiento
Curvatura
Otros casos
Si para x a
y '(a) y ''(a) y '''(a) y ( n 1) (a) 0 , pero y n 0 , pueden presentarse los cuatro casos
siguientes:
50
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Tablas de derivadas
d d
(c ) 0 cx c
dx dx
d
dx
cx n ncx n 1
d
dx
u v w
du dv dw
dx dx dx
d du d dv du
cu c uv u v
dx dx dx dx dx
du dv
d dw dv du v u
uvw u v u w v w d u
2
dx dx
dx v
dx dx dx dx
v
du 1
d
dx
u n nu n 1
du
dx
dx dx
du
dF dF du
(Regla de la cadena)
dx du dx
d v d v ln u d du dv
dx
u
dx
e ev ln u
dx
v ln u vuv -1 dx uv ln u dx
d loga e du d u du
loga u a 0, a 1 a au ln a
dx u dx dx dx
d d 1 du d u du
ln u loge u e eu
dx dx u dx dx dx
d du d du
sen u cos u cot u csc 2 u
dx dx dx dx
d du d du
cos u sen u sec u sec u tan u
dx dx dx dx
d du d du
tan u sec 2 u csc u csc u cot u
dx dx dx dx
d 1 du d 1 du
cos1 u sen1 u
dx 1 u 2 dx dx 1 u dx
2
0 cos1 u sen1 u
2 2
d 1 du d 1 du
tan1 u cot 1 u
dx 1 u 2 dx dx 1 u 2 dx
tan1 u 0 cot 1 u
2 2
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d 1 du 1 du d 1 du 1 du
sec 1 u , csc 1 u ,
dx u u 2 1 dx u u 2 1 dx dx u u 2 1 dx u u 2 1 dx
1
si 0 sec u 2 si 0 csc 1 u
2
si sec 1 u si
csc u 0
1
2 2
d du d du
senh u cosh u coth u csc h2 u
dx dx dx dx
d du d du
cosh u senh u sec h u sec h u tanh u
dx dx dx dx
d du d du
tanh u sec h2 u csc h u csc h u coth u
dx dx dx dx
d 1 du d 1 du
sen h-1u tanh1 u , 1 u 1
dx u 2 1 dx dx 1 u 2 dx
d 1 du
d 1 du cos h -1u ,
csc h-1u , dx u 2 1 dx
dx u 1 u 2 dx
si cosh1 u 0, u 1
si u 0, si u 0
si cosh1 u 0, u 1
d 1 du
sec h-1u , d 1 du
dx u u 2 1 dx coth1 u ,
dx 1 u 2 dx
si sec h 1u 0, 0 u 1
u 1 ó u 1
si sec h 1u 0, 0 u 1
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Cálculo integral
Significado de la integración
Por integración se entiende el encontrar una función F ( x ) a partir de una función dada y f ( x ) de
manera que la derivada F ( x ) sea igual a la original f ( x ) . Por lo tanto,
dF ( x )
F ( x ) f (x)
dx
La integral indefinida
f ( x )dx F ( x ) C
C es una constante indeterminada que desaparece al derivar, ya que la derivada de una constante es
igual a cero.
Como muestra la figura, hay una infinidad de curvas y F x con pendiente o derivada y F x .
Todas las curvas y f x son iguales pero desplazadas paralelamente y en la dirección del eje y . La
constante C fija una curva determinada. Si la curva debe pasar por el punto x0 , y 0 se tendrá:
C y 0 F ( x0 )
53
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La integral definida
b
a f ( x )dx F ( x ) a F (b) F (a)
b
En la integral resultante se sustituye primero el límite superior y luego el inferior, y se resta el segundo
resultado del primero. Desaparece así la constante C.
54
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Reglas de integración
Formas fundamentales
u dv uv v du e du eu C
u
1 n 1 au
u du C n 1
a du
n
u u
C
n 1 ln a
du
u
ln u C
Formas trigonométricas
Formas cuadráticas
u a2 du
sen1
u
a2 u 2 du
2
a2 u 2
2
ln u a2 u 2 C a u
2 2 a
C
2 du 1 1 u
3bu 2a a bu
3
u a budu
15b 2
2 C a2 u 2 a tan a
C
du 1 u
a2 u 2 a a2 u 2 u sec 1 C
u
du a2 u 2 a ln
u
C
u 2 a2 a a
a2 u 2 du 1 u a
u2
du
2
C a2 u 2 2a ln u a C
a u
2 2 a u
du u du 1 u a
C u 2 a2 2a ln u a C
a
3/2
2
u2 a 2
a u
2 2
55
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a2 u 2 a2 u 2 du 1 a2 u 2 a
u2
du
u
ln u a2 u 2 C u a2 u 2 a ln u
C
u a u du
2 2 2 u
8
2u 2 a2 a2 u 2
a4
8
u
sen1 C
a a2 u 2 du
u
2
a2 u 2
a2
2
u
sen1 C
a
u 2du u 2 a2 du
2
a u 2 ln u a2 u 2 C
2
a u
2 2
ln u a2 u 2 C
a2 u 2
u a2 u 2du u 2 a2 u
u 2 a2 du
2
u 2 a2
2
ln u u 2 a2 C
2
a u2
2
sen1 C
a
a2 u 2
a2 u 2 a a2 u 2 a2 u 2 1 2 u
du a2 u 2 a ln C 2
du a u 2 sen1 C
u u u u a
1 a a2 u 2 u n du 2u n a bu 2na u n 1du
du
u a2 u 2 a ln
C a bu
b 2n 1
b 2n 1 a bu
u
du 1 u 2 a2
u2 a u
2 2
a u2
a2 u 2 C
a
du u 2 a2 a cos1 C
u u
u 2du 1 a2 u 2 a2 u 2 a2
a bu 2
b3
a bu
a bu
2a ln a bu C du ln u u 2 a2 C
u2 u
du u du
C ln u u 2 a2 C
a
3
2
u2 2 a 2
a u2 2
u a
2 2
a bu b2 a bu a ln a bu C
u 2du u 2 a2 udu 1
u 2 a2
2
u a2
2
ln u u 2 a2 C
du a bu b 2n 3 du u 2 a2
un a bu
a n 1 u n 1
2a n 1 u n 1 a bu u2
du
a2u
C
u 2 a2
udu 2 du u
bu 2a a bu C
a bu
2 3
3b
u 2 a2 2 a 2
u 2 a2
du 1 u a bu a
u a bu a ln a bu C
u
du
1
ln C, si a 0
a bu a a bu a
2 a bu
tan1 C, si a 0
a a
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du 1 b a bu a bu du
u 2 a bu au a2 ln u
C u
du 2 a bu a
u a bu
udu a 1 a bu a bu b du
a bu 2 b2 a bu b ln a bu C u 2
du
u
2 u a bu
du 1 1 a bu
u a bu 2 a a bu a2 ln u
C
a
3
u 3a 4 u
2
u2 2
du 2u 2 5a2 a2 u 2 sen1 C
8 8 a
u a u du
2 2 2 u 2
8
a 2u 2 a2 u 2
a2
8
ln u a2 u 2 C
u 2du 1
a bu 2b3 a bu 4a a bu 2a ln a bu C
2 2
u u a du
2 2 2 u
8
2u 2 a2 u 2 a2
a4
8
ln u u 2 a2 C
n 1
cos u du 21 u 41 sen2u C
2
sen
n
u du n1 senn 1 u cos u
senn 2 u du
n
n 1
tan u du tan u u C
2
n 1 n 2
cos u du n1 cos u sen u n cos u du
n
cot u du cot u u C
1 2
n 1 n 2
tan u du n 1tan u tan u du
n
1 n 1
cot u du n 1cot u cot u du
n n 2
sen
3
u du 31 2 sen2 u cos u C
1 n 2 n2
sec u du n 1 tan u sec u n 1 sec u du
n n 2
cos
3
u du 31 2 cos2 u sen u C
n2
tan u du 21 tan u ln cos u C
1 3 2
n 2 n 2
csc u du n 1cot u csc u n 1 csc u du
n
u
n
cos u du u n sen u n u n 1 sen u du cos a b u cos a b u
sen au cos bu du 2 a b
2 a b
C
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2u 2 1 u 1 u2 1 u2 1 u
1 1
utan u du tan 1u C
u cos u du
4
cos u
4
C
2 2
1 1 n 1 1 u n 1du sen
1
u du u sen1 u 1 u 2 C
u sen u du u sen u , n 1
n
n 1 1 u 2
1 1 n 1 1 u n 1du cos
1
u du u cos1 u 1 u 2 C
u cos u du u cos u , n 1
n
n 1 1 u 2
n 1
u tan u du
1 n 1 1
u tan u
u n 1du
, n 1 tan
1
u du u tan 1u 21 ln 1 u 2 C
n 1 1 u 2
ue
au
du
1
au 1 eau C ln u du u ln u u C
a2
1 n au n n 1 au u n 1
u e du a u e a u e du n 1 ln u 1 C
n au
u ln u du
n
n 12
eau 1
e sen bu du
au
a b
2 2
a sen bu b cos bu C u ln u du ln ln u C
eau
e cos bu du
au
a cos bu b sen bu C
a2 b2
Formas hiperbólicas
58
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u a a2 a u du a u
2au u 2 du 2au u 2 cos1 C cos1 C
2 2 a 2a u u 2 a
2au u 2 2 2au u 2 a u u du a u
cos1 2au u 2 a cos1 C
u2
du
u a
C 2au u 2 a
2au u 2 u
1 a du 2a u u 2
du 2au u a cos C u 2a u u 2 a u C
2
u2 a
u 2du u 3a 3a2 a u
cos1
2au u 2
2
2au u 2
2 a
C
2u au 3a2 a3 a u
u 2au u du
2
2au u 2 cos1 C
6 2 a
59
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Regla de Simpson
h
Ai y 0 4y1 y 2
3
h
A y 0 y n 2 y 2 y 4 ... y n 2 4 y1 y 3 ... y n 1
3
Integrales múltiples
1
b
x a y f x F x, y dydx x a y f x F x, y dy
b f2 ( x ) f2 ( x )
1
dx
donde y f1 x e y f2 x son las ecuaciones de las curvas HPG y PGQ respectivamente, mientras
que a y b son las abscisas de los puntos P y Q. Esta integral también se puede escribir así:
1
d
y c x g y F x, y dxdy y c x g y F x, y dx
d g2 ( y ) g2 ( y )
1
dy
donde x g1( y ) , x g2 ( y ) son las ecuaciones de las curvas HPG yPGQ, respectivamente, mientras
que c y d son las ordenadas de H y G.
Estas son las llamadas integrales dobles o integrales de área. Los anteriores conceptos se pueden
ampliar para considerar integrales triples o de volumen así como integrales múltiples en más de tres
dimensiones.
t
s s( t ) r (t ) dt
a
r r (t ) r (s ) r (s )
Vector binormal b (t ) b (s )
r r (t ) r (s )
60
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Los vectores unitarios t , n, b forman una triada positiva b txn, n bxt , t nxb
Recta tangente en t0
x x0 y y 0 z z0
r r t0 r t0
x0 y 0 x0
x x0 y y0 z z0
r r t0 r t0 xr t0 0 x0 y 0 z0 0
x0 y 0 z0
Curvatura y torsión
y´´ r t xr t r t r t xr t
t t
r t r t xr t
3 3 2
1 ( y´)2 2
d d d
s r s T kN N B kT B N
ds ds ds
Plano normal
Plano rectificante t , b en t0
Ecuación vectorial Ecuación paramétrica
x-x0 y -y 0 z-z0
r r t0 n t0 0 x0 y 0 z0 0
y 0 z0 y 0z0 z0 x0 z0 x0 x0 y 0 x0 y 0
61
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. a
aT a T
x a
aN a N
Propiedades de la divergencia
iii ) div (F G ) G rot F -F rot G
62
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Geometría
Áreas
r
Círculo A r 2
b
Bb
Trapecio A h a
2
B
ab sen bh a a
Triángulo A
2 2 h
α
Volúmenes
Prismas V SB h
r
Esfera V 34 r 3
A 4 r 2
Cilindro V r 2h
A 2 rh
63
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Cono V 31 r 2h
A r r 2 h2 r l
V 31 h a2 a b b2
a b h 2 b a
2
A
a b l
64
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x2 x1 2 y 2 y1 2
Pendiente de una recta
y 2 y1
m
x2 x1
y y1 m( x x1); Ax By C 0
m1 m2
tan
1 m1m2
Circunferencia
( x h)2 ( y k )2 r 2; Ax 2 Ay 2 Dx Ey F 0
Parábola
( y k )2 4 p( x h); By 2 Dx Ey F 0
Eje horizontal
LR 4 p e 1
Elipse
x h 2 y k 2
Eje focal vertical 1 ; ab
b2 a2
2b2 c
a2 b2 c 2 ; LR ; e 1
a a
Ax 2 Cy 2 Dx Ey F 0; AC 0
Hipérbola
65
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2b2 c
c 2 a2 b2 ; LR ; e 1
a a
Ax 2 Cy 2 Dx Ey F 0; AC 0
66
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P1P2 x2 x1 , y 2 y1 , z2 z1 l , m, n
d x2 x1 2 y 2 y1 2 z2 z1 2 l 2 m2 n 2
Forma paramétrica
x x1 l t y y1 mt z z1 n t
Forma simétrica
x x1 y y1 z z1
t t t
l m n
Cosenos directores
x2 x1 l y 2 y1 m z2 z1 n
cos cos cos
d d d d d d
donde , , denotan los ángulos que forman la línea que une los puntos P1 y P2 con la parte
positiva de los ejes x, y, z, respectivamente.
a1 x x1 a2 y y1 a3 z z1 0
-Forma general:
Ax By Cz D 0
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Ax0 By 0 Cz0 D
d
A2 B 2 C 2
en la cual el signo debe escogerse de tal manera que la distancia no resulte negativa.
Coordenadas cilíndricas
r x 2 y 2
x r cos
y r sen
z z
1 y
tan x
z z
Coordenadas esféricas
x sen cos
y sen sen
z cos
x 2 y 2 z2
tan1 yx
z
cos1
x y 2 z2
2
68
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m1 m2
Ángulo entre dos rectas en el plano tan
1 m1m2
Producto escalar para a y b que pertenecen a
a b a1b1 a2b2 a3b3
3
i j k
Producto vectorial a x b a1 a2 a3
b1 b2 b3
a1 a2 a3
Producto mixto a b c b1 b2 b3
c1 c2 c3
ab ax b
cos ; sen=
Ángulo entre dos vectores a b a b
x xo at
Ecuaciones paramétricas de la recta y y o bt u a, b, c
z z ct
o
x xo y y o z zo
Ecuaciones cartesianas de la recta, en forma
a b c
simétrica
u (a, b, c)
PoQ x u
Distancia de un punto Q a una recta d
u
x xo ru x sv x
Ecuaciones paramétricas de un plano y y o ruy sv y
z zo ruz sv z
Ecuación cartesiana de un plano en forma Ax By Cz D 0
general N ( A, B, C)
Ecuación normal de un plano PoP N 0 ; N A,B,C
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PoQ N
Distancia de un punto Q a un plano d
N
u N
Ángulo entre una recta y un plano sen
u N
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Trigonometría
Representación
Unidad de arco
1 radián (rad) es el ángulo central de una circunferencia de radio unitario que intercepta un arco
también unitario. Por lo tanto:
1m
1 rad 1(número adimensional )
1m
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Equivalencias
Por definición:
180
360 2 rad, 1 rad 57.2967
1 rad 0.017453 rad
180
ˆ
180 57.2967
longitud de arco
ˆ arc
radio
La longitud de un arco (b) es el producto del radio r y el ángulo central ̂ (en radianes) de la
circunferencia: b r ˆ
Funciones trigonométricas
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En un triángulo rectángulo:
cateto opuesto a
sen
hipotenusa c
cateto adyacente b
cos
hipotenusa c
cateto opuesto a
tan
cateto adyacente b
tan A
sen A cos2A cos2 A sen2 A
cos A
cos A sen A B sen A cos B cos A sen B
cot A
sen A
sen A csc A 1 cos A B cos A cos B sen A sen B
73
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Las leyes siguientes son válidas para cualquier triángulo plano ABC de lados a, b, c y de ángulos A,
B, C.
a b c
sen A sen B sen C
c 2 a2 b2 2 a b cos C
a b tan 21 A B
a b tan 21 A B
Teorema de Pitágoras
a2 b2 c 2
74
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0° 0 1 0 1
1 3 3 2 3
30° 3 2
2 2 3 3
2 2
45° 1 1 2 2
2 2
3 1 3 2 3
60° 3 2
2 2 3 3
90° 1 0 0 1
75
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2 tan cot 2 1
cos2 s e n2
1 tan
2
2cot
2s e n cos 2cos 1
2
2 1 1
cot tan
1 2sen 2 cot tan 2 2
sen cos tan cot
2 2 2 2
sen sen
1 cos 1 cos
1 cos 1 cos 1 cos 1 cos
2 2 sen sen
1 cos 1 cos
1 cos 1 cos
76
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Números complejos
y
Se tiene que r z ( x, y ) y que arg( z ) tan1
x
Luego:
y
sen r
y r sen
cos x
x r cos
r
Por lo tanto:
z r (cos i sen ) r ei
n
r n r
k 360 ; k entero
n
ln r ei ln r 2 k i ; k entero
Teorema de De Moivre
77
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1 1
r cos isen n r n cos n2k isen n2k
donde k es un entero positivo. De aquí se pueden obtener las n raíces n-ésimas distintas de un
número complejo haciendo k 0,1, 2, , n 1 .
78
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Análisis vectorial
Componentes escalares
ax , ay , az 0
ax x2 x1
ay y 2 y1
az z2 z1
Componentes vectoriales
a ax ay az
a ax i ay j az k
79
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, , son los ángulos entre el vector a y los ejes OX ,OY ,OZ , , 0 180
ax ay az
cos , cos , cos
a a a
s a b s x i s y j sz k
sx ax bx , sy ay by , sz az bz
80
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s a b
sx ax bx , sy ay by , sz az bz
s a b c s x i s y j sz k
sx ax bx c x , sy ay by c y , sz az bz cz
c k a
c x k ax ; cy k ay ; cz k az ; c k a
81
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k a b b a a b cos a b cos
k ax bx ay by az bz
ax bx ay by az bz
cos1
a b
a
b cos Φ
W Fuerza Desplazamiento F s
W F s cos
F
s cos Φ
82
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c ab ba
c ab sin a b sin
ca y c b
a , b , c forman una triada derecha
c x ay bz az by
c y az bx ax bz
cz ax by ay bx
c c x2 c y2 cz2
0°<Φ<180° b
c
<
(c = 0)
Φ
>
a
Φ 180°<Φ<360°
a
b c
A B A B cos 0
donde:
83
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A A1 i A2 j A3 k
B B1 i B2 j B3 k
i j k
Producto cruz: A B A1 A2 A3 A2B3 A3B2 i A3B1 A1B3 j A1B2 A2B1 k
B1 B2 B3
Gradiente de U
U U U
grad (U ) U i j k U i j k
x y z x y z
Divergencia de A
A A A
div ( A) A i j k A1i A2 j A3k 1 2 3
x y z x y z
Rotacional de A
rotA A i j k A1i A2 j A3k
x y z
i j k
x y z
A1 A2 A3
A A A A A A
3 2 i 1 3 j 2 1 k
y z z x x y
Laplaciano de U
84
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2U 2U 2U
2U (U )
x 2 y 2 z 2
85
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Fracciones racionales
Descomposición
P ( x ) a0 a1x a2 x 2 ... am x m
y(x)
Q( x ) b0 b1x b2 x 2 ... bn x n
Los coeficientes a , b pueden ser reales o complejos. Si n son las raíces de Q x , se obtiene la
forma factorizada:
P( x ) P( x )
y(x)
Q( x ) ( x n1)k1( x n2 )k 2 ...( x nq )kq
En esta expresión pueden representarse raíces de multiplicidad k1, k2 , ..., kq de Q x , que pueden
ser reales o complejas; α es un factor constante.
P( x ) A A12 A1k 1
y(x) 11
Q( x ) x n1 ( x n1 )2 ( x n1 )k 1
A21 A22 A2k 2
...
x n2 ( x n2 )2 ( x n2 )k 2
Aq1 Aq 2 Aqkq
x nq ( x nq )2 ( x nq )kq
Si los coeficientes de Q( x ) son reales, aparecen raíces complejas por parejas (raíces complejas
conjugadas). Para efectuar la descomposición se agrupan estas parejas en fracciones parciales
reales. Si en b '1, n2 n1 (compleja conjugada de n1 ) y debido a su aparición por parejas k1 k2 k3 ,
entonces las fracciones parciales de b ' 2 , con las constantes A11,..., A2k 2 pueden agruparse en las
fracciones parciales:
86
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Series de Fourier
a0
f x an cos nx bn s e n nx
2 n 1
1 1
ak f x cos kx dx
bk f x s e n kx dx
Funciones pares: f x f x
2
f x cos kx dx
0
ak para k 0,1,2, ,
bk 0
87
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Funciones impares: f x f x
ak 0
2
f x s e n kx dx
0
bk para k 0,1,2, ,
88
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y a para 0 x
y a para x 2 a
4a se n(3 x ) se n(5 x )
y sen x ... o π 2π 3π x
3 5
y a para x y
y a para x 2
4a 1
y cos s e n x cos(3)s e n(3 x ) a
3 o π/2 π 3π/2 2π 3π x
-a
1
cos(5 )s e n(5 x ) ...
5
y a para x 2
y f 2 x
y
2a s e n( ) s e n 2( )
y cos x cos 2x
2 1 3 a
o
s e n3( )
π
x
2π 3π
cos 3 x ... α
3
ax
y para 0 x b
b
y a para b x b
a( x )
y para b x
b
4a 1 1
y s e n b s e n x 2 s e n(3b)s e n(3 x )
b 1 2
3
1
s e n(5b )s e n(5 x ) ...
5 2
ax
y para 0 x 2
2
y f 2 x
a a s e n x s e n 2x s e n3 x
y ...
2 1 2 3
2ax
y para 0 x / 2
2a x
y para x
2
89
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y f x
8 s e n3 x s e n5 x
y a s e n x ...
2
3 2
5 2
ax
y para 0 x
a 2 x
y para x 2
y f 2 x
a 4a cos x cos3 x cos5 x
y ...
2 2 12 3 2
5 2
y a s e n x para 0 x
y a s e n x para x 2
y f x
2a 4a cos 2x cos 4 x cos 6 x
y ...
1 3 35 57
y 0 para 0 x
2
3
y a s e n( x ) para x
2 2 2
y f 2 x
2a 1 cos 2x cos 4 x cos 6 x
y cos x 2 2 . 2 ...
2 4 2 1 4 17 6 1
y x para x
2
y f x f 2 x
2 cos x cos 2x cos 3 x
y 4 2 ...
3 1 22
3 2
ax
y para 0 x
y f 2 x
a 2a cos x cos 2 x cos 3 x
y 2 2 ...
4 1 22
3 2
a s e n x s e n 2 x s e n3 x
...
1 2 3
90
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Transformada de Fourier
Definiciones:
F s t S w s t e
jwt
dt ; j 1
F 1 S w s t
1
S w e dw; j 1
jwt
2
Reglas de operación
Convolución
s1 t * s2 t s1 s2 t d s2 * s1 t d
F s1 t s2 t S1 w * S2 w
F s t S w
1 w
F s at S , a0
a a
F s1 t s2 t S1 w S2 w
Enseguida se indican las densidades espectrales calculadas para algunas importantes funciones del
tiempo.
91
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wt
sen 2
S(w ) j 2 AT 2
wt
2
senwt
S(w ) 4 AT cos(2wt )
wt
A sen(w 0t ) 2
s(t ) w0 w0 S(w ) ARw 0 (w ) (Función rectángulo)
w 0t T
2
Tw
sen
S(w ) 2 AT
Función triángulo ADT (t ) Tw
2
92
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2 2
A RT (t )cos(w0t ) w 0
T0 aT
senT (w w0 ) senT (w w 0 )
S(w ) A A
w w0 w w0
2 2
Impulso de Gauss Ae a t
w 2
A 2
S(w ) e 4a
a
2
Impulso coseno A cos(w0t ) w 0
T
T
cos w
S(w )
AT 4
T
2
1 w
2
2
Impulso cos2 A cos (w0t ) w 0 T
2 2
T
sen w
S(w )
AT 4 1
4 T T
2
4 w 1 w
4
93
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A
S(w )
jw a
94
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Transformada de Laplace
Definiciones:
L f (t ) F (s ) f (t )e st dt ;
0
1
L1 F (s ) f (t ) F (s )e
st
ds; j 1
2j
Reglas de operación
L f1 t f2 t F1 s F2 s
Cambio de variable 1 t
L f F a s
a a
Diferenciación L f '(t ) sF s f 0
L f "(t ) s 2F s sf 0 f ' 0
n 1
L f (t ) s n F s f 0 s n k 1
n k
k 0
Integración
L f t dt s1 F s
95
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3. t 1/ 2
s
1
4. e at
s a
k
5. senkt
s k2 2
s
6. cos kt
s2 k 2
k
7. senhkt
s k2 2
s
8. cosh kt
s k2 2
9. eat t F s a
e as
10. t a , a 0
s
11. t a U t a , a 0 e as F s
dn
t n t , 1 F s
n
12. n 1, 2, 3...
ds n
s nF s s n 1 0 ...
n 1
13. n t , n 1, 2, 3... 0
0 g t d F s G s
t
14.
15. t t0 , t0 0 e st0
n!
16. t n eat , n 1, 2, 3...
( s a)n 1
96
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k
17. eat senkt
( s a)2 k 2
sa
18. eat cos kt
( s a)2 k 2
2ks
19. tsenkt
( s k 2 )2
2
s2 k 2
20. t cos kt
(s 2 k 2 ) 2
2k 3
21. senkt - kt cos kt
(s 2 k 2 )2
2ks 2
s
22. senkt + kt cos kt 2
2
k2
2k 3
23. senhkt - senkt
s4 k 4
2k 2s
24. cosh kt - cos kt
s4 k 4
k2
25. 1 cos kt
s s2 k 2
k3
26. kt - senkt
s s2 k 2
asenbt bsenat 1
27.
ab a b 2 2
s 2
a 2
s 2
b2
s
cos bt cos at
28.
a2 b2 s 2
a 2
s 2
b2
29. t 1
t n 1 1
30.
n 1 sn
a
31. exp at 1 s s a
1 1
32. exp t / T 1 Ts
T
97
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s
1
sin kt
s
33. 2
2k
2
k2
1
sin kt s2
2k
34.
s
2
t
2
k2
cos kt
2
cos kt s3
s
35. 2
k
t sin kt
2
k2
2
1
ebt eat
36.
ba
,b a s a s b
1
1 at
e sin kt
37.
k s a 2 k 2
1 1
38.
t s
t 1
39. 2 s s
1
40. 3
s
2 t 2
3
41. 5
s s
4 t 2
sb
42.
t
1 at
e e bt In
sa
43.
1
sin a t tan1 a s
t
a2
44.
a
e 4t e a s ; a 0
2t t e
a 1 a s
45. erfc e ; a0
2 t s
1
46. Función de Bessel J0 kt
s2 k 2
Transformada inversa
Fracciones parciales
98
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Sea:
Q(s )
G(s )
P (s )
donde:
K1 K2 Kn
G(s )
s s1 s s2 s sn
Q(s )
K i s si
P (s ) s s
i
Q(s ) Q(s )
G(s )
P (s ) s s s s2 s snr s si r
1
Siendo: i 1,2, , n r
K1 K2 K( n r ) A1 A2 Ar
G(s )
s s1 s s2 s s( n r ) s si s s 2 s si r
i
n - r términos de polos simples r términos de polos repetidos
1 d r 1
A1 s si r G(s )
ds
r 1 ! r 1
s si
99
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Probabilidad y estadística
Media
1 n
(varianza 2 conocida) X Xi
n i 1
X z
n
X z
n
2 2
n 1 sn21 2 n 1 sn21
1 n
2
Sn21 Xi X
n 1 i 1 x 2 x2
, n 1 1 , n 1
2 2
X
n
n
Xi
i 1
X
n
Media de medias
m
Xj
j 1
X
n
R Vmax Vmin
Media de rangos
m
Rj
j 1
R
m
100
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X 0
H0 : = 0, 2 conocida Z0
n
X 0
H0 : = 0, 2 desconocida t0
Sn 1
n
1
n
a a a n n 1 Sn21
x02
b b
n
n
b 02
Regresión lineal
y 0 1 x
0 y 1 x
n n
n y i xi
i 1
y i xi i 1
n
i 1
1 2
n
n xi
xi i 1n
2
i 1
y i xi x
n
i 1
r 1
2 2
y
n 2 n
xi x i y
i 1 i 1
Permutaciones
n!
Prn
n r !
Combinaciones
n n!
r r ! r !
n
101
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n!
Pnn1,n2 ,...,nk
n1 ! n2 !...nk !
Probabilidad condicional
P A B
P A B
P B
Teorema de Bayes
P Bk P A Bk
P Bk A N
P Bi P A Bi
i 1
102
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Valor promedio
a1 a2 ... an
aprom
n
donde:
donde:
= desviación estándar
di = desviación de la lectura i-ésima con respecto al valor promedio
L a varianza V es el valor de la desviación estándar elevado al cuadro
Distribución gaussiana
V 2
103
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104
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Función
Nombre Distribución Rango Media Varianza generatriz de
momentos
n x nx
Binomial p q x = 0,1,..n np npq (q + pe )n
x
1 q pe
Geométrica pq x-1 x = 1,2,...
1 - qe
2
p p
r
De Pascal x 1 r x r r rq pe
(Binomial p q x = r,r +1,...
r 1
2
1 qe
negativa) p p
De Poisson
( t ) x e - t x = 0,1,2,... t t t( e-1)
e
x!
b a
Uniforme
1
ax b
a+ b (b - a )2 e -e
b-a 2 12 (b - a)
1 1
Exponencial e - x x 0
2
-
2
1 x
Normal 1 2
- < x <
2
1
22
e e 2
2
x>0 2
1 2
Ji-cuadrada 2
t de Student - < x < 0 ,> 2
-2
2 2 22( 1 + 2 - 2 )
,
F (de 2 - 2 2
1( 2 - 2 ) ( 2 - 4 )
Fisher) 0< x<
2 > 2 2 > 4
( t )r -1e - t r r
Erlang t >0
(r - 1)!
2
105
Formulario para el sustentante del
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Física
Mecánica
Centroides
Arco de circunferencia
y
r sen 180 rs
b
Triángulo
1
y h
3
Sector de círculo
y
2r sen 180 2rs
3 3b
Trapecio
h a 2b
y
3 ab
2 R 3 r 3 sen
y
3 R2 r 2
2 R3 r 3 s
y
3 R2 r 2 b
Segmento de círculo
s3
y
12 A
106
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Estática
Fricción estática
Valor límite
Fricción dinámica
F F G tan
N G
tan 0
constante 0
0 sen0
F G G
sen 0 cos sen 0
tan tan
Fricción de chumaceras
De carga radial
M1 r rF
De carga axial
r1 r2
M F
2
107
Formulario para el sustentante del
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Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Fricción rodante
f f
F N G
r r
Condición de rodamiento
F 0N
F
f1 f2 G1 nf2G2
2r
Si f1 f2 f y nG2 G1
f
F = G
r 1
Fricción en cables
F1 e0 G, Ff e0 1 G
Fuerza de tracción para bajar la carga G
F2 e 0 G, Ff 1 e 0 G
Transmisión de banda o correa
Mi
Fp y Fp F
r
En movimiento
Fp
F0 0
e 1
e0
F1 Fp
e0 1
108
Formulario para el sustentante del
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Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
e0 1
Fa Fp
e 0 1
En reposo
F0 F1
Fa e0 1
2 e 0
1
e0 1
Fa Fp
e 0 1
Cinemática
F = xi + yj + zk
dr
=
dt
d
a=
dt
d 2
a= ut + un
dt
= u t
= r u r + r u
a = (r - r 2 )u r + (r + 2r )u
x = vt
x = x0 + vt
1
v= (v + v 0 )
2
v = v0 + at
109
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1
x = x0 + (v 0 + v)t
2
1 2
x = x0 + v 0 t + at
2
v 2 = v02 + 2a (x - x0 )
Dinámica
W
F = ma = α W: peso
g
mM
F =G
r2
dV
F = m
dt
X B = XB - X A
A
VB = VB - VA
A
aB = aB - aA
A
v wxr
1 Por simplicidad se omite la dependencia del tiempo en las funciones. Por ejemplo: v(t) ≡ V.
110
Formulario para el sustentante del
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Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
r r (t ) xi yj zk
v r xi y j zk
a r xi y j zk
r r (t ) xi yj
v r xi y j
a r xi y j
r r (t ) xi
v r xi
111
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
a r xi
a w wr r
v R wx
a R ax wx wx
v w
n n n
M xy mi zi , M xz mi y i , Myz mi xi
i 1 i 1 i 1
n n n
M Xc mi xi , MYc mi y i , MZc mi zi
i 1 i 1 i 1
112
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
I xx MM xz MM xy
I yy MM yz MM xy
Izz MM yz MM xz
Dinámica de la partícula
Ecuaciones de movimiento
F ma
Trabajo y energía
dT p dr
Energía cinética y su relación con el trabajo realizado por la fuerza resultante que actúa sobre una
partícula
1
EC m2
2
n
F mi a1
i 1
F Mac
2
n n
F dt mi v i mi v i
1 i 1 2 i 1 1
113
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
n n
i i mi v i 0
m v
i 1 2 i 1 1
Hcc Icc
Ecuación para obtener la suma de los momentos de los elementos mecánicos que actúan sobre un
cuerpo rígido.
Mcc Icc
Momento de un sistema de fuerzas y/o pares que actúan sobre un cuerpo, con respecto el eje CC.
n
Mcc ( pi Fi )
i 1
Primera forma de la ecuación del trabajo y la energía para un cuerpo rígido que realiza un movimiento
plano general.
1 n2 n 2
1 1
F drc
i 1 1
Fi dpi Q j d j M Vc2 Icc 2
j 1 1 2 2
2
Mcc dt Icc 2 1
1
Fe
X 2n X
m
donde 2n = cte.
114
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
U F r
dU F dr
U F r
P F v P: potencia
t t
Psal
: eficiencia
Pent
U K Kf Ki
1
K mv 2 K: energía cinética
2
V ( y ) mgy
1 2
Ve kx
2
Impulso e ímpetu
I Fdt
I p
p mv p : ímpetu
p pf pi Fdt p : impulso
115
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Electricidad y magnetismo
q1q2 r q1q2
F k F k r r1 r2
r2 r r2
F
E
q
q
E E dA E : flujo eléctrico
0
q
V k V : potencial electróstatico
r
b
Ub Ua W
Vb Va ab E dl
q q a
m i 1 qi q j
U U : energíapotencialelectróstatica
i 1 j 1 40 rij
Capacitancia
q CV C : capacitancia
A
C K 0 Capacitor de placas paralelas
d
A
C k 0 k : Constante dieléctrica
d
2l
C k 0 Capacitor cilíndrico
In b / a
q2 1 1
U CV 2 qV U : energia almacenada en un capacitor
2C 2 2
1
u k 0E 2 u : densidad de energía
2
116
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
dq
i i: corriente eléctrica
dt
i nqvA
i
j ni qi v i j: densidad de corriente, A: área
A i
E
: resistividad
j
V l
R R: resistencia
i A
Vab IR
ient isal
Elevaciones de potencial Caídas de potencial v i 0
V2
P Vi Ri 2 P: potencia eléctrica
R
117
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Magnetismo
F il B l : elemento de longitud
NiABsen
B dl 0 i
B dA
0 i
B r : distancia
2r
0I
B
2a
0Ni
B N : número de vueltas
2r
0I
dB send r : radio
4a
0I
B cos 1 cos 2
4a
d B
: fuerza electromagnética
dt
Bl
d
dt
118
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Equivalencias
Longitud
m in ft mi
1m 1 39.37 3.281 6.214x10-4
1 in 2.54x10-2 1 8.333x10-2 1.578x10-5
1 ft 0.3048 12 1 1.894x10-4
1 mi 1609 6.336x104 5280 1
Masa
Kg uma lb
1 kg 1 6.022x1026 2.205
1 uma 1.661x10-27 1 3.662x10-27
1 lb 0.4536 2.732x1026 1
Fuerza
Presión
atm mm Hg Pa bar
1 atm 1 760 1.013x105 1.013
1 mm Hg 1.316x10-3 1 133.3 1.333x10-3
1 Pa 9.869x10-6 7.501x10-3 1 10-5
1 bar 0.987 750.062 105 1
Campo magnético
gauss T
1 gauss 1 10-4
1 tesla 104 1
Flujo magnético
119
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maxwell Wb
1 maxwell 1 10-8
1 weber 108 1
120
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Química
Constantes
121
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122
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Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
V
I
Z
donde:
I = Corriente [A]
V= Voltaje [V]
Z = Impedancia [Ω]
Capacitor
1 dv (t )
C
v C (t ) i (t )dt iC (t ) C
dt
1 di (t )
L
i L (t ) v (t )dt v L (t ) L
dt
N
i k (t ) kl v l (t )dt
l 1
k 1,2,3,...., N
N
di l (t )
v k (t ) Lkl
l 1 dt
k 1,2,3,.., N
cofLlk
kl
Lkl
donde:
123
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k = k-ésimo inductor
N = número total de inductores que se encuentren acoplados
Divisor de corriente
I1 I2 In
If R1 R2 Rn
RTotal paralelo
I X If
RX
ZTotal paralelo
I X If
ZX
donde:
Divisor de voltaje
+
R1 V1
-
+
R2 V2
Vf -
+
Rn Vn
-
124
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Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
RX
VX Vf
RTotal serie
Leyes de Kirchhoff
Ne Ni
Vk 0 Ik 0
k 1 k 1
donde:
125
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Potencia
Potencia activa
P VI cos W
V2
P
Z
cos W
P I 2 Z cos W
Potencia reactiva
Q VI sin VAR
V2
Q
Z
sin VAR
Q I 2 Z sin VAR
Potencia compleja
S VI * VA
Factor de potencia
fp cos
126
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Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Frecuencia de resonancia
1
0
LC
1
f0
2 LC
Frecuencias de corte
2
1 R R 1
f1
2 2L 2L LC
2
1 R R 1
f2
2 2L 2L LC
Ancho de banda
BW f2 f1
R
BW
L
Factor de calidad
0
Q
BW
1 L
Qs
R C
127
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Frecuencia de resonancia
1
0
LC
1
f0
2 LC
Frecuencias de corte
2
1 1 1 1
f1 LC
2 2RC 2RC
2
1 1 1 1
f2
2 2RC 2RC LC
Ancho de banda
BW f2 f1
1
BW
RC
Factor de calidad
0
Q
BW
C
Qp R
L
128
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Entonces, el voltaje eficaz (RMS) en una red excitada con una tensión v t es:
1 n 2
Vrms Vo2 Vk
2 k 1
donde k 1,2,3,..., n
La corriente eficaz (RMS) en una red en la que circula una corriente i t es:
1 n 2
Irms Io2 Ik
2 k 1
donde k 1,2,3,..., n
1 n
P VoIo Vk Ik cos k k
2 k 1
donde k 1,2,3,..., n
129
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Impedancia
Zkl
Zt
co Zkk
donde:
Admitancia
Ykl
Yt
co Ykk
donde:
130
Formulario para el sustentante del
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Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Teoremas de redes
Teorema de Thevenin
Vth
Zth
Icc
Teorema de Norton
Vca
ZN
IN
Teorema de reciprocidad
131
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Si se tiene un circuito formado sólo por elementos pasivos, entonces, es posible aplicar el
teorema de reciprocidad. Si este circuito tiene una fuente de corriente o voltaje a la
entrada, entonces, los pasos para aplicar el teorema de intercambio de fuentes son:
Teorema de superposición
Si el circuito es lineal es posible aplicar este teorema. Los pasos necesarios son:
132
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Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Parámetros de impedancias(Z)
V1 Z11I1 Z12I2
V2 Z21I1 Z22I2
V1
Z11 Impedancia de entrada
I1 I
2 0
V2
Z21 Impedancia de transferencia directa
I1 I2 0
V1
Z12 Impedancia de transferencia inversa
I2 I
1 0
V2
Z22 Impedancia de salida
I2 I10
I1 Y11V1 Y12V2
I2 Y21V1 Y22V2
I1
Y11 Admitancia de entrada
V1 V
2 0
I2
Y21 Admitancia de transferencia directa
V1 V
2 0
I1
Y12 Admitancia de transferencia inversa
V2 V 0
1
I2
Y22 Admitancia de salida
V2 V 0
1
133
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
V1 h11I1 h12V2
I2 h21I1 h22V2
V1
h11 Impedancia de entrada con terminales de salida en cortocircuito
I1 V
2 0
I2
h21 Ganancia en corriente
I1 V
2 0
V1
h12 Inverso de la ganancia de voltaje
V2 I10
I2
h22 Admitancia de salida con terminales de entrada abiertas
V2 I10
I1 g11V1 g12I2
V2 g 21V1 g 22I2
I1
g11 Admitancia de entrada con terminales de salida abiertas
V1 I
2 0
V2
g 21 Ganancia en voltaje
V1 I2 0
I1
g12 Inverso de la ganancia corriente
I 2 V 0
1
V2
g 22 Impedancia de salida con terminales de entrada en cortocircuito
I 2 V 0
1
134
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Respuesta transitoria
Elemento Circuito equivalente inicial para t < 0 Circuito equivalente para t>>0
Cargado Descargado
R Resistencia
L iL(0-) = iL(0+) iL(0+) = 0
Cortocircuito
Fuente ideal de corriente Circuito abierto
C vC(0-) = vC(0+) VC(0+) = 0
Circuito abierto
Fuente ideal de Voltaje Cortocircuito
Para la corriente
t
E v c 0 e RC
i t
R
A
Para el capacitor
t
vC t E vC 0 E e RC V
Para la resistencia
t
v R t Ri t E v c 0 e RC
V
Constante de tiempo
RC s
donde vc(0) es el voltaje inicial en el capacitor.
135
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Para la corriente
E
Rt Rt
i t 1 e
R
L i 0 e L
A
Para el resistor
Rt Rt
v R t Ri t E 1 e L
Ri 0 e L
V
Para el inductor
di t
Rt Rt
vL t L
dt
Ee L Ri 0 e L
V
L
R
s
136
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
t
E RC
i t e [ A]
R
t
v R Ri (t ) Ee RC
V
t
vC (t ) E v R (t ) E 1 e RC V
Rt
E
i t
R
e L
A
Rt
vR t Ee L V
Rt
vL t Ee L V
137
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
i t k1eD1t k2eD2t
2
R R 1
D1
2L
2L LC
2
R R 1
D2
2L 2L LC
R
2L
1
2
LC
2 2
v c 01 Voltaje inicial en C
Caso I: 2 2
Respuesta bajo amortiguada (raíces complejas conjugadas)
i t k1e
j t
k2e
j t
k1 k2
138
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
k
v c 0
2L
i t
e
v c 0
t
sen t A
L
Caso II: (𝛼 2 = 𝜔2 )
Respuesta críticamente amortiguada (raíces reales repetidas)
i t k1et k2et
k1 0
k2
v c 0
L
i t
te
v c 0
t
A
L
i t k1e
t
k2e
t
k1 k2
139
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
k1
v c 0
2L
k2
v c 0
2L
i t
e
v c 0
t
senh t
L
140
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Función de transferencia
Vo s
H s Relación de voltajes
Vi s
Vo s
H s Impedancia de transferencia
Ii s
Io s
H s Relación de corrientes
Ii s
Io s
H s Admitancia de transferencia
Vi s
141
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
jN
1
1 1
j N
20N dB /decade
90N
90N
40N dB /decade 180N
N
2 j j 2
1 0
n
n n
n
n 10n
10
k k
k 10k
10
1
0
N
1 2 j / j / 2
k k 40N dB /decade
180N
142
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Sistemas acoplados
Factor de acoplamiento
Llk
K kl
Lkk Lll
Inductancia mutua
donde:
143
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Sistemas trifásicos
La impedancia Z de una carga reactiva que está formada por una resistencia R y una
reactancia en serie es:
Z R jX
R jX
Y 2
Z
donde:
Z R2 X 2
V ZI
y
I YV
Entonces:
VR jVX
I 2
Z
VR VX
I 2
j 2
Z Z
I IP jIQ
VR
IP 2
I cos
Z
VX
IQ 2
I sin
Z
144
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Q P Q
tan1 cos1 sin1
P S S
Si se aplica una tensión V, a una carga reactiva Z y la corriente I que circula en el circuito,
entonces, la potencia compleja S, potencia activa P y potencia reactiva Q están dadas
por:
ZV 2 2
S VI * 2
I Z
Z
V 2R
P VIP 2
Z
V2X
Q VIQ 2
Z
R
fp cos
Z
X
fr sen
Z
145
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Potencia trifásica
Para una carga balanceada conectada en estrella con una tensión de línea Vlinea y una
corriente de línea Ilínea :
Vlinea
Vestrella
3
Iestrella Ilínea
Vestrella Vlinea
Zestrella
Iestrella 3Iestrella
Vlinea 2
Sestrella 3VestrellaIestrella 3VlineaIlínea 3Ilínea 2Zestrella
Zestrella
Para una carga balanceada conectada en delta con una tensión de línea Vlinea y una
corriente de línea Ilínea :
Vdelta Vlínea
Ilínea
Idelta
3
Vdelta V
Zdelta 3 línea
Idelta Ilínea
3Vlínea 2
Sdelta 3VdeltaIdelta Ilínea 2Zdelta
Zdelta
Note que la equivalencia entre cargas balanceadas conectadas en estrella y delta es:
Zdelta 3Zestrella
146
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Electrónica analógica
qVD
ID IS e nk T 1
donde:
Diodo Zener
Rz
Regulación de línea =
Rz Rs
Regulación de carga Rz Rs
Rs
Regulación Zener
Rz Rs
Vzo Vz (Rz Iz )
Para RL = 0
Iz
Vs Vzo
Rz Rs
Vo Vzo (Rz Iz )
Vs Vzo Rz Iz
Rs
Iz IL
147
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Pz Vz Iz
Rectificador de onda
Rectificador de media onda
completa
Voltaje de rizo pico-pico Vm Vm
Vr ( pp ) Vr ( pp )
f RL C 2f RL C
Voltaje de salida VO Vm 2f RLC 1 Vm 4f RLC 1
VO(cd ) VO(cd )
2f RL C 4f RL C
Voltaje rizo rms Vm Vm
Vr ( rms ) Vr ( rms )
2 2 f RL C 4 2 f RL C
Factor de rizo 1 1
FR FR
2 2f RL C 1 2 4f RL C 1
Cálculo del capacitor 1 1 1 1
C 1 C 1
2f RL 2 RF 4f RL 2 RF
Vrms 1
Relación Vrms y VL 0.0024
VL 420
Regulación de voltaje
Vsal
Regulación línea 100%
Vent
VNL VFL
Regulación carga
VFL
Rsal
Regulación de carga 100
RFL
148
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
donde:
R
Vo 1 2 Vref
R3
Vin
ILmax
RL
t
Vo off Vin
T
donde:
T = tin + toff
149
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
R
Vsal Vref 1 2 I ADJ R2
R1
Vsal
IL(max) IG
R11
150
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Ic
cd
IB
Ic
cd
IE
donde:
βcd=Ganancia en corriente en CD
αcd=Factor de amplificación de corriente en polarización directa
IC=Corriente de colector
IB=Corriente de base
IE=Corriente de emisor
Corrientes en un transistor
IE IC IB
VBE 0.7 V
Corriente en la base
VCC VBE
IB
RB
donde:
VCE VCC IC RC
donde:
151
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
donde:
Condición de corte
IC SAT
IBmin
cd
Polarización
VB IE RE VBE
VC VCC IC RC
152
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
VE VB VBE
VCC VBE
IE
RE RB / cd
IC IE
VC VCC IC RC
VB VBE
VE 0 V
VCC VBE
IC
RC
VCC VBE
IC
R
RC B
cd
VCE VCC IC RC
IE IC
VC VBE
IB
RB
153
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Polarización de base
VB VBE
VC VCC IC RC
VE 0 V
V VBE
IC cd CC
RB
IE IC
VC VBE
IB
RB
VCE VCC IC RC
154
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
VB VE VBE
VC VCC IC RC
VE VEE IE RE
VEE VBE
IE
RE
VEE VBE
IE
R
RE B
cd
IE IC
VB V
IB IB B
RB RB
155
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
R2
VB VCC
R1 R2
VC VCC IC RC
VE VB VBE
VE
IE
RE
IE IC
VTH VBE
IE
R
RE TH
cd
VB
IB
cd RE
156
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
25mV
r 'e
IE
RC RL
AV
r 'e
IC
AI
Iin
157
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
RC RL
AV
RE1
Rout RC RL
158
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
25 mV
r 'e
IE
Ie
Ai
Iin
25 mV
r 'e
IE
159
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Rent(emisor) r 'e
Rsal RC
RC
AV
r 'e
Ai 1
donde:
160
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
2
VGS
ID IDSS 1
VGS (corte)
Transconductancia
2
VGS
gm gm0 1
VDS corte
2IDSS
gm0
VGS(corte)
2
ID K VGS VGS(umbral)
161
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Polarización
Polarización fija
VGS VGG
VDD VDS
IDS
RD
Autopolarización
VGS
IDS
RS
VGS(OFF )
RS
IDSS
162
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
2
VGS
IDS IDSS 1
VGS
(OFF )
VGSQ 0.382VGSoff
VDD VDS
IDS
RD RS
VGG VGS
IDS
RS
RG R1 R2
R1
VGG VDD
R1 R2
VDD VDS
IDS
RS RD
163
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
RG R1 R2
RL RC RL
Zi RG
Zo rds RD
VL RG
AV gm rds RD RL
VS RG rS
VL rDS RD
Ai gm RG
VS rDS RD RL
2
ID RS
ID IDSS 1
VGS
(CORTE )
AV gmRd
164
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
V
Rent RG GS
IGSS
Zi RG
r
Z0 Rs ds
1
RS RL
AV 1
VL 1 rds
RS RL
Vin 1
Zin
IL AV 1
AI1 RL
Iin
2
I R
ID IDSS 1 D S
VGS (corte )
gmRS
AV
1 gmRS
V
Rent RG GS
IGSS
165
Formulario para el sustentante del
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Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Zi r RD RL
RS ds
1
VL 1
AV 1 g m rds RD RL
Vin rds
1
RD RL
IL Zin
AI1 AV 1
Iin RL
2
I R
ID IDSS 1 D S
VGS (corte )
AV gmRD
1
Rent RS
gm
donde:
166
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
IDSS=Corriente en drenaje
VGS=Voltaje en la compuerta
RS=Resistencia en la fuente
IGSS=Corriente de fuga en inversa
167
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Transistor MOSFET
Curva característica
Pmax A ID
ID v
VGS = 15 V D
IDmax a
VGS = 12 V l
C a
e VGS = 7 V n VDS
r c
h G
r
a SOAR a
VGS S
d
o
VGS ○ VGS,TH
𝑃 = 𝑅𝑂𝑁 𝐼𝐷2
VDSmax VDS
Corte
V2
ID( Act ) K VGS VT VDS DS
2
bn
donde: K en la que b es el ancho del canal, μn la movilidad de los electrones, ε es
LW
la permitividad eléctrica de la capa de óxido, L la longitud del canal y W el espesor de
capa de óxido.
K 1
ID(sat ) VGS VT 2
K0
168
Formulario para el sustentante del
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Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Amplificadores operacionales
Características
AVd
CMRR
AVc
A
CMRR 20log Vd
AVc
Vsal
SR
t
I1 I2
I polarización
2
IOS I1 I2
SR
fmax AB si AB
2Vp
SR SR
fmax si AB >
2Vp 2Vp
169
Formulario para el sustentante del
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Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Configuraciones de amplificadores
Amplificador no inversor
R2
Av 1
R1
Seguidor de voltaje
AV 1
Amplificador inversor
Rf
AV
Rin
Zent Rin
170
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
V V V
Vout Rf in1 in 2 inn
R1 R2 Rn
Amplificador restador
R R4 R2
Vsal 1 2 V2 V1
R1 R3 R4 R1 R2
Amplificador derivador
dVin
Vout RC
dt
Amplificador integrador
1
Vin t dt Vc 0
RC
Vout
171
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
R2
Vdisparo alto Vsal max
R1 R2
R2
Vdisparo bajo Vsal max
R1 R2
Amplificador de histéresis
Amplificador de instrumentación
1
Ig V2 V1
Rg
2R
Vintermedio V2 V1 1 1
Rg
2R R
Vout V2 V1 1 1 3
Rg R2
Amplificador de aislamiento
Rf 1
Av 1 1
Ri 1
Rf 2
Av 2 1
Ri 1
172
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Amplificador logarítmico
V
Vout 0.025 ln in
IEBO R
Vin
Vout R IEBO ln1
25mV
Vin
Iout
Ra
173
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
VOUT IIN R1
Disparador Schmitt
Vsat
RF R1
Vth
RX R1 RF
174
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Filtros activos
AB fc
AB fcs fci
f0 fcs fci
f0
Q
AB
175
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Si R1 R2 R y
C1 C2 C
RB
H0LP K 1
RA
1
O
RC
1
Q
3K
Si R1 R2 R y
C1 C2 C
RB
H0HP K 1
RA
1
O
RC
1
Q
3K
176
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Si R1 R2 R3 R y
C1 C2 C
K
H0BP
4K
2
O
RC
2
Q
4K
177
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
donde:
Filtros Butterworth
1
H j
2
1 2n
1
H s
Bn s
B1 s s 1
B2 s s 2 1.4142s 1
B3 s s3 2s 2 s 1
178
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Filtros pasivos
Frecuencia de corte
1
fc =
2RC
Frecuencia de corte
1
fc =
2RC
1
O
LC
1 L
Q
R C
1
O
LC
1 L
Q
R C
1
O
LC
1 L
Q
R C
179
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Convertidores
v1
f0
Vref Rent Cref
donde:
V1 = voltaje de entrada
Vref = voltaje de refencia
Cref = capacitancia de referencia
donde:
B B B B
Is Vref 0 1 2 3
R0 R1 R2 R3
B B B B
V0 RF IF RFVref 0 1 2 3
R0 R1 R2 R3
donde:
R
R0 R
20
R R
R1 1
2 2
R R
R2 2
2 4
180
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
R R
R3 3
2 8
Vref RF B0
V0 para LSB = 1 único
3R 24
Vref RF B3
V0 para MSB = 1 único
3R 21
Vref RF B0 B1 B2 B3
V0 cuando el sistema está completamente activado
3R 24 23 22 21
1 para Va Vb
Vconv sgn Va Vb
0 para Va Vb
181
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Amplificadores de corriente
La corriente en el colector
IR
IC1 IC 2
2
1
F
VCC VBE1
R1
IR
182
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
IC1
VT ln IS RE
IS
VCC VBE
donde: IC1
R1
1 F RE
ZO hoe 2 1
hie 2 RE
IE 2 1 F IB2
1 IC1
IE 2 IC 3 IB3 IB1 1
F F
VCC 2VBE
IOUT
R1
Resistencia de salida
183
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
1
hfe hoe
Zout
2
VCC 2VBE
Iout
R1
1
Zout hfe hoe
Si R2 = R4
184
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
R2Ve
IS
RS R1
V Ve V RS IS
R4 R1 R2
V2 V RSIS
185
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Electrónica digital
Algebra de Boole
a) Propiedad conmutativa:
a+b+c+d=d+c+b+a
a b c d=d c b a
d c b a+d c a+b c=d c a+c b+d a c b
b) Propiedad asociativa:
a + b + c + d = (a + b) + (c + d)
d c b a = (d c) (b a)
c) Propiedad distributiva:
a (b + c) = a b + a c
a + (b . c) = (a + b) . (a + c)
0+a=a
1.a=a
a+0=a a 0=0
a+1=1 a 1=a
a+a=a a a=a
a + a' = 1 a a' = 0
0+0=0 0-0=0
0+1=1 0-1=1
1+0=1 1-0=1
1 + 1 = 10 1-1=0
186
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Mapa de Karnaugh
Realizar un mapa que cumpla con la relación 2N. Donde N representa el número
de variables y 2N el número de combinaciones posibles
A B SALIDA
0 0
0 1
1 0
1 1
187
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Ejemplo: Salida = /B
Aspectos a considerar
a) Tratar de hacer el máximo encierro posible
b) Buscar que no exista redundancia en los encierros seleccionados
188
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
B A f
0 0 1
NOR f = A+ B 0 1 0
1 0 0
1 1 0
B A f
0 0 1
NAND f = AB 0 1 1
1 0 1
1 1 0
B A f
0 0 0
XOR f = AB 0 1 1
1 0 1
1 1 0
B A f
0 0 1
XNOR 0 1 0
f = AB
1 0 0
1 1 1
189
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Flip-flops
0 0 inválido inválido
0 1 1 0
1 0 0 1
1 1 Q(t) Ǭ (t)
0 0 Q(t) Ǭ(t)
0 1 0 1
1 0 1 0
1 1 inválido inválido
0 0 0 1
0 1 1 0
1 0 0 1
1 1 1 0
190
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
0 0 0 0 1
0 0 1 0 1
0 1 0 1 0
0 1 1 1 0
1 0 0 1 0
1 0 1 0 1
1 1 0 1 0
1 1 1 0 1
0 0 0 1
0 1 1 0
1 0 1 0
1 1 0 1
191
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Electrónica de potencia
Fórmulas básicas
Eficiencia
PCD
PCA
Valor efectivo CA
VCA Vrms
2
VCD
2
PCD
TUF
Vs Is
donde:
1
IS2 IS2 2
THD 2 1
IS
1
T
2 2 2V
VCD
T 0
Vm sen tdt m
donde:
VCD
ICD
R
192
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Vrms
Irms
R
Voltaje rmssalida
1
2 T 2 V
Vrms 2 Vm2sen 2 tdt m
T 0 2
2 3 3
VCD
2 / 6 0
6 3 V cos t dt
m
Vm
donde:
1 1
2 2 3 9 3 2
Vcd 06 3 V 2 cos 2t dt
m 2 4 m
V
2 / 6
193
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Dispositivos
VD
ID IS e nVT
1
donde:
kT
VT 25.8 mV
q
donde:
VT=Voltaje térmico
Q=Carga del electrón (1.6022 x 10-19) [C]
T= Temperatura absoluta [K]
K=Constante de Boltzman 1.3806 x 10-23 [J/K]
trr ta tb
donde:
di d
IRR t 2QRR i
dt dt
donde:
194
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Potencia de salida en CD
Potencia de salida en CA
195
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
UJT
B2
E
B1
El disparo ocurre entre el emisor y la base1 y el voltaje al que ocurre este disparo está
dado por la fórmula:
Vp 0.7 nVB2B1
donde:
VBB VP V VV
R1 BB
IP IV
196
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
PUT
Cuando IG = 0
RB 2
VG VBB
RB1 RB 2
VG n VBB
1 Vs R2
T RC ln RC ln 1
f Vs Vp R1
197
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
DIAC
198
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
SCR
Cuando el SCR está polarizado en inversa se comporta como un diodo común (ver la
corriente de fuga Is.
Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de ánodo a
cátodo es menor (VC).
199
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
TRIAC
200
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
IGBT
ID
Avalancha
Saturación
VGS
Corte
Corte VDS
VDSON menor menor BVDS
Avalancha si es un PT-IGBT
201
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
GTO
Característica estática
Al cebarlo por corriente entrante de puerta, tenemos exactamente el mismo proceso que
en el SCR normal.
Para bloquearlo, será necesario sacar los transistores de saturación aplicando una
corriente de puerta negativa:
IA
luego IG
off
donde off es la ganancia de corriente en el momento del corte y vendrá expresada por:
2
off
1 2 1
Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la puerta, debe ser βofflo
mayor posible, para ello debe ser: α2≈1 (lo mayor posible) y α1≈0 (lo menor posible).
202
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
SIT
Curva característica
D
G
IG I A ICBO
1
IA
IG
1 gmRG
ICBO 1 gmRG
IA
1 1 gmRG
1
203
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Teoría de control
donde:
Modelos de control
d n y t d n 1y t dy t
a0 n
a1 n 1
... an 2 an 1y t an k u t
dt dt dt
dy t 1 k
y t u t
dt
donde:
Frecuencia amortiguada
d n 1 2
204
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Tipos de respuesta
Respuesta escalón
t
y t 1 e
C (s ) n 2
2
R(s ) s 2n s n 2
donde:
es el factor de amortiguamiento
es la frecuencia angular
205
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
y t 1 e nt cos n t sen n t
2 1
y t 1 ent n tent
n e s1t n te s2t
y t 1
2 2 1 s1 s2
donde:
s1 2 1
s2 2 1
y t 1 cos n t
206
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Es el tiempo que tarda la respuesta del sistema en alcanzar por primera vez la mitad del
valor final.
Es el tiempo requerido para que la respuesta crezca del 0 al 100% de su valor final o del
10 al 90%.
Tr
d
tan1 d
n
Es el tiempo en el cual la respuesta del sistema alcanza el primer pico del sobreimpulso.
Tp
d
2
1
Mp e
207
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
4
Para un criterio de 2%, Ts
n
3
Para un criterio de 5%, Ts
n
H
t k
I H
C
donde:
Temperatura
t
Temp kA 1 e
donde:
208
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Regla de Mason
La función de transferencia entre una entrada U(s) y una salida Y(s) está dada por:
Y s 1
G s Gi i
U s
donde:
209
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Controladores
Controlador Ganancia
P Gc s Kc
1
PI Gc s Kc 1
i s
PD Gc s Kc 1 d s
1
PID Gc s Kc 1 d s
i s
Controladores PID
Estructura ideal
U s 1
Gc s Kc 1 d s
E s i s
donde:
E(s)=R(s) - Y(s)
R(s) es la transformada de Laplace de la referencia
Y(s) es la transformada de Laplace de la variable de proceso controlada
U(s) es la transformada de Laplace de la variable de manipulación
Sintonización por criterios integrales para cambios en perturbación para un PID ideal
Proporcional-Integral
ISE
IAE
ITAE
0.959
1.305 to
Kc
K
210
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
0.986
0.984 to
Kc
K
0.977
0.859 to
Kc
K
0.739
to
i
0.492
0.707
to
i
0.608
0.680
to
i
0.674
Proporcional-Integral-Derivativo
ISE
IAE
ITAE
0.945
1.495 to
Kc
K
0.921
1.435 to
Kc
K
0.947
1.357 to
Kc
K
0.771
to
i
01.101
0.749
to
i
0.878
211
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
0.738
to
i
0.842
1.006
t
d 0.560 o
1.137
t
d 0.482 o
0.995
t
d 0.381 o
donde:
Sintonización por criterios integrales para cambios en referencia para un PID ideal
Proporcional-Integral
IAE
ITAE
Proporcional-Integral-Derivativo
IAE
ITAE
212
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Comunicaciones
Osciladores
Modo de carga
C1 C
f 1 vC 1 VH VL
IQ IQ
Modo de descarga
C1 C C
f 2 vC 1 VL VH 1 VH VL
IQ IQ IQ
2C1 VH VL
T f 1 f 2
IQ
1 IQ
f0
T 2C1 VH VL
IQ Gm vCN vCO
donde:
df0 Gm
KvF
dvCN 2C1 VH VL
213
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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
VF s R 3C 3s 3
s
Vo s R 3C 3s 3 6R 2C 2s 2 5RCs 1
Vo s RF
A s
VF s R1
1
f0
2 6RC
5
RF R1 2 2 2 1
R C
Osciladores de cuadratura
1
Vf s 1
s Cs
Vo s R 1 1 RCs
Cs
1
f0
2RC
1
Af 2
214
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
RVo1
Vo
1 RCs
VF s RCs
s
Vo s R C s 3RCs 1
2 2 2
RF
A s 1
R1
1
f0
2RC
RF
2
R1
Oscilador Colpitts
1 A 0
1
1 C1 C2 2
f0
2 C1C2L
215
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Oscilador de Harley
1
1 1 2
f0
2 C L1 L2
Osciladores de cristal
1 s 2 s2
Z s
sCp s 2 2p
1
f0
2 LCs
555/556 (Multivibrador astable)
donde:
TA 0.693 Ra Rb C
TB 0.693RbC
La frecuencia con que la señal de salida oscila está dada por la fórmula:
1.44
f0
Ra 2Rb C
y el período es simplemente: T 1/ f0
216
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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
555/556 (monoestable)
T 1.1RaC
217
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Dirección del Programa de Evaluación de Egreso (EGEL) Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Modulación en amplitud
Señal moduladora
ys t As cos s t
Señal portadora
y p t Ap cos pt
Señal modulada
y t Ap 1 mAp xn t cos pt
donde:
E max E min
m
E max E min
donde:
218
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Factor de modulación:
m2 m2
Pt Pc Pc Pc
4 4
donde:
f
v t Vpsen 2fpt cos 2fmt
fm
f
m
fm
donde:
mf = índice de modulación
Δf = variación de la frecuencia de la portadora
Fm = frecuencia de la portadora
Decibel
P
dB 10log10 1
P0
El decibel referenciado a 1 mW
P1
P dBm 10log10
1 mW
219
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S dB
W /m 2 10log 10
P1
2
1W / m
Decibel referenciado a µV
U
U dBV 20log10 1
1 V
Acoplamiento de impedancias
Decibel en antenas
Decibel en acústica
Vbb
Re R2
Ve
UJT
Vb1
Ce
R1
donde:
Vp Vd Va Vd nVbb
R1 R
n 1
R1 R2 Rbb
220
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1
T ReCe ln
1 n
Re max
Vbb Vp
Ip
Vbb Re minIv Vv
Vbb
R Rb2
Vo1 G
Vo3
A
PUT
Vo2 Rb1
C
K
Rk
donde:
VbbRb1
Vg nVbb
Rb1 Rb 2
1 Rb1
T RC ln
Rb 2
Rmax
Vbb Vp
Ip
Vbb Vv
Rmin
v
221
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Instrumentación
Valor promedio
T
1
f t dt
T 0
Aprom
El valor rms
T
1
f t dt
2
Arms
T0
Errores en medición
Error absoluto
Error relativo =
Valor verdadero
222
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Puentes de Wheatstone
Rx R2
R3 R1
RTH R1 R2 R3 Rx
R3 R
VTH V0
2R3Rx R32 Rx2
Si las cuatro resistencias son iguales el puente esta en equilibrio por lo cual:
RTH R
R
VTH V0
4R
223
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Puente de Kelvin
R5 R1
R6 R2
En 4KTR fH fL
donde:
Termopar
V0 AT BT 2
224
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Rango de
Sensibilidad
medición
Tipo Composición aprox. Notas
continua
(μV/oC)
(°C)
Sin resistencia a la
Tungsteno 5% Renio (+) oxidación. Para usos
C 0 a 2300
Tungsteno 26% Renio (-) en vacío, hidrógeno o
atmósferas inertes.
No someterlo a la
Cromel (+) corrosión en
E -40 a 800 68
Constantán (-) temperaturas
criogénicas.
Recomendado en
ambientes reductores o
secos. El cable de
Hierro (+) hierro se oxida en altas
J -100 a 750 55
Constantán (-) temperaturas, por lo
que se usan
calibresgruesos para
compensar.
No recomendado en
ambientes con
Cromel (+) presencia de azufre. Se
K -180 a 1300 41
Alumel (-) usa en ambientes
inertes o levemente
oxidantes.
Mayor resistencia a la
Nicrosil (+) oxidación y al sulfuro
N -270 a 1300 39
Nisil (-) que el tipo “K”; estable
a alta temperatura.
Recomendado en
Platino 13% Rodio (+) atmósferas oxidantes.
R 0 a 1600 10
Platino (-) Fácil de contaminarse,
requiere protección.
225
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Rango de
Sensibilidad
medición
Tipo Composición aprox. Notas
continua
(μV/oC)
(°C)
ambientes oxidantes,
pobre resistencia a
ambientes reductores.
El más estable en
rangos de temperatura
Cobre (+) criogénica. Excelente
T -185 a 400 43 en atmósferas
Constantán (-) reductoras y oxidantes
dentro del rango de
temperatura.
Termistor
1
A B ln R C ln R
3
T
donde:
T = temperatura (K)
R = resistencia del termistor (Ω)
A,B,C = constantes del ajuste de curva
1 1
e 0
T T
R R0
donde:
226
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Sensores
Sensores resistivos
Potenciómetros
R l 1 l x
A A
donde:
Galgas extensométricas
l
R
A
dR d dl dA
R l A
F dl
E E
A l
donde:
E = módulo de Young
= tensión mecánica
= deformación unitaria
227
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Fotorresistencia
E hf
donde:
E = energía
h = constante de Planck 6.62 x 10-34Ws2
f = frecuencia
hc
E
donde:
c = velocidad de la luz
h = constante de Plack
E = 1.602E-19 J
Sensores capacitivos
Condensadores variables
A
C 0 r n 1
d
donde:
Los sensores capacitivos no son lineales, su linealidad depende del parámetro que varía y
del tipo de medición. En un condensador plano, si varía A o r por lo cual:
A
C
d 1
donde:
d
x
228
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Condensador diferencial
A
C1
d1 x
A
C2
d2 x
1
di x di x
Vi V V
1 1 2di
di x di x
x
V1 V2 V
d
Sensores inductivos
d
LN
di
donde:
M
R
229
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donde:
M = fuerza electromotriz
R = reluctancia
1 1
R
0 r A
Sensores electromagnéticos
d
e N
dt
Tacogeneradores
e NBA sentdt
Si es constante
e NBA cos t
e Blv
donde:
230
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VH t
AH
IB
Magnitud
Término Ángulo de fase Magnitud logarítmica Ángulo de fase
logarítmica
K 20log K 0 20log K 0
Línea diagonal con
j 20log 90 pendiente 20 dB/dec 90
que cruza el punto
(w=1,db=0)
Línea diagonal con
1 pendiente –20 dB/dec
20log 90 90
j que cruza el punto
(w=1,db=0)
0 db, hasta la
frecuencia de corte.
1 de 0 a 90
Pendiente 20
j 1 20log 1
tan 1
en 45
dB/dec a partir de
1
0 db, hasta la
frecuencia de corte
1 de 0 a 90
1
20log 1
tan 1
j 1 en 45
Pendiente - 20 dB/dec a
1
partir de
Línea horizontal 0 db
2 hasta n
2 j n de 0 a 180
1 40log tan1 2
2n n n Pendiente 40 dB/dec en v 90
1 para n
n
Línea horizontal 0 db
1 2 hasta n de 0 a
1 n
2 j 40log tan 2 180 en
2 1 n
n n Pendiente -40 dB/dec v 90
1 para n
n
e j t0 0 57.3t0 0 57.3t0
231
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Transformada Z
La TZ bilateral de una señal definida en el dominio del tiempo discreto x[n] es una función
X(z) que se define:
X z Z x n x n z n
n
donde:
n= un entero
z= un número complejo
232
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Fórmulas más
Magnitud Sistema utilizadas para su
cálculo
MKSI CGSEM
Unidad Símbolo Unidad Símbolo
Desplazamiento o I, Ampere A I=V/R
inducción i
Cantidad de Q Coulomb Q Q=I·t
electricidad
d.d.p. o tensión U Volt V V=R·I
Resistencia R Ohm Ω R=V/I
Capacidad C Farad F C=Q/V
Campo eléctrico y E V/m -- E=F/Q
gradiente de
potencia
Desplazamiento o D Q/m2 -- D=ϵ·E
inducción
electrostática
Inducción B Tesla W/m2 Gauss Gs β=1.25 · N · I · μ/L
magnética (Gs)
Campo magnético H A/m -- Oersted Oe H=1.25 · N · I/L
(Oe)
Permeabilidad μ -- -- μ=β/H
Flujo magnético Φ Weber Wb Maxwell Mx Φ=1.25·N·I·μ·S/L
(mx)
Fuerza Ampere At, A Gisbert Gb ϵ=1.25 · N · I
magnetomotriz
.Inductancia L Henry H L=N·φ/108·I
Reluctancia R At/Wb R=I/S·μ
Intensidad luminosa I Candela Cd I=φ/ω
Flujo luminoso Φ Lumen lm Φ=Q/t
Cantidad de luz Q lm/s -- --
Iluminación E Lux lx E=φ/S
Brillo Stilb sb Sb=1 cd/1 cm2
1 nit= 1 cd/1 m2
233
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1 1
Material
mm 2
Material mm2
m m
Acero dulce 0.1300 7.700 Latón Ms 63 0.0710 14.00
Aluminio 0.0278 36.00 Magnesio 0.0435 23.00
Antimonio 0.4170 2.400 Manganina 0.4230 2.370
Cadmio 0.0760 13.10 Mercurio 0.9410 1.063
Carbón 40.000 0.025 Níquel 0.0870 11.50
Cobre (eléc.) 0.0175 57.00 Niquelina 0.5000 2.000
Constantán 0.4800 2.080 Oro 0.0222 45.00
Cromo-Ni-Fe 0.1000 10.00 Plata 0.0160 62.50
Estaño 0.1200 8.300 Plata alemana 0.3690 2.710
Hierro fundido 1.0000 1.000 Platino 0.1110 9.000
Hierro (puro) 0.1000 10.00 Plomo 0.2080 4.800
Grafito 8.0000 0.125 Tungsteno 0.0590 17.00
Latón Ms 58 0.0590 17.00 Zinc 0.0610 16.50
Resistividad de aislantes
Material cm Material cm
Aceite de parafina 1018 Mica 1017
Agua de mar 106 Parafina (pura) 1018
Agua destilada 107 Plexiglás 1015
Ámbar comprimido 1018 Poliestireno 1018
Baquelita 1014 Porcelana 1014
Caucho (hule) duro 1018 Tierra húmeda 108
Mármol 1010 Vidrio 1015
234
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Constante dieléctrica r
Serie E 6 6 10
Serie E 12 12 10
Serie E 24 24 10
1.0 2.2 4.7 1.0 2.2 4.7 1.0 2.2 4.7
1.1 2.4 5.1
1.2 2.7 5.6 1.2 2.7 5.6
1.3 3.0 6.2
1.5 3.3 6.8 1.5 3.3 6.8 1.5 3.3 6.8
1.6 3.6 7.5
235
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Acero fundido y
Lámina de acero
lámina tipo
Inducción o densidad aleado
Hierro fundido “dynamo”
de flujo W
W Fe10 1.3
Fe10 3.6 kg
kg
B H r H r H r
Tesla
Gauss(Gs) A/m A/m A/m
(T=Vs/m2)
0.1 1 000 440 181 30 2 650 8.5 9 390
0.2 2 000 740 215 60 2 650 25 6 350
0.3 3 000 980 243 80 2 980 40 5 970
0.4 4 000 1 250 254 100 4 180 65 4 900
0.5 5 000 1 650 241 120 3 310 90 4 420
0.6 6 000 2 100 227 140 3 410 125 3 810
0.7 7 000 3 600 154 170 3 280 170 3 280
0.8 8 000 5 300 120 190 3 350 220 2 900
0.9 9 000 7 400 97 230 3 110 280 2 550
1.0 10 000 10 300 77 295 2 690 355 2 240
1.1 11 000 14 000 63 370 2 360 460 1 900
1.2 12 000 19 500 49 520 1 830 660 1 445
1.3 13 000 29 000 36 750 1 380 820 1260
1.4 14 000 42 000 26 1 250 890 2 250 495
1.6 16 000 3 500 363 8 500 150
1.7 17 000 7 900 171 13 100 103
1.8 18 000 12 000 119 21 500 67
1.9 19 000 19 100 79 39 000 39
2.0 20 000 30 500 52 115 000 14
2.1 21 000 50 700 33
2.2 22 000 130 000 13
2.3 23 000 218 000 4
236
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Explicaciones: B25 = 1.53 tesla significa que una inducción o densidad de flujo mínima de
1.53 T se alcanzará con una intensidad de campo de 25 A/cm. Para una línea de flujo de,
p. ej., 5 cm, se necesitarán: 5 x 25 = 125 A.
Densidad a t=15 °C
Temperaturas (o puntos) de fusión y de ebullición para = 1.0132 bar = 760 Torr
Los valores entre paréntesis indican sublimación, o sea, cambio directo del estado sólido
al gaseoso.
Conductividad térmica a 20 °C
Capacidad térmica específica (o calor específico) para el intervalo de temperaturas 0 < t <
100 °C
Puntos de
Conductividad Calor
Densidad Fusión
Ebullición térmica específico
Sustancia (soldf.)
k c
kg/dm3 °C °C W/(mK)(1) kJ/(kgK)(2)
Aceite de colza 0.91(3) -3.5 300 0.17 1.97
Aceite de linaza 0.94(3) -20 316 0.15
Aceite para calefacción 0.92(3) -5 175-350 0.12
237
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Ceneval, A.C.
Camino al Desierto de los Leones (Altavista) 19,
Col. San Ángel, Del. Álvaro Obregón, C.P. 01000, México, CDMX
www.ceneval.edu.mx
El Centro Nacional de Evaluación para la Educación Superior es una asociación civil sin
fines de lucro que quedó formalmente constituida el 28 de abril de 1994, como consta en
la escritura pública número 87036 pasada ante la fe del notario 49 de la Ciudad de
México. Sus órganos de gobierno son la Asamblea General, el Consejo Directivo y la
Dirección General. Su máxima autoridad es la Asamblea General, cuya integración se
presenta a continuación, según el sector al que pertenecen los asociados, así como los
porcentajes que les corresponden en la toma de decisiones:
AGOSTO • 2017
240