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Dispositivos semiconductores de potencia.

Tema VII. Interruptores.

Lección 19 El rectificador controlado de silicio.

19.1 Construcción y encapsulado


19.2 Funcionamiento en bloqueo
19.2.1 Bloqueo directo
19.2.2 Bloqueo inverso
19.2.3 Características eléctricas y pérdidas
19.3 Funcionamiento en conducción
19.3.1 Circuito equivalente y características eléctricas
19.3.2 Cálculo de pérdidas

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor


19.4.1 Por tensión excesiva
19.4.2 Por derivada de tensión
19.4.3 Por radiación electromagnética
19.4.4 Por impulso de puerta. Características de puerta
y tiempos de disparo
19.4.5 Circuitos de disparo. Dispositivos, transformadores
de impulsos y optoacopladores
19.5 Bloqueo del tiristor
19.5.1 Formas de bloqueo: Estático y dinámico
19.5.2 Métodos de bloqueo: Por fuente inversa de tensión
y por fuente inversa de corriente

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

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19.6 Otros tiristores
19.6.1 Tiristor bidireccional (TRIAC)
19.6.2 Tiristor de apagado por puerta (GTO)
19.6.3 Fototiristor
19.6.4 Tiristor controlado por estructura MOS (MCT)
19.7 Uso de los datos de catálogo de fabricantes

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.1 Construcción y encapsulado.


CARACTERÍSTICAS
CARACTERÍSTICASGENERALES:
GENERALES:
-Estructura
-Estructurade
decuatro
cuatrocapas
capas(PNPN)
(PNPN)con
condos
dos
estados
estadosestables
estables(conducción
(conducciónyybloqueo).
bloqueo).

ESTRUCTURA:

A K
(Ánodo) (Cátodo)
G
(Puerta)

J1: Unión anódica.


J2: Unión de control.
J3: Unión catódica.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

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19.1 Construcción y encapsulado.
TÉCNICAS
TÉCNICASDE
DECONSTRUCCIÓN:
CONSTRUCCIÓN:--Difusión.
Difusión.
--Crecimiento
Crecimientoepitaxial.
epitaxial.

DIFUSIÓN
P
Capa de Capa
Capa anódica Capa de bloqueo Catódica
control
(substrato tipo N)
P1 N1 P2 N2

DIFUSIÓN
N
0

P1 N1 P2
G

unión de control
A
unión anódica

unión catódica
K
N2 N

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.1 Construcción y encapsulado.

ENCAPSULADOS - Aislamiento
- Conexión Eléctrica
- Disipación térmica
DO 208 AC

Ánodo Cobre
Tugsteno

Au - Sb

Cápsula Pastilla
metálica
Aluminio
Cierre
aislante Puerta Tugsteno

Cobre
Cátodo

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

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19.1 Construcción y encapsulado.

ENCAPSULADOS

TO 209 AD TO 200 AF TO 208 AC


B7 B 20 B2

500 V 1300 V 500 V


100A 1800A 24A

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.2 Funcionamiento en bloqueo.


Bloqueo directo: CARGA

A
CARGA
P1

iA
N1
A
G P2
V AK N2

K
G
i G=0A
K

CARGA

iA

A
• La unión de control está
V AK
polarizada inversamente.
G
iG=0A K
• Corriente de fugas directa.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

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19.2 Funcionamiento en bloqueo.
Bloqueo inverso: CARGA

A
CARGA
P1
iA

A N1

P2
G
V AK N2

K
G
i G=0A K

CARGA

iA

A
• La unión anódica está
V AK
polarizada inversamente.
G
iG =0A
K
• Corriente de fugas inversa.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.2 Funcionamiento en bloqueo.


Características eléctricas en bloqueo.

iA

(en conducción)

VBR VRSM VRRM VRWM

VDWM VDRM VDSM VBO


VAK

(en bloqueo inverso) (en bloqueo directo)

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

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19.2 Funcionamiento en bloqueo.
Características eléctricas en bloqueo inverso.
Parámetros:
Tensión de trabajo inversa(V RWM):
Máxima tensión inversa que puede ser soportada de forma
continuada sin peligro de calentamiento por avalancha.

Tensión de pico repetitivo inversa(V RRM):


Máxima tensión inversa que puede ser soportada en picos de
1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.

Tensión de pico único inversa(VRSM):


Máxima tensión inversa que puede ser soportada por una sola
vez cada 10 minutos o más, con duración de pico de 10ms.

Tensión de ruptura inversa (VBR):


Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede
destruirse o al menos degradar sus características eléctricas.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.2 Funcionamiento en bloqueo.


Características eléctricas en bloqueo directo.
Parámetros:
Tensión de trabajo directa(VDWM):
Máxima tensión directa que puede ser soportada de forma
continuada sin peligro de calentamiento por avalancha.

Tensión de pico repetitivo directa(VDRM):


Máxima tensión directa que puede ser soportada en picos de
1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.

Tensión de pico único directa(V DSM):


Máxima tensión directa que puede ser soportada por una sola
vez cada 10 minutos o más, con duración de pico de 10ms.

Tensión de ruptura directa (VDO):


Si es alcanzada, el diodo entra en conducción sin dañarse.

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19.2 Funcionamiento en bloqueo.
Cálculo de pérdidas:

••Son
Son muymuy pequeñas
pequeñas en en comparación
comparación aa las las
producidas en conducción.
producidas en conducción.
••El
El fabricante
fabricante proporciona
proporciona el el valor
valor máximo
máximo de
de la
la
corriente de fugas (I
corriente de fugas (Ifugasmax).
).
fugasmax
••Es
Es suficiente con acotar
suficiente con acotar las
las máximas
máximas pérdidas
pérdidas
producidas en bloqueo, tomando
producidas en bloqueo, tomando fuga I Ifugasmax.
smax.

1 T 1 T
Pdis =
T ∫ 0
v AK (t) ⋅ i A (t) ⋅ dt ≤ I fugasmax ⋅
T ∫
0
v AK (t) ⋅ dt

Pdis ≤ I fugasmax ⋅ V AKm

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19.3 Funcionamiento en conducción.


CARGA
Circuito equivalente:
CARGA
A

iA
P1
A

V AK N1
+ + +
G
G - - -
iG K P2
N2

- K

• Parte del aporte de electrones


CARGA
realizado por la corriente de
iA
puerta llegan a la zona N1, se
A
aceleran y crean pares e-hueco.
rT
Estos nuevos huecos son
atraídos por el cátodo. G VAK
Manteniéndose el proceso. VT(TO)
K
(VT(TO)≈1,3V).

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19.3 Funcionamiento en conducción.
Características eléctricas:

Intensidad media nominal (ITAV):


Es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos
senoidales de 180º que el tiristor puede soportar con la
cápsula mantenida a determinada temperatura (85 ºC
normalmente).

Intensidad de pico repetitivo (ITRM):


Intensidad máxima que puede ser soportada cada 20 ms
por tiempo indefinido, con duración de pico de 1ms a
determinada temperatura de la cápsula.

Intensidad de pico único (ITSM):


Es el máximo pico de intensidad aplicable por una vez
cada 10 minutos o más, con duración de pico de 10ms.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.3 Funcionamiento en conducción.


Características eléctricas:

Corriente de mantenimiento(IH):
Es la corriente mínima de ánodo que se requiere para que el
tiristor siga manteniéndose en conducción.

Corriente de enclavamiento(IL):
Es la corriente de ánodo mínima que se requiere para que el
tiristor siga manteniéndose en conducción inmediatamente
después de que el dispositivo haya entrado en conducción y
la señal de puerta haya desaparecido (pulso en la puerta de 10
µs).

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

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19.3 Funcionamiento en conducción.
Características eléctricas:
iA
IT
Corr. de enclavamiento
i >0 i =0
G G

Corr. de mantenimiento
IL
VBR IH

VH VT VBO VAK

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.3 Funcionamiento en conducción.


Cálculo de pérdidas:

iT
1 T
Pdis =
T ∫
0
v T (t) ⋅ iT (t) ⋅ dt
vT

iT
PPdis = V T(TO)·I·ITm +r ·(I Tef))22
dis = VT(TO) Tm+rTT·(ITef

VT(TO) rT
VVT(TO):: Tensión
Tensiónumbral.
umbral.
T(TO)
ITm
ITm:: Corriente
Corrientemedia.
media.
rrT:: Resistencia
Resistenciadinámica.
dinámica.
T
ITef
ITef:: Corriente
Corrienteeficaz.
eficaz.

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19.4 Disparo del tiristor.

Disparos -Por exceso de tensión.


no-deseados -Por derivada de tensión.

Disparo
-Por impulso de puerta.
deseado

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.


Por exceso de tensión:
CARGA

P1

N1
Unión
de control
G P2
N2

Si
Sila
latensión
tensiónsoportada
soportadapor
porlalaunión
uniónde decontrol
controlse
seacerca
acercaal
alvalor
valor
de
de ruptura
ruptura en
en sentido
sentido directo,
directo, lala corriente
corriente de
de minoritarios
minoritarios
aumenta
aumenta considerablemente
considerablemente (proceso
(proceso de de avalancha).
avalancha). Si
Si lala
corriente
corriente de de fugas
fugas se
se eleva
eleva porpor encima
encima deldel valor
valor de
de
mantenimiento
mantenimiento el eldispositivo
dispositivo eses capaz
capaz de
demantener
mantener el
elestado
estado de
de
conducción.
conducción.

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19.4 Disparo del tiristor.
Por derivada de tensión:
CARGA CARGA

A A

P1 P1

N1
N1

P2 G P2
G
N2 N2

K K

Si
Si se
se produce
produce unun cambio
cambio brusco
brusco de de polarización
polarización inversa
inversa aa
directa,
directa, no hay tiempo para la organización de cargas. La
no hay tiempo para la organización de cargas. La
tensión
tensión soportada
soportada por
por la
la unión
unión control
controlserá
será elevada,
elevada, acelerando
acelerando
los
los portadores
portadores minoritarios.
minoritarios. Si Si la
la corriente
corriente de
de minoritarios
minoritarios se
se
eleva
eleva por encima del valor de mantenimiento, el dispositivo
por encima del valor de mantenimiento, el dispositivo es
es
capaz
capazde demantener
mantenerel elestado
estadode deconducción.
conducción.
Dato del fabricante: (du/dt)
Dato del fabricante: (du/dt)max max

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.


Por radiación electromagnética:
CARGA

A
Ifugas
P1

N1

G P2
N2

K
(poco poder
de penetración)
λo (poco poder
energético) λ

La
La acción
acción combinada
combinada de de tensión
tensión directa,
directa, temperatura
temperaturayyradiación
radiación
electromagnética
electromagnética de de longitud
longitud de de onda
onda apropiada
apropiada puede
puede
incrementar
incrementar lala corriente
corriente de
de minoritarios.
minoritarios. Si
Si la
la corriente
corriente de
de fugas
fugas
se
seeleva
elevapor
porencima
encimadeldelvalor
valordedemantenimiento,
mantenimiento,el eldispositivo
dispositivoeses
capaz
capazdedemantener
mantenerel elestado
estadodedeconducción.
conducción.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

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19.4 Disparo del tiristor.
Por impulso de puerta:
Los
Loshuecos
huecosinyectados
inyectadospor porla
lapuerta
puertaproducen
producenla lainyección
inyeccióndedeuna
unanube
nube
de
deelectrones
electronesdesde
desdeel elcátodo.
cátodo. Algunos
Algunoselectrones
electronessonson captados
captadosyy son
son
acelerados
acelerados hacia
haciala
la unión
unióndede bloqueo,
bloqueo,generando
generando pares
parese-hueco.
e-hueco. Estos
Estos
huecos
huecos generados
generados se se dirigen
dirigen hacia
hacia el
el cátodo
cátodo introduciendo
introduciendo másmás
electrones.
electrones. Si la corriente generada se eleva por encima del
Si la corriente generada se eleva por encima del valor
valor de
de
enclavamiento,
enclavamiento, elel dispositivo
dispositivo eses capaz
capaz dede mantener
mantener el el estado
estado de de
conducción
conducciónaunque
aunquedesaparezca
desaparezcala lacorriente
corrientede
depuerta.
puerta.

A Tiempo min. Corriente mín.


P1
de disparo de puerta

N1

+- +- +-
G
P2
N2 MANTENIMIENTO
MANTENIMIENTODE
DELA
LA
- CORRIENTE
CORRIENTETRAS
TRASEL
ELDISPARO
K
DISPARO

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.


Tiempos de disparo. Circuito resistivo
R iG
iT

V AK VB V AK VB
G
iG K

iT 100%
90%

10%
tr: Tiempo de retardo a la excitación.
tr ts
ts: Tiempo de subida.
td
td: Tiempo de disparo (0,5...3µs)

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19.4 Disparo del tiristor.
Tiempos de disparo. Circuito inductivo
L iG
iT

A R

V AK VB V AK VB
G
iG K

iT

IL

tmin: Tiempo mínimo de disparo. tmin


VB ⎛ - ⎞
t
(tiempo que IT tarda en alcanzar el IT = ⎜1 − e τ ⎟
R ⎜ ⎟
valor de enclavamiento, IL) ⎝ ⎠

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.


Características de puerta
V GK
caract. límite
VGKmáx

Pm
( re áx
ct
a
de DISPARO caract. real
ca
rg
VGKmínCD a ) SEGURO

DISPARO Q
VGKmáxSD INCIERTO
caract. límite
DISPARO
IMPOSIBLE

IGmáxSD I GmínCD IGmáx iG

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19.4 Disparo del tiristor.
Características de puerta

VVGKmáxSD::Máxima tensión puerta-cátodo sin disparo de ningún


GKmáxSD Máxima tensión puerta-cátodo sin disparo de ningún
tiristor
tiristor adeterminada
a determinadatemperatura.
temperatura.

VVGKmínCD::Mínima tensión puerta-cátodo con disparo de todos


GKmínCD Mínima tensión puerta-cátodo con disparo de todos
los
los tiristoresaadeterminada
tiristores determinadatemperatura.
temperatura.

IGmáxSD
IGmáxSD:: Máxima
Máximacorriente
corrientede
depuerta
puertasin
sindisparo
disparode
deningún
ningún
tiristor a determinada temperatura.
tiristor a determinada temperatura.

IGmínCD
IGmínCD:: Mínima
Mínimacorriente
corrientede
depuerta
puertacon
condisparo
disparode
detodos
todoslos
los
tiristores a determinada temperatura.
tiristores a determinada temperatura.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.


Circuitos de disparo

TIPOS DE ACOPLAMIENTO: - DIRECTO.


- MAGNÉTICO.
- ÓPTICO.

Acoplamiento directo:
+V CC

Cátodo
referido
a masa

CIRCUITO
DE
CONTROL

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

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19.4 Disparo del tiristor.
Acoplamiento magnético:

DIODO DE LIBRE +VCC


CIRCULACIÓN
Cátodo
NO referido
a masa
CIRCUITO
DE
CONTROL

La desmagnetización del imag


Dz2
núcleo es muy lenta
utilizando un diodo. L mag

Dz1
Utilizando un diodo zener (ideal)
es mucho más rápida.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.4 Disparo del tiristor.


Acoplamiento óptico:
Optoacopladores

Fibra óptica

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

15
19.4 Disparo del tiristor.
Acoplamiento óptico

(+VCC)

Cátodo
NO referido
a masa

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Bloqueo del tiristor.


Formas de bloqueo: - Bloqueo estático.
- Bloqueo dinámico.
Bloqueo estático

iT Evolución suave
CIRCUITO VAK
iT

iT
IH
(1)
t
VAK
(2)

(3)
IH

VAK t

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

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19.5 Bloqueo del tiristor.

Bloqueo dinámico iT Evolución brusca

iT
CIRCUITO VAK

t
ta
VAK

iT
(1)
t

(2)
ta: tiempo de apagado.
VAK
(Tiempo mínimo que debe transcurrir
desde que se anula la corriente para
que una nueva polarización directa no
lo meta en conducción.)

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19.5 Bloqueo del tiristor.


Bloqueo forzado por fuente inversa de tensión (FIT)
VAK
iS
CIRCUITO tb
DE BLOQUEO
RTH
L
iC

VTH iT
+ t
V AK VC iT
-
I

VC V TH t
Un circuito externo (no
mostrado) mantiene cargado
un condensador con una Vi
t
tensión inversa Vi. iC
tb > ta
I ⋅tb I
C = 1,47 ⋅
Vi
t
Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

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19.5 Bloqueo del tiristor.
Bloqueo forzado por fuente inversa de corriente (FII)
iT

RTH iT CIRCUITO
DE BLOQUEO
L

I TH t
VAK iC VAK
iD VC

VC t

ITH = iA – iD + iC
tb > ta Vi t
iC Ip
iD
I⋅t
C = 0,893 ⋅ b I
Ui
tB t

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19.5 Otros tiristores.


Tiristor bidireccional (TRIAC)
G
Conducción
T2 T1 iT bidireccional

Símbolo I

T2
IL
n4 n4 -VBO IH
P1
VBO VT1T2
n1

III
P2

n3 n2

G T1

Estructura Característica

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

18
19.5 Otros tiristores.
Tiristor bidireccional (TRIAC)
Entrada
Entradaen
enconducción:
conducción: Carga

--Forma controlada:
Forma controlada: iT
T2
--Inyección
Inyeccióndedecorriente
corrienteen
enpuerta,
puerta,
tanto positiva como negativa.
tanto positiva como negativa. RG V T2T1 Ve

--Forma
Formano
nocontrolada:
controlada: G
iG T1
--Derivada
Derivadade
detensión
tensióndv/dt.
dv/dt.
--Tensión
Tensión excesiva entreA-K.
excesiva entre A-K.

MODO I+: VT2T1 > 0, i G > 0 (FÁCIL). Aplicaciones:

MODO I- : VT2T1 > 0, i G < 0 (DIFÍCIL). Regulación de alterna media - baja potencia
MODO III+: VT2T1 < 0 , iG > 0 (MUY DIFÍCIL). Control de velocidad motores
Control de flujo luminoso
MODO III-: VT2T1 < 0, iG < 0 (FÁCIL). Electrodomésticos de baja potencia

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Otros tiristores.


DIAC

Dispositivo de disparo de tiristores A1 A2


Proporciona picos de corrientes de 2A
Tensión de cebado 33V
Diac comercial DB3
iT
CARACTERÍSTICA:

IL
-VBO IH

VBO V A1A2

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19
19.5 Otros tiristores.
Ejemplo de aplicación del TRIAC

Carga Vcarga

R1
T2

R2 V DIAC
R3 G

V BO
iG

C T1

iG
TRIAC controlado por DIAC

α
R1 = 0 , máxima potencia
R1 = Elevada, mínima potencia

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Otros tiristores.


GTO
G
A K

- Interruptor unidireccional controlado por puerta.

- Entrada en conducción:
- Inyección de corriente en puerta.
- Salida de conducción:
- Extracción de corriente de puerta.

- Soporta tensiones inversas bajas (20V).

- La corriente de apagado es del orden de 1/3 de la corriente


que maneja el dispositivo.

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19.5 Otros tiristores.
El fototiristor (LASCR)

G
A K

- Son Tiristores activados por luz.


- Utilizados en alta tensión.
- Frecuencias de conmutación de hasta 2KHz.
- Tensiones elevadas 6000V y 1500A.

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19.5 Otros tiristores.


MCT (Tiristor Controlado por Mos)

A K

- Puesta en conducción por tensión negativa en puerta.


- Apagado por tensión positiva en puerta.
- Ganancia elevada de tensión de control.
- Disponibles hasta 1000V y 100A.
- Potencias medias bajas.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

21
19.6 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

22
19.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

23
19.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

24
19.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

25
19.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

19.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes.

Lección 19. – El rectificador controlado de silicio.

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