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Semicondutores de Potência

de Banda Larga
Palestra para os alunos de pós-graduação de Engenharia
Elétrica da UFES vinculados ao Laboratório de Eletrônica de
Potência e Acionamento Elétrico (LEPAC)

José Luiz de Freitas Vieira


03-2018

Laboratório de Eletrônica de Potência e


Universidade Federal do Espírito Santo
Acionamento Elétrico
Vitória – Espírito Santo, Brazil
Laboratório de Eletrônica de Potência
e Acionamento Elétrico

1 – Semicondutores de Potência
- considerados chaves:
- estado fechado ou conduzindo (ON);
- estado aberto ou bloqueado (OFF).
Três grupos de acordo com a controlabilidade:
- Chaves não controladas: estados ON e OFF depende do
circuito de potência. Ex.: diodos.

- Chaves semi-controladas: estado ON controlado por um sinal


externo e OFF depende do circuito de potência. Ex.: Tiristor
(SCR), TRIAC.

- Chaves Controladas: os estados ON e OFF são controlados


por sinal externo. Ex.: Transistor (BJT), MOSFET, IGBT, GTO.
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1.1 – Perdas nos Semicondutores de Potência


Operando como chave, apresenta dois tipos de perdas de potência:
perdas em condução e perdas em comutação.
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1.2 – Diodo de Potência


Características:
- estrutura vertical;
- característica ôhmica;
- capacitância intrínseca: oscilação e sobretensão devido a
interação com indutâncias parasitas – snubbers;

Tipos:
- uso geral: retificação
- rápidos: tempos na ordem de microssegundos;
- ultra-rápidos: tempos na ordem de nanosegundos;
- Schottky: elevadas correntes e baixas tensões
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Estrutura do diodo de potência e formas


de onda de comutação
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Diodos Schottky
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1.3 – Transistor Bipolar de Potência


Características:
- chave controlada pela corrente de base na entrada em
condução e no bloqueio;
- baixo ganho de corrente;
- frequência de comutação limitada (faixa de 50kHz);
- apresenta a região chamada de quase saturação;
- circuitos de comando específico para operação na região
de quase saturação;
- apresenta o 2º. breakdown (ruptura);
- considerações para paralelismo devido aos elementos
parasitas.
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1.4 – MOSFET
Características:
- dispositivo caracterizado por portadores majoritários;
- chave controlada pela tensão gate fonte (source);
- dispositivo caracterizado por perdas ôhmicas devido a
resistência dreno fonte (Rds), proporcionais a 𝐼𝑑2 ;
- possui um diodo intrínseco (na realidade um transistor) entre
fonte e dreno;
- frequência de comutação elevada (faixa de até MHz);
- capacitâncias intrínsecas afetam os tempos de comutação
gerando perdas;
- não apresenta o 2º. breakdown (ruptura);
- característica ôhmica equilibra o paralelismo.
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Estrutura do transistor MOSFET.


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Entrada em Condução do MOSFET com Carga Indutiva


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1.5 – IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)


Características:

- dispositivo com portadores majoritários e minoritários;


- chave controlada pela tensão gate fonte (source);
- dispositivo caracterizado por perdas proporcionais ao
valor médio da corrente 𝐼𝑐 (Vce x Ic);
- possui um tiristor intrínseco (comercializado com a opção
de um diodo em antiparalelo entre fonte e dreno);
- frequência de comutação menor do que a do MOSFET;
- capacitâncias intrínsecas afetam os tempos de
comutação gerando perdas.
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Estrutura do transistor IGBT.


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1.6 – Tiristores
Tiristor engloba a família de dispositivos semicondutores
com estrutura de 4 camadas, na sequência: p-n-p-n. A
operação é chaveada de forma biestável.

O tiristor mais difundido é o SCR (Retificador Controlado


de Silício), usualmente chamado de tiristor.

Outros componentes possuem basicamente a mesma


estrutura: LASCR (SCR ativado por luz), TRIAC (tiristor
triodo bidirecional), DIAC (tiristor diodo bidirecional), GTO
(tiristor comutável pela porta), MCT (Tiristor controlado por
MOS - Metal Oxide Semiconductor).
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Estrutura do Tiristor. Contato metálico


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Características:
- dispositivo comandado na entrada em condução por um pulso de
corrente no gatilho;
- o bloqueio não é controlado, a corrente 𝐼𝐴𝐾 deve ficar menor do
que a corrente de manutenção para bloquear;
- operação com baixas frequências (poucos kHz);
- observar a necessidade do emprego de circuitos de proteção
para dv/dt e di/dt.
Comutação do Tiristor:
- comutação natural em sistemas de corrente alternada ou em
conversores ressonantes;
- comutação forçada através do emprego de circuitos axilares de
comutação.
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1.7 – GTO – Gate Turn-off Thyristor


A inclusão da capacidade de bloqueio no tiristor requer
alterações em sua estrutura. Uma das alterações é que as
regiões do catodo e do gate se apresenta como diversas ilhas, o
que proporciona a capacidade de bloqueio do GTO.

Características:
- baixo ganho de bloqueio, faixa de 3 a 5 e por isso requer
elevada corrente para bloqueio. Felizmente o tempo necessário
de corrente elevado está na faixa de µs;
- Para manter todas as ilhas em condução requer uma pequena
corrente contínua de gate.

Aplicações: média e elevadas potências.


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Estrutura do GTO.

Simbologia do GTO.
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1.8 – Módulos de Potência


1. Ponte monofásica de diodos
2. Ponte trifásica de diodos
3. Ponte monofásica de tiristores
4. Ponte completa trifásica IGBT’s
ou MOSFET’s
1.9 - Dispositivos de Banda Larga SiC e GaN: Características e Aplicações

Introdução
• Silício: semicondutor mais usado na fabricação de alguns componentes
eletrônicos (diodos, transistors, IGBTs, tiristores)
• Baixo custo, grande disponibilidade de matéria-prima
• Novos semicondutores:
• SiC: primeiro componente fabricado em 2001/2002 – Diodos Schottky
(empresa: CREE);
• SiC: várias formas, sendo 4H-SiC e a 6H-SiC as mais comuns;
• Antes da invenção do carbeto ou carboneto de silício, o SiC era o material
sintético mais duro conhecido (Escala de Mohs = 9).
• Uso inicial: abrasivo.
• SiC é extremamente raro na natureza (moissanite).
Dispositivos de banda larga SiC e GaN:
Características e Aplicações
• Semicondutores de banda larga (WBG)
• Carbeto (Carboneto) de Silicio (SiC)
• Nitreto de Galio (GaN)

• GaN: primeiro componente


fabricado em 2004 – Transistor
• Primeiros transistores de GaN: para
uso em radio-frequência. Montados
sobre um substrato de SiC.
• 2009: Primeiros componentes de
GaN para uso em sistemas de
potência.
SiC - Carbeto de Silicio

O carbeto de silício (SiC) é um composto


químico de silício e carbono. Este composto
também existe na natureza na forma
mineral muito rara chamada de Moissanite.
SiC - Carbeto de Silicio
Parâmetro Si 4H-SiC 6H-SiC GaN Diamante

• Redução da área do dispositivo 1,1 3,26 3,0 3,39 5,45

• Redução nas perdas durante a -3

condução 11,8 10,0 9,7 9,0 5,5

1350 650 500 900 1900

0,3 2,0 2,4 3,3 5,6

• Maiores frequências e com 1,0 2,0 2,0 2,5 2,7

maior velocidade de 1,5 4,5 4,5 1,3 20


chaveamento.
• A resistência para um dispositivo unipolar de SiC e GaN, chega a ser,
respectivamente, 488 e 2414 vezes menor do que para um dispositivo de Si;
• Concentração de portadores intrínsecos 10-35 vezes menor;
• Condutividade térmica 3-13 vezes maior;
• Velocidade de deriva de elétrons saturados 2-2,5 vezes maior.
SiC - Carbeto de Silicio

• Junções compostas de Si tem limite de


temperatura de 200ºC
• Junções compostas de SiC tem limite de
temperatura de 600ºC
• Operação em ambientes com
condições mais extremas
• Redução dos gastos com
refrigeração
• Redução da dimensão dos
dispositivos
SiC - DISPOSITIVOS DE POTÊNCIA
• Características • Estrutura
– Altas tensões de bloqueio; – Mais de 150 politipos;
– Alta velocidade de comutação;
– 6H-SiC e o 4H-SiC estão
– Baixas perdas na comutação; comercialmente disponíveis.
– Baixa resistência térmica;
– Banda larga de energia;
– Opera em temperaturas >200ºC;
– Baixo custo de fabricação;
– Tamanhos menores.
• Fabricantes
– Infineon, Cree, IXYS, Microsemi,
STMicroelectronics, ROHM
Semiconductors, SemiSouth,
TranSiC, ...
Aplicações

• Tanto as chaves de SiC como de GaN tem apresentado tensões cada vez maiores.
• A tecnologia do dispositivo é muito dependente da qualidade do material de substrato e do
número de defeitos eletricamente ativos na interface SiO2 /SiC.
• Semicondutores sintetizados alto custo
Aplicações

• Diodos
• Perdas
• Velocidade de comutação
• queda de tensão de condução direta
• Transistores de Potência
• Resistência de condução
• Velocidade de comutação
• Temperatura de operação
Aplicações

Retificadores de potência
Diodo Schottky
Ponto Positivo:
• Perdas inferiores
• Elimina o efeito de recuperação
reversa
• Operação em frequências mais
elevadas
• Estabilidade Térmica

Ponto Negativo:
• Maior queda de tensão direta: 2.5 V
TIRISTORES COM SiC
• Comparações
Comparação entre Diodos Si e SiC
Teste de Recuperação Reversa

Resultados do ensaio experimental utilizando o diodo Si


(Tensão: 100 V/div; Corrente: 2 A/div; Tempo: 200 ns/div)
Resultado do teste experimental utilizando o diodo SiC
(Tensão: 100 V/div; Corrente: 2 A/div; Tempo: 200 ns/div)

tempo de recuperação
reversa:
Si = 217,1 ns
SiC = 160 ns
Redução de 26,3 %

Pico de corrente
reversa:
Si = 3,92 A
SiC = 1,05 A
Redução de 73,2%
Nitreto de Gálio – GaN
O nitreto de gálio (GaN) é um semicondutor que se destaca por possuir um
bandgap largo, no valor de 3,4eV, emitindo/absorvendo comprimentos de onda
na faixa do azul ao ultravioleta.
• Diversas pesquisas estão sendo desenvolvidas sobre o GaN, na tentativa de
se encontrar o óxido adequado;
• Existem duas estruturas mais comuns para os cristais GaN:
Nitreto de Gálio – GaN
PROPRIEDADES:
1. Tensão de Ruptura:

Um campo elétrico de ruptura mais elevado


resulta em dispositivos de potência com tensões
de ruptura mais elevadas;

Tensão de ruptura de um diodo


GaN é cerca de 34 vezes maior
que a de um diodo comum de Si
Nitreto de Gálio – GaN
2. Largura da Região de Menor Dopagem:
Um campo elétrico de ruptura mais elevado
resulta em dispositivos de potência com
menores regiões de drift;
Wd de um dispositivo GaN é cerca de 10 vezes
menor que a de um dispositivo comum de Si.
Nitreto de Gálio – GaN
3. Resistência de Condução:

Ron de um dispositivo GaN é cerca


de 10 vezes menor que a de um
dispositivo comum de Si.
Nitreto de Gálio – GaN

4. Estabilidade Térmica:

O GaN tem condutividade térmica inferior a


do Si.

Aumentando-se o tamanho da pastilha de GaN


aumenta-se também a condutividade térmica
global, mas ainda não se consegue o mesmo
desempenho do SiC
Nitreto de Gálio – GaN
5. Frequência de Comutação:

Frequências de operação é proporcional à


velocidade recombinação de elétrons e
lacunas na região de menor dopagem (drift).

A velocidade recombinação de cargas de um


dispositivo GaN é 2.2 vezes maior que a de
um dispositivo comum de Si.
Nitreto de Gálio – GaN
APLICAÇÕES:

1. Optoeletrônica;
2. Lasers, LEDS, leitores Blu-Rays;
3. Rádio frequência pelo bom desempenho em frequências
elevadas;
4. Aplicações de Eletrônica de Potência;

Obs.: O GaN possui a desvantagem de não possuir um óxido nativo intrínseco, o


qual é necessário para concepção de dispositivos MOS. Há muitas pesquisas em
andamento com o objetivo de encontrar o óxido adequado.
• Alguns Dispositivos:
SiC – IGBT
Fabricante: IXYS. Modelo: IXGH48N60B3C1

• Vce: 600 V
• Vce (sat): 1.7 V
• Ic = 75 A
• Ic (pico): 280 A (1ms)
• Temperatura junção: 150°C
• Td(on): 22 ns
• Td(off): 130 ns
Si – IGBT – para comparação
Fabricante: IXYS. Modelo: IXDP 20N60B

• Vce: 600 V
• Vce (sat): 2.2 V
• Ic = 32 A
• Ic (pico): 40 A (1ms)
• Temperatura junção: 150°C
• Td(on): 25 ns
• Td(off): 260 ns
SiC – MOSFET

Fabricante: IXYS. Modelo IXFN50N120SiC - fase de desenvolvimento

• Vds: 1200 V
• Vgs: -10 a 25 V
• Vth: 2.2 V (Vds = 10 V)
• Id: 47 A
• Ron: 50 mΩ
• Capacitância de entrada: 1900pF
Si – MOSFET – para comparação

Fabricante: IXYS. Modelo: IXTH 6N120

• Vds: 1200 V
• Vgs: -20 a 20 V
• Vth: 2.5 V
• Id: 6 A
• Ron: 2,6 Ω
• Capacitância de entrada: 1950 pF
SiC – JFET

Empresa: GeneSic. Modelo: GA50JT17-247 - Dados para T = 25°C

• Vds = 1700 V
• Vgs (sat) = 3.42 V
• Ron = 20 mΩ
• Id (T=25°C) = 100 A
• hfe = 104
• Td(on) = 17 ns; Td(off) = 39 ns
• Temperatura Máxima: 175°C
GaN – FET

EPC - desenvolveu FETs que suportam correntes de até 31 A.


Modelo: EPC2034

• Vds = 200 V
• Ron = 10 mΩ
• Id = 31 A
• Vgs = -4 a 6 V
• Vth = 2.5 V
GaN – MOFET:

Noticia de agosto de 2015:

Japoneses desenvolveram um transistor com tensão de ruptura de 1.2kV.


• Estrutura vertical
• On-resistance: 2mΩ/cm²
• Vth = 3.5 V

Fonte: Electronics Weekly


SiC – DIODO SCHOTTKY:

Fabricante: Toshiba. Modelo: TRS20J120C


• Vr: 1200 V
• I: 20 A
• Corrente pulsada máxima: 310 A
• Queda de tensão durante condução: 1,7 V
• Temperatura da junção: 175°C
• Capacitância da junção: 105 pF (600 V, 1MHz)
• Resistencia térmica junção-encapsulamento: 0,52°C/W
• Resistencia térmica junção-ambiente: 50°C/W
Si – DIODO SCHOTTKY – para comparação

Fabricante: IXYS. Modelo: DSS17-06CR


• Vr = 600 V
• I = 17 A
• Corrente pulsada máxima: 200 A
• Queda de tensão durante a condução: 2,71 V
• Capacitância da junção: 20pF (400V, 1 MHz)
• Temperatura da junção: -55 a 175 °C
• Resistencia térmica junção-encapsulamento: 1.4 K/W
• Resistencia térmica junção-ambiente: 0,25 K/W
Si – DIODO SCHOTTKY – para comparação

Fabricante: IXYS. Modelo: DSS17-06CR


• Vr = 600 V
• I = 17 A
• Corrente pulsada máxima: 200 A
• Queda de tensão durante a condução: 2,71 V
• Capacitância da junção: 20pF (400V, 1 MHz)
• Temperatura da junção: -55 a 175 °C
• Resistencia térmica junção-encapsulamento: 1.4 K/W
• Resistencia térmica junção-ambiente: 0,25 K/W
SiC – Meia ponte com MOSFETs e Diodos Schottky

Apresentado pela empresa ROHM em maio de 2015, no PCIM 2015.

• Estrutura em fenda dupla


• Reduz resistência de condução
• Capacitancia de entrada 35% menor = maior rapidez.
• Tensão de ruptura: 1.2 kV
• Corrente de dreno: 180 A (60°)
• Tensão de gate: -10 V a 22V
• Resistencia de condução: 10mΩ
Evolução dos Custos: Avanço da tecnologia reduziu os custos, mas é
relativamente alto.
Universidade Federal do Espírito Santo
Vitória – Espírito Santo, Brazil

Parceiros:
• New Products
• March 18, 2015
• GaN Transistors rated for 600V handle up to 15A

http://www.powerpulse.net/story.php?storyID=31828

Panasonic Semiconductor Solutions Co., Inc. has extended


its line of GaN power transistors with two new devices, the
PGA26E19BV rated for 600V and 10A and the PGA26E08BV
rated for 600V and 15A.
• New Products
• July 7, 2016 -
http://www.powerpulse.net/story.php?storyID=34978;s=070720161
• 1700V SiC MOSFET Optimized for Industrial Converters
• Power Channels: Energy Efficiency, Power Components, Renewable Energy, Smart
Grid Power, Switch-Mode Power

• ROHM has recently announced the availability of a new 1700V SiC


MOSFET, part number SCT2H12NZ, optimized for industrial applications,
such as manufacturing equipment, high-voltage general-purpose
inverters, auxiliary power supplies for high voltage (i.e. 400Vac) industrial
equipment such as factory automation (robots), solar and industrial
inverters, and manufacturing/testing devices.
• Industry News
• July 8, 2016 - http://www.powerpulse.net/story.php?storyID=34986
• 1.2kV GaN Switch Handles over 20A
• Power Channels: Energy Efficiency, Power Components

• Toyoda Gosei Co., Ltd. has developed the world's first


1.2kV class power semiconductor device capable of large
current operation exceeding 20A. This was done using
gallium nitride (GaN), a key material in blue LEDs, which has
superior physical properties including the ability to
withstand high voltages.
• New Products
• July 29, 2016 -
http://www.powerpulse.net/story.php?storyID=35120
• Gate Drivers for IGBTs and SiC MOSFETs

Murata has announced the MGJ1 1-Watt dc-dc converter series


manufactured by Murata Power Solutions. These compact devices
are designed for driving high- and low-side gate circuits such as
those using IGBTs and SiC MOSFETs for optimal efficiency. With high
isolation characteristics, up to 5.2kVdc, the MGJ1 offers the popular
nominal output voltage combinations of +15 / -5, +15 / -9, or +19 / -
5 Vdc. The series also offers a choice of +5, +12, or +24 Vdc input.
• GaN Enables 1600W Titanium Power Supply for Gamers
• http://powerpulse.net/?post_type=post&p=147910&source=ppd
Published 09-01-2018

Transphorm Inc. confirmed that its GaN FETs are used


in CORSAIR‘s new AX1600i power supply unit (PSU).
CORSAIR supplies the gaming community with high-
performance products used in custom PCs. The
company’s latest product establishes a new class of ac-dc
PSUs, as it is the first to use GaN and achieves 99
percent efficiency.
GaN Enables Compact 1kW Isolated Bidirectional DC-DCs
http://powerpulse.net/?post_type=post&p=148335&source=ppd
Published 24-01-2018

Diamond Electric Mfg. Co., Ltd. has developed a business card-


sized, thin isolated bidirectional dc-dc converter (IBDC). The
technology can substantially downsize and reduce the weight of dc-
dc converters, which are essential for rechargeable batteries, and is
expected to contribute to spreading electric vehicles (EVs) and
smart grids. By adopting high-frequency switching technology (up to
2MHz), Diamond Electric has developed an ultra-compact IBDC
(93.5 mm x 60 mm x 10.5 mm excluding control circuit and
heatsink).
6.5kV Full-SiC Power Module Claims World’s Highest Power
Density
http://powerpulse.net/?post_type=post&p=148582&source=ppd
Published 31-01-2018

Mitsubishi Electric Corporation announced today that it has


developed a 6.5kV full silicon carbide (SiC) power semiconductor
module that is believed to offer the world’s highest power density
(calculated from rated voltage and current) among power
semiconductor modules rated from 1.7kV to 6.5kV.
Over 1400V Breakdown on new GaN-on-Si Epiwafer Product
http://powerpulse.net/?post_type=post&p=148641&source=ppd
Published 02-02-2018

The latest results from IEMN show more than 1400V breakdown
voltage for both vertical and lateral measurements on ALLOS'
upcoming GaN-on-Si epiwafer product for 1200V devices. A team
around Dr. Farid Medjdoub from IEMN research institute in France
has made devices and conducted measurements on two different
GaN-on-Si epiwafer products supplied by ALLOS Semiconductors of
Germany.
1200V GaN-based Power Modules from VisIC and TSMC
http://powerpulse.net/?post_type=post&p=148780&source=ppd
Published February 6, 2018

VisIC Technologies is now sampling the industry’s first 1200V GaN


modules, and is announcing a major manufacturing partnership
with TSMC on their GaN on silicon technologies that were
announced last year.

With 1200V ratings, the GaN module offers typical on resistance of


just 40mΩ. The picture above shows VisIC’s 1200V module with a
proposed cooling solution.
New Ferrite for High-Frequency GaN and SiC Power Converters
http://powerpulse.net/?post_type=post&p=149284&source=ppd

Published February 22, 2018


Apart from miniaturization, improved efficiency is the most import
development goal in the design of power supply units. Every tenth of
a percent counts. Apart from the power semiconductors, ferrite cores
are the decisive factor for efficiency. TDK has developed a new
ferrite material and improved geometries for the core designs.
1200V SiC MOSFETs and SiC SBDs for Industrial and
Automotive Designs
http://powerpulse.net/?post_type=post&p=149442&source=ppd
Published February 28, 2018
Microsemi Corporation today announced sampling availability of
the first product in its next-generation 1200-V SiC MOSFETs, the
40-mOhm MSC040SMA120B. The company also announced the
release of its complementary 1200V SiC Schottky barrier diodes
(SBDs), further expanding Microsemi’s growing SiC discretes and
modules portfolios.
120A / 650V GaN Power Transistor Can Double Power
Conversion Density
http://powerpulse.net/?post_type=post&p=149475&source=ppd
Published February 28, 2018
GaN Systems today made public the 120A, 650V GaN E-HEMT,
extending its leadership with the industry’s most powerful line of high
performance GaN transistors. Power levels continue to rise creating
the need for higher operating current. The numerous advantages of
GaN can be applied to much higher power levels today in the
automotive, industrial, and renewable energy industries.

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