Amplificadores Con BJT de 1 Etapa

Laboratorio de Electrónica II – Instructor: Miguel Eduardo Rivera

Ingeniería Eléctrica Industrial – UNAH

 Juan José Molina García
Departamento de Ingeniería Eléctrica
Ciudad Universitaria (UNAH)
Tegucigalpa, Honduras
Juanmolinagarcia1997@gmail.com
Nelson Alexander Reyes Lainez
Departamento de Ingeniería Eléctrica
Ciudad Universitaria (UNAH)
Tegucigalpa, Honduras
nelsonfoot9@hotmail.com
Hermen Octavio Alvarenga Perez
Departamento de Ingeniería Eléctrica
Ciudad Universitaria (UNAH)
Tegucigalpa, Honduras
hermenoctavio.ap@gmail.com
 Resumen—En el presente
reporte de laboratorio se
muestra el comportamiento
de tres tipos de conexiones de
transistores JFET. Se
aprendió a identificar la
topología del circuito de
amplificación de dichas
conexiones. Mediante la
ayuda de un computador y un
tablero se midieron las
corrientes, voltajes y Existen unos dispositivos
ganancias que los caracteriza.
Palabras Clave—
Transistor, fuente común,
drenador Común, compuerta
común, ganancia, impedancia,
distorsión, polarización.
I. INTRODUCCIÓN
El primer transistor se creó
en los laboratorios Bell
(Estados Unidos de N.A.) en
1947, partiendo de una oblea
de germanio, gracias a los
trabajos de William
Shockley, John Bardeen, y
Walter Brattain, por lo cual
recibieron el premio Nobel.
En el año 1954, la firma
Texas Instruments de
Estados Unidos, fabricó el
primer transistor de silicio,
lo cual bajó los costos y
permitió, gracias a nuevas
técnicas de fabricación, su
comercialización a gran
escala.
Han reemplazado en la
mayoría de las aplicaciones
a los tubos o válvulas
electrónicas, en los circuitos
de radio, audio, etc.
permitiendo la fabricación
de equipos portátiles e
inmunes a vibraciones y de
bajo consumo de energía (en
los primeros tiempos se
llamaba a los equipos
transistorizados de "estado
sólido" o "fríos").
Los transistores más
conocidos son los llamados
bipolares (NPN y PNP),
llamados así porque la
conducción tiene lugar
gracias al desplazamiento de
portadores de dos
polaridades (huecos configuración de corriente de valor
positivos y electrones compuerta común. gm*vgs. Conocidos los
negativos), y son de gran valores de gm y vgs,
utilidad en gran número de podemos calcular la
III. MARCO TEÓRICO
aplicaciones, pero tienen corriente alterna de
ciertos inconvenientes, entre Para analizar los drenador.
los que se encuentra su amplificadores JFET,
impedancia de entrada necesitamos trabajar con la
bastante baja. transconductancia, que se
designa mediante gm y se
define como:
que eliminan este
inconveniente en particular y
que pertenece a la familia de
dispositivos en los que existe
Esta expresión dice que la
un solo tipo de portador de
transconductancia es igual a
cargas, y por tanto, son
la corriente alterna de
unipolares. Se llama
drenador dividida entre la
transistor de efecto campo
tensión alterna puerta-
(JFET). Este dispositivo de
fuente. La transconductancia
tres terminales, siendo una
nos dice cómo de efectiva es Figura 1
de ellas capaz de controlar el
la tensión puerta-fuente
flujo de corriente entre las
controlando la corriente de
otras dos, la fabricación de
drenador. Cuanto mayor sea
varios de estos dispositivos
la transconductancia, más
conectados en diversas
control tiene la tensión de
configuraciones en una
puerta sobre la corriente de
misma oblea de silicio,
drenador.
permitió crear los circuitos
La Figura 1 revela el
integrados o chips, base de
significado de gm en
todos los aparatos
términos de la curva de
electrónicos modernos.
transconductancia. Entre los
Conectados de manera
puntos A y B, una variación
apropiada, permite
en VGS produce una Figura 2
amplificar señales muy
variación en ID. La
débiles, convertir energía,
variación de ID dividida Amplificadores con JFET
encender o apagar sistemas
entre la variación de VGS es Son fundamentalmente dos
de elevada potencia, crear
el valor de gm entre A y B. de las propiedades del JFET
osciladores desde
Si seleccionamos cualquier que lo hacen insustituible en
frecuencias bajas hasta
otra pareja de puntos más ciertas aplicaciones: su
frecuencias de radio, etc.
arriba en la curva, como los elevada impedancia de
puntos C y D, obtenemos entrada (y, por tanto, su bajo
II. OBJETIVOS una variación mayor de ID consumo de corriente y
para la misma variación de potencia a la entrada) y su
a) Analizar el
VGS. Por tanto, gm tiene un bajo ruido con altas
comportamiento del
valor mayor cuanto más impedancias del generador.
transistor JFET en su
arriba de la curva se está. Por lo contrario, su menor
configuración fuente
Dicho de otra manera, gm es transconductancia, su
común.
la pendiente de la curva de característica esencialmente
transconductancia. Cuanto cuadrática (el FET es menos
b) Analizar el
mayor es la inclinación de la fiable en los grandes
comportamiento del
curva en el punto Q, mayor amplificadores y en trabajo a
transistor JFET en su
es la transconductancia. La la alta frecuencia) y su
configuración drenador
Figura 2 muestra un circuito precio más elevado como
común.
equivalente de alterna para componente directo son
un JFET. Entre la puerta y la inconvenientes que el
c) Analizar el
fuente hay una resistencia diseñador debe tener en
comportamiento del
RGS muy grande. El cuenta para resolver el
transistor JFET en su
drenador de un JFET se dilema del JFET-bipolar.
comporta como una fuente
En pequeña señal y en
aplicaciones de baja
frecuencia, el JFET queda
representado por el circuito
de la figura.
Figura 5

La Figura 5 muestra el
circuito equivalente de
alterna. La resistencia de V. PROCEDIMIENTO
drenador en alterna rd se
define como: rd=(RD ll RL).
La ganancia de tensión es: 1. Se construyó el
siguiente circuito: Circuito 2
Figura 3
4. Se midió el voltaje
La resistencia de entrada es drenador-fuente
esencialmente infinita, ya lo que se simplifica como VDSQ y la
que la puerta forma con el sigue: corriente de
canal una unión polarizada drenador IDQ:
inversamente. Esta expresión indica que la
ganancia de tensión de un VDSQ IDQ
La Figura 4 muestra un amplificador en fuente 2.91 V 1.817mA
amplificador en fuente común es igual a la
común. Los condensadores transconductancia por la 5. Se construyó el
de acoplo y desacoplo son resistencia de drenador en Circuito 1 siguiente circuito:
cortocircuitos en alterna. Por alterna. 2. Se varió el voltaje
tanto, la señal está acoplada VDS desde cero
directamente a la puerta. con incrementos
Dado que la fuente está IV. MATERIALES Y
pequeños y se
desacoplada a tierra, toda la EQUIPO
midio la corriente
tensión alterna de entrada 1. Una estación de de drenador como
aparece entre la puerta y la laboratorio NI lo indica la
fuente, lo que da lugar a una ELVIS
corriente alterna de
drenador. Puesto que la
corriente alterna de drenador
fluye a través de la Circuito 3
resistencia de drenador, 6. Se utilizó una
obtenemos una tensión fuente AC senoidal
alterna de salida amplificada a 10KHz en la
siguiente tabla.
e invertida. Esta señal de entrada con 10mVp
2. Resistencias Tabla 1.
salida se acopla entonces a y se obtuvo la
VDS(V) ID(mA)
la resistencia de carga.
0 0 forma de onda de
0.5 1.91 salida sin distorsión
1 2 que se muestra en
2 2.17 la siguiente gráfica:
3 2.28

VGS(OFF) IDSS(mA)
(V)
-3.5 2.36
3. Se construyó el
siguiente circuito:
Figura 4
3. Transistor 2N5454
 a 10KHz en la A= 1.2937V/12.33
entrada con =0.104V
100mVp y se
obtuvo la forma de
20. En el amplificador
la onda de salida
sin distorsión como con FET en
compuerta común,
lo muestra la
siguiente gráfica. se cambió la
11. Se utilizó una resistencia RL con
16.
fuente AC senoidal una resistencia de
a 10KHz en la 1kΩ.
entrada con 1 Vp y
se obtuvo la forma
de la onda de 21. Se utilizó una
salida. fuente AC senoidal
a 10kHz en la
Ilustración 1 entrada con
7. Se determinó la 100mVp y se
ganancia de voltaje: obtuvo la forma de
Av=Vasl/Vent=653. Ilustración 4
onda de salida sin
73mVp- distorsión, como se
p/19.22mVp- 17. Se determinó la
ganancia de voltaje muestra en la
p=34.01 siguiente gráfica.
8. Se aumentó el A.C. A=Vsal/Vent=
voltaje de entrada 242.33mV/19.6552
gradualmente hasta mV=12.33
que la salida se
distorsionó.
18. Se aumentó el
voltaje de entrada
gradualmente hasta
que la salida se
distorsiono como lo
Ilustración 3
muestra la siguiente
12. Se determinó la gráfica:
ganancia de voltaje
AC. 22. Se determinó la
A=Vsal/Vent=0.94 ganancia de voltaje
13. Se construyó el AC. A=
siguiente circuito: Vsal/Vent=
Ilustración 2
139.2mV/194.78m
9. Se determinó el V=0.71
voltaje máximo
permisible de 23. Se volvió a
entrada mediante conectar
Vsalmax sin que RL=100kΩ en
exista distorsión. 19. Se determinó el serie con el
Venmax=Vsalmax/ 14. Se midió el voltaje voltaje máximo capacitor C2.
A=6.34V/34.01=0. DC drenador- permisible de
18V compuerta VDGQ entrada mediante
10. Se construyó el y la corriente de 24. Se utilizó una
Vsalmax sin que
siguiente circuito: drenador IDQ. fuente AC senoidal
exista distorsión.
15. Se utilizó una a 10kHZ en la
Venmax=Vsalmax/
fuente AC senoidal entrada con
 100mVp y se
obtuvo la forma de
onda de salida sin
distorsión, como se
muestra en la
siguiente gráfica.

Grafica 6.
Circuito Drenador común:

VII. ANALISIS DE
RESULTADOS
En la tabla 1. Se observan
los datos obtenidos en
laboratorio, de la corriente
de drenaje y el voltaje
25. Se determinó la drenador fuente en el punto
ganancia de voltaje Q, así hacer un tanteo de la
corriente IDSS, viendo a qué
AC. A= nivel de voltaje se estabiliza
Vsal/Vent=124.78m la corriente.
Grafica 5.
V/194.78mV=0.64
En la ilustración 1. Se puede
Grafica 3. ver la comparación de ondas
VI. SIMULACIONES de salida y entrada,
Circuito Fuente común: mostrando un desfase de
180°, también una ganancia
de voltaje bastante alta, estas
características iguales a los
BJT conectados en emisor
común.

En la ilustración 3. Podemos
observar la configuración de
drenaje común, una ganancia
un poco menor a 1, al igual
que en los BJT en
configuración en colector
Grafica 4. común.
Grafica 1.
La Ilustración 4. Se muestra
una ganancia de la
configuración de compuerta
común bastante significativa
de voltaje, pero no mayor a
la obtenida en fuente común,
lo que concuerda con la

Grafica 2.
Circuito Compuerta
común:
teoría y análogamente al que la región de calcula así: alta, este tipo de
BJT en configuración base agotamiento crezca, Rent=Zent=|(VGS)/ conexión
común, la ganancia está si Vgs es cero la (ID)|, idealmente proporciona la
entre el rango de media y región de esta resistencia tiene ventaja de que si la
alta. agotamiento será valores muy grandes, fuente de
mínima lo que está en la escala de alimentación es
significa que para MΩ. variable se puede
VIII. CUESTIONARIO valores positivos de controlar ID y a su
1. ¿Por qué al obtener Vgs la región de RL es la resistencia vez el punto de
las características del agotamiento seguirá de carga y esta como operación del JFET
JFET obtenemos una siendo mínima e ID tal no tiene un valor haciendo que
Id mayor que Idss? se mantendrá ideal, dependerá de trabaje en la región
R// las curvas constante ya que el la función que óhmica, lo que hará
características de mayor valor de ID es cumpla el circuito que el JFET trabaje
transferencia de un IDSS, lo mismo amplificador a la como una
transistor JFET están sucederá si se le cual esté conectada, resistencia variable
dadas por la fórmula: aplica un voltaje pero si se pretende controlada por
ID = IDSS (1 – [Vgs negativo a un JFET aprovechar la voltaje.
/ Vgs (off)]), donde: de canal P. ganancia de voltaje – Octavio
IDSS es el valor de idealmente debería Alvarenga
corriente cuando la 3. ¿Qué son los JFET de tener un valor
Tipo Av Ai Zo Zi θ Uso
grande.  Conclusión Juan
SC Media-
Media-Alta gm Alta 180° Amplificador
Alta IX. X. REFERENCIAS
Adaptador
GC
Media-
1
Media-
baja 0° de CONCLUSIONES
Alta Alta
impedancias  Con el transistor
Adaptador
DC 1 gm
Media-
Alta 0° de JFET conectado en
Baja configuración de
impedancias
Vgs = 0; Vgs (off) es simétricos? ¿son drenador común
el voltaje cuando ya todos los JFET podemos obtener
no hay paso de simétricos? una ganancia de
corriente entre R//. Si son voltaje poco menor
drenaje y fuente (ID dispositivos es decir a 1, al igual que los
= 0); Vgs es el son bidireccionales, transistores BJT
voltaje entre la no hay distinción conectados en
compuerta y la entre las terminales colector común, la
fuente para la que se de drenaje y fuente, única diferencia es
desea saber ID, de salvo por el sentido que en drenador
esta ecuación se de circulación de común la
puede observar que corriente, es positiva impedancia de
ID no será mayor cuando circula de entrada es alta,
que IDSS, de hecho drenaje a fuente, por mientras que en
IDSS es el mayor lo tanto, todos los colector común
valor que tomara ID, JFET son simétricos. baja, que puede ser
los resultados convenientemente
obtenidos para ID en 4. Haga una tabla útil para circuitos
la práctica fueron comparativa que que requieran
menores que IDSS. muestre las ventajas impedancias de
de las 3 entrada altas.
2. ¿Qué pasa cuando el configuraciones de – Nelson Reyes
JFET de canal N los amplificadores
tiene un Vgs con JFET  En el transistor
positivo? ¿Y el JFET JFET conectado en
de canal P tiene un 5. ¿Qué simbolizan las compuerta común
Vgs negativo? resistencias RL y se obtiene una
R//Para el JFET de Ren? ganancia de
canal N se necesita R// Ren es la corriente cercana a
un Vgs cada vez más impedancia de uno y una ganancia
negativo para hacer entrada del JFET se de voltaje media o