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DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS E TEORIA DE CIRCUITOS – BOYLESTAD & NASHELSKY – 8ª EDIÇÃO

Semicondutores e Diodo Semicondutor - Exercícios Propostos – Capítulo 1 do livro texto

 1.2 Diodo Ideal: 1 a 3


 1.3 Materiais Semicondutores: 4,7 e 8
 1.5 Materiais Extrínsecos: 12 a 17
 1.6 Diodo Semicondutor: 18, 20, 24 a 26
 1.8 Valores de Resistência: 27 a 35
 1.9 Circuitos Equivalentes: 36
 1.11 Capacitância de Transição e Difusão: 45 a 47
 1.12 Tempo de Recuperação Reversa: 49

Circuitos com Diodos AC e DC – Exercícios Propostos – Capítulo 2 do livro texto

 2.2 Análise por Reta de Carga: 1 a 4


 2.4 Configurações em Série de Diodos com Alimentação CC: 5 a 9
 2.5 Configurações em Série e Série-Paralelo: 10 a 13
 2.7 Entradas Senoidais: Retificação de Meia Onda: 22 a 27
 2.8 Retificação de Onda Completa: 28 a 31
 2.9 Ceifadores: 32 a 36
 2.10: Grampeadores: 37 a 41
 2.12 Circuitos Multiplicadores de Tensão: 47 e 48

Diodos de Finalidade Específica – Exercícios Propostos – Capítulos 1,2 e 19 do livro texto

 1.15 Diodos Zener: 50 a 55


 1.16 Diodos Emissores de Luz: 56 a 61

 2.11 Diodos Zener: 42 a 46

 19.2 Diodos de Barreira Schottky: 1 a 6


 19.3 Diodos Varactor (Varicap): 7 a 13
 19.6 Fotodiodos: 22 a 26

Módulo 1 – Exercícios Propostos – Capítulo 3 do livro texto

 3.2 Construção do Transistor: 1 e 2


 3.3 Operação do Transistor: 3 a 9
 3.6 Configuração Emissor-Comum: 19 a 27
 3.8 Limites de Operação: 30 e 31
 3.9 Folha de Dados do Transistor: 32 a 38
 3.10 Teste de Transistores: 39

Módulo 2 – Exercícios Propostos – Capítulo 4 do livro texto

 4.3 Circuito com Polarização Fixa: 1 a 5


 4.4 Circuito de Polarização Estável do Emissor: 6 a 11
 4.5 Polarização por Divisor de Tensão: 12 a 21
 4.6 Polarização CC com Realimentação de Tensão: 22 a 26
 4.7 Configurações de Polarizações Combinadas: 27 a 31
 4.8 Procedimento de Projeto: 32 a 35
 4.9 Circuitos de Chaveamento com Transistor: 36 a 38
Módulos 3, 4 e 5 – Exercícios Propostos - Capítulos 7, 8, 10 e 12 do livro texto

 7.2 Amplificação do Domínio CA: 1 e 2


 7.3 Modelagem do Transistor TBJ: 3 a 5
 7.4 Parâmetros Importantes Zi, Zo, Av, Ai: 6 a 9
 7.5 Modelo re do Transistor: 10 a 13
 7.6 Modelo Híbrido Equivalente: 14 a 22

 8.2 Configuração Emissor Comum com Polarização Fixa: 1 a 3


 8.3 Polarização por Divisor de tensão: 4 a 6
 8.4 Configuração EC com Polarização do Emissor: 7 a 10
 8.5 Configuração Seguidor de Emissor: 11 a 13
 8.6 Configuração Base-Comum: 14 e 15
 8.7 Configuração com Realimentação de Coletor: 16 a 18
 8.8 Configuração com Realimentação CC do Coletor: 19
 8.9 Modelo Híbrido Equivalente Aproximado: 20 a 22

 10.3 Efeito da Impedância de Carga (RL): 1 a 3


 10.4 Efeito da Impedância da Fonte (Rs): 4
 10.5 Efeito Combinado de Rs e RL: 5
 10.6 Circuitos TBJ EC: 6 a 9
 10.7 Circuitos TBJ Seguidor de Emissor: 10
 10.8 Circuitos TBJ BC: 11
 10.11 Sistemas em Cascata: 15 e 16

 12.4 Conexão Darlington: 15 e 16


 12.8 Circuitos espelhos de Corrente: 24 e 25