Transistor

Estado Sólido da Matéria

Oficina de Física II

Alunos: Fabiano Mendes de Oliveira Boni - 66992

Adiel de Matos - 64517

 Sumario

Capa.......................................................................................01

Sumario..................................................................................02

Introdução..............................................................................03

Aparecimento.........................................................................04

Laboratório Bells..............................................................04

Equipe de Cientistas................................................................05

Entendendo o Contexto.........................................................07

Valvulas...........................................................................07

Transistor...............................................................................10

Tipos de Transitor...................................................................11

Bipolares ou de junção....................................................11

Configurações da distribuição de corrente.....................12

Unipolares ou FET...........................................................15

Semicondutores......................................................................17

Conclusão...............................................................................21

Bibliografia.............................................................................22

2
 Introdução

O tema do presente trabalho foi pensado em cima da curiosidade

pela um artefato construído a partir de regras físicas e que demandou
uma evolução enorme na tecnologia e consequentemente para a
sociedade. O transistor foi constituído a partir da experiência de cientistas
com a pesquisa de fenômenos em materiais sólidos, sua constituição não
é tão trivial como parece ser, sendo que forma empregadas noções de
Física Quântica, manuseio anterior de uma serie de experimentos no
intento da fabricação de sensores para radares e mais, os efeitos da peça
criada em sua época ainda eram pouco conhecido sendo um grande golpe
de sorte e visão empresarial do Laboratório onde foi criado, a sua
disseminação em circuitos eletrônicos.

Iremos procurar apresentar de uma forma simples os principais usos

e como aplicar, seu aparecimento e a que pé chegou o seu
desenvolvimento atualmente. Durante o trabalho de pesquisa foi
encontrada muitas historias curiosas de como este dispositivo
revolucionou a historia humana em tão pouco tempo, estamos falando de
pouco mais de 50 anos, como também os esforços que estão sendo
empregados para miniaturaliza-lo mais ainda, sendo responsável pela
compactação de maquinas eletrônica e expansão de formas de guardar
informação e agregar mais funções a equipamentos eletrônicos.

Os conteúdos aplicados a sua construções são até mesmo um tanto

quanto novos aos nossos estudos, mas utilizam fenômenos físicos
bastante abordados nas aulas sendo de grande valia não só para o
aprendizado próprio, mas também para uma breve apresentação aos
colegas de sala, pois dificilmente não possuímos junto de nós algum
dispositivo que contenha um transistor!

3
 Aparecimento

O aparecimento do transistor se deu de pesquisas realizadas no

Laboratório da Bells (Bell Telephone Laboratories), empresa telefônica
localizada no município de Berkeley Heights no estado americano de New
Jersey culminando com sua apresentação no ano de 1948. Aplicação de
transistores em equipamentos eletrônicos em geral não era a prioridade
do grupo de pesquisa do transistor, era sim a de encontrar um novo
dispositivo para aplicar em radares, sendo que sua posterior aplicação
veio com um conhecimento mais apurado do que haviam acabado de
encontrar, primeiramente os transistores substituíram as Válvulas Tríodo
centrais telefônicas da Companhia Bells, e posterirormente com o sucesso
do dispositivo em substituir um grande componente por um menor
fazendo o mesmo trabalho e mais podia ser manipulado, despertou a
atenção em geral de outros fabricantes e representante comerciais.

Laboratório Bells

Laboratórios Bell da AT & T e Bell Telephone Laboratories foi o berço

do transistor e de outros inventos muito importantes, este laboratório é
responsável por sete Prêmios Nobel, entre eles esta a invenção do
transistor, o laser, as linguagens de programação C e C++ entre outros
tantos inventos. O Laboratório Bells é a continuação do Boreau Volta,
laboratório de Alexander Graham Bell que era localizado em Washington,
não é uma coincidência que este laboratório trabalhe com telefonia, pois
é um investimento de Graham Bell mediante a uma premiação ganha em
1880 do governo francês pelo seu invento do telefone. Hoje o Laboratório
é uma subdivisão da empresa Francesa Alcatel.

4
 Laboratório Bells – atualmente na província de Murray Hill- New Jersey

Equipe de cientista que trabalharam no

desenvolvimento do Transistor

O Transistor é o trabalho conjunto de três pesquisadores, que

tentavam desenvolver um sensor para radares utilizando cristais de
germânio e silício. O transistor não é propriamente um produto de
guerra, pois seu desenvolvimento se deu graças ao grande montante de
material que sobrou de pesquisas para à guerra, tinham-se muitos cristais
de germânio purificados que forma produzidos para armas militares, e
agora com o fim da 2° guerra podiam ser aproveitados. Houve antes disso
algumas pesquisas de outros colaboradores da Bell Labs na tentativa da
criação de um sensor para radar que identificasse altas frequências, em

5
1940 um químico, Russel S. Ohl, também conhecido como pai
desconhecido do transistor conseguiu produzir bastões de silício com
dopagem P e N nas extremidades opostas que se constitui no primeiro
diodo P-N. Ohl também descobriu que o diodo era sensível aos
comprimentos de onda da luz, sendo também o inventor do diodo
fotodetector. Mas a invenção propriamente dita do transistor é creditada
a três pesquisadores: William Bradford Shockley, Walter H. Brattain e John
Bardeen.

Apesar dos três pesquisadores terem sido agraciados com o Prêmio

Nobel de Física em 1956 pelo invento do transistor, pressupõe que tenha
sido um trabalho realizado em conjunto, mas que na verdade teve muitos
momentos de inveja e desentendimento. Shockley (1910-1989) era o mais
polemico, inglês, seus pais imigraram ainda quando ele era jovem para
Califórnia e ele estudou na Cal Tech e doutorou-se no MIT. Começou a
trabalhar na Bell Labs em 1936 onde em 1939 começou suas pesquisas em
uma maneira de converter os cristais retificadores em dispositivos de
ampliação de sinais elétricos, a segunda guerra interrompeu suas
pesquisas sendo que em 45 ele assumiu o cargo de vice-diretor da divisão
de pesquisas da Física de Materiais Sólidos, este grupo incluía Bardeen
(1902-1987) que já estava trabalhando com mecanismos de condução
elétrica em cristais e posteriormente um Físico recém-desempregado da
Marinha do EUA o Sr. Brattain (1908-1991). Bardeen aplicou conceitos de
Física Quântica onde demostrava a existência de camadas de cargas livres
na superfície externa dos cristais de germânio. Neste trabalho Bardeen era
o teórico e Brattain o experimentalista sendo que em uma das
experiências idealizadas por Brattain, para medir as cargas na superfície
de um cristal de germânio, verificou-se que o eletrodo metálico causava
um efeito de controle da corrente elétrica. Ao mostrarem o dispositivo
para Shockley, este se lembrou de que havia realizado um trabalho antes
da guerra, porem utilizava oxido de cobre e não germânio e sugeriu um
novo dispositivo onde o contato metálico foi substituído por uma fina
camada de germânio, atuando como terminal de controle da corrente
elétrica, ou seja, o terminal “Base” do transistor. Assim o transistor de
junção nasceu poucas semanas após a criação do transistor de contato
metálico. Aqui estava o ponto de desentendimento, pois Shockley atribuía
6
a si a ideia do transistor de junção, pois o grupo utilizou ideias suas de
trabalhos anteriores. Posteriormente a equipe se desfez devido
desentendimentos e a patente foi passada em nome da Bell Labs. Muitas
fontes trazem o transistor como uma invenção do acaso, outras trazem
com algo direcionado pela Bell Labs na tentativa de encontrar umas
substitutas para as válvulas Termo iônicas, relés e outros dispositivos
mecânicos utilizados em suas centrais telefonias. Os Transistores
substituíram um componente que consumia muita energia, gerava muito
calor de dissipação e tinha um rendimento muito baixo. Até hoje
permanece sendo o único Nobel de Física dado a um componente de
Engenharia.

Entendendo o Contexto

Com o seu aparecimento, logo a Bell Labs tratou de substituir em

suas centrais telefônicas os velhos relés mecânicos, válvulas termiônicas,
imediatamente ao seu aparecimento não se percebeu o impacto que este
novo dispositivo causaria na indústria, mas que foi enorme.
Apresentaremos de forma direta seus antecessores para que se possa ter
uma ideia:

Válvulas

A principio os equipamentos eletrônicos funcionavam com válvulas para o

controle de voltagem e potencia, estas válvulas despendiam muito calor
p0ois funcionavam com o efeito Termiônico desenvolvido por Graham
Bell. As válvulas simples eram constituídas de um bulbo de vidro e

7
fechadas a vácuo e dentro delas eram inseridos um anodo e um catodo, O
Fenômeno é batizado como “Efeito Edison” e consiste no aquecimento do
material condutor assim seus elétrons são acelerados, facilitando seu
desprendimento e criando uma nuvem eletrônica em volta do mesmo. Se
o material estiver próximo de outro menos aquecido e entre eles for
aplicado uma DDP, ocorre a passagem de corrente elétrica. Esta válvula é
dada o nome de Válvula diodo e tem sua criação creditada a Thomas
Edison em 1883.

Mais tarde contemporâneos descobriram que ao adicionar amis um

eletrodo chamado de grade, com polaridade negativa era possível controlar
a corrente da placa, estava inventado o amplificador, seu funcionamento é
baseado na repulsão de cargas de mesma polaridade. Quanto maior for a
tensão negativa na grade, menos elétrons conseguem passar do catodo para
a placa criando assim um efeito de válvula de restrição. A este componente
como o outro é um componente ativo da eletrônica e tem algumas
características interessantes:

 Uma pequena variação na tensão negativa da grade provoca uma

grande variação de corrente na placa.
 A grade é apenas um fio enrolado em espiral em volta do catodo, mas
sem contado físico.

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  Como não existe corrente circulando pela grade, sal impedância é
praticamente infinita impossível de ser conseguida com transistores.

O transistor surgiu na intensão de substituir esta válvula termiônica.

Esquema de funcionamento da Válvula Tríodo

Visualmente a diferença entre as válvulas quase não é percebida sendo que

esta na construção interna dentro do bulbo de vidro.

Válvula tríodo Válvula diodo

9
 Transistor

Criado no laboratório da Bell Telefônica, por uma equipe de três

cientistas que estudavam o estado solido da matéria, este componente é
ativo, ou seja, pode controlar uma corrente elétrica. A principio não se
tinha noção da grande revolução na e10eletrônica que componente iria
gerar, pois foi primeiramente instalado em centrais telefônicas, mais tarde
despertou a curiosidade das indústrias em geral. Os primeiros transistores
eram feitos de um bastão de germânio do tipo N dopado nas pontas pelo
elemento índio e custavam cerca de três dólares.

O termo vem do inglês trasfer resistor (resistor/resistência de

transferência) e tem seu uso para amplificar sinais elétricos e como
interruptores. O processo de transferência da resistência no caso de
circuitos analógicos significa que a impedância característica do
componente varia para cima ou para baixo da polarização pré-estabelecida
pelo projetista do circuito. Graças a esta função a corrente que passa pelo
coletor e o emissor do transistor varia dentro de determinados parâmetros
pré-estabelecidos. Esta variação é feita através da variação de corrente no
terminal chamado base oque ocasiona o processo de amplificação do sinal
elétrico. Entende-se como amplificação o procedimento de tornar um sinal
elétrico mais fraco em um sinal mais forte, por exemplo, em um microfone
um sinal de baixa intensidade é injetado num circuito elétrico, cuja função
é transformar este sinal fraco em sinal elétrico com as mesmas
características, mas com potencia suficiente para excitar os auto falantes a
isto é dado o nome de ganho de sinal que é representado pela letra β.
Suas características/especificações são encontradas em livros
chamados data sheets sendo que hoje já se tem um numero na casa de
milhões de tipos de transistor, seu encapsulamento também é variável
sendo apresentado na forma plástica, metálica e pura como no caso de
bolachas (waffers) de silício trabalhadas com litografia para que haja a
variação da dopagem, cada um desenvolvido para cada tipo de circuito, sua
empregabilidade é muito flexível, sendo que em 1965 Gordon Moore um
dos fundadores da Intel escreveu um artigo prevendo que em 1975 seria
possível colocar 65000 transitores em um único circuito integrado de fato
em 1975 foi apresentado um circuito com 64000 transitores, sua previsão
ficou conhecida como “Lei de Moore” que estabelece que o número de

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componentes em um circuito eletrônico dobra a cada dezoito messes ou
quadruplicam a cada três anos. Em forma matemática temos:

(componente do chip) = 𝟐 𝒂𝒏𝒐−𝟏𝟗𝟕𝟓

𝟏,𝟓

Tipos de Transistor

Basicamente se dividem em dois grupos:

 Bipolares ou de junção, compostos pelos transistores do tipo NPN ou

PNP, ou seja, são formados por três regiões semicondutoras de
polaridade alternada. As regiões recebem o nome de B (base),
C (coletor) e E (emissor), sendo a corrente controlada na base.

Esquema de distribuição de camadas em um transistor bipolar

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 Representação do símbolo utilizado em esquemas elétricos

Entendo sua distribuição temos:

 Base: é ela quem controla a passagem de corrente, quando a base

esta energizada há passagem de corrente, quando não se tem sinal,
não há passagem.
 Coletor: é uma das extremidades do transistor, é por ela que entra a
corrente a ser manejada, a relação entre o coletor e a base OU
PROPRIEDADE conhecida no transistor como β ou hfe ou ainda fator
de ganho do transistor expresso pela formula: Ic = IB x β.
 Emissor: é a outra extremidade do transistor por onde sai a corrente.

Configurações da distribuição de corrente.

Emissor comum

Neste caso o sinal entra entre a base e o emissor e sai entre o emissor e o
coletor, como o emissor é o elemento comum às duas polarizações recebe
o nome de emissor comum. É baseado num transistor bipolar em serie
com um elemento de carga e o emissor é ligado ao terra ou 0V, os outros
elementos do circuito são usados para polarizar e para o acoplamento do
sinal, são utilizados para amplificar sinais fracos de baixa voltagem como
sinais de antenas de radio e para amplificação de sinais de áudio e vídeo.
Sua característica é o elevado ganho de corrente e voltagem.

12
 Esquema Elétrico

Coletor comum

Neste caso o sinal é aplicado entre a base e o coletor e retirado entre o

coletor e o emissor, possui um ganho de tensão muito próxima ao da
unidade, significando que os sinais CA que são inseridos na entrada são
replicados quase que igualmente na saída, assumindo que a carga de saída
não apresenta dificuldade para ser controlada. Uma pequena mudança na
corrente de entrada resulta em uma muito maior na corrente de saída
enviada a carga. Deste modo um terminal de entrada com uma fraca
alimentação pode ser utilizado para alimentar uma resistência menor de
saída. Também é usado para a amplificação de sinais.

Esquema Elétrico

13
Base comum

A ligação de um transistor de base comum é a configuração de um

transistor na qual sua base é ligada ao ponto comum do circuito. Esta
montagem é utilizada de forma menos frequente do que as outras
configurações em circuitos de baixa frequência e é utilizado para
amplificadores que necessitam de uma impedância de entrada baixa, é
utilizado também em sinais VHF e UHF onde a capacitância da saída de
entrada é de importância muito grande. Neste caso temos um bom ganho
de tensão, mas o ganho de corrente é inferior ao da unidade.

Esquema Elétrico

Especificações definidas pelo fabricante

Ref. ou Tipo: é o nome do transistor.

VCEO: Tensão entre o coletor e o emissor com base aberta.

VCER: tensão entre o coletor e o emissor com um resistor no emissor.

Pol.: Polarização se do tipo NPN ou PNP

PTOT: Potencia máxima que o transistor pode dissipar

14
Ft: frequência máxima

Encapsulamento: capsula do transistor que define cada um dos terminais.

Características de valores e fenômenos que ocorrem com o transistor

montado em um circuito:

Estas características variam para cada tipo de transistor sendo necessário

um guia de eletrônica para orientar-se como proceder para uma melhor
configuração, mas as características comuns a todos são:

* Corte: ocorre quando a polarização base/emissor evita que a corrente

flua no circuito do emissor. Por exemplo, num transistor PNP, se a base se
torna positiva com respeito ao emissor, os vazios são repelidos na junção
emissor/base. Isto ocasiona que a corrente não flua no circuito do coletor.

* Saturação: ocorre em um transistor, por exemplo, tipo PNP quando a

base se trona tão negativa com relação ao emissor, que mudanças no sinal
não são refletidas no fluxo da corrente do emissor.

* Impedância de entrada

* Impedância de saída

* Amplificação da corrente

* Amplificação da tensão

* Amplificação da potencia

* Relação de fase

Transistor unipolar ou de efeito de campo (FET)

Este transistor é conhecido como unipolar, pois a sua condução se da por
apenas um portador (elétron ou lacuna). O nome de efeito de campo
decorre do fato que o mecanismo de controle é baseado no campo

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elétrico estabelecido pela tensão elétrica que é aplicada no terminal de
controle. A corrente é transportada por apenas um tipo de portador de
carga, os elétrons nos canais são formados de material semicondutor do
tipo N e buracos nos canais de material do tipo P. A diferença para o
transistor bipolar é onde a sua operação não depende de ambos os
portadores de carga. São construídos semicondutores dopados com
impurezas doadoras.

São basicamente dividas em JFET e MOSFET onde o JFET é o efeito de

campo de junção e o MOSFET é o Transistor de oxido de metal
semicondutor.

Nomenclatura dos terminais:

D- (Drain) ou dreno , é da onde os portadores majoritários saem, é

comparado ao coletor do transistor bipolar.

S- (Source) ou fonte, , é onde os portadores majoritários entram, é

comparado ao emissor dos transitores bipolar.

G- (Gate) ou porta, são regiões altamente dopadas entre o canal, quando

o canal é N o Gate é dopado com P. é comparada a Base dos transitores
bipolar.

Esquema Elétrico FET

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Os transitores do tipo FET são empregados em circuitos integrados,
responsáveis pela miniaturização dos circuitos eletrônicos (chips).

Principio de funcionamento.

A diferença para os bipolares esta nos portadores majoritários

(elétrons ou lacunas), é controlada através da variação do campo elétrico
da junção e possível construir um capacitor no elemento de controle. No
MOSFET o oxido de metal é responsável pelo capacitor. Sua construção
começa com uma barra de silício (Si) dopada em N(portadores de
elétrons), é adicionado dois terminais, um em cada lado a resistência
agora é fornecida pelo tipo de dopagem usada. É adicionada nas laterais
uma estrutura dopada com P para formar a porta e consequentemente
um canal entre a fonte e o dreno. O controle da corrente é feito partir da
zona de depleção das portas. A zona de depleção é uma região da junção
onde há o equilíbrio deixando de existir os portadores majoritários
(elétrons livres ou lacunas), depleção é sinônimo de diminuição, esta cada
impede que se gerasse um equilíbrio completo ente os cristais P e N. isto
porque os elétrons do cristal N não encontram lacunas para se
movimentar pela camada de depleção, ou seja, a camada de depleção é
uma espécie de zona morta. A ação da porta esta em variar o tamanho
dessa zona entre a fonte e o dreno assim controla-se a corrente. O
MOSFET tem funcionamento análogo sendo que a porta (Gate) é
constituída de um oxido de metal, por isto leva este nome, para circuitos
digitais sua função é a de Chaveamento sento que trabalha ora na
saturação, ora no corte de corrente.

Demonstração do comportamento dos elétrons em um transistor FET

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 Semicondutores

A criação do transistor se da a partir de um melhor entendimento dos

fenômenos físicos de substancias semicondutoras, em meados dos anos
30 foi feita uma tentativa na criação de componentes mais reduzidos
utilizando as mesmas características do então transistor, mas por falta de
conhecimento e das teorias físicas ainda não estarem desenvolvidas para
a época, o projeto foi abandonado, Thomas Edison mesmo não sabia
explicar o seu “Efeito Edison”. Isto se deu com o avanço entre química e
física nas teorias de semicondutores na década de 50. Mas oque
caracteriza um semicondutor? Vamos lá, um semicondutor é uma
substancia a qual possui quatro elétrons livres na ultima camada de
valência ia, não são nem bons nem maus condutores de eletricidade me
sua condutividade depende da temperatura que é submetido. Por
exemplo, um cristal de silício se comporta como um isolante perfeito a
zero Kelvin e sua condução aumenta a parti do momento que a
temperatura aumenta. O silício e o germânio são as substancias mais
utilizadas para circuito eletrônicos e componentes.

No caso do silício seu átomo possui quatro elétrons na ultima

camada de valência só que para formar o solido o átomo precisa de oito
elétrons na ultima camada de valência, para formar os oito elétrons, aos
átomos então se associam aos vizinhos numa ligação chamada covalente,
nesta ligação os átomos compartilham elétrons com os átomos que estão
a sua volta. Desta forma o átomo central empresta quatro elétrons do
vizinho, oque gera os oitos átomos da sua ultima camada de valência
adquirindo assim estabilidade química para formar o solido. Oque
mantem os átomos presos é força exercida pelo núcleo associado ao
movimento circular em torno do mesmo, no caso dos elétrons a força
centrifuga empurra os elétrons para fora e a força do núcleo puxa os
elétrons para dentro, o equilíbrio destas duas forças é oque mante o
átomo em equilíbrio. Desta forma a força exercida pelo núcleo do átomo
na ultima camada de valência é menor do que a exercida na primeira

18
camada, desta forma se um elétron receber energia (luz, calor...), na
ultima camada e esta for mais forte que a exercida pelo núcleo, o elétron
pode subir para cima da camada de valência, esta camada chama-se
Banda de condução. Uma vez na banda de condução, o elétron esta livre
para se deslocar pelo cristal sendo agora chamado de elétron livre, ao ir
para a banda de condução o elétron deixa uma lacuna, esta lacuna é
usada para gerar o fluxo de corrente no transistor. A este fenômeno é
chamado de Quebra Covalente.

Se submetermos um cristal de silício puro a uma DDP, nos

observaremos que há dois trajetos para o elétron se movimentar, ou seja,
termos duas correntes elétricas uma de elétrons livres e a outra de
elétrons de valência. Os elétrons livres irão se deslocar pelo cristal de um
lado para o outro através da banda de condução, e os eletros de valência
irão se deslocar de um lado para o outro pulando de uma lacuna para a
outra. O elétron livre será atraído pelo positivo da fonte, se deslocando
pela banda de condução, a natureza desta corrente é a mesma que se
estabelece em materiais condutores em geral, o lugar onde estava o
elétron na orbita do átomo agora esta vago sendo que o elétron do átomo
vizinho preenche esta lacuna, e assim por diante. Mas a lacuna esta no
sentido negativo da fonte.

Semicondutores intrínsecos: é o nome dado a um semicondutor puro, um

cristal de silício é intrínseco se todos os átomos do solido forem de silício.
A uma temperatura ambiente um cristal puro de silício não tem aplicação
pratica, uma maneira de aumentar sua condutividade é inserir um átomo
de impureza.

Dopagem: a dopagem consiste em inserir átomos de impureza no cristal

semicondutor, o objetivo é aumentar sua condução. Um semicondutor
dopado com átomos de impureza é um Semicondutor Extrínseco.

Impureza doadora: corresponde a elementos químicos que possuem cinco

elétrons na ultima camada de valência, que se colocados na estrutura do

19
cristal semicondutor, terão quatro elétrons envolvidos na ligação
covalente, e um elétron livre, o Cristal dopado com impureza doadora é
denominado do tipo N. Ocorre com a adição de fosforo ou arsênio ao
silício.

Impureza aceitadora: corresponde aos elementos químicos que possuem

três elétrons na ultima camada, que se colchoados na estrutura do cristal,
terão três elétrons envolvidos na ligação covalente, oque implica na
formação de uma lacuna, este cristal é denominado do tipo P. Ocorre com
a adição de boro ou gálio.

O teor de impureza no semicondutor dopado e de uma parte para um

milhão, (1 ppm).

O futuro dos transistores

Os transistores de silício tem um bom funcionamento até e cerca de 50

nanômetros, abaixo disso seu rendimento fica comprometido devido o
tamanho de seus átomos, para se ter uma ideia em 2005 já eram
desenvolvidos transistores da ordem de 0.07 mícron, onde o Gate era
constituído por 3 átomos de cobre. mas hoje com os avanços tecnológicos
temos o desenvolvimento de transistores atômicos da ordem nanômetros,
sendo ainda dispositivos em testes podendo abrir caminho para a
consolidação da tão sonhada computação quântica. Entre outras
experiências temos a de um laboratório português onde se conseguiu os
efeitos condutores do transistor em folhas de papeis, a técnica visa
diminuir o lixo eletrônico. O numero de transistor em um processador esta
na ordem de 1.4 bilhões atualmente, e enquanto escrevo este trabalho o
numero continua aumentando seguindo as previsões da “Lei de Moore”.

20
 Conclusão

Este trabalho foi de muita valia, sendo que durante as pesquisas

para sua confecção pode se conhecer uma infinidade de aspectos
relacionados à Física, desde personagens responsáveis por pesquisas de
materiais aos quais são empregados no desenvolvimento de novas
tecnologias e subsequentemente ao avanço humano, como a forma de
funcionamento deste componente que é praticamente indispensável na
sociedade moderna de hoje, e mais, pode se ter uma noção da forma
como estes mesmo materiais são manipulados se utilizando de fenômenos
físicos, no caso dos semicondutores em gerais e a forma de dopagem.

O conteúdo relacionado a transistor é rico e tem uma ramificação

muito grande sendo que aqui apresentamos suas características e
empregabilidades de uma forma geral, o desenvolvimento de circuitos
utilizando transistores exige uma pratica manual associada à teoria, mas
posso acrescentar de antemão que o conhecimento adquirido e a
curiosidade ainda mais despertada por este campo (Física de materiais
Sólidos), serão continuada a partir de agora, é um assunto inquiridor e
amplo, e tem uma praticidade muito grande na criação de novas técnicas
e maquinas para o dia a dia, relacionadas aos mais diversos campos da
física.

Saímos deste trabalho com mais conhecimento e mais motivados

aos estudos relacionados ao de como as características de um material se
estudas a fundo podem dar origem a novos componentes facilitando a
passagem humana por esta Terra.

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 Bibliografia
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Conteúdo extraído de diversos sites da internet, graças ao transistor!

22