Universidade Federal de Pernambuco

CTG – Centro de tecnologia e geociências

DES – Departamento de Eletrônica e Sistemas
Introdução aos Dispositivos Semicondutores
Professor : Joaquim F Martins Filho
Monitor : Daniel Marinho e Silva

FORMULÁRIO – 2a. Unidade

Transistor Bipolar de junção (TBJ)

I E = IC + I B I C = α .I E
I C = B.I EP I C = β .I B
I EP = γ .I E
  Dn .N d .L p  l  
−1
 l 
γ = 1 +  E
. tanh    B = sec h 
 D .
  p a nE N .L 
 L p    Lp 
−1
  l   D n E . N d .L p  l  
α = cosh +
  D . N .L
. senh
L
 

  Lp   p a nE  p  
−1
  l   D . N .L  l  
β = cosh  +  nE d p .senh  − 1
  L p   D p .N a .LnE  L p  
 eK.VBEBT   eK.VBCBT 
I E = I ES  e − 1 − α I .I CS  e − 1
   
 e .VEB
  e .VCB

I C = α N . I ES  e K BT − 1 − I CS  e K BT − 1
   
e. A.D p . p B  l  e. A.DnE .nE
I ES = . coth  +
Lp  Lp  LnE
e. A.D p . p B  l  e. A.DnC .nC
I CS = . coth   +
Lp  Lp  LnC
e. A.D p . p B  l  e. A.D p . p B  l 
αN = . csc h  αI = . csc h 
I E S .L p  Lp  I CS .L p  Lp 
α N .I ES = α I .I CS
Transistor Efeito de campo - Junção (JFET)

e.N d .a 2
VC =
2∈
 −
3
−
3

V 2  V  2
2  V V  2
I D = G0 .VC . + 
D p
 −  D p
 
VC 3  VC  3  VC  
 
2e.N d . µ n .D.a
G0 =
L
VDsat = Vc + V p

Transistor Efeito de campo – MOS (MOSFET)

VC =
Qd − Qox
+ 2φ F + φ ms µ n .C i .V DS2
Ci I D sat =
2 L2
2 K BT  N a  µ n .C i  V D2 
2φ F = ln  ID = .(V − V ).V −
e n 
 i  L2 
p C D
2 
1
Qd = 2(∈S .e.N a .φ F ) 2 . A
∈ .A
Ci = i
d

Dispositivos opto-eletrônicos

I = I 0 .e −αx  KeVBT 
I = I S . e − 1 − I L
2ωκ  
α=
c η.e.I 0 . A η.e.PL .λ
IL = =
N = n + iK h.ω hc

R=
(N − 1) 2
PL = I . A
N +1 I .V
FF = m m
η .I 0 I cc .Vca
g=
h.ω .d I η.e.λ
b.d .g.τ r .e.(µ n + µ p ).V r= L =
∆I = PL hc
l P I .V
∆I η conv = ele = m m
G= PL PL
e.g .b.d .l