Dise No de Convertidores de Potencia para Una Vivienda Con Alimentacion DC

Universidad de Costa Rica
Facultad de Ingenierı́a
Escuela de Ingenierı́a Eléctrica
Diseño de convertidores de potencia para

la implementación en una vivienda con
alimentación DC.
Por:
Luis Alonso Acuña Murillo
Ciudad Universitaria “Rodrigo Facio”, Costa Rica
20 de Enero de 2015
Diseño de convertidores de potencia para
la implementación en una vivienda con
alimentación DC.
Por:
Luis Alonso Acuña Murillo
IE-0499 Proyecto eléctrico

Aprobado por el Tribunal:
Ing. Juan Manuel Arteaga Sáenz, M.Sc.

Profesor guı́a
Ing. Javier Chan Ruiz, M.Sc. Ing. Juan Pablo Cruz Rı́os
Profesor lector Profesor lector
Resumen
En este documento se propone una solución técnica para el diseño de los
convertidores de potencia de una casa de habitación con distribución de po-
tencia en corriente directa proyectada a ser auto-suficiente.
Se estudió el funcionamiento y el estado del arte de los diferentes compo-
nentes que forman un convertidor de potencia, además del funcionamiento de
los convertidores DC/DC y AC/DC unidireccionales y bidireccionales.
Se diseñaron dos etapas de convertidores DC/DC bidireccionales, una pri-
mera etapa de transformación convierte 400 V en la entrada a 48 V a la salida
del convertidor. La segunda etapa permite transformar los 48 V a una tensión
ajustable según el equipo que es conectado. Para el control de los conmutado-
res, se propuso un sistema de control proporcional que relaciona el ancho de
pulso con la señal de error del sistema de control.
También se diseñó el rectificador que inyecta potencia a la red de distribu-
ción desde la acometida alimentada por la empresa suministradora de energı́a.
El controlador para el rectificador se hizo por medio de un circuito llamado
corrector de factor de potencia. El PFC hace que el rectificador sea visto como
una carga resistiva, lo que significa, el rectificador posee un factor de potencia
cercano a uno.
Se realizaron simulaciones en GeckoCIRCUITS, un software especializado
en electrónica de potencia hecho por la Universidad ETH de Zürich. En las
simulaciones se comprobó el funcionamiento del diseño y se buscaron com-
ponentes comerciales para una futura implementación. En dichas pruebas se
tomaron los parámetros de los componentes reales dadas en las hojas del fa-
bricante. Las simulaciones consistieron en pruebas ante diferentes cargas o
fuentes según como se encontrara funcionando el convertidor. En los ensayos
se puede apreciar el comportamiento del controlador para lograr los valores
deseados.
v
Índice general
Índice de figuras ix
Índice de cuadros xiii
Nomenclatura xv
I Introducción 1
1 Aspectos generales 3
2 Alcances del Proyecto 5
3 Objetivos 7
3.1 Objetivo general . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3.2 Objetivos especı́ficos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
4 Metodologı́a 9
II Marco teórico 11
5 Componentes electrónicos. 13
5.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
5.2 Transistor de efecto de campo de potencia . . . . . . . . . . . . 14
5.3 Transistor bipolar de puerta aislada . . . . . . . . . . . . . . . 31
5.4 Condensadores eléctricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
5.5 Inductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
6 Control de fuentes conmutadas 47

6.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
6.2 Modulación por ancho de pulso . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
7 Convertidores de tensión en corriente directa 53

7.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
7.2 Estructuras básicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
7.3 Convertidor split pi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
vii
7.4 Otro convertidor bidireccional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
8 Rectificadores monofásicos controlados 69

8.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
8.2 Factor de potencia en los rectificadores . . . . . . . . . . . . . . 69
8.3 Rectificador Boost monofásico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
8.4 Rectificador Boost monofásico bidireccional . . . . . . . . . . . 73
IIIDiseño 75
9 Diseño de los convertidores 77

9.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
9.2 Caracterı́sticas Generales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
9.3 Rectificador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
9.4 Convertidores DC/DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
IV Conclusiones y Recomendaciones 103
10 Conclusiones 105
11 Recomendaciones 107
Bibliografı́a 109
A Apéndice 111
A.1 Hojas del fabricante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
A.2 Simulaciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
viii
Índice de figuras
5.1 Transistor MOSFET C2M0025120D de CREE, imagen extraı́da de

la hoja del fabricante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
5.2 MOSFET: (a) Estructura (Sedra y Smith (2010)). Simbologı́a de
(b) canal n y (c) canal p. (Rashid (2011)) . . . . . . . . . . . . . . 16
5.3 Corte transversal del MOSFET tipo n, también llamado N-MOSFET.
(Sedra y Smith (2010)) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
5.4 Transistor N-MOSFET, con tensión positiva aplicada a la com-
puerta. El canal se induce debajo de la compuerta (Sedra y Smith
(2010)). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
5.5 Circulación de corriente entre la fuente y el drenaje (Perret (2013)). 18
5.6 Transistor N-MOSFET con la tensión G-S es mayor a la del umbral
y υDS pequeño (Sedra y Smith (2010)). . . . . . . . . . . . . . . . 19
5.7 Caracterı́stica del transistor N-MOSFET cuando υDS es pequeño
(Sedra y Smith (2010)). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
5.8 Operación del transistor a medida que υDS aumenta y se mantiene
constante υGS > Vt (Sedra y Smith (2010)). . . . . . . . . . . . . . 20
5.9 Caracterı́stica iD vsυGS cuando υGS > Vt (Rashid (2011)). . . . . . 21
5.10 P-MOSFET: (a) Estructura y (b) aplicación de una tensión nega-
tiva a la compuerta. (Sedra y Smith (2010)). . . . . . . . . . . . . 22
5.11 Estructura del transistor complementario de efecto de campo. (Se-
dra y Smith (2010)). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
5.12 Estructura del transistor U-MOSFET. (Baliga (2010)). . . . . . . . 24
5.13 Estructura del transistor SJ-MOSFET. (Baliga (2010)). . . . . . . 25
5.14 Estructura del DMOSFET con sustrato SiC. (Allen (2013)). . . . . 26
5.15 Comparación del SiC con otros componentes. (Allen (2013)). . . . 26
5.16 MOSFET con capacitancias parásitas: (a) estructura y (b) circuito
equivalente. (Lutz et al. (2011)) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
5.17 Formas de onda y tiempos de conmutación para el encendido. (Lutz
et al. (2011)) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
5.18 Formas de onda y tiempos de conmutación para el apagado. (Lutz
et al. (2011)) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
5.19 IGBT CM1000DUC-34NF de MITSUBISHI, extraı́da de la hoja
del fabricante. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
5.20 Sección transversal del IGBT.(Rashid et al. (2004)) . . . . . . . . . 32
5.21 Inducción del canal en el IGBT.(Lutz et al. (2011)) . . . . . . . . . 33
ix
5.22 Circuito equivalente: (a) con el transistor npn parásito y la resis-
tencia RS ; (b) circuito equivalente simplificado.(Lutz et al. (2011)) 34
5.23 IGBT: (a) caracterı́stica IC vsVGE y (b) caracterı́stica de transfe-
rencia.(Rashid (2011)) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
5.24 BJT: Estructuras (a) npn, (b) pnp (Sedra y Smith (2010)) y sim-
bologı́a (a) npn, (b) pnp. (Rashid (2011)) . . . . . . . . . . . . . . 36
5.25 Circuito simplificado del transistor BJT. (Sedra y Smith (2010)) . 37
5.26 Caracterı́stica de los BJT: (a) VCE vs IC y (b) de transferencia.
(Rashid et al. (2004)) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
5.27 Rango de tensiones y capacitancias de los diferentes tipos de con-
densadores usados en la electrónica de potencia. (Perret (2013)). . 38
5.28 Estructura fı́sica de un condensador. (Santamarı́a et al. (2009)). . 38
5.29 Estructura del condensador de armadura completa: (a) en el borde
y (b) centrada. (Perret (2013)). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
5.30 Estructura del condensador con armaduras metalizadas. (Perret
(2013)). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
5.31 Estructura del condensador electrolito con placa de aluminio. (Pe-
rret (2013)). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
5.32 Estructura del condensador cerámico. (Sarjeant et al. (1998)). . . . 41
5.33 Circuito equivalente en serie del condensador. (Dorf (2000)). . . . . 42
5.34 Impedancia caracterı́stica del capacitor. (Dorf (2000)). . . . . . . . 42
5.35 Inductor. (Alexander y Sadiku (2006)). . . . . . . . . . . . . . . . 43
5.36 Ilustración esquemática de alineación mutua de dipolos atómicos
para un material ferromagnético, el cual existe aún en ausencia de
un campo externo aplicado. (Callister (2002)). . . . . . . . . . . . 44
6.1 Diagrama de bloques: a) control a lazo cerrado y b) control a lazo

abierto. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
6.2 Controlador TL5001: controlador por tensión a lazo cerrado de un
convertidor de potencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
6.3 Implementación de un comparador para obtener una frecuencia
constante PWM. (Vasca y Iannelli (2012)) . . . . . . . . . . . . . . 50
6.4 Forma de onda para obtener una frecuencia variable. (Vasca y Ian-
nelli (2012)) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
6.5 Tı́pico rectificador y el control IC con estructura PFC. (Vasca y
Iannelli (2012)) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
7.1 Circuito del convertidor Buck sincrónico con interruptores ideales.

(Rashid (2011)) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
7.2 Circuito del convertidor Buck asincrónico. (Kazimierczuk (2008)) . 55
x
7.3 (a) Circuito equivalente con el transistor en ON y el diodo en OFF.
(b) Circuito equivalente con el transistor OFF y el diodo ON. (c)
Circuito equivalente con el diodo y el transistor en OFF. (Kazi-
mierczuk (2008)) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
7.4 Formas idealizadas de corriente y tensión del convertidor buck.
(Kazimierczuk (2008)) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
7.5 Circuito del convertidor Boost asincrónico. (Kazimierczuk (2008)) 59
7.6 (a) Circuito equivalente con el transistor en ON y el diodo en OFF.
(b) Circuito equivalente con el transistor OFF y el diodo ON. (c)
Circuito equivalente con el diodo y el transistor en OFF. (Kazi-
mierczuk (2008)) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
7.7 Circuito del convertidor Buck-Boost. (Kazimierczuk (2008)) . . . . 62
7.8 Buck-boost: (a) Circuito equivalente con el transistor en ON y el
diodo en OFF. (b) Circuito equivalente con el transistor OFF y el
diodo ON. Continua (Kazimierczuk (2008)) . . . . . . . . . . . . . 62
7.9 Convertidor inversor tipo Flyback. (Kazimierczuk (2008)) . . . . . 63
7.10 Circuito del convertidor tipo cuk. (Ioinovici (2013)) . . . . . . . . . 64
7.11 Circuito del convertidor tipo Zeta. (Falin (2010)) . . . . . . . . . . 64
7.12 Circuito general con filtro del convertidor Split-Pi hecho en Gecko. 65
7.13 Convertidor bidireccional DC/DC con transistores BJT. (Ebad y
Song (2012)) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
8.1 Rectificador Monofásico: (a) circuito básico y (b) formas de onda

de corriente y tensión en la entrada. (Rashid (2011)) . . . . . . . . 70
8.2 Rectificador de onda completa en Gecko Circuits con fp = 1: (a)
Circuito rectificador, (b) tensión y corriente a la salida del rectifi-
cador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
8.3 Fourier de la corriente en el inductor. . . . . . . . . . . . . . . . . 72
8.4 Rectificador Boost monofásico: (a) Circuito; (b) transistor encen-
dido; y (c) transistor apagado. (Rashid (2011)) . . . . . . . . . . . 72
8.5 Corriente en el inductor: (a) Forma de la onda y (b) señal x en la
compuerta del transistor T. (Rashid (2011)) . . . . . . . . . . . . . 73
8.6 Rectificador Boost monofásico bidireccional. (Jung et al. (2013)) . 74
8.7 Modos de operación: (a) Modo 1 de rectificación, (b) Modo 2 de
rectificación, (c) Modo 1 de generación y (d) Modo 2 de generación.
(Jung et al. (2013)) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
9.1 Diagrama de bloques del sistema de distribución de la casa modelo. 78

9.2 Diagrama del convertidor bidireccional DC/DC. (Ebad y Song (2012)) 79
9.3 Diagrama de bloques del convertidor de potencia de dos etapas. . . 79
9.4 Transistores NMOSFET: a) C2M0025120D y b) PSMN035-150P. . 81
9.5 Diagrama de bloques de un sistema de control a lazo cerrado. . . . 82
xi
9.6 Conector. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
9.7 Conector: E salida de tensión de 48 V, I retorno y e salida variable
de tensión. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
9.8 Circuito en Gecko de la primera etapa de la rectificación. . . . . . 87
9.9 Simulación de la primera etapa de rectificación. Para la figura de
arriba: la señal roja es la salida después del puente de diodos, la
negra es la señal sinusoidal de entrada y la magenta es la salida
del convertidor. En la figura de abajo se observa la corriente en el
inductor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
9.10 Circuito en Gecko. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
9.11 Gráficas de corriente y tensión vs tiempo para una carga que tiende
a cero. En las subfiguras se muestran los rizados de corriente y
tensión según correspondan. Arriba: la lı́nea amarilla es la tensión
en el bus, y en negro la salida del convertidor. Abajo: Corriente en
el inductor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
9.12 Gráficas de corriente y tensión vs tiempo para una carga que tiende
a infinito. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
9.13 Gráficas de corriente y tensión vs tiempo para una fuente de mi-
crogeneración de 48 V. En las subfiguras se muestran los rizados
de corriente y tensión según correspondan. . . . . . . . . . . . . . . 93
9.14 Convertidor bidireccional de dos etapas. . . . . . . . . . . . . . . . 99
9.15 Carga de 5 V en la salida de tensión variable. Arriba: En verde
tensión en el bus, en negro la salida para la carga y en magenta
la tensión a la salida de la segunda etapa. Abajo: En naranja la
corriente en el inductor 3 y en azul la corriente en el inductor 2. . 100
9.16 Carga de 5 V en la salida de tensión variable fijando el ancho de
pulso de la primera etapa y eliminando el controlador. . . . . . . . 101
9.17 Carga a 16 V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
9.18 Fuente de microgeneración de 24 V en la salida de tensión variable. 102
A.1 Simulación para una tensión de salida de 5 V y una resistencia de

1 Ω. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
10 Ω. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
10 Ω. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
A.4 Simulación para una fuente de microgeneración con tensión de en-
trada de 12 V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
trada de 24 V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
5 Ω. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
xii
5 Ω. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
5 Ω. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
trada de 48 V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
trada de 12 V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
Índice de cuadros
5.1 Caracterı́sticas de los condensadores cerámicos. (Perret (2013)) . . 41
6.1 Variables de la Figura 9.5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

6.2 Algunos métodos de control en convertidores de potencia comer-
ciales (Vasca y Iannelli (2012)) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
7.1 Estados de conmutación del convertidor Split-pi. (Maclaurin et al.

(2011)) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
8.1 Contenido de armónicas del circuito de la Figura 8.1. (Rashid (2011)) 69
9.1 Tabla de verdad para informar al controlador que tiene el conver-

tidor conectado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
9.2 Resumen de los componentes de la segunda etapa Buck. . . . . . . 95
9.3 Resumen de los componentes del funcionamiento como Boost de la
segunda etapa. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
xiii
Nomenclatura
AC Corriente Alterna (por sus siglas en inglés).
ASD Unidades de velocidad ajustable (por sus siglas en inglés).
BJT Transistor de unión bipolar (por sus siglas en inglés).
CM OS Transistor complementario de efecto de campo metal-

óxido-semiconductor (por sus siglas en inglés)
DC Corriente Continua (por sus siglas en inglés).
D Drenaje (por sus sigla en inglés).
ESR Resistencia equivalente en serie de un Condensador (por

sus sigla en inglés).
fp Factor de potencia.
G Compuerta (por su sigla en inglés).
IC Circuito integrado (por su sigla en inglés).
ICE Instituto Costarricense de Electricidad.
IECEM C Comisión internacional de electrotecnia (por sus siglás en

inglés y francés respectivamente)
IEEE Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos (por sus

siglas en inglés).
IGBT Transistor bipolar de puerta aislada (por sus siglas en

inglés).
LED Diodo emisor de luz (por sus siglas en inglés).
M OSF ET Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

(por sus siglas en inglés).
N − M OSF ET Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

tipo n (por sus siglas en inglés).
PFC Corrector de factor de potencia (por sus siglas en inglés).
xv
P − M OSF ET Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
tipo p (por sus siglas en inglés).
PWM Modulación por ancho de pulso (por sus siglas en inglés).
rms Valor cuadrático medio (por su sigla en inglés).
S Fuente (por su sigla en inglés).
SiC Carburo de silicio.
SiO2 Óxido de silicio.
T HD Distorsión armónica total (THD, por sus siglas en inglés).
UPS Sistemas de alimentación ininterrumpida (por sus siglas

en inglés).
xvi
Parte I
Introducción
1
1 Aspectos generales
Desde que Alejandro Volta inventase en 1799 la pila eléctrica, la generación,
trasmisión y distribución, ha evolucionado sustancialmente. Aunque el primer
generador de corriente alterna fue construido en 1832 por Hipólito Pixii, la uti-
lidad de la energı́a eléctrica no se hizo evidente hasta el invento de la bombilla
de cristal al vacı́o, en 1879, por Thomas Alba Edison.
Edison, fiel defensor de la corriente continua, encontró a su rival Nicola
Tesla, pocos años después de lograr, con filamentos de carbono, transformar
la energı́a eléctrica en luz. Tesla logró perfeccionar los generadores de corriente
continua, mientras trabajó para Edison en su laboratorio. Tesla creı́a que el
futuro de la generación y distribución era la corriente alterna. Lo logró en
1887 junto a Westinghouse, cuando construyó una planta de generación en las
cataratas del Niagara, mientras la corriente continua perdı́a adeptos.
Después en 1948, John Bardeen, Walter Brittain y William Schockley in-
ventaron el transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratories. Este in-
vento permitió desarrollar la tecnologı́a que conocemos actualmente.
La Microelectrónica moderna ha evolucionado a través de los años a partir
de los semiconductores de silicio. El siguiente adelanto, en 1956, también fue
logrado en los Bell Laboratories, con la invención del transistor de disparo
PNPN, que se definió como tiristor, o rectificador controlado de silicio. Dos
años después de otorgar el premio nobel de fı́sica a los creadores del transistor
en 1958, se desarrolló el tiristor comercial. El desarrollo del tiristor se dio en
la General Electric Company, la cual fue fundada por Edison.
Desde entonces se han introducido muchas clases distintas de dispositivos
semiconductores. La microelectrónica nos permitió tener capacidad de pro-
cesar una cantidad gigantesca de información con una rapidez en el orden de
gigahertz (Rashid et al. (2004)). La electrónica de potencia permite conformar
y controlar grandes cantidades de energı́a con una gran eficiencia.
Para aprovechar las dos caracterı́sticas antes mencionadas, se están desa-
rrollando aplicaciones que entrelazan la electrónica de potencia, que puede
soportar cientos de amperes, con la microelectrónica analógica y digital. Ana-
lizando el crecimiento en los próximos años, la electrónica se espera conforme
y acondicione la electricidad en algún lugar de la red de trasmisión entre su
generación y todos los usuarios. (Rashid et al. (2004))
3
2 Alcances del Proyecto
Tesla superó a Edison con su propuesta de corriente alterna en la distribución

y producción de energı́a eléctrica. La mayorı́a de los equipos eléctricos de uso
diario en una casa de habitación promedio funcionan en corriente continua
y dado que se espera una tendencia en aumento (Rashid et al. (2004)), se
propone el desarrollo de un modelo de una casa de habitación con distribución
eléctrica en corriente continua. En otras palabras se desea hacer un pequeño
adelanto y agregar una etapa basada en la electrónica de potencia entre la
distribución y el usuario.
La electrónica está presente en sistemas que van desde tener una mejor
eficiencia en la iluminación por medio de LEDs, hasta un conjunto de muchos
transistores que forman un complejo procesador computacional usado todos
los dı́as en teléfonos móviles o como controladores en casas inteligentes.
La potencia que producen las energı́as renovables es convertida a corriente
directa en algún momento del proceso, debido a que la producción no es tan
constante como lo puede ser un embalse en una hidroeléctrica. Sin embargo,
debido a que la distribución en la redes tradicionales de baja tensión son en
corriente alterna son necesarios convertidores DC/AC, los cuales dependiendo
de su calidad, producen armónicas por su caracterı́stica de onda cuadrada,
que afectan la calidad de energı́a de la compañı́a distribuidora. Una casa auto
suficiente permite almacenar la energı́a producida en exceso, en lugar de que
sea entregada a la red, y ası́ se pretende que la compañı́a distribuidora no
tenga problemas controlando y garantizando la calidad de la energı́a.
Por ejemplo, Costa Rica en el 2010 se fijó como meta ser carbono neutral
para el año 2021 y para cumplir este objetivo, el sector de generación eléctrica
pretende seguir aumentando la participación de energı́a renovable y minimizar
el uso de combustible fósil en la matriz eléctrica (Solı́s (2013)). Como comenta
la investigadora Granados en el ”Decimonoveno informe estado de la nación
en desarrollo humano sostenible”, la poca cantidad de precipitaciones que se
han tenido en nuestro paı́s en los últimos años provoca una disminución en
la producción hidroeléctrica, lo que ha obligado aumentar la producción de
energı́a eléctrica por medio del combustible fósil. Igualmente según el Plan de
Expansión de la Generación Eléctrica Periodo 2014-2035, el sector residencial
es de los sectores que mayor cantidad de energı́a eléctrica consume, por lo
tanto, la energı́a que se está produciendo por combustible fósil en su mayorı́a
es consumida por las viviendas.
Actualmente la complejidad y precio de inversores que entreguen calidad
5
6 2 Alcances del Proyecto
de energı́a aceptable según la norma europea IEC 61727 son una de las princi-
pales razones por las cuales la empresa Google, que en conjunto con la IEEE,
lanzaron el ”desafı́o de la pequeña caja”. Este desafı́o pretende eliminar los
problemas que hay en la actualidad con los inversores, como la sincronización
con la red, entre otros. Nuestra propuesta, al no tener que sincronizar con la
red, no existirán los problemas que Google pretende resolver.
Un modelo de casa autosuficiente permite ayudar en el aumento de pro-
ducción eléctrica en el paı́s, ya que la demanda eléctrica residencial bajarı́a
hasta una meta de cero y la energı́a suministrada por las empresas distribui-
doras, se limitarı́a a fines comerciales e industriales. La consecuencia a gran
escala de nuestra propuesta es la disminución de contaminación por la quema
de hidrocarburos.
Para que este modelo sea funcional y se integre el diseño eléctrico y las
fuentes de microgeneración, se diseñaron convertidores DC/DC bidirecciona-
les. Al ser bidireccionales, permiten conectar las fuentes de microgeneración
con el sistema de distribución, y al ser todos diseñados bajo este principio,
favorece que el sistema sea escalable. Significa que se puede aumentar la can-
tidad de fuentes de energı́as renovables en cualquier momento solo conectando
la nueva fuente de energı́a en el punto de conexión mejor ubicado.
Otra ventaja de nuestros diseños en corriente continua es su versatilidad,
ya que funciona para cualquier tipo de frecuencia en que se encuentre la dis-
tribución y es ajustable para distribuciones en corriente continua, además de
su autonomı́a por la aplicación de fuentes renovables, lo hace apropiado para
lugares alejados donde no hay conexión con la red de distribución.
El modelo propuesto para la distribución DC residencial está diseñado para
que sea el futuro en la construcción de las casas de habitación. El alcance del
proyecto se limita en buscar la fiabilidad técnica, ya que este es el primer paso
para la implementación de nuestra solución.
3 Objetivos
3.1 Objetivo general

Diseñar y modelar los convertidores AC-DC con factor de potencia unitario y
convertidores DC-DC bidireccionales para alimentar cargas residenciales e im-
plementar fuentes de microgeneración en una casa con distribución de potencia
en corriente continua.
3.2 Objetivos especı́ficos

Para el desarrollo de este proyecto se establecieron los siguientes objetivos:
• Investigar el funcionamiento y el estado del arte de los componentes

electrónicos usados en los convertidores de potencia para seleccionar los
componentes más apropiados para los convertidores.
• Investigar topologı́as de convertidores DC-DC bidireccionales para eva-

luar su aplicación en fuentes de microgeneración residenciales.
• Diseñar convertidores DC-DC bidireccionales para implementar cargas

tı́picas residenciales y fuentes de microgeneración.
• Investigar los problemas técnicos asociados a los rectificadores y como

corregirlos para recomendar la topologı́a adecuada en la que un rectifi-
cador se ve como una carga resistiva.
7
4 Metodologı́a
El desarrollo del trabajo incluyó los siguientes pasos y procedimientos, listados
en secuencia:
• Se tuvieron reuniones semanales con el profesor guı́a para la discusión y

guı́a del trabajo realizado durante la semana.
• Recopilación de información bibliográfica sobre los componentes electró-

nicos que se utilizan en los convertidores de corriente continua, dando
especial atención a los IGBT, MOSFET de potencia y el control de los
conmutadores. Se buscó en artı́culos de revistas electrónicas, además de
hojas de fabricante y libros teóricos.
• Investigación bibliográfica de fundamentos de los convertidores DC/DC,

se busco la información en libros especializados.
• Estudio de los convertidores DC/DC bidireccionales y formas de control

adaptativo ante diferentes cargas. Se buscó información en artı́culos de
revistas especializadas.
• Recopilación bibliográfica sobre los convertidores AC/DC y formas de

implementación, se usaron documentos electrónicos de revistas especia-
lizadas.
• Implementación de los convertidores DC/DC y AC/DC en el proyecto

Diseño de fuentes de microgeneración para una casa alimentada en DC.
• Redacción del informe escrito para el diseño de los convertidores, si-

guiendo con las especificaciones del programa del curso.
9
Parte II
Marco teórico
11
5 Componentes electrónicos.
5.1 Introducción
Hay circuitos que permiten conversiones de potencia sin interruptores tales
como reguladores lineales y amplificadores de potencia que no sean del tipo D
1 , E o F. En los reguladores lineales, los semiconductores tienen un comporta-
miento disipativo, esto significa una disminución de la eficiencia del circuito.

Es conocido que el modo de funcionamiento lineal da lugar a unas elevadas
pérdidas en el semiconductor que en un convertidor con interruptores serı́a
inadmisible (Portillo y López (2012)). Es por esto que en convertidores elec-
trónicos de potencia, los dispositivos semiconductores generalmente funcionan
como interruptores. Las pérdidas en conmutación son muy bajas si se compa-
ran con los dispositivos electrónicos operando de modo lineal, lo que resulta
un sistema electrónico de potencia de muy alta eficiencia (Rashid (2011)). Los
sistemas funcionando en modo lineal solo pueden cambiar la fase y la ampli-
tud, mientras que los sistemas conmutados además de variar esas caracterı́s-
ticas también permite la variación de la frecuencia. Este capı́tulo presentará
la investigación en componentes que conforman el diseño de convertidores de
potencia conmutados.
Los interruptores mecánicos son componentes hechos con bobinas, con-
tactores y otros elementos fı́sicos, que al agregar corriente eléctrica se pro-
duce la conmutación mecánica. Los componentes de estado solido, como los
transistores, poseen mayores ventajas sobre los mecánicos como se detalla a
continuación:
• Los componentes semiconductores son de menor tamaño que los inte-

rruptores mecánicos.
• Necesitan menores valores de corriente y tensión por lo que el control es

más simple.
• En cuanto a la velocidad de conmutación, los interruptores mecánicos

poseen una menor velocidad por sus caracterı́sticas fı́sicas.
1
Este tipo de amplificadores funcionan con conmutación de transistores, consultar Boy-
lestad, R. L., & Nashelsky, L. (2003). Electrónica: teorı́a de circuitos y dispositivos electró-
nicos. Pearson Educación si desea información general de este tipo de convertidores.
13
14 5 Componentes electrónicos.
• La conmutación de los componentes de estado solido no se da por medio

de contactores mecánicos, con esto no presentan arco eléctrico cuando
se abre el interruptor, lo que los hace más robustos y estables.
• Los semiconductores no necesitan elementos fı́sicos como contactores y

bobinas, por lo que su mantenimiento es menor y poseen una mayor vida
útil.
Los convertidores de DC/DC tı́picos necesitan al menos dos elementos

de conmutación. Para el diseño desarrollado en este proyecto se utilizarán
convertidores sincrónicos, lo cuales tienen como elemento de conmutación dos
transistores. Hay que considerar que los transistores comerciales poseen un
diodo de protección integrado, usualmente un diodo Schottky, el cual no va a
ser estudiado a profundidad pero es parte importante para el funcionamiento
del integrado. También para la creación del puente de diodos en el rectificador
se necesita de ellos, sin embargo, estos al ser solamente una o más uniones
de semiconductores p y n el estudio a profundidad no se va a realizar en este
documento.
5.2 Transistor de efecto de campo de potencia

5.2.1 Introducción
En 1930 J.E. Lilienfield patentó un dispositivo de efecto electrostático que
permite un control de corriente como una función MOSFET. Pero fue hasta
treinta años después, cuando MM Khang y Atalla descubrieron la estructura
del semiconductor de óxido - metal, el descubrimiento permitió la construc-
ción de MOSFETs. Para 1970 se introdujeron los MOSFET de potencia como
dispositivos de conmutación. Desde entonces, la introducción de nuevos dispo-
sitivos ha sido acompañado con una notable mejora en potencia y rendimiento
en la conmutación.
El MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por tensión, por lo
que requiere una pequeña corriente en la patilla de control durante el periodo
de conmutación. Además el MOSFET tiene grandes velocidades de conmuta-
ción y una alta impedancia. Entre sus principales aplicaciones en el área de
potencia se encuentran: inversores para aplicaciones con paneles solares, con-
vertidores DC/DC de alta tensión, control de motores, fuentes de potencia,
entre otras. En la Figura 5.1 se muestra el transistor C2M0025120D de CREE,
este MOSFET de potencia resiste una tensión drenaje-fuente de 1200 V y una
corriente de 90 A.
5.2. Transistor de efecto de campo de potencia 15
Figura 5.1: Transistor MOSFET C2M0025120D de CREE, imagen extraı́da

de la hoja del fabricante
5.2.2 Estructura en Silicio

En la Figura 5.2 se muestra la estructura y simbologı́a de los MOSFET de
tipo enriquecimiento. De la Figura 5.2(a) se puede observar que los MOSFET
son componentes electrónicos formados por una estructura principal llamada
sustrato o cuerpo, que le da rigidez a la estructura. El MOSFET está forma-
do por materiales semiconductores dopados con átomos portadores de carga
libre negativa, llamado tipo n, o con átomos que permiten una ausencia de
electrones como portadores de carga libre, llamado tipo p.
En la superficie del sustrato se crea una delgada capa de aislante, por ejem-
plo dióxido de silicio (SiO2 ), abarcando el área entre las regiones de fuente y
drenaje. Se deposita algún metal conductor, como el aluminio, sobre el aislante
para formar el electrodo de compuerta (G), igualmente se agregan contactos
metálicos para la fuente (S), el drenaje (D) y el sustrato o cuerpo (B), como
se muestra en la Figura 5.2(a).
En la Figura 5.2(a) se muestran caracterı́sticas fı́sicas importantes de los
transistores de efecto de campo: L es la longitud del canal. W es el ancho del
canal. Más adelante se observará en las figuras el ancho de la placa de óxido,
tOX .
5.2.3 Transistor N-MOSFET

5.2.3.1 Estructura
La estructura principal del N-MOSFET está fabricada con un sustrato tipo
p, este material es una lamina de un solo cristal de silicio. En el sustrato se
crean dos regiones tipo n+ ,2 como se muestra en la Figura 5.3(a), llamadas
2
La notación n+ indica que el silicio tipo n posee una gran cantidad de impurezas. Por el
contrario, n− se usa para denotar silicio tipo n con pocas impurezas, se aplica una notación
similar para el silicio tipo p.
Figura 5.2: MOSFET: (a) Estructura (Sedra y Smith (2010)). Simbologı́a de

(b) canal n y (c) canal p. (Rashid (2011))
fuente (S) y drenaje (D).
Figura 5.3: Corte transversal del MOSFET tipo n, también llamado N-

MOSFET. (Sedra y Smith (2010))
5.2.3.2 Operación sin tensión en la compuerta

Cuando no se aplica tensión a la compuerta, los sustratos se van a comportar
como dos diodos conectados en serie entre el drenaje y la fuente. Uno de los
diodos está formado por la unión pn entre la región n+ del drenaje y el sustrato
tipo p, el otro se encuentra en la unión pn entre el sustrato tipo p y la región

n+ de la fuente. Estos diodos evitan la conducción de corriente del drenaje a
la fuente cuando se aplica una tensión υDS . (Sedra y Smith (2010))
5.2.3.3 Creación del canal para el flujo de corriente.

Para analizar la creación del canal en el sustrato p se conecta la patilla de la
fuente y del drenaje a tierra. Luego se agrega una tensión positiva entre la
fuente y la compuerta, la cual se denota como υGS , tal como se muestra en
la Figura 5.4. La tensión positiva en la compuerta ocasiona una repulsión de
los huecos libres de la región del sustrato bajo la compuerta, también llamada
la región de canal. Dichos huecos son empujados hacia abajo del sustrato,
dejando atrás una región con carencia de portadores.
La tensión positiva de la compuerta atrae electrones de las regiones n+ de
la fuente y el drenaje. Cuando se acumula una cantidad suficiente de electrones
cerca de la superficie inferior del dieléctrico, se crea una región n que conecta
las regiones de fuente y drenaje, como se muestra en la Figura 5.4.
Figura 5.4: Transistor N-MOSFET, con tensión positiva aplicada a la com-

puerta. El canal se induce debajo de la compuerta (Sedra y Smith (2010)).
Si se aplica una tensión entre el drenaje y la fuente, circula una corriente

por la región n inducida, como se muestra en la Figura 5.5. La región n in-
ducida forma un canal para el flujo de corriente del drenaje a la fuente. Un
punto importante a considerar es que un MOSFET de canal n se forma en un
sustrato tipo p y cuando se forma el canal se invierte la superficie del sustrato
de tipo p a n.
Al valor υGS , en el que una cantidad suficiente de electrones móviles se
acumula en la región del canal para formar un canal conductor, se le denomina
Figura 5.5: Circulación de corriente entre la fuente y el drenaje (Perret (2013)).
tensión de umbral, que se denota Vt o VT h .

La compuerta y la región del canal MOSFET forman un condensador de
placas paralelas en el que la capa de óxido actúa como dieléctrico del conden-
sador. La tensión positiva de la compuerta causa que se acumule una carga
positiva en la placa superior del condensador, el electrodo de compuerta. En
la placa inferior, los electrones del canal inducido forman una carga negativa
correspondiente. Por tanto, se desarrolla un campo eléctrico en la dirección
vertical. Este campo es el que controla la cantidad de carga del canal, deter-
minando la conductividad de éste y, a su vez, la corriente que pasará por el
mismo cuando se aplique una tensión υGS .
5.2.3.4 Funcionamiento del transistor al aumentar υDS

Después de inducir el canal, se precederá a analizar cuando se aplica una
tensión pequeña υDS entre el drenaje y la fuente. Al conectar la tensión υDS
se producirá una corriente iD que circula por el canal de drenaje a fuente,
tal como se muestra en la Figura 5.6. La magnitud de iD dependerá de la
densidad de electrones en el canal, que a su vez dependerán de la tensión υGS .
De manera especı́fica, si la tensión de umbral es igual a υGS , el canal solo
es inducido y la corriente conducida es insignificante. Cuando υGS empieza a
exceder la tensión de umbral, más electrones son atraı́dos hacia el canal, lo que
provoca un ensanchamiento del canal y con esto la conductividad aumenta o
lo que es equivalente a que la resistencia disminuya. La conductancia del canal
es proporcional a (υGS −Vt ), conocido como tensión de sobrecarga. De aquı́
se deduce que la corriente iD es proporcional a (υGS − Vt ), y por supuesto, a
la tensión υDS .
En la Figura 5.7 se muestra una gráfica de iD frente a υDS para diferentes
valores de υGS . Se observa que el N-MOSFET opera como resistencia lineal
con valor controlado por υGS , la resistencia tiende a infinito para υGS ≤ Vt y
su valor disminuye a medida que υGS excede Vt .
En resumen para que el MOSFET conduzca, se debe inducir un canal,
y esto se logra cuando υGS es mayor a Vt . Conforme aumenta (υGS − Vt ) el
Figura 5.6: Transistor N-MOSFET con la tensión G-S es mayor a la del umbral
y υDS pequeño (Sedra y Smith (2010)).
Figura 5.7: Caracterı́stica del transistor N-MOSFET cuando υDS es pequeño

(Sedra y Smith (2010)).
canal se enriquece, es por esto que el MOSFET es llamado transistor del tipo
enriquecimiento. Algo importante de señalar es que la corriente que sale
de la terminal de la fuente (iS ) es igual a la que entra por la terminal del
drenaje (iD ), y que la corriente de compuerta (iG ) es igual a cero, por estar
eléctricamente aislado.
Ahora se considera una variación υDS de cero hasta un valor alto, y se
Figura 5.8: Operación del transistor a medida que υDS aumenta y se mantiene
constante υGS > Vt (Sedra y Smith (2010)).
mantendrá υGS mayor que Vt pero a un valor constante. La figura que se

analizará se muestra en 5.8. Lo que sucede cuando se va aumentando υDS es
que la tensión entre la compuerta y los puntos a lo largo del canal disminuyen
de υGS en el extremo de la fuente hasta υGS − υDS en el drenaje. Debido a
que la profundidad del canal depende de esta tensión, se encontrará que el
canal no tiene una profundidad uniforme como se mostró en la Figura 5.6,
sino que va a tener una forma más triangular como se muestra en la Figura
5.8. A medida que υDS aumenta, el canal se alarga más y la resistencia se
incrementa de manera correspondiente. Por lo tanto, la caracterı́stica iD vs
υDS no continua como lı́nea recta sino que se produce una curvatura, tal como
se muestra en la Figura 5.9.
Cuando υGD = Vt o υGS − υDS = Vt o υDS = υGS − Vt la profundidad del
canal en el extremo del drenaje disminuye casi a cero y se dice que el canal
está estrangulado (Sedra y Smith (2010)). Como se ve en la Figura 5.9, un
aumento de υDS tiene poco efecto. Por lo tanto, la corriente de drenaje se
satura, y se dice que el MOSFET esta operando en la región de saturación. La
tensión donde se da la saturación se denota υDSsat y esta dada por la ecuación
(5.1).
υDSsat = υGS − Vt (5.1)
La corriente en región de saturación es muy cercana a ser constante, aunque

se de un incremento en la tensión υDS , como se observa en la Figura 5.9. La
Figura 5.9: Caracterı́stica iD vsυGS cuando υGS > Vt (Rashid (2011)).
ecuación que modela la corriente en la región de saturación, se muestra en la

ecuación (5.2).
κ
IDsat = (υGS − Vt )2 (5.2)
2
κ esta dado por la ecuación (5.3) donde COX es la capacitancia de la capa
de óxido. Recordando L es la longitud del canal, W es el ancho del canal y µn
es la movilidad efectiva de los portadores de carga.
W · µn · COX
κ= (5.3)
L
De acuerdo con (5.2), la corriente de saturación es independiente de υDS .
Sin embargo, en realidad el campo eléctrico penetra en la región p, cuando υDS
se incrementa fuertemente mientras que el canal se acorta. Este acortamiento
en la longitud del canal implica un ligero ascenso de la corriente con tensiones
elevadas.
5.2.4 Otras tecnologı́as MOSFET

5.2.4.1 P-MOSFET
En la Figura 5.10(a) se muestra un corte vertical para el transistor tipo p. Su
estructura es similar para un N-MOSFET, el cambio radica en que los sustratos
tipo n son sustituidos por sustratos tipo p y viceversa. Los transistores N-
MOSFET y P-MOSFET se dicen que son complementarios.
Para la inducción del canal, se aplica una tensión negativa en la com-

puerta como se muestra en la Figura 5.10(b), esta es su principal diferencia
con el MOSFET de canal n, la necesidad de aplicar tensiones negativas a la
compuerta.
Figura 5.10: P-MOSFET: (a) Estructura y (b) aplicación de una tensión ne-
gativa a la compuerta. (Sedra y Smith (2010)).
La tecnologı́a P-MOSFET originalmente dominaba la fabricación de cir-

cuitos integrados MOS y los microprocesadores antiguos usaban transistores
P-MOSFET. Pero las dificultades tecnológicas en la fabricación de transisto-
res N-MOSFET ha sido resuelta, el N-MOSFET ha suplantado completamente
al P-MOSFET. La razón principal para este cambio es que la movilidad del
electrón µn es mayor en un factor de dos a cuatro que la movilidad de los
huecos µp , el resultado es un transistor N-MOSFET que tiene buenas ganan-
cias y velocidades de operación superiores que la de los P-MOSFET. (Sedra y
Smith (2010))
5.2.4.2 MOS complementario o CMOS

La tecnologı́a complementaria MOS emplea transistores MOS de ambas polari-
dades (N-MOSFET y P-MOSFET). En la Figura 5.11 se muestra la estructura
del transistor complementario. Observe que la base de fabricación del disposi-
tivo es un transistor N-MOSFET, en él se crea una sección tipo n para agregar
el transistor P-MOSFET. Ambos transistores son separados por un dieléctri-
co, en este caso SiO2 . El CMOS es ampliamente usado para la fabricación de
tecnologı́as integradas IC.
Figura 5.11: Estructura del transistor complementario de efecto de campo.

(Sedra y Smith (2010)).
5.2.4.3 Doble difusión MOSFET o D-MOSFET

El primer MOSFET de potencia hecho comercialmente para la industria de
semiconductor fue el D-MOSFET. La longitud del canal de este dispositivo
podrı́a ser reducido a las dimensiones submicrométricas mediante el control de
las profundidades de difusión de la base p y regiones n+ sin tener que recurrir
a herramientas de litografı́a caros. El proceso de fabricación del dispositivo
fue la base para la fabricación del CMOS (Baliga (2010)). Este dispositivo
es utilizado para aplicaciones de potencia de tensiones bajas. La velocidad
de conmutación y robustez del D-MOSFET tiene ventajas significativas en
comparación con los transistores bipolares.
5.2.4.4 U-MOSFET
Para el desarrollo de las memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM,
por sus siglas en inglés), los diseñadores desarrollaron la tecnologı́a MOS de
potencia con puerta en forma de zanja, llamado U-MOSFET, su estructura se
muestra en la Figura 5.12. Como se puede observar en 5.12, el transistor U-
MOSFET no contiene una región de JFET lo que permite reducir la resistencia
de encendido.
Figura 5.12: Estructura del transistor U-MOSFET. (Baliga (2010)).
5.2.4.5 CC-MOSFET y GD-MOSFET
Este tipo de MOSFET de potencia tiene como base la utilización de un electro-

do recubierto de óxido incrustado dentro de la zanja como parte de la región de
deriva. Esta estructura permite un alto rendimiento con capacidad de tensión
de bloqueo en el rango de 30 a 200 V.
Para la estructura del CC-MOSFET de potencia, hay dos opciones para lo-
grar un acoplamiento de carga durante el modo bloqueo. Primer caso, la carga
del electrodo de acoplamiento, que se encuentra dentro de las zanjas recubier-
tas de óxido, es conectado al electrodo de compuerta. Aunque este método
logra una disminución de la región de resistencia de deriva, se crea un dispo-
sitivo con grandes capacitancias de entrada y compuerta. Consecuentemente,
se creó una estructura alterna del CC-MOSFET de potencia, conectando el
electrodo de acoplamiento, al electrodo de fuente.
Una mejora adicional del rendimiento se puede lograr utilizando un perfil
de dopaje graduado en la región de deriva, lo que permite homogeneizar el
campo eléctrico. Esta estructuras es llamada GD-MOSFET.
5.2.4.6 MOSFET de super unión
El dispositivo SJ-MOSFET, se basa en la utilización de una unión PN vertical

en la región de deriva. Esta estructura, que es conocida generalmente como
super unión, es adecuada para el desarrollo de estructuras MOSFET de po-
tencia de alto rendimiento, ya que tiene una mayor capacidad de tensión de
bloqueo que va de los 300 a los 1,200 V.
Las primeras estructuras super-unión MOSFET de potencia fueron fabri-

cadas por la implantación de múltiples capas epitaxiales de iones de boro y
fósforo para crear la alternancia p y n. Este proceso es difı́cil por la cantidad
de etapas que se deben agregar cuando se desean tener tensiones de ruptura
de 600 V. Sin embargo, se han creado diferentes maneras para poder fabricar
estos dispositivos de una manera más simple. La estructura de este compo-
nente se muestra en la Figura 5.13. Su funcionamiento es similar al transistor
MOSFET tipo n.
Figura 5.13: Estructura del transistor SJ-MOSFET. (Baliga (2010)).
5.2.4.7 Estructura del MOSFET en carburo de silicio

El carburo de silicio es un semiconductor que esta desplazando al silicio en la
fabricación de semiconductores. En la Figura 5.14 se observa el corte trans-
versal de un transistor DMOSFET fabricado con sustrato SiC.
En 5.15 se observa una superioridad del carburo de silicio cuando se realiza
una comparación con el arsénico de galio y el silicio. Los componentes fabri-
cados con carburo de silicio tienen caracterı́sticas superiores a las de silicio en
(Allen (2013)):
• Ancho de banda de bobina: el carburo de silicio soporta diez veces

más los campos eléctricos que el silicio.
• Conductividad térmica superior: El carburo de silicio soporta tres

veces más la densidad de potencia que su similar de silicio.
Figura 5.14: Estructura del DMOSFET con sustrato SiC. (Allen (2013)).
• Confiabilidad: es diez veces mejor que el silicio.
Por las propiedades mencionadas anteriormente, cuando se tienen tensio-

nes superiores a los 600 V, el SiC proporciona perdidas bajas, diseños más
eficientes y una frecuencia de operación alta, lo que ha hecho que los MOS-
FETs sean superiores.(Allen (2013)).
Figura 5.15: Comparación del SiC con otros componentes. (Allen (2013)).
5.2.5 Regiones de operación

En resumen los MOSFET tienen tres regiones de operación, tal como se mues-
tra en la Figura 5.9.
1. Operación en la región de triodo
υDS < υGS − Vt para υGS > Vt (5.4)
2. Operación en la región de saturación
υDS > υGS − Vt para υGS > Vt (5.5)
3. Operación sin canal

υGS < Vt (5.6)
5.2.6 Propiedades de conmutación

Como se dijo anteriormente, para disminuir las pérdidas en los convertidores
DC/DC, se prefiere que el diseño se desarrolle con interruptores de conmu-
tación. El desempeño en la conmutación es un factor determinante para la
selección del dispositivo conmutador de las fuentes a diseñar. En este caso el
MOSFET se plantea como una opción.
La frecuencia de corte se puede modelar a partir de las capacitancias pa-
rásitas del MOSFET:
1
fco = (5.7)
2π · Ciss · RG
con Ciss = CGS + CGD y RG = RGint + RGext . El valor de Ciss ası́ como
el de la resistencia de compuerta externa (RGext ) se pueden extraer de las
hojas del fabricante. La resistencia interna de la compuerta se debe solicitar
al fabricante, aunque se puede asumir que tiene un valor de 1 Ω (Lutz et al.
(2011)).
En la Figura 5.16(a) se muestra la estructura del MOSFET con sus capaci-
tancias parásitas. Es importante resaltar que los condensadores parásitos son
producto de: (i) el aislante entre la compuerta y la fuente, (ii) entre la com-
puerta y el drenaje y (iii) entre el drenaje y la fuente. En la Figura 5.16(b) el
circuito equivalente del MOSFET con dichas capacitancias parásitas.
Gráficamente la conmutación de un MOSFET se puede representar tal
como se muestra en Figura 5.17 para el encendido del dispositivo, mientras
que cuando se apaga el MOSFET se puede modelar como se muestra en la
Figura 5.18. En ellas se observan las formas de onda exponenciales producto de
los condensadores parásitos. En las figuras 5.17 y 5.18 también se muestran los
Figura 5.16: MOSFET con capacitancias parásitas: (a) estructura y (b) cir-
cuito equivalente. (Lutz et al. (2011))
perı́odos de tiempo de conmutación tı́picos, los cuales son factores importantes

para el análisis de conmutación.
Analizando el encendido del MOSFET los tiempos de conmutación se ex-
plican a continuación apoyados de la Figura 5.17 (Lutz et al. (2011)):
• Retraso en la activación tD : es el tiempo requerido para alcanzar el nivel
de tensión de umbral.
td ∼ RG (CGS + CGD )
• Tiempo de elevación tri : es el tiempo en el que se da el incremento en

la corriente. En este tiempo se llega a sobrepasar la corriente del diodo
IDS por la corriente pico reversa IRRM , que es regulada por el diodo.
tri ∼ RG (CGS + CGD )
• Tiempo de caı́da de tensión tf v : En este tiempo el diodo de protección

se hace cargo de la tensión y esta cae.
tf v ∼ RG CGD
Con esto el tiempo total de encendido (ton ) esta dado por la ecuación (5.8).
Mientras que la tensión de encendido esta dado por (5.9).
ton = td + tri + tf v (5.8)
Von = Ron ID (5.9)

Como se dijo anteriormente, la Figura 5.18 muestra un modelo de conmu-
tación de apagado para el transistor MOSFET. Los tiempos mostrados en ella
se explican a continuación.
Figura 5.17: Formas de onda y tiempos de conmutación para el encendido.

(Lutz et al. (2011))
• Tiempo de almacenamiento ts : Se da cuando la tensión de la señal de

control es restablecida a cero. Sin embargo, la tensión de la compuerta
se descarga hasta el valor de la tensión de umbral mas el valor de la
corriente IDS cuando es igual a la corriente de saturación.
ts ∼ RG (CGS + CGD )
• Tiempo de subida de tensión trv : La tensión υDS aumenta hasta la ten-

sión dada por el circuito. La corriente se mantiene constante en valor
inicial.
• Tiempo de caı́da de la corriente tf i : La capacitancia de la compuerta se

descarga y la corriente disminuye hasta alcanzar el valor de la corriente
de fuga.
tf i ∼
= RG (CGS + CGD )
En esta fase se da una tensión pico parásita debida principalmente al
diodo de protección.
Con esto el tiempo total de apagado esta dado por (5.10).
tof f = ts + trv + tf i (5.10)

Figura 5.18: Formas de onda y tiempos de conmutación para el apagado. (Lutz

et al. (2011))
La frecuencia de conmutación máxima esta dada por (5.11).
1
fmax = (5.11)
ton + tof f
5.2.7 Pérdidas por conmutación

La frecuencia máxima de conmutación alcanzable de un MOSFET de potencia
depende de las pérdidas de conmutación (Lutz et al. (2011)). Para calcular
la pérdida de energı́a por pulso, basta con calcular la integral del producto
V (t)i(t) durante el encendido y apagado del dispositivo. Para el encendido se
tiene la ecuación (5.12).
5.3. Transistor bipolar de puerta aislada 31
tZON
EON = υD (t) · ID (t)dt (5.12)

0
Se toma una carga inductiva para resolver la integral, ya que la carga
inductiva es lo que usualmente existe en la práctica (Lutz et al. (2011)). Si
se utiliza una aproximación geométrica para resolver la integral se obtiene la
ecuación (5.13).
1 1 2
EON = υDS (IDS + IRRM )tri + υDS (IDS + IRRRM )tf v (5.13)
2 2 3
En el apagado, se realiza el mismo procedimiento sustituyendo los tiempos
de encendido por los tiempos de apagado en la ecuación (5.12), lo que permite
obtener (5.14).
1 1
Eof f = υDS IDS trv (υDS + Vpk )IDS tf i (5.14)
2 2
5.3 Transistor bipolar de puerta aislada

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) fue introducido a los princi-
pios de 1980. EL IGBT es un interruptor de potencia semiconductor de tres
terminales utilizado en el control de energı́a eléctrica. El IGBT combina los
avances del BJT y el MOSFET (Tripathy (2008)). En la Figura 5.19 se mues-
tra un ejemplo de un IGBT real, el CM1000DUC-34NF de MITSUBISHI, este
dispositivo soporta una corriente de colector de 1 kA y una tensión colector
emisor de 1,7 kV.
Figura 5.19: IGBT CM1000DUC-34NF de MITSUBISHI, extraı́da de la hoja

del fabricante.
Sus principales caracterı́sticas son:

• Tienen una alta impedancia en la compuerta al igual que los MOSFET.
• No tienen el problema de una segunda ruptura 3 Este fenómeno se da

en los transistores BJT.
• El diseño y la estructura del encapsulado, permite controlar la resistencia

equivalente drenado-fuente, RDS .
• El IGBT es controlado por tensión, al igual que el MOSFET.
• Facilidad de excitación de compuerta.
Los IGBTs son usados en aplicaciones de alta potencia como conversión

de energı́a, control de motores, entre otras.
5.3.2 Estructura y operación

En la Figura 5.20 se muestra la sección transversal de un IGBT en silicio, que
comparada con la 5.3 es muy similar a la del MOSFET, excepto por el sustrato
p+ . El sustrato p+ es responsable de la inyección de portadores minoritarios
en la región n. Un IGBT está fabricado por cuatro capas alternas PNPN como
se ve en la Figura 5.20.
Figura 5.20: Sección transversal del IGBT.(Rashid et al. (2004))
Si se aplica una tensión positiva entre las terminales colector (C) y emisor
(E) del IGBT, el dispositivo no conduce. Si ahora se aplica una tensión VG
superior a la tensión de umbral VT entre la compuerta (G) y el emisor, se
crea un canal n tal como se muestra en la Figura 5.21; esto genera que los
3
La segunda ruptura es un fenómeno destructivo, se debe al flujo de corriente hacia una
pequeña porción de la base, lo que produce puntos calientes localizados.(Rashid et al. (2004))
electrones fluyan al colector. En la unión pn del lado del colector, se genera una
tensión inducida lo que provoca que los huecos de la capa p colector se inyecten
en la capa n. Los huecos inyectados permiten un aumento en la densidad de
portadores de carga; este aumento de la densidad de portadores disminuye
la resistencia de la capa intermedia y la conductividad aumenta. Como en el
MOSFET, el encendido y apagado del IGBT sucede mediante la creación y
eliminación del canal n por la aplicación de una tensión en la compuerta. En
cuanto a la tensión de umbral y la resistencia del canal es similar a la que se
describe para el MOSFET en la sección 5.2.
Figura 5.21: Inducción del canal en el IGBT.(Lutz et al. (2011))
De la Figura 5.20 se observa que la estructura pnpn forma un tiristor.

Este tiristor funciona estrictamente para controlar la conductancia del emisor
RS . En la Figura 5.22(a) se nuestra el circuito equivalente de la estructura
de cuatro capas. El tiristor parásito esta compuesto por los transistores pnp
y npn. La resistencia RS conecta el emisor y la base del transistor npn, con
esto, la ganancia de corriente del npn se elimina a baja corriente. Pero a
muy alta corriente, el transistor npn se activa y el tiristor parásito puede ser
activado en el modo encendido con el lazo de retroalimentación por el pnp
transistor. Este efecto es llamado latch-up o cerrojo arriba: el dispositivo ya
no es controlado por la compuerta MOS (Lutz et al. (2011)). El enclavamiento
del tiristor parásito es un efecto destructivo para el IGBT.
Para una RS pequeña, el circuito se simplifica en el mostrado en la Figura
Figura 5.22: Circuito equivalente: (a) con el transistor npn parásito y la resis-
tencia RS ; (b) circuito equivalente simplificado.(Lutz et al. (2011))
5.22(b). Se detonaron C’ (colector), E’ (emisor) y B’ (base) para el transistor

pnp. Mientras que para el colector del IGBT es el emisor del transistor pnp.
Como la compuerta del IGBT esta formada por un MOSFET, el canal
para la conducción es creado cuando se supera la tensión de umbral por la
tensión de la compuerta. Con esto, se produce un conducción de corriente en
la base del transistor pnp, que se denotará como ICH . Para la corriente IC 0 se
necesita un análisis del transistor bipolar, la ecuación para esta corriente esta
dado por (5.15).
αpnp
IC 0 = · ICH (5.15)
1 − αpnp
Para la corriente del colector total del IGBT se tiene (5.16).
αpnp 1
IC = IC 0 + ICH = · ICH + ICH = · ICH (5.16)
1 − αpnp 1 − αpnp
Con esto es fácil observar que la corriente del colector siempre es mayor a
la corriente en el canal. Por esto la corriente de saturación del IGBT es mucho
mayor a la del MOSFET de potencia, la cual se muestra en la ecuación (5.17),
donde κ esta dado en (5.3).
1 κ
ICsat = · (υGS − Vt )2 (5.17)
1 − αpnp 2
El valor de αpnp debe ser ajustado muy exactamente para que el IGBT fun-
cione para cualquier aplicación. Cabe mencionar que se necesita una corriente
muy alta para lograr el latch-up, cosa que no va a ocurrir en aplicaciones

usuales. (Lutz et al. (2011))
5.3.3 Caracterı́stica corriente vs tensión

En la Figura 5.23(a) se muestra la caracterı́stica corriente contra tensión en
el colector ante diferentes valores de VGE para el IGBT. La caracterı́stica
corriente contra tensión es similar que la del MOSFET. Para una tensión de
compuerta VGE mayor que la del umbral, el canal esta formado. La diferencia
entre el IGBT y el MOSFET se debe a la tensión adicional de la unión pn en
el lado del colector que necesita.
En la Figura 5.23(b) se muestra la caracterı́stica de transferencia. De esta
se puede concluir que a mayor tensión aplicada entre la compuerta y el emisor
mayor es la corriente que se obtendrá en el colector.
Figura 5.23: IGBT: (a) caracterı́stica IC vsVGE y (b) caracterı́stica de trans-

ferencia.(Rashid (2011))
5.3.4 Otros interruptores conmutados

5.3.4.1 Transistor de unión bipolar
Doce años después del desarrollo de los BJT a nivel teórico, se logro la im-
plementación de estos a nivel práctico para la aplicación en electrónica de
potencia. Los BJT de potencia solı́an ser usados tradicionalmente en muchas
de las aplicaciones industriales. Sin embargo, con el desarrollo de los MOSFET
e IGBT los transistores bipolares han sido sustituidos en algunas aplicaciones.
Los BJT poseen tensiones de saturación en funcionamiento más bajos sobre el
rango de funcionamiento, pero son lentos ya que abarcan frecuencias de con-
mutación de 20 KHz a 100 KHz. Los BJT tienen periodos largos de tiempo
de encendido y de apagado.
Para formar un transistor bipolar se añade una segunda región p o n a un
diodo de unión pn, tal como se muestra en la Figura 5.24.
Figura 5.24: BJT: Estructuras (a) npn, (b) pnp (Sedra y Smith (2010)) y
simbologı́a (a) npn, (b) pnp. (Rashid (2011))
El principio de funcionamiento del transistor bipolar npn se da al aplicar

una tensión de polarización directa VBE , la aplicación de VBE provoca una
corriente en el colector IC . Siempre que se aplique una tensión base colector
VCB mayor a cero, la corriente IC va a tener un valor independiente de la
tensión del colector. El BJT se comporta como una fuente de corriente ideal
constante en modo activo, donde el valor de la fuente esta determinado por
VBE . La corriente de base IB esta en función de la corriente del colector como
se muestra la ecuación (5.18), donde β es la ganancia de corriente emisor
común, llamado en las hojas del fabricante como hf e . La corriente del emisor
es la suma de las corrientes del colector y la base. El circuito simplificado del
funcionamiento antes descrito se muestra en la Figura 5.25.
1
IB = IC (5.18)
β
El transistor BJT posee tres regiones de operación: corte, activa y de sa-

turación. En la región de corte, no hay corriente de base suficiente para que
el transistor funcione. En la región activa, la corriente del colector es ampli-
ficada, el BJT funciona como un amplificador. Mientras que en la región de
saturación el transistor actúa como interruptor. Lo descrito anteriormente se
muestra en la Figura 5.26.
5.4. Condensadores eléctricos 37
Figura 5.25: Circuito simplificado del transistor BJT. (Sedra y Smith (2010))
Figura 5.26: Caracterı́stica de los BJT: (a) VCE vs IC y (b) de transferencia.

(Rashid et al. (2004))
5.4 Condensadores eléctricos

Los condensadores son una pieza fundamental en el diseño de convertidores
de potencia y en general de cualquier circuito electrónico. Existen 3 familias
principales de condensadores utilizados en potencia (Perret (2013)): Conden-
sadores de pelı́culas, electrolı́ticos y cerámicos. En la Figura 5.27 se muestra
una gráfica de la capacitancia vs tensión para las diferentes clases de conden-
sadores.
5.4.2 Funcionamiento
El esquemático de un condensador consiste de dos placas conductoras sepa-
radas por un dieléctrico, en dichas placas son colocados los conectores, tal
como se muestra en la Figura 5.28. Si se aplica una tensión entre las termi-
Figura 5.27: Rango de tensiones y capacitancias de los diferentes tipos de

condensadores usados en la electrónica de potencia. (Perret (2013)).
nales del condensador, se produce la polarización del dieléctrico generando un

campo eléctrico entre las placas, permitiendo almacenar energı́a electrostáti-
ca. La operación del condensador depende de los fenómenos fı́sicos de sus tres
componentes: el material dieléctrico, las placas o armaduras y los conectores.
Figura 5.28: Estructura fı́sica de un condensador. (Santamarı́a et al. (2009)).
5.4.3 Condensador de pelı́cula

Estos condensadores pueden ser de tres tipos: armaduras completas, metali-
zadas o materiales dieléctricos flexibles.
5.4.3.1 Armaduras completas

Hay dos formas de colocar la armadura en este tipo de condensadores: centrada
o en los bordes. Para el caso de los bordes, las hojas de metal se pueden colocar
a la derecha o a la izquierda del eje longitudinal de la bobina. Dejando unos

milı́metros en cada lado, como se muestra en la Figura 5.29(a). Las conexiones
se realizan por la compresión de hojas metálicas o proyección de un metal que
se suelda a los cables de conexión.
Figura 5.29: Estructura del condensador de armadura completa: (a) en el borde

y (b) centrada. (Perret (2013)).
Para el caso de las armaduras centradas, estas se centran en el eje longitu-

dinal de las pelı́culas dieléctricas, como se muestra en la Figura 5.29(b). Cada
armadura tiene un menor ancho que la del dieléctrico, esto permite tener un
margen a cada lado para las conexiones de salida de la bobina.
5.4.3.2 Armaduras metalizadas

Las armaduras metalizadas para un condensador se hacen por deposición, so-
bre la pelı́cula dieléctrica en vacı́o, de una capa delgada de metal como alu-
minio o zinc (Perret (2013)). El condensador tiene la propiedad de que si se
da una evaporación de la metalización por medio de un cortocircuito, sacrifica
una parte de su capacitancia para sanarlo. En la Figura 5.30 se muestra la
estructura del condensador.
5.4.4 Condensadores electrolı́ticos

Son hechos por dos placas, generalmente de aluminio, inmersos en un lı́quido
conductor ligeramente ácido llamado electrolito. Si se aplica un potencial po-
sitivo en las terminales se da una reacción electroquı́mica, llamada oxidación
anódica, entre la armadura que se desempeña como ánodo y el electrolito, lo
que produce una capa delgada de óxido de aluminio. Esto se muestra en la
Figura 5.31.
Figura 5.30: Estructura del condensador con armaduras metalizadas. (Perret

(2013)).
Figura 5.31: Estructura del condensador electrolito con placa de aluminio.

(Perret (2013)).
Una peculiaridad de estos condensadores es que tienen polaridad. Si se

aplica una tensión negativa entre el ánodo y cátodo se puede generar gas dentro
del condensador, que aumenta la presión y puede provocar que el componente
explote si no tiene una válvula de liberación.
5.4.5 Condensadores Cerámicos

En los condensadores cerámicos, el dieléctrico que separa los electrodos es el
material cerámico, tal como se muestra en la Figura 5.32. Según Perret (2013),
hay un interés actual en las propiedades de los materiales cerámicos, ya que
poseen altos valores de permitividad. Además que los desarrollos tecnológicos
han permitido disminuir el tamaño de los condensadores, lo que ha favorecido
su integración en la electrónica de potencia.
Figura 5.32: Estructura del condensador cerámico. (Sarjeant et al. (1998)).
En el cuadro 5.1 se muestran las principales caracterı́sticas para los con-

densadores cerámicos según su material de construcción.
Cuadro 5.1: Caracterı́sticas de los condensadores cerámicos. (Perret (2013))
Tipo C [µ F] VDC [V ] Tol [ %] T [◦ C] Fmax [kHz]

Cerámicos de
disco y tubos 1 pF - 1.0 80 - 20 k +/-20 -55/+85 106
(ε pequeño)
Cerámicos de disco 1 pF - 1.0 80 - 20 k +/-20 -55/+125 104
(ε grande)
Cerámicos multicapa 2.5 pF - 0.4 25 - 200 +/-20 -55/+85 104
(ε pequeño)
Cerámicos multicapa 0.033 - 1.0 3 - 30 -25+50 -55/+85 103
(ε grande)
Cerámico de 1 pF - 1.0 100 - 400 +/-5 -55/+100 1
capa Barrier
Mica 0.01 - 4 200 - 15 K +/-20 -55/+325 107
Mica Re-constitutiva 0.5 pF - 0.01 300 - 500 +/-5 -55/+125 108
Vidrio 5 pF - 0.004 300 - 500 +/-5 -40/+70 106
5.4.6 Resistencia equivalente en serie en un Condensador

Los fabricantes de los condensadores definen la resistencia equivalente en serie
de un condensador como la impedancia medida a la frecuencia resonante del
condensador o a una frecuencia en especı́fica (Products (año)). El circuito
equivalente de un condensador incluyendo la ESR se muestra en la Figura
5.33.
Figura 5.33: Circuito equivalente en serie del condensador. (Dorf (2000)).
Según el documento técnico desarrollado por General Atomics, el valor de

la ESR disminuye con el incremento de la frecuencia utilizada en el circuito,
por lo tanto, el valor de la constante se aproxima por la ecuación (5.19). En
general, la impedancia del condensador depende de la frecuencia a la que se
va a trabajar, tal como se muestra en la Figura 5.34.
1
ESR ∼ (5.19)
ω
Figura 5.34: Impedancia caracterı́stica del capacitor. (Dorf (2000)).

5.5. Inductores 43
5.5 Inductores
Los inductores son elementos pasivos en los circuitos eléctricos que almace-
nan energı́a por medio de campo magnético. Un inductor esta formado por
un núcleo embobinado por un alambre conductor. Si se agrega un material
apropiado al inductor por medio de un núcleo se aumenta la capacidad de al-
macenar energı́a, lo que permite disminuir el tamaño del inductor. Los avances
en los inductores consisten en el estudio de los materiales que pueden ser uti-
lizados como núcleos, debido al aumento de la capacidad del almacenamiento
de energı́a. En la Figura 5.35 se muestra la construcción de un inductor.
Figura 5.35: Inductor. (Alexander y Sadiku (2006)).
Algunos materiales metálicos, como el hierro, tienen un campo magnético

permanente aunque no se encuentren bajo la influencia de un campo mag-
nético externo, este fenómeno es llamado ferromagnetismo. Para un mejor
entendimiento de este principio se tiene la Figura 5.36. A ausencia de campo
magnético externo aplicado al material se sigue manteniendo la dirección de
los dipolos magnéticos.
5.5.2 Núcleo de hierro

Los inductores con núcleo de hierro contienen laminas generalmente de hierro
recubiertos de silicio donde se enrolla el cable de cobre. Las láminas crean un
circuito magnético para el flujo. El núcleo laminado se utiliza para reducir las
pérdidas por corrientes de Eddy y la histéresis. Estos inductores son usados
en aplicaciones de baja frecuencia, como filtros en las fuentes de potencia,
elementos reactivos en circuitos de corriente alterna, entre otros. Los valores
de inductancia son generalmente en el orden de pocos henry.
Figura 5.36: Ilustración esquemática de alineación mutua de dipolos atómicos

para un material ferromagnético, el cual existe aún en ausencia de un campo
externo aplicado. (Callister (2002)).
5.5.3 Núcleo de Ferrita

La ferrita es un material formado por F e2 O4 más un metal. Esta aleación
provoca que la ferrita tenga una alta resistividad eléctrica, por lo tanto no
presenta pérdidas por las corrientes de Eddy si se consideran únicamente fre-
cuencias menores a aproximadamente 300kHz, también tiene pocas pérdidas
por histéresis cuando se usa como núcleo de inductores. Si se utiliza la ferri-
ta como núcleo de inductores puede ser utilizado en aplicaciones en corriente
directa, aeronáutica, audio, circuitos de potencia, telecomunicaciones, micro-
ondas, entre otras.
5.5.4 Núcleo de aire

Los inductores con núcleos de aire son utilizados para aplicaciones de alta
frecuencia que necesiten valores pequeños de inductancia, que pueden ser en el
orden de los microhenry. Aunque los inductores con este tipo de núcleo poseen
pequeños valores de inductancia comparadas con los de núcleo ferromagnético,
para el uso de altas frecuencias se encuentran libres de pérdidas en el núcleo.
Los inductores de aire consisten en unas pocas vueltas de alambre alrededor
de un superficie hueca, esto provoca que el aire se el núcleo de la bobina.
5.5.5 Núcleo de hierro pulverizado

Los núcleos de hierro pulverizado son producidos por partı́culas finas de hierro
puro. El polvo de hierro es comprimido en muy altas presiones para formar
un núcleo solido, este proceso crea una estructura magnética con orificios de
aire, lo que hace que los inductores tengas una mayor capacidad de almace-
5.5. Inductores 45
namiento de energı́a. El polvo comprimido hace que el inductor tenga baja

permeabilidad, pérdidas en el núcleo moderadas y caracterı́sticas de satura-
ción graduales. Las propiedades magnéticas de este tipo de núcleo hace que los
inductores sean ideales para aplicaciones de fuentes conmutadas. (Cox (2004))
6 Control de fuentes conmutadas
6.1 Introducción
El auge actual que tienen los equipos electrónicos ha hecho que los converti-
dores de potencia estén jugando un papel importante para el funcionamiento
de los equipos, aunque el consumidor no se de cuenta de la importancia que
tienen los convertidores. Para lograr la conversión de energı́a de la fuente a la
carga se necesita regular y controlar al circuito para mantener la estabilidad
en todas las condiciones de operación del convertidor.
Con el incremento de la demanda en el mercado de mayor eficiencia, bajo
costo, menor tamaño de los convertidores de potencia, la estabilidad y funcio-
nalidad no van a ser sacrificadas. Aún más, es un prerequisito en cualquier
producto electrónico comercial el uso de convertidores de potencia. (Vasca y
Iannelli (2012)).
Como se ha mencionado en un par de ocasiones, se utilizarán transistores
en corte y saturación, para el diseño de los convertidores de potencia. La
conmutación de los semiconductores se logra mediante una señal de control
que se aplica a la compuerta y crea el canal que permite la conducción de
corriente. Para nuestros efectos, la señal de control es producto de la tensión
a la salida del convertidor que va a ser convertida en un ancho de pulso que
va al gate del transitor, cuando se utiliza el convertidor con carga. Cuando se
conecta al convertidor una fuente de micro generación, la señal de control va
a ser producto de la corriente en el inductor.
Existen dos maneras de realizar el control de un sistema conmutado: lazo
cerrado o lazo abierto, el diagrama de bloques se muestra en la Figura 6.1. El
significado de las variables de dicha figura se muestran en el cuadro 6.1. En el
lazo abierto solo se agrega la señal de control al actuador como se muestra en
la Figura 6.1, para el caso que nos interesa, solo se agrega la señal cuadrada al
transistor y no se tiene conocimiento de lo que puede estar pasando a la salida
del convertidor, esto puede desencadenar un desequilibrio en el convertidor al
cambio en las cargas. Otro punto importante que se debe tomar en cuenta
en los lazos abiertos de control es que la regulación de linea y de tensión no
pueden ser monitoreadas. Para una mayor robustez del sistema se necesita
un lazo cerrado de control, esto significa conocer lo que ocurre en la salida
para ası́ corregir cualquier eventualidad que pueda desequilibrar al convertidor
producto del cambio de las cargas. En la Figura 6.2 se muestra un diagrama
de lazo cerrado de control.
47
48 6 Control de fuentes conmutadas
Figura 6.1: Diagrama de bloques: a) control a lazo cerrado y b) control a lazo

abierto.
Cuadro 6.1: Variables de la Figura 9.5
Variable Lazo cerrado Lazo abierto

r(s) señal de referencia señal de referencia
e(s) señal de error
u(s) señal de control señal de control
d(s) perturbaciones perturbaciones
y(s) salida salida
C(s) controlador controlador
P(s) planta planta
La modulación digital tiene una ventaja significativa con respecto a lo que

puede ofrecer su homólogo analógico, entre las ventajas que posee el control
digital sobre el control analógico son:
• Versatilidad: el diseño digital permite al diseñador cambiar la estrategia

de control sin modificar significativamente el hardware.
• Mayor tolerancia al ruido.
• Pocos efectos de envejecimiento o calentamiento.
Por lo descrito anteriormente, se estudiarán los controladores digitales en

lugar de los analógicos. Algunos ejemplos en la implementación de este tipo
de control son en los sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS, por sus
siglas en inglés) o en las unidades de velocidad ajustable (ASD, por sus siglas
en inglés).
6.2. Modulación por ancho de pulso 49
Figura 6.2: Controlador TL5001: controlador por tensión a lazo cerrado de un

convertidor de potencia.
6.2 Modulación por ancho de pulso

Actualmente la modulación por ancho de pulso (PWM) es el controlador por
excelencia para la electrónica de potencia, con excepción de algunos converti-
dores resonantes (Vasca y Iannelli (2012)). El PWM tiene un comportamiento
teórico donde el tiempo de subida y bajada de la señal es cero. Además, permi-
te una velocidad en la conmutación alta, lo que se traduce en un control sobre
el cambio de estado en los semiconductores de potencia tan rápido como sea
posible, minimizando el tiempo de conmutación y las perdidas asociadas. La
frecuencia de los pulsos puede ser constante o variable, mientras que el ancho
del pulso puede tener diferentes formas.
Para lograr un pulso de frecuencia constante se realiza una comparación
entre una señal de referencia en corriente continua, r(t), y una señal portadora
triangular c(t), tal como se muestra en la Figura 6.3. En 6.3 (a) se muestra el
comparador entre las señales y en las figuras siguientes se muestran las dife-
rentes formas de realizar la modulación con frecuencia constante. La referencia
corta la señal triangular, y a raı́z de esto la frecuencia es constante.
Si se desea tener una frecuencia variable por medio de PWM, se puede
implementar alguna de las tres opciones siguientes: (a) tiempo constante de
apagado con tiempo variable de encendido; (b) viceversa y (c) control de his-
téresis. En la Figura 6.4 se muestra la primera de ellas, donde el tiempo de
encendido es variable y el de apagado es constante. Produciendo una onda
cuadrada con esa caracterı́stica. Una aplicación popular de este tipo de modu-
lación es la corrección del factor de potencia en los convertidores de potencia
(Vasca y Iannelli (2012)).
Figura 6.3: Implementación de un comparador para obtener una frecuencia

constante PWM. (Vasca y Iannelli (2012))
6.2.2 Métodos de control comerciales

6.2.2.1 Controladores para convertidores en DC
Los convertidores de potencia están formados por elementos activos semicon-
ductores, como transistores o diodos, y con componentes pasivos acumuladores
de energı́a como inductores y condensadores, como se muestra en Figura 6.2.
Para las fuentes diseñadas en este proyecto se utilizaran los semiconducto-
res funcionando como elementos conmutadores de dos estados: encendido y
apagado.
En general, el control de los convertidores de potencia involucran dos lazos
cerrados de control, uno de la tensión que alimenta la carga y otro de la
corriente que sale del inductor. En muchos casos, para lograr el lazo cerrado
se necesitan de circuiterı́a externa, los componentes necesarios son detallados
6.2. Modulación por ancho de pulso 51
Figura 6.4: Forma de onda para obtener una frecuencia variable. (Vasca y
Iannelli (2012))
por el fabricante. En el cuadro 6.2 se muestran diferentes modos que se aplican

en los convertidores de potencia comerciales.
Cuadro 6.2: Algunos métodos de control en convertidores de potencia comer-

ciales (Vasca y Iannelli (2012))
Control por corriente Control por tensión

Pico de corriente Tensión
Valle en la corriente Histéresis
Corriente promedio Tiempo constante de encendido
Control de carga Tiempo constante de apagado
Control de frecuencia variable Tiempo de encendido adaptativo
con información de corriente
Corriente y tensión mixto Variables tiempos de ON-OFF
entre otros entre otros
Algunos controladores comerciales para los convertidores DC-DC son: UCC28083

- UCC38086 y UC1856-SP.
6.2.2.2 Controladores comerciales para rectificadores

El factor de potencia es un problema que poseen los rectificadores en general,
este efecto se da por el filtro capacitivo que se agrega al rectificador lo que
provoca armónicas que afectan el factor de potencia. La principal meta de
los controladores para rectificadores es poder corregir el factor de potencia
haciendo que la corriente de entrada siga lo más cerca posible de la tensión,
esto es, que la corriente tenga una forma sinusoidal similar a la tensión. La
distorsión armónica total, THD por sus siglas en inglés, esta definido por la
ecuación (6.1).
s
k=2
Ik2
P
+ı́nf
T HD = (6.1)
I1
Donde I1 es la magnitud de la componente de frecuencia fundamental y

Ik es la magnitud de la kth corriente de frecuencia armónica.
Con la intensión de que la calidad de la energı́a en el sistema de distribución
no se vea afectada por el creciente uso de rectificadores, la Comisión Interna-
cional de Electrotecnia (EMC, por sus siglas en francés) crea estándares, como
la IEC 61000, para regular la industria.
En la Figura 6.5 se observa una estructura básica de un rectificador con
Corrector de Factor de Potencia (PFC, por sus siglas en inglés). El controlador
IC toma una señal de tensión DC como referencia para la tensión de salida.
Además toma la forma de onda sinusoidal rectificada de Vin como referencia
de la corriente de entrada. El control sintetiza una señal de control PWM
adecuada para que la corriente en la entrada tenga una forma sinusoidal.
Figura 6.5: Tı́pico rectificador y el control IC con estructura PFC. (Vasca y

Iannelli (2012))
Algunos convertidores comerciales para el control de los rectificadores son:

UC1854, UC2854 y UC3854.
7 Convertidores de tensión en
corriente directa
7.1 Introducción
Los convertidores de potencia en corriente continua son configuraciones diseña-
das para aumentar o disminuir la corriente o tensión según sean las necesidades
de la aplicación. Los convertidores están formador por interruptores de estado
sólido (transistores), condensadores e inductores, los cuales fueron estudiados
en el capı́tulo anterior.
Existen diferentes tipos de convertidores básicos de potencia en tensión
continua según sus caracterı́sticas de funcionamiento y configuración, estas
configuraciones se estudiarán en la próxima sección. Los nombres de los con-
vertidores se enumeran a continuación.
• Convertidor Buck
• Convertidor Boost
• Convertidor Buck-Boost
• Convertidor Flyback
• Convertidor Cuk
• Convertidor Zeta
Dadas las necesidades de la tecnologı́a se han combinado las configuracio-

nes básicas para poder cubrir otras funciones, como el desarrollo de converti-
dores bidireccionales o ajustables.
Para las fuentes conmutadas, la energı́a de entrada es almacenada en el
inductor por medio de su campo magnético. La energı́a almacenada es entre-
gada a la salida durante el ciclo de conmutación TS . En el estado de equilibrio,
el flujo magnético (V · s) en el inductor y la carga eléctrica en el condensador
se encuentran balanceados, esto se muestra por medio de las ecuaciones (7.1)
y (7.2). Estas dos ecuaciones gobiernan el comportamiento en equilibrio de las
fuentes conmutadas.
53
54 7 Convertidores de tensión en corriente directa
ZTS
ΦL (TS ) − ϕL (0) = L[iL (TS ) − iL (0)] = υL (t)dt = 0 (7.1)
0
ZTS
QC (TS ) − QC (0) = C[υC (TS ) − υC (0)] = iC (t)dt = 0 (7.2)
0
Antes de empezar con las estructuras básicas de los convertidores de co-

rriente continua, se explicaran detalles importantes para entender de una mejor
manera los convertidores de tensión directa. Existen dos tipos de topologı́as de
los convertidores de corriente continua según sus componentes, el sincrónico y
el asincrónico.
Los convertidores asincrónicos son aquellos que poseen su estructura un
diodo y un conmutador, además de los almacenadores de energı́a. El diodo al
ser un componente unidireccional solo permite la conducción de la corriente
en un sentido del circuito. El diodo contribuye en el aumento de las pérdidas
en los convertidores por su resistencia interna, que a tensiones bajas puede
representar un 10 % de la potencia del circuito.
Los convertidores sincrónicos poseen dos elementos conmutadores, tal co-
mo se muestra en la Figura 7.1. Un convertidor sincrónico puede exhibir una
mayor eficiencia que uno asincrónico a corrientes de salida de decenas de am-
perios (Rashid (2011)). Los convertidores sincrónicos permiten una conducción
de corriente en ambas direcciones, es por este motivo que se va a utilizar este
tipo de convertidores en el diseño.
Figura 7.1: Circuito del convertidor Buck sincrónico con interruptores ideales.
(Rashid (2011))
Aunque el diseño de los convertidores de potencia se puede realizar por

medio de las integrales, el uso de estas implica la realización de trabajo mate-
mático que no representa gran diferencia en la obtención de las caracterı́sticas
7.2. Estructuras básicas 55
finales de los convertidores. Por medio del uso de las aproximaciones, se puede
simplificar la obtención de las ecuaciones que gobiernan los convertidores. Por
lo tanto, se utilizaron las ecuaciones aproximadas para la obtención de los
parámetros de los convertidores.
Por último, si desea obtener una explicación exhaustiva sobre la obtención
de las ecuaciones que se detallan en esta sección, puede consultar los textos
de donde se extrae la figura del circuito.
7.2 Estructuras básicas

7.2.1 Convertidor tipo Buck
7.2.1.1 Introducción
El convertidor tipo Buck, también llamado reductor, es un convertidor de po-
tencia DC/DC sin aislamiento galvánico, donde su salida de tensión es menor a
la de su entrada. Puede funcionar en modo continuo o discontinuo dependien-
do de la frecuencia de conmutación y los elementos almacenadores de energı́a.
En la Figura 7.2 se muestra el circuito del Buck.
Figura 7.2: Circuito del convertidor Buck asincrónico. (Kazimierczuk (2008))
7.2.1.2 Funcionamiento en modo discontinuo

El convertidor Buck puede funcionar de dos maneras como se mencionó ante-
riormente: en modo continuo y en modo discontinuo.
Para el modo continuo se tienen dos estados según el encendido y apagado
de los componentes conmutadores o interruptores del circuito, el diodo y el
transistor, los estados son: (1) con el transistor encendido y el diodo apagado,
los almacenadores de energı́a son cargados y se entrega potencia a la carga
desde la fuente; y (2) el diodo se encuentra encendido y el transistor apaga-
do, la potencia entregada a la carga es proporcionada por la descarga de los
almacenadores de energı́a. Más adelante se estudiará como pasar de continuo

a discontinuo después de encontrar las ecuaciones que gobiernan al segundo.
Figura 7.3: (a) Circuito equivalente con el transistor en ON y el diodo en OFF.

(b) Circuito equivalente con el transistor OFF y el diodo ON. (c) Circuito
equivalente con el diodo y el transistor en OFF. (Kazimierczuk (2008))
Por otro lado, el método más general de funcionamiento del convertidor

es el discontinuo, durante su operación tiene tres estados, los circuitos equi-
valentes de este comportamiento se observan en la Figura 7.3. Para el primer
caso (a) se tiene el transistor encendido y el diodo apagado, en este estado
la fuente carga el condensador y el inductor, además de entregar potencia a
la carga. En el circuito (b), al apagar el transistor se desconecta la fuente y
el diodo en ON cierra el circuito haciendo que los almacenadores de energı́a
sean los encargados de dar la potencia a la carga. Cuando ambos interrupto-
res se encuentran apagados, estado (c), toda la potencia que recibe la carga es
aportada por condensador, ya que el inductor se desconecta. En la Figura 7.4

se muestran las formas idealizadas de corriente y tensión del comportamiento
del Buck trabajando en modo discontinuo.
Figura 7.4: Formas idealizadas de corriente y tensión del convertidor buck.

(Kazimierczuk (2008))
Para encontrar la relación de tensión en la salida del convertidor usamos

la gráfica de tensión en el inductor que se muestra en la Figura 7.4. Sabemos
de la ecuación (7.1) que la tensión en el inductor debe ser cero, con esto se
tiene:
A+ + A− = 0 ⇔ (VI − VO )DT − VO (D1 T ) = 0 (7.3)

Despejando la tensión VO se tiene la relación buscada en la ecuación (7.4).
De la ecuación (7.4) es fácil observar que D < D + D1 , se puede concluir de
esta relación que la tensión en la salida del convertidor siempre es menor a la
tensión en la entrada.
D
VO = VI (7.4)
D + D1
Para encontrar la relación de corriente a la salida del convertidor se usan
las figuras de iL e iD , aplicando la ecuación (7.2) en dichas figuras se obtiene.
D1
Is = ISM (7.5)
2
D + D1
IO = ISM (7.6)
2
Dividiendo la ecuación (7.5) entre (7.6) y despejando IO se tiene la ecuación
(7.7). Si se hace un análisis similar al de la tensión, se puede concluir de la
ecuación (7.7) que la corriente a la salida del convertidor siempre es mayor a
la de la entrada, por la relación D + D1 > D.
D + D1
IO = IS (7.7)
D
Para el modo continuo se tiene que la corriente en el inductor nunca es cero
durante el ciclo de conmutación, por lo tanto el tiempo D2 nunca existe en la
gráfica de la corriente en el inductor que se muestra en 7.3, lo que simplifica el
periodo del modo discontinuo de T = (D + D1 + D2 )T a T = (D + D1 )T , por
lo que si se desea transformar de continuo a discontinuo basta con sustituir
D2 = 1 − D.
7.2.1.3 Almacenadores de energı́a.

Encontradas las relaciones para la corriente y tensión de salida respecto al de
la entrada, ahora, se necesitan las ecuaciones para el diseño del condensador
e inductor.
En el caso del inductor se parte de la ecuación (7.1), sin estar en estado
estacionario, y usando la gráfica de corriente en el inductor que se muestra
en la Figura 7.4. Tras calcular el valor de la integral se despeja L y se tiene
la ecuación mostrada en (7.8). De la ecuación (7.8) se observa que se necesita
definir un cambio deseado de la corriente en el inductor.
V O D1
L= (7.8)
f 4iL
Para encontrar el valor del ESR, se necesita definir un valor de tensión de
rizado pico-pico (Vrpp ) que se desea tener en el convertidor, y con el cambio
de corriente en el inductor se utiliza la ley de Ohm para obtener la ecuación
mostrada en (7.9). Con esto y desarrollando la ecuación (7.2) para estado no
estacionario se obtiene (7.10).
Vrpp
ESR = (7.9)
4iL
D
C= (7.10)
2f ESR
7.2.2 Convertidor tipo Boost

El convertidor Boost es un convertidor de potencia en corriente continua que
eleva la tensión de salida con respecto a la tensión de entrada, por medio de
un disminución de la corriente en la salida del convertidor. El circuito del
convertidor Boost se muestra en la Figura 7.5.
Figura 7.5: Circuito del convertidor Boost asincrónico. (Kazimierczuk (2008))
El Boost posee las mismas dos formas de funcionamiento que el Buck,

modo continuo o discontinuo, y el análisis que se desarrolla para la obtención
de las ecuaciones es igual al hecho anteriormente para el convertidor Buck.
Por lo que se explicará de manera rápida la obtención de las ecuaciones.
7.2.2.2 Funcionamiento en modo discontinuo

El funcionamiento del Boost en modo discontinuo se muestra en la Figura
7.6. Para el primer circuito equivalente se procede a cargar el inductor que se
encuentra en la entrada del convertidor, mientras que el condensador entrega

la potencia que necesita la carga. Cuando se conmutan los semiconductores
pasando al siguiente estado se tiene que la fuente y el inductor cargan al
condensador, además de entregar potencia a la fuente, al colocar el inductor
en serie con la fuente se tiene un aumento en la tensión que se entrega a la
salida ya que se verı́a como dos fuentes de tensión en serie. En el estado final,
solo el condensador entrega la potencia a la carga, pero se encontrará cargado
a una tensión mayor.
Figura 7.6: (a) Circuito equivalente con el transistor en ON y el diodo en OFF.

(b) Circuito equivalente con el transistor OFF y el diodo ON. (c) Circuito
equivalente con el diodo y el transistor en OFF. (Kazimierczuk (2008))
Las figuras del funcionamiento para el Boost son similares a las del Buck,
de estas se obtienen las ecuaciones como se desarrollo en la sección anterior.
Por lo que solo se van a presentar las ecuaciones finales que se obtienen al
realizar el procedimiento.
• Tensión de salida:
D + D1
VO = VDC (7.11)
D1
• Corriente de salida:
D1
IO = IDC (7.12)
D + D1
La conversión de modo continuo a discontinuo y viceversa se hace de la

misma manera que se explico para el convertidor anterior.
7.2.2.3 Almacenadores de Energı́a

Para encontrar las ecuaciones que permiten diseñar los almacenadores de ener-
gı́a se usa el mismo procedimiento desarrollado para el convertidor buck, ob-
teniendo las ecuaciones mostradas en (7.13), (7.14) y (7.15).
D(1 − D)VO
L= (7.13)
f 4iL
Vrpp
ESR = (7.14)
4iL
DIO
C= (7.15)
f Vrpp
7.2.3 Convertidor tipo Buck-Boost

El convertidor Buck-Boost es una fuente de alimentación conmutada que com-
bina las configuraciones anteriormente descritas para lograr una inversión en
la tensión y corriente, lo que significa que entrega valores negativos tanto pa-
ra la corriente como para la tensión. El inverter, como también es conocido,
puede entregar tensiones absolutas mayores o menores que las de la entra-
da, teniendo un comportamiento similar en la corriente, tomando en cuenta
que si se desea aumentar la tensión absoluta se debe sacrificar la corriente y
viceversa. El circuito se muestra en la Figura 7.7.
Figura 7.7: Circuito del convertidor Buck-Boost. (Kazimierczuk (2008))
Figura 7.8: Buck-boost: (a) Circuito equivalente con el transistor en ON y el

diodo en OFF. (b) Circuito equivalente con el transistor OFF y el diodo ON.
Continua (Kazimierczuk (2008))
7.2.3.2 Funcionamiento en modo discontinuo.

El funcionamiento del convertidor de potencia en modo discontinuo se muestra
en la Figura 7.8. En el primer estado se carga el inductor a la tensión de la
fuente. Al cambiar los estados de los interruptores, el inductor pasa ha ser
el que entrega la potencia a la fuente y carga el condensador. cuando ambos
interruptores están apagados el condensador aporta la potencia a la fuente.
El cálculo de las ecuaciones que gobiernan el circuito son encontradas de
manera similar a las del Buck. El resumen de las ecuaciones obtenidas se
muestran a continuación.
• Tensión de salida:
D
VO = − VDC (7.16)
D1
• Corriente de salida:
D1
IO = − IDC (7.17)
D
7.2.4 Convertidor tipo Flyback

El convertidor Flyback es similar al Buck-Boost, solo que posee un aislamien-
to eléctrico entre la salida y la entrada por medio de un transformador, los
circuitos equivalentes de ambos convertidores se muestran en la Figura 7.9.
De 7.9 se observa que la diferencia entre el buck-boost y el flyback radica en
que el inductor es sustituido por un transformador. Las principales funciones
del transformador es que proporciona aislamiento eléctrico, esto es que no hay
conexión entre la salida y la entrada, almacena energı́a, puede cambiar los
niveles de tensión, además de que el devanado secundario puede ser utilizado
para proporcionar una tensión adicional de salida.
Figura 7.9: Convertidor inversor tipo Flyback. (Kazimierczuk (2008))
7.2.5 Convertidor tipo Cuk

La topologı́a del convertidor tipo Cuk se logra mediante la conexión de un
convertidor buck del lado de la carga con un boost del lado de la fuente, tal
como se puede observar en la Figura 7.10.
Desarrollando un análisis similar al desarrollado para los convertidores an-
teriores se puede encontrar las relaciones que gobiernan la conversión de ener-
gı́a del Cuk, estas se muestran en las ecuaciones (7.18) y (7.19). Las ecuaciones
fueron calculadas para modo continuo.
VOU T −D
= (7.18)
VIN 1−D
IIN −D
= (7.19)
IOU T 1−D
Figura 7.10: Circuito del convertidor tipo cuk. (Ioinovici (2013))
7.2.6 Convertidor tipo Zeta

La topologı́a del convertidor tipo Zeta proporciona una salida de tensión posi-
tiva a partir de una tensión suave variante en la entrada, el valor de la tensión
de entrada puede ser menor o mayor a la salida, lo que hace que el convertidor
Zeta sea una opción para regular una fuente de alimentación no regulada. El
convertidor necesita dos inductores y un condensador, como se muestra en la
Figura 7.11. Para lograr la configuración del convertidor Zeta se parte de un
Buck y se coloca un PMOS del lado de la fuente.
Figura 7.11: Circuito del convertidor tipo Zeta. (Falin (2010))
La relación de conversión del convertidor en modo continuo son las mismas

que las encontradas para el Cuk solo que negativas. Esta relación es similar a
la encontrada en el Buck. El convertidor Zeta presenta ciertas ventajas como:
7.3. Convertidor split pi 65
un rizado pequeño y una fácil compensación. (Falin (2010))
7.3 Convertidor split pi

La configuración del convertidor Split-Pi es relativamente nueva. Este con-
vertidor tiene la cualidad de conducir energı́a en ambas direcciones, en otras
palabras ser bidireccional. La bidireccionalidad le permite al convertidor ser
utilizado en funciones como alimentador en los frenos regenerativos en vehı́cu-
los eléctricos. Adicionalmente, necesita de componentes pasivos mucho más
pequeños con una mayor eficiencia(Maclaurin et al. (2011)). El circuito con
interruptores ideales del convertidor se muestra en la Figura 7.12. El dibujo
del circuito fue realizado en el programa de simulaciones Gecko Circuits1 .
Figura 7.12: Circuito general con filtro del convertidor Split-Pi hecho en Gecko.
Algunas ventajas de la configuración Split-Pi es la reducción del ruido

por la conmutación, además de que en ambos extremos el convertidor esta
protegido por filtros LC, que resulta en corrientes con forma de onda triangular
que contiene menos armónicas (Maclaurin et al. (2011)).
7.3.2 Modo de funcionamiento

Según Maclaurin y otros (2011), si se realiza un análisis del circuito conmu-
tando permanentemente en los interruptores del lado de la derecha, esto hace
que el circuito se comporte como un buck. Si la dirección de la corriente se
1
Gecko Circuits es un programa de uso libre que permite la simulación de electrónica
de potencia, su funcionamiento es similar a TINA o OrCADT M . Gecko Circuits pertene-
ce a Gecko-Simulations fundada en el 2013 como una compañı́a spin-off de la universidad
ETH Zurich en Suiza. Para mayor información puede visitar el sitio web http://www.gecko-
simulations.com/
invierte, se comportará como un boost. Lo que significa que el cálculo de los

componentes se puede realizar como se explicó anteriormente para los conver-
tidores buck y boost. El cuadro que realizaron los autores antes mencionados,
describiendo el funcionamiento del split pi se observa en 7.1.
Cuadro 7.1: Estados de conmutación del convertidor Split-pi. (Maclaurin et

al. (2011))
Dirección de la Modo de Parte izquierda Parte derecha

corriente funcionamiento H1 L1 H2 L2
Izquierda a Derecha Buck 1 0 PWM PWM
Izquierda a Derecha Boost PWM PWM 1 0
Derecha a Izquierda Buck PWM PWM 1 0
Derecha a Izquierda Boost 1 0 PWM PWM
7.4 Otro convertidor bidireccional

Un convertidor bidireccional más simple en su funcionamiento es el presentado
en la Figura 7.13. Este convertidor presenta dos transistores y dos diodos para
la conducción de la corriente según el flujo de potencia que sea necesaria,
además de tres almacenadores de energı́a.
Figura 7.13: Convertidor bidireccional DC/DC con transistores BJT. (Ebad y

Song (2012))
El funcionamiento del circuito mostrado en la Figura 7.13 se da la siguiente
manera:
7.4. Otro convertidor bidireccional 67
Aumento de la tensión: Se conecta en Vdc la tensión que se desea aumen-

tar. Se agrega la señal PWM solo al transistor S2 , a raı́z de esto se obtendrá
un Boost, este funcionará tal como se explico anteriormente.
Disminución de la tensión: En VBatt se conecta la tensión que se pre-
tende disminuir. Para que el circuito se comporte como un Buck se agrega la
señal de control al transistor S1 .
8 Rectificadores monofásicos
controlados
8.1 Introducción
El principal problema que presentan los rectificadores es su bajo factor de
potencia. El bajo factor de potencia se debe a las armónicas que las cargas no
lineales agregan a la red al momento de rectificar la onda, y esto ha sido el
objeto de estudio de los últimos años. Para corregir el factor de potencia, se
desarrollaron circuitos que trabajan con una alta frecuencia de conmutación,
a los que llamaron PFC como se menciono anteriormente. Los PFC’s utilizan
transistores de potencia conmutando a altas frecuencias, lo que mejora la ca-
lidad de forma de onda de la corriente de entrada, aumentando el factor de
potencia. (Rashid (2011))
8.2 Factor de potencia en los rectificadores

Según Rashid (2011) las principales desventajas de los rectificadores clásicos
conmutados son: (i) que producen un factor de retraso en el desplazamiento
con respecto a la tensión de salida y (ii) genera una importante cantidad de
armónicos en la corriente de entrada. En la Figura 8.1(a) se observa un recti-
ficador simple con filtro de condensador, usado en equipos de baja potencia.
En (b) el efecto que tiene dicho filtro en la corriente. El rectificador mostra-
do en 8.1 tiene un factor de potencia de 0.45, el contenido de armónicas del
rectificador se muestra en la tabla 8.1.
Cuadro 8.1: Contenido de armónicas del circuito de la Figura 8.1. (Rashid

(2011))
n 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21
In /I1 [ %] 96,8 90,5 81,7 71 59,3 47,3 35,7 25,4 16,8 10,6
69
70 8 Rectificadores monofásicos controlados
Figura 8.1: Rectificador Monofásico: (a) circuito básico y (b) formas de onda
de corriente y tensión en la entrada. (Rashid (2011))
8.2.2 Corrección del factor de potencia

Empecemos analizando el circuito mostrado en la Figura 8.2(a), este es un
rectificador de onda completa con una carga resistiva. La tensión y corriente
a la salida del rectificador se muestra en 8.2(b). El factor de potencia de una
carga meramente resistiva es de uno, ya que la corriente y tensión a la salida
del convertidor tienen la misma forma de onda con diferente magnitud.
Figura 8.2: Rectificador de onda completa en Gecko Circuits con fp = 1: (a)

Circuito rectificador, (b) tensión y corriente a la salida del rectificador.
Cuando se agrega un filtro al rectificador para lograr una tensión más

constante a la salida, el factor de potencia se reduce considerablemente, tal
como se observa en la Figura 8.1. A continuación se va a realizar el desarrollo
para la corrección del factor de potencia en los convertidores AC-DC.
Primero se escoge una señal de referencia sinusoidal y sobre esta se procede
a hacer oscilar la corriente en el inductor un 4I, tal como se muestra en
8.3. Rectificador Boost monofásico 71
la Figura 8.5. Dicha oscilación se logra mediante componentes que se hacen

conmutar por PWM. Partiendo de la relación volt-segundo que se muestra
en (7.1) y analizando en modo discontinuo dicha relación, se puede obtener la
ecuación que se muestra en (8.1). De (8.1) se tiene que la tensión de salida (VO )
es un valor constante que se conoce, el ciclo de trabajo (D2 ) es escogido por el
diseñador. Si se desea que 4I sea pequeño la multiplicación de la frecuencia
por la inductancia debe ser grande.
VO D2
4I = (8.1)
Lf
De la Figura 8.5 se puede obtener la ecuación (8.2), por medio de la trans-
formada de Fourier.
∞ n−1
8 X (−1) 2 nπt
IL (t) = Imax sen(ωt) + 4I 2 sen (8.2)
π n2 Tconmut /2
n=1,3,5
De (8.1) se tiene el valor del cambio en la corriente que sustituimos en

(8.2). Ahora encontrando el valor de la corriente rms en el inductor se tiene
la ecuación (8.3).
v
u ZT
u
∞ n−1
u1 2
8VO D2 X (−1) 2
Irms =t I (t)dt = [Irms ]f p=1 + √ (8.3)
T 2π 2 Lf n=1,3,5 n2
0
La sumatoria de la ecuación anterior produce armónicas, como se muestran

en la Figura 8.3, si se agrega al circuito un filtro pasabajos eliminamos los
componentes de altas frecuencias, quedando solo la frecuencia fundamental.
Al eliminar las altas frecuencias la corriente en el inductor tiene el valor rms
de la corriente. Si se calcula el fp usando la ecuación (8.4) se obtiene un fp
cercano a uno en el rectificador.
PO /η
fp = (8.4)
Vrms Irms
8.3 Rectificador Boost monofásico

En la Figura 8.4(a) se muestra el circuito del rectificador boost monofásico,
este rectificador usa dos elementos conmutadores, un diodo y un transistor.
Figura 8.3: Fourier de la corriente en el inductor.
Figura 8.4: Rectificador Boost monofásico: (a) Circuito; (b) transistor encen-
dido; y (c) transistor apagado. (Rashid (2011))
En el rectificador mostrado en la Figura 8.4(a) la corriente de entrada es
controlada por la conmutación del transistor T. Al encender el transistor la
fuente carga el inductor mientras el condensador proporciona a la carga la
potencia, esta parte del funcionamiento se muestra en 8.4(b). La corriente en
el inductor esta dada por la ecuación (8.5).
diL υL |υS |
= = (8.5)
dt L L
Cuando se da la conmutación del transistor se carga el condensador y se
da potencia a la fuente por medio del inductor cargado y la fuente de entrada,
8.4. Rectificador Boost monofásico bidireccional 73
tal como se observa en la Figura 8.4. La ecuación de la corriente en el inductor

se muestra en (8.6).
diL υL |υS | − υO
= = (8.6)
dt L L
La señal PWM que se agrega al transistor se muestra en la Figura 8.5(b).
Cuando se aplica la señal PWM al transistor se obtiene la forma de onda
de corriente que se muestra en (a), donde se tiene una señal de referencia
sinusoidal y sobre esta se hace la conmutación del transistor. La distorsión
de corriente que se da al inicio se da por que el inductor no tiene la energı́a
suficiente para seguir a la referencia. Este procedimiento aumenta el factor de
potencia en el rectificador, tal como se desarrollo anteriormente.
Figura 8.5: Corriente en el inductor: (a) Forma de la onda y (b) señal x en la

compuerta del transistor T. (Rashid (2011))
8.4 Rectificador Boost monofásico bidireccional

El convertidor bidireccional que se va a presentar en esta sección es el recti-
ficador boost monofásico bidireccional. Este convertidor esta compuesto por
cuatro transistores un inductor y un condensador, como se muestra en la Fi-
gura 8.6.
El convertidor esta formado por 4 transistores, para este caso, dos MOSFET
y dos IGBT. El rectificador usa PWM para hacer la conmutación de los tran-
Figura 8.6: Rectificador Boost monofásico bidireccional. (Jung et al. (2013))
sistores. Los transistores de la parte baja del rectificador tienen un periodo de

encendido de uno y medio mayor que los transistores de la parte alta.
Figura 8.7: Modos de operación: (a) Modo 1 de rectificación, (b) Modo 2 de

rectificación, (c) Modo 1 de generación y (d) Modo 2 de generación. (Jung et
al. (2013))
Parte III
Diseño
75
9 Diseño de los convertidores
9.1 Introducción
En este capı́tulo se desarrolló el diseño de los convertidores de potencia para
alimentar el bus, ası́ como las cargas. El diseño eléctrico de la casa es planteado
por medio de un control distribuido de potencia. Se definió la tensión del
bus en 400 V, una tensión tı́pica de distribución para sistemas eléctricos que
funcionan en corriente directa como por ejemplo trenes eléctricos. El bus va a
ser alimentado por fuentes de microgeneración y por la red eléctrica cuando la
producción sea menor al consumo. Para la alimentación del bus por medio de
la red eléctrica se diseñó un rectificador monofásico con control PFC de salida
en 400 V. Los puntos de conexión fueron diseñados en dos etapas, la primera
etapa disminuirá la tensión de 400 a 48 V. La segunda etapa pasará de 48 V a
5, 12 o 24 V dependiendo de la necesidad de la carga o de la microgeneración.
9.2 Caracterı́sticas Generales

En esta sección se analizan las caracterı́sticas que comparten los rectificado-
res y convertidores DC/DC, tales como la frecuencia de conmutación de los
transistores, descripción de las tensiones de funcionamiento, los tipos de con-
mutadores, los ciclos de trabajo y la tensión de rizado.
9.2.2 Tensiones de funcionamiento y flujos de potencia

Como se mencionó anteriormente, la distribución de potencia se realizó por
control distribuido de potencia. La distribución tiene un bus alimentado por
la red eléctrica y las fuentes de microgeneración. La Figura 9.1 muestra el
diagrama de bloques del sistema de distribución, los flujos de potencia se
muestran mediante las flechas. En la figura se observa la tensión de distribución
en 400 V. El motivo por el que se escogió una tensión de 400 V, es para tener
una menor corriente en el bus y la distribución, lo que provoca una disminución
en las pérdidas. Además la dificultad de conseguir componentes electrónicos de
grandes capacidades, especialmente los condensadores, que soporten tensiones
superiores a los 400 V.
77
78 9 Diseño de los convertidores
Figura 9.1: Diagrama de bloques del sistema de distribución de la casa modelo.
El diseño de los convertidores DC/DC bidireccionales consta de 2 etapas,

como se mencionó anteriormente, una etapa convierte la tensión de 400 V a
48 V, y otra de 48 V a una tensión variable. La tensión variable diseñada tiene
valores de 5 V, 12 V ó 24 V para cuando se conecte una carga. También se van a
diseñar valores de 12 ó 24 V cuando se conecte una fuente de microgeneración.
Aunque solo se esté diseñando para casos especı́ficos de salida de tensión, se
puede obtener una tensión entre 5 V a 24 V cambiando el ancho de pulso de
la señal de compuerta de los transistores, esto se logra cambiando la función
de transferencia del controlador proporcional, en otras palabras, la constantes
de referencia.
Diseñar dos etapas tiene como finalidad que la corriente no aumente con-
siderablemente, además del cambio brusco de tensión que podrı́a significar
pasar de 400 V a 5 V si fuera una sola etapa. Para ambas etapas se utilizó el
segundo convertidor bidireccional que fue presentado en el marco teórico, se
muestra su estructura nuevamente en la Figura 9.2. El diagrama de bloques
de ambas etapas es mostrado en la Figura 9.3.
En el caso del rectificador, se tiene una tensión de 240 Vrms en corriente
alterna, que es lo que entrega el sistema monofásico residencial en la acome-
tida de la casa para nuestro paı́s. Se debe convertir dicha tensión alterna a
tensión directa en 400 V, para ası́ poder alimentar el sistema de distribución
en caso de que se los sistemas de microgeneración no tengan la capacidad de
suplir el consumo. Para la técnica de rectificación se usó el rectificador Boost
monofásico.
9.2.3 Frecuencia de operación

Hay que tomar dos aspectos importantes para decidir la frecuencia de conmu-
tación de las fuentes a diseñar. Estos aspectos se detallan a continuación.
9.2. Caracterı́sticas Generales 79
Figura 9.2: Diagrama del convertidor bidireccional DC/DC. (Ebad y Song

(2012))
Figura 9.3: Diagrama de bloques del convertidor de potencia de dos etapas.
• Perdidas por conmutación: Si se aumenta el tiempo en que se realiza

la conmutación que se muestra en las Figuras 5.17 y 5.18, el área bajo
la curva de la multiplicación VI va aumentar, por lo tanto, la poten-
cia que disipa el transistor es mayor. Al ser el tiempo de conmutación
una constante para un transistor dado, si se aumenta la frecuencia -o
disminuye el periodo- el tiempo de conmutación normalizado al periodo
aumenta. Si se utilizan altas frecuencias el tiempo relativo al periodo de
conmutación de los transistores aumenta, por lo que el tiempo relativo
al periodo que tarda el transistor en conmutar es mayor, incrementando
las pérdidas.
• Dimensionamiento de los almacenadores de energı́a: Según las ecuacio-

nes de diseño para encontrar los valores de capacitancia e inductancia en
los convertidores de potencia a mayor frecuencia menor será la magnitud
de dichas variables, y consecuentemente los elementos van a tender a ser
más pequeños fı́sicamente, más baratos y menos pérdidas resistivas. Esta
es otra de las ventajas que se tiene con una frecuencia de conmutación
alta.
Para nuestros efectos, se utilizó una frecuencia de conmutación de 100

kHz para la simulación y diseño de los convertidores. La frecuencia de 100
kHz es tı́picamente usada en los convertidores de potencia. Sin embargo, para
sistemas de control más avanzados, se tendrán valores de frecuencia variable

con un rango entre 8 kHz y 300 kHz, rangos tı́picos de conmutación para los
conmutadores descritos anteriormente.
9.2.4 Tipo de conmutador

En el marco teórico se estudiaron los principales transistores que pueden ser
utilizados para la conmutación de los convertidores en corriente continua. Se-
gún la investigación, se concluyó que el conmutador que mejor se ajusta a los
requerimientos son los MOSFET de potencia de canal n, principalmente por
sus bajas pérdidas de conmutación, sus frecuencias altas de operación y su
baja resistencia de encendido. Además de que con los N-MOSFET fabrica-
dos con carburo de silicio se tienen corrientes y tensiones altas, como las de
funcionamiento de los IGBT’s.
Ya se explicó la decisión tomada respecto a las tensiones, y de ella se
puede concluir que la tensión de pico reversa para la primera etapa debe ser
del orden de los 800 V, por lo que, se necesita que el MOS soporte tensiones
mayores a 800 V. Para las tensiones altas se tienen MOSFET de potencia que
son fabricados con Carburo de Silicio. Para la segunda etapa se necesita una
tensión de pico reverso de 96 V.
En la primera etapa ası́ como en el rectificador se recomienda la utiliza-
ción del N-MOSFET de potencia C2M0025120D, del fabricante CREE. Este
transistor tiene un sistema de alta eficiencia, alta velocidad de conmutación,
no tiene requerimientos especiales de enfriamiento, gran fiabilidad, baja resis-
tencia de encendido y bajas capacitancias parásitas. La segunda etapa al tener
menor niveles de tensión y corrientes se puede usar un conmutador de menor
capacidad, como el PSMN035-150P del fabricante NXP Semiconductors, que
posee poca resistencia de encendido y tiene caracterı́sticas de conmutación
rápidas para aplicaciones de alta frecuencia. Los transistores se muestran en
la Figura 9.4.
9.2.5 Ciclo de trabajo

Para el diseño de los convertidores se utilizó un ciclo de trabajo en modo
continuo. Aunque las formulas expuestas en el marco teórico fueron en mo-
do discontinuo se pude utilizar la ecuación (9.1) para la conversión de las
ecuaciones de modo discontinuo a modo continuo.
D1 = 1 − D (9.1)
Figura 9.4: Transistores NMOSFET: a) C2M0025120D y b) PSMN035-150P.
9.2.6 Rizado de tensión

Se tomó como factor de diseño un rizado de tensión Vrpp de 1.0 % de la tensión
a la salida del convertidor.
9.2.7 Inductores
Del marco teórico se concluyó, que los inductores con mejores cualidades pa-
ra las fuentes conmutadas son los inductores fabricados con núcleo de hierro
pulverizado. Una de las empresas fabricantes de estos dispositivos se llama Mi-
crometals, se dedica a la construcción e investigación de inductores según las
especificaciones de los clientes, es por esto que los inductores encontrados en
los cálculos desarrollados más adelante se pueden construir según las especifi-
caciones que se soliciten. Por lo tanto, se van a utilizar los valores encontrados
para la realización de las simulaciones.
9.2.8 Controlador de los convertidores

El control de los convertidores es realizado por medio de un lazo cerrado
de control. Recordando solo el diagrama de bloques en lazo cerrado de la
Figura 6.1, se tiene la figura 9.5, este es el control que se va a realizó en los
convertidores de potencia.
9.2.8.2 Rectificador
Para el control del rectificador se usó un control por PFC. El principio de
funcionamiento es el descrito en el marco teórico. En resumen, el control tiene
Figura 9.5: Diagrama de bloques de un sistema de control a lazo cerrado.
una señal de referencia en la que se pone a oscilar la corriente de entrada al

convertidor.
9.2.8.3 Convertidor DC/DC funcionando como Buck

Como se mencionó anteriormente, se realizó un control a lazo cerrado del
convertidor. Para esto primero se definió las variables según la Figura 9.5. En
este tipo de funcionamiento del convertidor se tiene un control por tensión, ya
que debe permanecer lo más constante posible en el convertidor, mientras que
la corriente entregada es la señal de control cuando el convertidor tenga una
carga. Una mejor explicación de las variables se da a continuación.
• Valor deseado r(s): Esta señal es el valor de tensión que se desea

alcanzar, ya sea 48 V, 24 V, 12 V ó 5 V dependiendo de la etapa y la
necesidad de la carga.
• Señal de error e(s): El error es la diferencia entre la salida del con-

vertidor y el valor deseado. El error le dice al controlador como debe
ajustarse para poder mantener la señal de tensión constante.
• Función de transferencia del controlador C(s): La función ajusta

el valor que se le debe dar a la planta para minimizar el error por medio
del ancho de pulso. El controlador para nuestro caso es proporcional.
• Señal de control u(s): el PWM que se entrega a los transistores con

el ancho de pulso variado.
• Perturbaciones d(s): Las perturbaciones no se tomaron en cuenta en

las simulaciones que se realicen.
• Planta P(s): es el convertidor.
• Señal de salida y(s): Este es el valor de tensión que estrega el conver-

tidor a la carga, es realimentado por medio de un medidor de tensión.
Para obtener la función de transferencia proporcional cuando se tenga una

carga se uso la relación mostrada en la ecuación (9.2). Donde D es el ciclo de
trabajo que se desea tener, VDC es la tensión de entrada y VO es la tensión de
salida.
D
C(s) = (9.2)
(VDC − VO )
9.2.8.4 Convertidor DC/DC funcionando como Boost

Para el funcionamiento en modo Boost se usó el control por corriente en el
inductor. Cuando se conecta una fuente de microgeneración al convertidor la
corriente fluirá hacia el bus. Como la tensión en la entrada del convertidor se
mantiene constante se debe controlar la corriente que pasa por el inductor, y
ası́ se controla la potencia con la que se alimenta al bus. La descripción de las
variables es mostrado a continuación, la que no se encuentre en la siguiente
lista es igual a las dadas para el convertidor buck.
• r(s): Corriente deseada.
• C(s): Controlador proporcional.
• d(s): No es tomado en cuenta en las simulaciones.
• y(s): Un medidor de corriente es el que permite la realimentación.
La función de transferencia del convertidor funcionando en modo Boost se

encuentra usando la ecuación (9.3).
1
C(s) = (9.3)
2IDC
9.2.8.5 Comunicación de la salida

Se debe tener un sistema de comunicación entre el elemento a conectar, ya
sea fuente o carga, y la salida de potencia. Este sistema de comunicación debe
informarle al convertidor en que modo de operación debe trabajar. Para esto
se tiene la tabla de verdad que se muestra en el cuadro 9.1. Esta es la señal
de información que le llega al controlador para que se ajuste al valor deseado.
Con un conjunto de interruptores se puede implementar el control según la
función de transferencia que permite el funcionamiento de los convertidores,
tal como se muestra en la Figura 9.6.
Cuadro 9.1: Tabla de verdad para informar al controlador que tiene el conver-
tidor conectado.
a b c d e f g h Señal de decisión
1 0 1 1 1 0 0 0 Fuente de 48 V
0 1 0 1 0 1 0 1 Carga de 48 V
1 1 0 1 1 0 0 0 Fuente de 12 V
0 0 1 1 0 1 1 0 Fuente de 24 V
0 1 0 1 0 0 1 1 Carga de 5 V
0 0 1 0 1 1 0 1 Carga de 12 V
0 1 0 0 1 0 1 1 Carga de 24 V
Figura 9.6: Conector.
9.2.8.6 Conector
Como se mencionó anteriormente, el convertidor tiene tres salidas, una a 48

V, una de tensión variable y el retorno, tal como se observo en el diagrama
de bloques de la Figura 9.3. Para esto se diseñó un conector para las salidas
y entradas de los componentes que sea como el que se muestra en la Figura
9.7. Donde la letra E es la salida a 48 V, la I es el retorno y la e la salida de
tensión variable. Los puntos que se muestran entre las letras es la secuencia
9.3. Rectificador 85
de bits para la información hacia el controlador.
Figura 9.7: Conector: E salida de tensión de 48 V, I retorno y e salida variable

de tensión.
9.2.9 Circuito equivalente del bus.

Para la realización de las simulaciones se usó el programa Gecko Circuits de la
Universidad ETH Zurich. Gecko Circuits es una programa libre especializado
para modelar sistemas de electrónica de potencia. Las fuentes de microgenera-
ción fueron simuladas como una fuente de corriente directa. En la distribución
se modela con un una fuente en corriente directa a 400 V con una resistencia
en serie. Para encontrar el valor de la resistencia se usará el teorema de Theve-
nin1 con la corriente de corto circuito actual de un disyuntor electromagnético
residencial. Se modela para una corriente de corto circuito con un valor de
10kA y usando la ley de Ohm se tiene la resistencia que se utilizó para el bus.
VT h 170V
RT h = = = 17mΩ
Isc 10kA
9.3 Rectificador
Como se mencionó anteriormente el diseño del rectificador se realizó por me-
dio del rectificador monofásico boost. A continuación se detalla el diseño del
rectificador usando las caracterı́sticas generales explicadas anteriormente.
1
El teorema de Thevenin establece que un circuito lineal de dos terminales puede re-
emplazarse por un circuito equivalente que consta de una fuente de tensión VT h en serie
con un resistor RT h , donde VT h es la tensión de circuito abierto en las terminales y RT h
es la resistencia equivalente en las terminales cuando las fuentes independientes se apagan.
(Alexander y Sadiku (2006))
9.3.2 Diseño
Como su nombre lo dice el rectificador tiene la principal caracterı́stica que tiene
conectado un convertidor DC/DC a la salida del puente de diodos, por lo tanto
se pueden utilizar las ecuaciones del Boost estudiadas en el marco teórico para
el diseño de los almacenadores de energı́a. Recapitulando se necesita un puente
de diodos, un transistor, un diodo más, un inductor y un condensador. En el
caso del condensador como la frecuencia de la red es baja no se debe tomar
en cuenta el ESR ya que a frecuencias bajas no produce mayor efecto.
• Ciclo de trabajo: Se usara un ciclo de trabajo de 0.5 para que funcione

en modo continuo en todo momento.
• Condensador: Para encontrar el condensador se utilizó la ecuación

(9.3), además de los valores: f = 120Hz, D = 0,500, se va a escoger una
tensión de rizado pico-pico de 1 %VO , osea, Vrpp = 0,01(400V ) = 4V y
por último como los transistores soportan una corriente de 90 A, se va a
tomar que la corriente de entrada al Boost es de 80A. La frecuencia de
operación es dos veces la frecuencia de entrada debido a que se tiene un
puente de diodos a la entrada del boost, esto produce que la frecuencia
sea el doble.
DIO D(1 − D)IDC (0,5002 )(80A)

C= = = = 41,67mF
f Vrpp f Vrpp (120Hz)(4V )
Se debe usar un banco de condensadores para poder obtener el valor

deseado de capacidad, para esto se puede usar el MAL209537152E3 del
fabricante Vishay, este condensador soporta una tensión de 450 V y tiene
una capacidad de 1,5mF , con esto se necesitan 28 condensadores para
poder lograr la capacidad deseada, y se agregaran 2 más para tener un
pequeño margen de seguridad.
Un punto importante a considerar es que la carga a alimentar, osea el
bus, es altamente capacitiva, además que generalmente el diseño de la
casa incluye un banco de baterı́as, lo que ayuda al filtrado del rizado.
Sin embargo, el diseño fue realizado para el peor caso, pero la etapa de
filtrado se puede diseñar acorde a cada instalación residencial.
• Inductor: Como el control que se desarrolla por parte del circuito es

PFC, se usará un valor de inductancia pequeña. Por lo tanto esta se
calculó con f = 100kHz, con un rizado en la corriente de 3 A.
D(1 − D)VO 0,500(1 − 0,500)(200V )

L= = = 333,33µH
f 4i (100kHz)(3A)
9.3. Rectificador 87
Según el marco teórico los inductores que presentan mejores caracterı́s-

ticas para el funcionamiento de fuentes conmutadas son los inductores
con núcleo de hierro pulverizado. Para esto la compra de los inductores
es hecho a la medida por alguna compañı́a productora de este tipo de
inductores.
El circuito en Gecko se muestra en la Figura 9.8, en la Figura 9.9 se observa

el resultado obtenido de la simulación.
Figura 9.8: Circuito en Gecko de la primera etapa de la rectificación.
Figura 9.9: Simulación de la primera etapa de rectificación. Para la figura de

arriba: la señal roja es la salida después del puente de diodos, la negra es la
señal sinusoidal de entrada y la magenta es la salida del convertidor. En la
figura de abajo se observa la corriente en el inductor.
Análisis de la Figura 9.9:
• Se logró mejorar el factor de potencia del rectificador por medio del

control PFC, esto se observa en la corriente en el inductor.
• La corriente en el inductor tiene sentido positivo, según la fecha en el

inductor de la Figura 9.8 debe ir hacia esa dirección si se esta entregando
potencia.
• Se logra tener un rizado a la salida del rectificador bajo para la tensión.
9.4 Convertidores DC/DC

El diseño de los convertidores bidireccionales DC/DC se hizo con el segundo
convertidor bidireccional que se presenta en el marco teórico, este se muestra
nuevamente en la Figura 9.2. Se tomaron las mismas consideraciones gene-
rales que en el rectificador. Los conmutadores utilizados son N-MOSFET de
potencia, para el caso de la primera etapa el semiconductor utilizado debe ser
de carburo de silicio para que soporte la tensión pico reversa, para la segun-
da etapa no se necesita un transistor tan robusto debido a la tensión menor.
La frecuencia de operación del modelo se definió en 100 kHz y el modo de
operación escogido es continuo igual que para el rectificador.
9.4.2 Primera etapa

9.4.2.1 Conversión de 400 V a 48 V
La disminución de la tensión se usa para la alimentación de las cargas que
necesiten una tensión de 48 V. Además es la entrada de tensión para la segunda
etapa con salida variable, tal como se mostró en la Figura 9.3. El diseño de
esta parte del convertidor se realizó mediante las ecuaciones que se encontraron
para el convertidor Buck. El procedimiento se detalla a continuación:
• Ciclo de trabajo: El ciclo de trabajo se despeja de la ecuación (7.4).

VO 48V
D= = = 0,120
Vin 400V
• Inductor: El cálculo de la inductancia se realizó por medio de la ecua-

ción (7.8). Con un cambio en la corriente de 0,5 A.
VO (1 − D) 48V (1 − 0,12)
L= = = 844,8µH
f 4i 0, 5A(100kHz)
9.4. Convertidores DC/DC 89
Poniendo un pequeño factor de seguridad se va a establecer el valor del

inductor de 900µH.
• ESR: Por medio de la ecuación (7.9) se encuentra el valor del ESR
máximo. Usando el factor de diseño nuevamente Vrpp = 0,01VO = 0,48.
Vrpp 0,48V
ESRmax = = = 960mΩ
4i 0,5A
• Condensador: Usando la ecuación 7.10 se encuentra el valor del con-

densador.
D 0,120
C= = = 625nF
2f ESR 2(100kHz)(960mΩ)
En la simulación se usó las caracterı́sticas del condensador de pelı́cula
C4ATDBU4330A30J del fabricante KEMET. La serie C4ATDB soporta
una tensión en corriente continua de 250 V, tiene un valor de ESR de
7,8mΩ a 100kHz y una capacitancia de 3, 3µF .
El control proporcional para esta sección del conmutador se encuentra

utilizando la ecuación (9.2).
D 0,12 1
C(s) = = =
VDC − VO 400V − 48V 2934

Igual que para el rectificador, se usaron las ecuaciones del boost para la realiza-
ción del diseño del convertidor cuando funcione aumentando la tensión, osea,
viendo la Figura 9.2 cuando el flujo de potencia es de izquierda a derecha.
Se espera que la fuente de alimentación que se conecte a esta tensión tenga
una potencia máxima de 4 kW, por lo que se puede encontrar la corriente de
entrada al bus. Encontrando el valor de corriente de entrada.
Pmax 4kW
IDC = = = 83,33A
VDC 48V
• Ciclo de trabajo: Utilizando la ecuación (7.11) se encuentra el ciclo
de trabajo del convertidor. Con VDC = 48V y VO = 400V
VDC 48V
D =1− =1− = 0,880
VO 400V
Como ya se encontró el valor de D podemos obtener el valor de la co-
rriente que se entrega al bus usando la ecuación (7.12).
IO = (1 − D)IDC = (1 − 0,880)(83,33A) = 10A

• Inductor: El cálculo de la inductancia está dado por la ecuación (7.13).

Se usó un rizado en la corriente de 0,5A.
D(1 − D)VO 0,880(1 − 0,880)(400V )
L= = = 844,8µH
f 4i (100kHz)(0,5A)
Este valor nos da igual a la inductancia encontrada para el funcionamien-
to en modo buck, esto se debe a la simetrı́a del convertidor. Dejando un
pequeño factor de seguridad que ayuda en el mejoramiento del rizado se
va a utilizar L = 900µH.
• ESR: Igual que para el cálculo del condensador buck, se toma una ten-
sión de rizado pico pico Vrpp = 1 %VO = 4V y un rizado en la corriente
de 0,5A.
Vrpp 4V
ESRmax = = = 8Ω
4i 0, 5A
• Condensador: Para encontrar el condensador se tiene f = 100kHz,
D = 0,880, Vrpp = 0,01(400V ) = 4V y una corriente de entrada al bus
de 10 A.
DIO (0,88)(10A)
C= = = 22µF
f Vrpp (100kHz)(4V )
Para realizar la simulación se utilizó el condensador de pelı́cula C4AEH-
BW5300A3JJ del fabricante KEMET. Este condensador puede soportar
una tensión de 600VDC , tiene una capacitancia de 30µF , un ESR de
3, 6mΩ a 10kHz y una resistencia inductiva (ESL) de 30nH.
Para realizar la simulación se supuso una corriente de entrada de 40 A

para el cálculo de la función de transferencia.
1 1 1
C(s) = = =
2IDC 2(40A) 80
9.4.2.3 Simulación
Con los valores encontrados en los cálculos anteriores, se ingresó el circuito en
el software de simulación Gecko Simulations. En la Figura 9.10 se muestra los
componentes de esta etapa. En la imagen se agregan las funciones de trans-
ferencia para ambos modos de funcionamiento del convertidor. En los puntos
A y B se conecta ya sea la segunda etapa, la carga o la fuente de generación.
Aunque en la Figura 9.10 se muestre ambas funciones de transferencias que
varı́an el ciclo de trabajo la simulación se debe hacer por aparte.
En la Figura 9.11 se observa la simulación realizada ante una carga resistiva
de 1Ω, osea, simulando un corto circuito. Ampliadas en la misma Figura se
observa el rizado de tensión de salida y de la corriente en el inductor.
Figura 9.10: Circuito en Gecko.
Figura 9.11: Gráficas de corriente y tensión vs tiempo para una carga que
tiende a cero. En las subfiguras se muestran los rizados de corriente y tensión
según correspondan. Arriba: la lı́nea amarilla es la tensión en el bus, y en
negro la salida del convertidor. Abajo: Corriente en el inductor.
• La corriente en el inductor es negativa, por lo que según la flecha de

sentido de corriente que se observa en la Figura 9.10, debe ser positiva,
con lo que el convertidor esta entregando potencia tal como fue diseñado.
• Los rizados son bajos como fueron diseñados.
• Se tiene una lenta respuesta al inicio, esto se debe a que el controlador

no ajusta rápidamente el ancho de pulso y tiene una respuesta subamor-

tiguada que dura alrededor de 2 ms en estabilizarse.
• Se logra obtener el valor deseado de tensión a la salida del convertidor,

al igual de la corriente demandada por la carga se ajusta a lo deseado.
Si ahora en cambio se utiliza una resistencia de 480kΩ en el convertidor,

simulando un circuito abierto se tiene la salida del convertidor que se muestra
en la Figura 9.12.
Figura 9.12: Gráficas de corriente y tensión vs tiempo para una carga que
tiende a infinito.
• El controlador no puede mantener el rizado pequeño a la salida del con-

vertidor tanto para la tensión como para la corriente.
• En promedio, el convertidor llega al valor deseado, una corriente de salida

de 0 A y una tensión de 48 V.
Ahora en lugar de la conexión de una carga entre las terminales se conecta

la fuente de microgeneración y se ajusta una corriente de entrada de 40 A se
obtiene la Figura 9.13.
• Se alcanza la tensión deseada de 400 V para alimentar el bus además de

la corriente que entra al inductor de 40 A.
Figura 9.13: Gráficas de corriente y tensión vs tiempo para una fuente de

microgeneración de 48 V. En las subfiguras se muestran los rizados de corriente
y tensión según correspondan.
• Se da un flujo de potencia de la fuente de microgeneración al bus, al ver

una corriente positiva en el inductor.
• El rizado se mantiene bajo.
9.4.3 Diseño la segunda etapa de conversión cuando se conecte

una carga
La tensión de 5 V está orientada a los equipos de baja potencia, como carga de
teléfonos móviles, tabletas o controles inalámbricos para consolas. Los cálculos
de los componentes del convertidor se muestran a continuación.
• Ciclo de trabajo:
VO 5V
D= = = 0,1042
Vin 48V
• Inductor: El cambio en la corriente para este caso va a ser de 0,5A.
VO (1 − D) 5V (1 − 0,1042)
L= = = 89, 58µH
f 4i (0, 5A)(100kHz)
• ESR: Usando el factor de diseño Vrpp = 0,01(5V ) = 0,05V
Vrpp 0,05V
4i 0,5A
• Condensador:
D 0,1042
C= = = 5, 21µF.
2f ESR 2(100kHz)(100mΩ)
• Función de transferencia:
D 0,1042 1
C(s) = = =
VDC − VO 48V − 5V 412
Igual que para la tensión anterior se desarrolló el diseño del convertidor por
medio de las ecuaciones del buck, para la sección que funciona como tal. Algu-
nos televisores de pantalla plana son un ejemplo de una carga que actualmente
funcionan a 12 V.
VO 12V
D= = = 0,250
Vin 48V
• Inductor: El cambio en la corriente para este caso se toma como 0, 5A.
VO (1 − D) 12V (1 − 0,250)
L= = = 180µH
f 4i 0, 5A(100kHz)
• ESR: Vrpp = 0,01(12V ) = 0,12V
Vrpp 0,12V
ESR = = = 240mΩ
4i 0, 5A
• Condensador:
D 0,250
C= = = 5, 21µF.
2f ESR 2(100kHz)(0,240Ω)
• Función de transferencia
D 0,250 1
C(s) = = =
VDC − VO 48V − 12V 144
9.4.3.3 Conversión 48 V a 24 V
El diseño del convertidor es igual al realizado anteriormente para las tensiones
de 5 V y 12 V. El uso de la tensión de 24 V es ideal para las computadoras
portátiles y otros electrodomésticos.
VO 24V
D= = = 0,500
Vin 48V
• Inductor: El cambio en la corriente se tomó de 1 A.

VO (1 − D) 24V (1 − 0,500)
L= = = 120µH
f 4i 1(100kHz)
• ESR: Vrpp = 0,01(24V ) = 0,24V

Vrpp 0,24V
4i 0,5A
• Condensador:
D 0,500
C= = = 5, 21µF.
2f ESR 2(100kHz)(0,480Ω)
• Función de transferencia
D 0,500 1
C(s) = = =
VDC − VO 48V − 24V 48
9.4.3.4 Diseño de la etapa Buck

De los cálculos anteriormente realizados se tienen valores distintos de los al-
macenadores de energı́a, los cuales se muestran en el cuadro 9.2.
Cuadro 9.2: Resumen de los componentes de la segunda etapa Buck.
48 V a 5 V 48 V a 12 V 48 V a 24 V
D 0.1042 0.250 0.500
L [µH] 89.58 180 240
ESR [mΩ] 100 240 480
C [µF ] 5,21 5,21 5,21
1 1 1
C(s) 413 144 48
El análisis de los valores encontrados se expone a continuación.

• Inductor: Se debe escoger un valor alto del inductor para poder cumplir
con los rizados de corriente deseados. En el diseño del convertidor dismi-
nuyendo tensión el mayor valor de inductancia se da cuando la tensión
es 24 V. Por lo tanto el inductor para la etapa Buck debe ser mayor a
240 µH. Sin embargo, aún no podemos concluir que este es el valor ma-
yor, ya que, el inductor es compartido por la etapa boost del convertidor
bidireccional. Lo que si se puede asegurar como se mencionó anterior-
mente, es que el inductor podrá ser de núcleo de hierro pulverizado o
ferrita que permite disminuir su tamaño.
• ESR: Para el ESR se debe escoger un valor lo menor posible ya que se

esta trabajando en altas frecuencias. Por lo que el valor máximo que se
debe escoger para el condensador debe ser de 100mΩ.
• Condensador: En el caso del condensador se encontró un valor cons-

tante en los cálculos. El valor igual para el condensador en los 3 casos
es debido a que las tensiones de salida son múltiplos de la tensión de
entrada con excepción de 5 V, por lo que, el ciclo de trabajo y el valor
del ESR se complementan mutuamente.
• Ciclo de trabajo: El ciclo de trabajo es el más crı́tico, ya que, la

tensión de salida es totalmente dependiente de él. Se debe tener un
controlador que ajuste el valor de tensión necesario. Dicho controlador
va a ser analizado más adelante.
9.4.4 Diseño la segunda etapa de conversión cuando se conecte

una fuente de microgeneración
Se tienen algunas fuentes de microgeneración que entregan potencia al bus en
12 V, tal es el caso de la generación hecha por esfuerzo humano. Para el diseño
de esta sección del convertidor se utilizaron las ecuaciones del boost tal como
fueron estudiadas anteriormente. Se espera que esta fuente proporcione una
potencia de 400 W. De aquı́ se encuentra la corriente IDC .
P 400W
IDC = = = 33,3333A
VDC 12V
Con ayuda de la ecuación (7.12) se encuentra la corriente de salida del
convertidor, que permite tener el valor del condensador.
IO = (1 − D)IDC (9.4)
VDC 12
D =1− =1− = 0,75
VO 48
• Inductor: Se tomará un rizado de corriente de 0, 5A

D(1 − D)VO 0,75(1 − 0,75)(48V )
L= = = 180µH
f 4i (100kHz)(0, 5A)
• ESR: con un rizado de tensión del 1 % se tendrı́a Vrrp = 0,48V

Vrrp 0,48V
4i 0, 5A
• Condensador: calculando por medio de la ecuación 9.4 se puede en-

contrar que el valor de corriente a la salida del convertidor es de IO =
(1 − 0,75)(33,3333A) = 8,33A.
DIO (0,75)(8,33A)
C= = = 65,10µF
f Vrpp (100kHz)(0,96Ω)
1 1 1
C(s) = = =
2IDC 2(32A) 64
9.4.4.2 Conversión de 24 V a 48 V.
Las posibles fuentes de microgeneración que funcionan a esta tensión son la
biomasa y el eólico. Estas fuentes de microgeneración se espera generen en una
potencia de 400W . Usando el procedimiento realizado anteriormente se tiene
que la corriente en la entrada es de 16,67A y a la salida es de 8,33A.
VDC 24
D =1− =1− = 0,500
VO 48
• Inductor: Se tomará un rizado de corriente de 0, 5A

D(1 − D)VO 0,500(1 − 0,500)(48V )
L= = = 240µH
f 4i (100kHz)(0, 5A)
• ESR: como la tensión a la salida del convertidor no varı́a, el ESR para

este caso es el mismo al encontrado anteriormente.
• Condensador:
DIO (0,500)(8,33A)
C= = = 43,40µF
f Vrpp (100kHz)(0,96)
1 1 1
C(s) = = =
2IDC 2(32A) 64
9.4.4.3 Diseño de la etapa Boost

En resumen de los cálculos realizados anteriormente se muestran en el cuadro
9.3.
Cuadro 9.3: Resumen de los componentes del funcionamiento como Boost de

la segunda etapa.
12 V a 48 V 24 V a 48 V
D 0,5 0,75
L [µH] 180 240
C[µF ] 43,40 65,10
ESR[mΩ] 960 960
1 1
C(s) 64 64
• Igual que en el caso anterior, el valor de D debe ser variable, por la

dependencia que tiene la tensión de salida del convertidor con el D.
• Para el condensador debe ser el mayor de los encontrados, esto permite
mantener el modo continuo y tener el rizado deseado en la operación.
Por lo que el condensador debe ser mayor a 130, 21µF .
• El valor del ESR se desea bajo como se menciono anteriormente, por lo
que se debe utilizar un condensador con un valor menor a los 0.960 Ω
que se obtuvo en los cálculos.
• Con el inductor se necesita un valor alto para cumplir con las especifica-
ciones deseadas, para la etapa de carga se tiene un valor de inductancia
máxima 240 µH al igual que para la etapa boost.
9.4.4.4 Almacenadores de Energı́a

Ya se encontraron todos posibles valores de componentes que permiten te-
ner un buen funcionamiento del convertidor. Se buscaron valores comerciales
equivalentes para realizar una simulación fiable.
• Cbuck : el valor del condensador encontrado fue de 5, 21µF , se utilizó el

condensador C4ATDBU5100A10J de KEMET, posee un ESR de 5,2mΩ
a 100kHz, una capacidad de 10µF .
• Cboost : se desea un valor de 65, 10µF para este condensador, pero para
continuar usando la serie C4ATDB de KEMET se utilizó un condensador
de 60µF , con número de parte C4ATDBU5600A10J, se debe recordar
que esta fuente es conectada en cascada con otra fuente, por lo que
el rizado también va a ser filtrado en la fuente de 48 V. Las demás
caracterı́sticas de este condensador son: ESR = 5, 7mΩ a 100kHz y
soporta una tensión de 250 V.
• L : El inductor va a tener un valor de 240µH, sin embargo, se va a utilizar

un pequeño factor de seguridad que lo que provoca es una disminución
del rizado, lo cual es ventajoso en el diseño. Por lo que para la segunda
etapa L = 300µH
Dado que el controlador para esta etapa es igual al desarrollado para la

primera etapa se va a tener los mismos detalles que en las simulaciones para la
primera etapa, el diseño de los convertidores esta bien pero el controlador no
permite tener mejores resultados si hay cambios bruscos de carga. Las figuras
obtenidas se muestran en los anéxos.
9.4.4.5 Simulaciones
Si se agregan las dos etapas se tiene el circuito mostrado en la Figura 9.14.
Igual que para la Figura 9.7 la tensión entre los puntos E y I son las terminales
de la primera etapa. Mientras que la tensión entre las terminales e y I es la
tensión variable.
Figura 9.14: Convertidor bidireccional de dos etapas.

Si se conecta una fuente o carga entre los puntos E y I, se va a tener el

comportamiento de la primera etapa. Mientras que si es conectado por medio
de las patillas e y I será la salida variable. Para probar el comportamiento del
circuito se colocó una carga de 5V y 5Ω. De aquı́ se obtuvo la Figura 9.15.
Se cambiaron los ejes de la tensión de salida del convertidor para poder tener
una mejor visión del valor final que se obtuvo.
Figura 9.15: Carga de 5 V en la salida de tensión variable. Arriba: En verde

tensión en el bus, en negro la salida para la carga y en magenta la tensión a
la salida de la segunda etapa. Abajo: En naranja la corriente en el inductor 3
y en azul la corriente en el inductor 2.
Análisis de la figura 9.15:
• La salida de tensión no es la deseada, esto se debe a que la segunda

etapa no alcanza los 48 V, para los que se diseño. Esto se debe a que el
controlador no tiene un buen control del ancho de pulso en la primera
etapa. Si se coloca el ancho de pulso fijo de la primera etapa se logró
tener la salida de 5 V que se deseaba. Esto se muestra en la Figura 9.16.
• El rizado de la corriente que le llega a la carga es bajo. El inductor del

lado de la primera etapa tiene una oscilación mayor de lo normal, sin
embargo, la segunda etapa lo filtra sin ningún problema.
• Si se entrega potencia a la carga por el sentido negativo de la corriente.
Ahora si se desea un valor de tensión diferente a lo establecido para una

carga, basta con cambiar la tensión de referencia, para que ası́ el ciclo de
Figura 9.16: Carga de 5 V en la salida de tensión variable fijando el ancho de

pulso de la primera etapa y eliminando el controlador.
trabajo se ajuste a lo que se necesita. Estableciendo que la tensión de salida es

de 16 V, se necesita un D de 0.3333, lo que nos da una C(s) en el controlador
1
de 96 . Se corrigieron los valores en el circuito, y se agrego una carga de 16Ω
para tener una corriente de salida de 1 A. Las gráficas obtenidas se muestran
en la Figura 9.17. Con esto se concluye que se puede cambiar a cualquier nivel
de tensión usando un diferente valor de D.
Si se conecta una fuente de 24 V en la etapa variable y se ajustan los
controladores se obtiene las salidas que se muestran en la Figura 9.18.
• Se alcanzan los valores de tensión finales, tanto para la primer etapa, 48

V, como para la segunda 400 V.
• La corriente en los inductores es positivo por lo que se esta entregando

potencia al bus, que es lo que se deseaba.
• La segunda etapa filtra satisfactoriamente los transitorios que se produ-

cen en la primera etapa.
Si se hacen las mismas pruebas para las otras cargas y fuentes se tendrán
los mismos resultados, por lo que puede encontrar las gráficas obtenidas en el
apéndice de este documento.
Figura 9.17: Carga a 16 V.
Figura 9.18: Fuente de microgeneración de 24 V en la salida de tensión variable.

Parte IV
Conclusiones y
Recomendaciones
103
10 Conclusiones
Actualmente Costa Rica tiene el reto de ser carbono neutral para el 2021, este
propósito ha provocado que los residentes y autoridades fijen sus ojos al uso de
energı́as renovables. Sin embargo, el uso excesivo de estas fuentes de energı́a
pueden resultar en problemas técnicos importantes.
Aunque el futuro de la generación eléctrica sea el aprovechamiento de las
energı́as renovables, se deben desarrollar propuestas que permitan cortar de
raı́z la posibilidad de que los problemas técnicos resulten desastrosos en el
futuro cercano. Es por esto que el desarrollo de nuevas soluciones técnicas,
como la que se desarrolló en este documento, deben ser tomadas en cuenta
para evitar problemas futuros.
Con la finalización del proyecto, se lograron las siguientes conclusiones:
• Se estudiaron los diferentes componentes electrónicos usados en los con-

vertidores de potencia para poder escoger los componentes que confor-
maron los convertidores de potencia diseñados.
• Se estudiaron diferentes topologı́as de los convertidores DC/DC, ası́ co-

mo la algunos convertidores bidireccionales.
• Se corroboró la vialidad técnica de los convertidores bidireccionales para

su aplicación en fuentes de micro-generación residenciales.
• Se diseñó un sistema de dos etapas de convertidores DC/DC bidirec-

cionales que permiten implementar cargas tı́picas residenciales y fuentes
de micro-generación en el mismo punto de conexión. Los convertidores
permiten variar la tensión entregada o potencia de entrada según las
caracterı́sticas deseadas por la carga o fuente respectivamente, usando
el mismo convertidor. El diseño fue respaldado por simulaciones hechas
en el programa Gecko Circuits.
• Se diseñó un controlador proporcional por tensión o corriente para el

control de los convertidores de potencia cuando tienen conectada una
carga o fuente respectivamente.
• Se diseñó y modeló el rectificador para la alimentación de la red de

distribución residencial desde la acometida con un factor de potencia
unitario.
105
106 10 Conclusiones
• Se hizo una investigación de componentes comercialices y se recomenda-

ron diferentes componentes para la implementación fı́sica de los conver-
tidores.
11 Recomendaciones
Con el cumplimiento de los objetivos propuestos, se recomienda aumentar el
alcance del proyecto en los siguientes puntos:
• Participar en seminarios, coloquios y programas de difusión radial para

crear conciencia de los problemas que pueden desencadenar el uso de
las energı́as renovables a gran escala. Exponer nuestra solución de una
casa de habitación en corriente directa como una alternativa para evitar
dichos problemas.
• Se recomienda expandir el alcance técnico del proyecto de la siguiente

forma:
– Realizar una propuesta de un sistema de comunicación entre el

conector y la salida del convertidor.
– Mejorar la respuesta de los convertidores DC/DC, esto para que no
se den los problemas que se analizaron en el diseño como: obtener
el valor deseado en menor tiempo, transitorios al conectar la carga,
altos rizados, entre otros. Especialmente cuando el controlador es
por corriente.
– Implementar un sistema de control que permita una variación de
tensión a la salida de la segunda etapa que no solo se ajuste a los
valores de 5 V, 12 V y 24 V sino a lo que la carga demande.
– Hacer una propuesta técnica de inversores trifásicos para sustituir
los motores monofásicos de cargas con motores tı́picas de las casas
de habitación.
– Agregar un lazo de control adicional que permita controlar la fre-
cuencia de conmutación de los convertidores DC/DC en función de
la demanda, para optimizar la eficiencia a plena carga u otro valor
proporcional.
• Hacer un estudio de factibilidad económica de la implementación de una

casa de habitación en corriente directa para el diseño a gran escala.
107
Bibliografı́a
Alexander, C. K. y Sadiku, M. N. (2006). Fundamentos de circuitos eléctricos.
McGraw-Hill.
Allen, S. (2013). Silicon carbide mosfets for high powered modules. En cree.
Baliga, B. J. (2010). Advanced power MOSFET concepts. Springer.
Callister, W. D. (2002). Introducción a la Ciencia e Ingenierı́a de los Mate-

riales. Reverté.
Cox, J. (2004). Iron powder cores for switchmode power supply inductors.
MICROMETALS website.
Dorf, E. R. (2000). The Electrical Engineering Handbook. CRC Press LLC.
Ebad, M. y Song, B.-M. (2012). Accurate model predictive control of bidirec-

tional dc-dc converters for dc distributed power systems. Power and Energy
Society General Meeting, 2012 IEEE.
Falin, J. (2010). Designing dc/dc converters based on zeta topology. Analog

Applications.
Ioinovici, A. (2013). Power Electronics and Energy Conversion Systems, Fun-

damentals and Hard-switching Converters. John Wiley & Sons.
Jung, J.-H., Kim, H.-S., Ryu, M.-H., Kim, J.-H., y Baek, J.-W. (2013). Single-
phase bidirectional ac-dc boost rectifier for dc distribution system. ECCE
Asia Downunder (ECCE Asia), IEEE.
Kazimierczuk, M. K. (2008). Pulse-width modulated DC-DC power converters.

John Wiley & Sons.
Lutz, J., Schlangenotto, H., Scheuermann, U., y De Doncker, R. (2011). Se-

miconductor power devices: Physics, characteristics, reliability. Springer,
Berlin.
Maclaurin, A., Okou, R., Barendse, P., Khan, M., y Pillay, P. (2011). Control
of a flywheel energy storage system for rural applications using a split-pi
dc-dc converter. Electric Machines & Drives Conference (IEMDC), 2011
IEEE International, páginas 265–270.
109
110 Bibliografı́a
Perret, R. (2013). Power electronics semiconductor devices. John Wiley &

Sons.
Portillo, E. B. y López, R. P. (2012). Electrónica de Potencia. Marcombo.
Products, G. A. E. (Sin año). Engineering bulletins capacitors. Reporte téc-

nico, General Atomics Energy Products.
Rashid, M. H. (2011). Power electronics handbook. ELSEVIER.
Rashid, M. H., González, M. H. R. V., y Fernández, P. A. S. (2004). Electrónica

de potencia: Circuitos, dispositivos y aplicaciones. Pearson Educación.
Santamarı́a, G., Castejón, A., Herranz, G. S., y Oliva, A. C. (2009). Electro-

tecnia. Editex.
Sarjeant, W. J., Zirnheld, J., y MacDougall, F. W. (1998). Capacitors. Plasma

Science, IEEE Transactions on, 26(5):1368–1392.
Sedra, A. S. y Smith, K. C. (2010). Microelectronic Circuits. OXFORD

UNIVERSITY PRESS, Research Triangle Park, NC 27709, USA.
Solı́s, A. G. (2013). Carbono Neutralidad: Avances y Desafı́os de cara al año

2021.
Tripathy, S. C. (2008). Power electronics. Oxford, U.K. : Alpha Science

International, Ltd.
Vasca, F. y Iannelli, L. (2012). Dynamics and Control of Switched Electronic

Systems. Springer.
A Apéndice
A.1 Hojas del fabricante

Para encontrar las hojas del fabricante puede visitar las siguientes direcciones
electrónicas:
• Condesadores Kemet: http://www.kemet.com/
• Condensadores Vishay: http://www.vishay.com/
• Transistores: http://www.datasheetcatalog.com/
• Inductores: http://www.micrometals.com/
A.2 Simulaciones
A.2.1 Comprobación de la segunda etapa
A.2.1.1 Carga
Figura A.1: Simulación para una tensión de salida de 5 V y una resistencia de

1 Ω.
111
112 A Apéndice
Figura A.2: Simulación para una tensión de salida de 24 V y una resistencia

de 10 Ω.

de 10 Ω.
A.2.1.2 Fuente
A.2. Simulaciones 113
Figura A.4: Simulación para una fuente de microgeneración con tensión de

entrada de 12 V.

entrada de 24 V.
A.2.2 Comprobación de ambas etapas funcionando al mismo

tiempo
A.2.2.1 Carga
114 A Apéndice

de 5 Ω.

de 5 Ω.
A.2.2.2 Fuente
A.2. Simulaciones 115

de 5 Ω.

entrada de 48 V.

entrada de 12 V.

Dise No de Convertidores de Potencia para Una Vivienda Con Alimentacion DC

Enviado por

Dados do documento

Descrição original:

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Dise No de Convertidores de Potencia para Una Vivienda Con Alimentacion DC

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Universidad de Costa Rica

Diseño de convertidores de potencia para

Luis Alonso Acuña Murillo

Ciudad Universitaria “Rodrigo Facio”, Costa Rica

IE-0499 Proyecto eléctrico

Ing. Juan Manuel Arteaga Sáenz, M.Sc.

Índice de cuadros xiii

2 Alcances del Proyecto 5

6 Control de fuentes conmutadas 47

7 Convertidores de tensión en corriente directa 53

8 Rectificadores monofásicos controlados 69

9 Diseño de los convertidores 77

IV Conclusiones y Recomendaciones 103

5.1 Transistor MOSFET C2M0025120D de CREE, imagen extraı́da de

6.1 Diagrama de bloques: a) control a lazo cerrado y b) control a lazo

7.1 Circuito del convertidor Buck sincrónico con interruptores ideales.

8.1 Rectificador Monofásico: (a) circuito básico y (b) formas de onda

9.1 Diagrama de bloques del sistema de distribución de la casa modelo. 78

A.1 Simulación para una tensión de salida de 5 V y una resistencia de

5.1 Caracterı́sticas de los condensadores cerámicos. (Perret (2013)) . . 41

6.1 Variables de la Figura 9.5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

7.1 Estados de conmutación del convertidor Split-pi. (Maclaurin et al.

8.1 Contenido de armónicas del circuito de la Figura 8.1. (Rashid (2011)) 69

9.1 Tabla de verdad para informar al controlador que tiene el conver-

ASD Unidades de velocidad ajustable (por sus siglas en inglés).

BJT Transistor de unión bipolar (por sus siglas en inglés).

CM OS Transistor complementario de efecto de campo metal-

DC Corriente Continua (por sus siglas en inglés).

D Drenaje (por sus sigla en inglés).

ESR Resistencia equivalente en serie de un Condensador (por

G Compuerta (por su sigla en inglés).

IC Circuito integrado (por su sigla en inglés).

ICE Instituto Costarricense de Electricidad.

IECEM C Comisión internacional de electrotecnia (por sus siglás en

IEEE Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos (por sus

IGBT Transistor bipolar de puerta aislada (por sus siglas en

LED Diodo emisor de luz (por sus siglas en inglés).

M OSF ET Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

N − M OSF ET Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

PFC Corrector de factor de potencia (por sus siglas en inglés).

PWM Modulación por ancho de pulso (por sus siglas en inglés).

rms Valor cuadrático medio (por su sigla en inglés).

S Fuente (por su sigla en inglés).

SiC Carburo de silicio.

SiO2 Óxido de silicio.

T HD Distorsión armónica total (THD, por sus siglas en inglés).

UPS Sistemas de alimentación ininterrumpida (por sus siglas

Tesla superó a Edison con su propuesta de corriente alterna en la distribución

3.1 Objetivo general

3.2 Objetivos especı́ficos

• Investigar el funcionamiento y el estado del arte de los componentes

• Investigar topologı́as de convertidores DC-DC bidireccionales para eva-

• Diseñar convertidores DC-DC bidireccionales para implementar cargas

• Investigar los problemas técnicos asociados a los rectificadores y como

• Se tuvieron reuniones semanales con el profesor guı́a para la discusión y

• Recopilación de información bibliográfica sobre los componentes electró-

• Investigación bibliográfica de fundamentos de los convertidores DC/DC,

• Estudio de los convertidores DC/DC bidireccionales y formas de control

• Recopilación bibliográfica sobre los convertidores AC/DC y formas de

• Implementación de los convertidores DC/DC y AC/DC en el proyecto

• Redacción del informe escrito para el diseño de los convertidores, si-

miento disipativo, esto significa una disminución de la eficiencia del circuito.