UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA – UNAD 1

ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS, TECNOLOGÍA E INGENIERÍA

PROGRAMA DE INGENIERÍA

Informe Electrónica de Potencia 203039

Jerez Cristian, Amaya Luis Ivan Amaya Bautista, Mercado López Juan Camilo
Universidad Nacional Abierta y a Distancia


Resumen—El presente documento corresponde al
informe de los laboratorios de Electronica de Potencia
desarrollados en el laboratorio de CISCO del CEAD
Bucaramanga.
Para desarrollar el contenido del presente trabajo fue de vital
importancia el material académico suministrado por el tutor,
fue necesario además hacer consultas en la bibliografía de la
materia disponible en el entorno de conocimiento, syllabus del
curso, consultas en el internet y la documentación disponible
de la biblioteca virtual de la UNAD.

Índice de Términos—Cerca de cuatro palabras claves o Todas las simulaciones para verificar los datos obtenidos en el
frases en orden alfabético, separadas por comas. Para una lista laboratorio fueron desarrolladas con el software PROTEUS.
de palabras claves sugeridas, envíe un correo electrónico en
blanco a keywords@ieee.org o visite el sitio web de IEEE en:
http://www.computer.org/portal/site/ieeecs/menuitem.c5efb9b
II. DESARROLLO
8ade9096b8a9ca0108bcd45f3/index.jsp?
&pName=ieeecs_level1&path=ieeecs/publications/author&fil Materiales a llevar a la práctica.
e=ACMtaxonomy.xml&xsl=generic.xsl&  Todos los componentes electrónicos de cada circuito.
 Protoboard.
 Cables de conexión.
I. INTRODUCCIÓN  Pinza y corta frio.

Por medio del presente trabajo escrito se pretende dejar
evidencia de las actividades requeridas para el componente
practico indicadas en la guía de actividades cuyo objetivo es
que nosotros como estudiantes conozcamos, estudiemos,
entendamos, comprendamos, apropiemos, y sobre todo
apliquemos los conceptos que se van estudiar durante el
desarrollo del presente curso de Electronica de Potencia cuyos
principales temas relacionó a continuación:
Los equipos que el tutor debe solicitar en el centro para el
desarrollo de esta guía de laboratorio se listan a continuación:
 Multímetro.
 Osciloscopio (incluir puntas de prueba).
 Fuente de poder regulada variable. (incluir cables).
 Generador de señal. (incluir cables).

 Semiconductores de potencia PRACTICA No.1 CARACTERÍSTICAS DEL SCR

 Circuitos convertidores
 Accionamiento de motores

Como estrategia de aprendizaje que garantizará la asimilación

de los conceptos se desarrollaron las siguientes actividades
para el logro de los objetivos de la presente unidad.

 Practicas dirigidas (tres) en el laboratorio de CISCO

del CEAD Bucaramanga con tres componentes muy
utilizados en electrónica de potencia como el SCR,
MOSFET y IGBT.
 Elaboración del informe respectivo de las practicas
desarrolladas.
Procedimiento:
 Estudio del contenido académico del curso.
1. Realice el montaje del circuito de la figura.
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2. Lleve a R1 y R2 al valor medio y V1 y V2 al valor mínimo.

3. Ajuste la corriente de puerta IG = IG1 (valor de corriente de

puerta para disparo No 1) Tal que el voltaje ánodo cátodo
VAK de ruptura en directa VBO este entre 15 y 20V
ajústelo variando R2 y V2.

4. Lentamente varié el valor de V1 en aumentos de 2 voltios

anote el valor del voltaje ánodo cátodo VAK y de la 5.
corriente ánodo cátodo IAK en cada aumento hasta que el
SCR conduzca. ¿Cuál es el valor máximo de V AK antes 6.
que el SCR conduzca?
Asegúrese que el SCR está en estado de conducción.
Inicie reduciendo el voltaje VAK en decrementos de 2
voltios, revise el estado del SCR al estar apagada la fuente
V2.

7. Desconecte temporáneamente el pin puerta (GATE) y

poco a poco reducir la tensión de alimentación hasta que
la corriente del SCR repentinamente cae a cero. Tenga en
cuenta el valor de la corriente anterior a cero “este es el
valor de la corriente de mantenimiento IH.

Pregunta: ¿Qué crees que va a pasar en el circuito de la figura

1 si se dispara el SCR, y luego se reduce la corriente de puerta
a cero de nuevo?

Pregunta: ¿Qué observas ahora que repentinamente usted

aumenta y reduce la corriente de puerta?

PRACTICA No.2: CARACTERÍSTICAS DEL MOSFET

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Tabla 2
V1=VDS1 = 10V

VGS V IDS (mA)

Procedimiento:

Características de transferencia

1. Realice el montaje del circuito de la figura.

VGS =VGS1=VTH

VDS V IDS (mA)

Características de drenaje:

5. Ajustar el VG variando el valor de V2 a VTH.

6. Variar VDS cambiando el valor de V1 en variaciones de

0.5V y anote el valor de IDS. (hasta que IDS sea constante)
8V (max)
7. Repetir los pasos anteriores para diferentes valores de
VGS2 = VTH ± 0.1V.
2. Ajuste VGS=10V variando V1, mantenga R1 ligeramente
mayor a ¼ del valor total. 8. Llenar la tabla.
Tabla 3
3. Cambie el valor de VGS variando el valor de V2.
(mantenga R2 en el valor mínimo) y observe como cae el
valor de IDS cada 0.5V de variación del voltaje VGS,
llevando VGS a 5V.

4. Repita los pasos anteriores para diferentes valores de

VDS2 = 15V.

Llenar las tablas.

Tabla 1

Tabla 4

V1=VDS2 = 15V o 12V

VGS=VGS2=VTH± 0.1V
VGS V IDS (mA)
VDS V IDS (mA)

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Pregunta: ¿Por qué los MOSFET no son implementados en

aplicaciones de elevadas potencias?

PRACTICA No.3: CARACTERÍSTICAS V-I DEL IGBT

Procedimiento:

Características de transferencia

1. Realice el montaje del circuito de la figura.

2. Inicialmente mantenga V1 y V2 al valor mínimo.

3. Seleccione el valor de V1=VCE1=10V.

4. Lentamente varié V2 (VGE) y anote VGE e IC en cada 0.5V

de cambio tenga en cuenta que el VGE máximo debe ser 8
voltios.
V2=VGE V1 IC

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5. El mínimo voltaje de compuerta V GE, el cual es requerido

para que el IGBT conduzca es llamado VTH.
El voltaje mínimo requerido en la compuerta V2(VGE) para
que conduzca VTH es de 1.0 V en la fuente V1

6. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de VGE y

dibuje la gráfica de VGE vs IC.

Características de Colector

1. Inicialmente ajuste el valor de V2 hasta que el VGE1 sea 5V

mayor o igual al VTH.

2. Lentamente varié V1 y anote los valores de V GE e IC para

ujn particular voltaje de compuerta (VG) existe un valor de
voltaje de estrangulamiento VP entre colector y emisor.

3. Si VCE es menor que Vp el dispositivo trabaja en la región

de ganancia constante e IC es directamente proporcional a
VCE.

4. Si VCE es mayor que VP, una corriente constante fluye por

el dispositivo y esta región es llamada región de corriente
constante.

5. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de VGE y

anote los valores de IC vs VCE.

III. LA MATEMÁTICA

IV. LAS UNIDADES

V. INDICACIONES ÚTILES

VI. CONCLUSIONES

Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y puerta. La

puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el
ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como un diodo
rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un
solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensión en la
puerta del SCR no se inicia la conducción y en el instante en
que se aplique dicha tensión, el tiristor comienza a conducir.
El pulso de disparo ha de ser de una duración considerable, o

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bien, repetitivo. Según se atrase o adelante éste, se controla la

corriente que pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos
anular la tensión de puerta y el tiristor continuará conduciendo
hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la
corriente de mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el
SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando
en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo
forzado.

Cuando se produce una variación brusca de tensión entre

ánodo y cátodo de un tiristor, éste puede dispararse y entrar en
conducción aún sin corriente de puerta. Por ello se da como
característica la tasa máxima de subida de tensión que permite
mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al
condensador parásito existente entre la puerta y el ánodo.

Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrónica de

potencia, en el campo del control, debido a que puede ser
usado como interruptor de tipo electrónico.

APÉNDICE

REFERENCIAS

Introducción a los sistemas electrónicos de potencia.

Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W. (2009). Electrónica de
potencia: convertidores, aplicaciones y diseño (pp. 3-14).
Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reade
r.action?ppg=22&docID=10565530&tm=1482450097688
Dispositivitos de potencia.
Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W. (2009). Electrónica de
potencia: convertidores, aplicaciones y diseño (pp. 445-582).
Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reade
r.action?ppg=464&docID=10565530&tm=1482450513143
Circuitos de disparo.
Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W. (2009). Electrónica de
potencia: convertidores, aplicaciones y diseño. (pp. 608-637).
Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reade
r.action?ppg=627&docID=10565530&tm=1482451710573

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