POLARIZACIÓN

Universidad Mayor de San Andrés Electrónica I
Carrera de Ingeniería Electrónica
1. Polarización de transistores Bipolares.

Calcule las resistencias para el circuito de polarización fija en BC para transistores NPN,
polarización colector a base en EC para transistores PNP, y autopolarización en CC para
transistores PNP. Punto de trabajo: Q = (12V,3mA), VCC = 20V, determine la estabilidad para
cada circuito. En cada caso adopte los valores más próximos normalizados de las resistencias y
replantee el punto de trabajo.
SOLUCION.-
1.1 Circuito de polarización fija en BC para transistores NPN

Circuito Planteado
+V
RC CC
RB
Q1 +
NPN
CB CE 1kHz
Vo
RE
Circuito Equivalente Para Corriente Continua

Los datos son los siguientes
+V
VCE = 12v
I C = 3mA
VCC = 20v
RC
β = 200
RB
Q1
NPN
RE
De la malla de salida tenemos:

VCC − VCE = I C * RC + I E * RE
Aux.: ARIEL MARCOS CONDO MERLO I/2007

Como:
I E ≈ IC
Tenemos:
VCC − VCE = I C * ( RC + RE ) ...........1
De la malla de entrada tenemos:

VCC − VBE = I B * RB + I E * RE
Como
IC ≈ β * I B
En la anterior ecuación tenemos
RB
VCC − VBE = I C * ( + RE ) ...........2
β
Tomando el criterio de que

VCC
I C * RE = (10% _ de _ VCC )
10
20v
I C * RE = = 2v
10
2v 2v
RE = = = 666.667Ω
I C 3mA
Normalizado RE = 680Ω
Este valor de RE reemplazando en la ecuación 1 y despejando RC tenemos
VCC − VCE
RC = − RE
IC
20v − 12v
RC = − 666.667 = 2 KΩ
3mA
Normalizando RC = 2 KΩ
De la ecuación 2 reemplazando RE y despejando RB tenemos
VCC − VBE
RB = β * ( − RE )
IC
20v − 0.7v
RB = 200 * ( − 666.667Ω) = 1.1533MΩ
3mA
Normalizando RB = 1.2 MΩ

La estabilidad del circuito esta dado por la ecuación

1+ β
S I CBO =
dI
1− β * B
dI C
Y de la siguiente ecuación despejamos IB B
VCC − VBE = I B * RB + I C * R E
VCC − VBE − I C * RE
IB =
RB
Derivando esta ecuación respecto de IC tenemos la siguiente ecuación
dI B R
=− E
dI C RB
Reemplazando en la ecuación de estabilidad
1+ β
S I CBO =
R
1+ β E
RB
1 + 200
S I CBO = = 180.53
680Ω
1 + 200
1.2MΩ
Por lo tanto el factor de estabilidad S I CBO del circuito es 180.53 de este resultado
concluimos que para toda variación de I CBO en el transistor por variación térmica, la corriente de
colector varia 180.53 veces la variación I CBO
Replanteando el punto de trabajo con los valores ya normalizados tenemos:

De la ecuación 2 despejando I C :
VCC − VBE
IC =
RB
+ RE
β
20v − 0.7v
IC = = 2.888mA
1.2 MΩ
+ 680Ω
200
De la ecuación 1 despejando VCE :

VCE = VCC − I C * ( RC + RE )
VCE = 20v − 2.888mA * (2 KΩ + 680Ω) = 13.41v
El nuevo punto de trabajo es Q = (13.41v,2.888mA)

Simulación.-
1.2 Polarización Colector a base en EC para transistores PNP

Circuito Planteado

- Vcc
RC
CC
RB
CB +
Q1
PNP
1kHz Vo
RE
CE
Circuito Equivalente de Corriente Continúa

Datos son los siguientes
- Vcc VCE = −12v
I C = −3mA
VCC = −20v
RC
β = 200
RB
Q1
PNP
RE
Tomando el circuito de salida tenemos

− VCC + VCE = − I C * RC − I E * RE
Como
I E ≈ IC
Tenemos
− VCC + VCE = − I C * ( RC + RE ) ..........1
Del circuito de entrada tenemos
− VCC + V BE = − I C * RC − I B * RB − I E * RE
Como
I E ≈ IC
IC ≈ β * I B
Tenemos la siguiente ecuación
RB
− VCC + V BE = − I C * ( RC + + RE ) ..........2
β
Tomando el criterio de:
− VCC
I C * RE = (10% _ de _ VCC )
10
− 20v
I C * RE = = −2v
10
− 2v − 2v
RE = = = 666.667Ω
IC − 3mA
Normalizado el valor de RE = 680Ω
De la ecuación 1 reemplazando RE despejando RC

− VCC + VCE
RC = ( ) − RE
− IC
− 20v + 12v
RC = ( ) − 666.667Ω = 2 KΩ
− 3mA
Normalizando RC = 2 KΩ
De la ecuación 2 reemplazando RE RC despejando RB
− VCC + V BE
R B = β * (( ) − RC − R E )
− IC
− 20v + 0.7v
RB = 200 * (( ) − 2 KΩ − 666.667Ω) = 753.333KΩ
− 3mA
Normalizando R B = 750 KΩ
1+ β
S I CBO =
dI
1− β * B
dI C
− VCC + VBE = −( I C + I B ) * RC − I B * R B − ( I C + I B ) * RE
− VCC + V BE − I C * ( Rc + R E )
IB =
R B + RC + R E
dI B RC + RE
=−
dI C RB + RC + RE

1+ β
S I CBO =
RC + RE
1+ β
R B + RC + R E
1 + 200
S I CBO = = 117.39
2 KΩ + 680Ω
1 + 200
750 KΩ + 2 KΩ + 680Ω

De la ecuación 2 despejando I C :
− VCC + VBE
IC =
R
RC + B + RE
β
− 20v + 0.7v
IC = = −3.0015mA
750 KΩ
2 KΩ + + 680
200
De la ecuación 1 despejamos VCE
VCE = I C * ( RC + RE ) − VCC
VCE = 3.0015mA * (2 KΩ + 680) − 20v = −11.955v
El nuevo punto de trabajo es Q = (−11.955v,−3.0015mA)
Simulación

1.3 Auto polarización en CC para transistor PNP

Circuito Planteado

- Vcc
R1
CB
Q1
PNP
1kHz CE
R2 +
RE
Vo
Circuito Equivalente de Corriente Continúa

Datos son los siguientes
- Vcc
VCE = −12v
I C = −3mA
VCC = −20v
β = 200
R1
Q1
PNP
R2
RE
Tomando el circuito de salida tenemos

− VCC + VCE = − I E * RE
Como
I E ≈ IC
Tenemos
− VCC + VCE = − I C * RE ..........1
De la ecuación 1 despejamos RE

− VCC + VCE
RE =
− IC
− 20v + 12
RE = = 2666.667Ω
− 3mA
Normalizado R E = 2.7 KΩ
Como
IC ≈ β * I B
IC
IB =
β
− 3mA
IB = = −15uA
200
Tenemos la siguiente ecuación
VB = −VBE − I C * RE
V B = −0.7v − 3mA * 2666.66Ω = −8.699v
Tomando el criterio de:
I 2 = 10 * I B
I 2 = 10 * ( −15uA) = −150uA
I 1 = 11 * I B
I 1 = 11 * ( −15uA) = −165uA
De la ecuación tenemos el valor de R2
VB
R2 =
I2
− 8.699v
R2 = = 57.993KΩ
− 150uA
Normalizando R2 = 56 KΩ
Y de la ecuación tenemos el valor de R1
− VCC + V B
R1 =
− I1
− 20v + 8.699v
R1 = = 68.49 KΩ
− 165uA
La resistencia equivalente RB esta dado por

R1 * R2
RB =
R1 + R2
Reemplazando valores tenemos

68KΩ * 56 KΩ
RB = = 30.7 KΩ
68KΩ + 56 KΩ
De la ecuación del divisor de tención tenemos:
R2
VBB = * (−Vcc)
R1 + R2
56 KΩ
VBB = * (−20v) = −9.03v
68KΩ + 56 KΩ
1+ β
S I CBO =
dI
1− β * B
dI C
− VBB + VBE = − I B * RB − ( I C + I B ) * RE
V BB − V BE − I C * R E
IB =
RB + RE
dI B RE
=−
dI C RB + RE

1+ β
S I CBO =
RE
1+ β
RB + RE
1 + 200
S I CBO = = 0.919
30.7 KΩ + 2.7 KΩ
1 + 200
30.7 KΩ

De la ecuación de la malla de entrada
− VBB + VBE = − I B * RB − I E * RE
Como.
IC
IB ≈
β
Y
I E ≈ IC
Reemplazando tenemos
IC
− VBB + VBE = − * RB − I C * RE
β
Despejando IC
− VBB + VBE
IC =
RB
+ RE
β
Reemplazando los valores ya conocidos
− 9.03v + 0.7v
IC = = −2.91mA
30.7 KΩ
+ 2.7 KΩ
200
Y de la ecuación 1 tenemos
VCE = −VCC + I C * RE
VCE = −20 + 2.91mA * 2.7 KΩ = −12.143v
El nuevo punto de trabajo es Q = (−12.143v,−2.91mA)
Simulación

2. Polarización de transistores Unipolares FET.
Calcule las resistencias para el circuito de polarización fija en GC para transistores de

canal P, polarización drenador a compuerta en SC para transistores de canal N, y
autopolarización en DC para transistores de canal P. Punto de trabajo: Q = (8.5V,5mA ), VDD =
15V. En cada caso adopte los valores más próximos normalizados de las resistencias y
replantee el punto de trabajo.
SOLUCIÓN.-
2.1 Polarización fija en GC para transistores FET de canal P

Circuito Planteado
C1 Q1
PJFET
S
D
G
+
RD
1kHz RS
Vo
VDD
+
-
El equivalente en corriente continua es el siguiente:

- VDD
VDS = −8.5v
I D = −5mA
RD
I DSS = −10mA
VP = 6v
VDD = −15v
D Q1
G PJFET
S
RS
De la malla de salida tenemos la siguiente ecuación

− VDD = −VDS − I D * ( RD + RS ) .........1
De la malla de entrada tenemos
VGS = − I D * RS ..................2
Tomando en cuenta la ecuación de shockley
VGS 2
I D = I DSS * (1 − )
VP
De esta ecuación despejamos VGS
ID
VGS = VP * (1 − )
I DSS
Reemplazando los valores tenemos:

− 5mA
VGS = 6v * (1 − ) = 1.8v
− 10mA
De la ecuación 2 despejando RS reemplazando el valor obtenido de VGS
VGS
RS =
− ID
1.8v
RS = = 360Ω
− (−5mA)
Normalizando el valor de RS = 390Ω
De la ecuación 1 despejando RD
− VDD + VDS
RD = − RS
− ID
− 15v + 8.5v
RD = − 360Ω = 940Ω
− 5mA
Normalizando el valor de RD = 1KΩ
Replanteando los puntos de trabajo tenemos de la ecuación 2 tenemos

VGS
ID = −
Rs
1.8v
ID = − = −4.61mA
390Ω
Y de la ecuación 1 despejando VDS
VDS = −VDD + I D * ( RD + RS )
VDS = −15v + 4.61mA * (1KΩ + 390) = −8.58v
El punto Q replanteado es el siguiente Q = (−8.58v,−4.61mA)
Simulación
2.2 Polarización drenador compuerta en SC para transistores FET de canal N

Circuito Planteado
VDD
RD
RG C2
C1 +
D Q1
G NJFET
S
1kHz
Vo
RS
Circuito equivalente para corriente continúa

VDD
Los Datos son los siguientes
RD VDS = 8.5v
RG I D = 5mA
VDD = 15v
D Q1
G
S NJFET I DSS = 10mA
VP = −6v
RS
De la malla de salida tenemos

VDD = I D * ( RD + RS ) + VDS ...........1
Como IG = 0 no se puede hallar la ecuación de la malla de entrada tomamos el valor de
RG = 10MΩ
VGS 2
I D = I DSS * (1 − )
VP
ID
VGS = VP * (1 − )
I DSS
5mA
VGS = −6v * (1 − ) = −1.75v
10mA
Entonces tomando el criterio de que:
VDD
I D * RS =
10
Tenemos el valor de RS
VDD
RS = 10
ID
15v
RS = 10 = 300Ω
5mA
Normalizando el valor es RS = 300Ω

De la ecuación 1 despejamos el valor de RD
VDD − VDS
RD = − RS
ID
15v − 8.5v
RD = − 300Ω = 1KΩ
5mA
Replanteando el punto de trabajo con los valores normalizados tenemos

De la ecuación de Shockley tenemos el valor de ID
− 1.75v 2
I D = 10mA * (1 − ) = 5.017mA
− 6v
De la ecuación 1 despejamos el valor de VDS
VDS = VDD − I D * ( RD + RS )
VDS = 15V − 5.017mA * (1KΩ + 300Ω) = 8.48v
El punto de trabajo es el siguiente Q = (8.48v,5.017mA)
Simulación
2.3 Autopolarización en DC para transistores FET de canal P

Circuito propuesto
- VDD
R1
C1
D Q1
G
S PJFET
1kHz C2
+
R2
RE
Vo

- VDD
VDS = −8.5v
R1 I D = −5mA
I DSS = −10mA
VP = 6v
D Q1
G PJFET
S
VDD = −15v
R2
RE

− VDD + VDS = − I D * RS ...........1
De esta ecuación hallamos el valor de RS
− VDD + VDS
RS =
− ID
− 15v + 8.5v
RS = = 1.3KΩ
− 5mA
Normalizando el valor de RS = 1.3KΩ
VGS 2
I D = I DSS * (1 − )
VP

ID
VGS = VP * (1 − )
I DSS
− 5mA
VGS = 6v * (1 − ) = 1.75v
− 10mA
Tomando las ecuaciones características del divisor de tensión
R2
VG = * V DD ..........2
R1 + R2
R1 * R2
RG = .............3
R1 + R2
Por otro lado hallando el valor de VG
VG = VGS + I D * RS ..........4
VG = 1.75v − 5mA *1.3KΩ = −4.75v
Y de la ecuación 2 despejando R1 tenemos
R2 *VDD − VG * R2
R1 =
VG
Si tomamos una resistencia R2 = 100 KΩ
Tenemos:
100 KΩ * 15v − 4.75v *100 KΩ
R1 = = 215.78KΩ
4.75v
Normalizando el valor es R1 = 220 KΩ
Replanteando los valores del punto Q tenemos
De la ecuación 2 halando el valor de VG
100 KΩ
VG = * (−15v) = −4.687v
220 KΩ + 100 KΩ
De la ecuación 4 despejando ID tenemos
VG − VGS
ID =
RS
− 4.687v − 1.75v
ID = = −4.95mA
1.3KΩ
De la ecuación 1 despejamos VDS
VDS = VDD − I D * RS
VDS = −15v − (−4.95mA *1.3KΩ) = −8.56v
El nuevo punto Q con las resistencias normalizadas es Q = (−8.56v,−4.95mA)

Simulación

3. Polarización de transistores Unipolares MOSFET.
Calcule las resistencias para el circuito de polarización fija en GC para transistores de canal
N (deplexión), polarización drenador a compuerta en SC para transistores de canal P
(deplexión), y autopolarización en DC para transistores de canal N (inducción). Punto de
trabajo: Q = (9V, 10mA), Vcc = 20V. En cada caso adopte los valores más próximos
normalizados de las resistencias y replantee el punto de trabajo.
SOLUCIÓN.-
3.1 Polarización fija en GC para transistores MOSFET (deflexión) de canal N

Circuito Planteado
VDD
RD
C2
Q1
+
NDMOS
C1
1kHz
Vo
RS
-
Circuito equivalente para corriente continua es

VDD
RD VDS = 9v
I D = 10mA
I DSS = 20mA
Q1
NDMOS VP = 6v
VDD = 20v
RS

VDD = VDS + I D * ( RD + RS ) .........1

De la malla de entrada tenemos

VGS = − I D * RS ..................2
VGS 2
I D = I DSS * (1 − )
VP
ID
VGS = VP * (1 − )
I DSS

10mA
VGS = −6v * (1 − ) = −1.8v
20mA
De la ecuación 2 despejando RS reemplazando el valor obtenido de VGS
VGS
RS =
− ID
− 1.8v
RS = = 180Ω
− (10mA)
Normalizando el valor de RS = 200Ω
De la ecuación 1 despejando RD
V DD − V DS
RD = − RS
ID
20v − 9v
RD = − 200Ω = 900Ω
10mA
Replanteando los puntos de trabajo tenemos de la ecuación 2 tenemos

VGS
ID = −
Rs
− 1.8v
ID = − = 9mA
200Ω
Y de la ecuación 1 despejando VDS
V DS = VDD − I D * ( RD + RS )
V DS = 20v − 9mA * (1KΩ + 200) = 9.2v
El punto Q replanteado es el siguiente Q = (9.2v,9mA)

Simulación
3.2 Polarización Drenador a Compuerta en SC para transistores MOSFET (deflexión)

de canal P
Circuito Planteado
- VDD
RD
RG C2
C1 Q1
+
PDMOS
Vo
RS
1kHz -


- VDD
Los Datos son los siguientes
VDS = −9v
RD
I D = −10mA
VDD = −20v
RG
I DSS = −20mA
Q1
PDMOS VP = 6v
RS

− V DD + V DS = − I D * ( RD + RS ) ...........1
Como IG = 0 no se puede hallar la ecuación de la malla de entrada tomamos el valor de
RG = 10MΩ
VGS 2
I D = I DSS * (1 − )
VP
ID
VGS = VP * (1 − )
I DSS
10mA
VGS = 6v * (1 − ) = 1.75v
20mA
Entonces tomando el criterio de que:
VDD
I D * RS =
10
Tenemos el valor de RS
VDD
RS = 10
ID
20v
RS = 10 = 200Ω
10mA
Normalizando el valor es RS = 200Ω

De la ecuación 1 despejamos el valor de RD

− V DD + V DS
RD = − RS
− ID
− 20v + 9v
RD = − 200Ω = 900Ω
− 10mA
Normalizando el valor de R D = 1K Ω
Replanteando el punto de trabajo con los valores normalizados tenemos

De la ecuación de Shockley tenemos el valor de ID
1.75v 2
I D = 20mA * (1 − ) = 10.034mA
6v
De la ecuación 1 despejamos el valor de VDS
V DS = −VDD + I D * ( RD + RS )
VDS = −20V + 10.034mA * (1KΩ + 200Ω) = −7.95v
El punto de trabajo es el siguiente Q = (−7.95v,−10.034mA)
Simulación

3.3 Autopolarización en DC para transistores de MOSFET (inducción) canal N
Circuito propuesto
VDD
R1
C1 Q1
NEMOS
C2
1kHz
+
R2
RS
Vo

VDD
V DS = 9v
I D = 10mA
R1
I DSS = 20mA
Q1
NEMOS VGS (TH ) = 5v
I D ( encendido ) = 3mA
R2
RS VGS ( encendio ) = 10v
V DD = 20v

VDD − VDS = I D * RS ...........1
De esta ecuación hallamos el valor de RS
V DD − V DS
RS =
ID
20v − 9v
RS = = 1.1KΩ
10mA
Normalizando el valor de RS = 1.1KΩ

Tomando en cuenta la ecuación de drenaje para MOSFETs de tipo incrementales
I D = k * (VGS − VGS (TH ) ) 2

ID
VGS = − VGS (TH )
k
El valor de k esta dado por
I D ( encendido)
k=
(VGS ( encendido) − VGS (TH ) ) 2
3mA
k= = 0.00012 A / V 2
(10v − 5v) 2

10mA
VGS = − 5v = 4.13v
0.00012 A / V 2
Tomando las ecuaciones características del divisor de tensión
R2
VG = * V DD ..........2
R1 + R2
R1 * R2
RG = .............3
R1 + R2
Por otro lado hallando el valor de VG
VG = VGS + I D * RS ..........4
VG = 4.13v + 10mA * 1.1KΩ = 15.13v
Y de la ecuación 2 despejando R1 tenemos
R2 *VDD − VG * R2
R1 =
VG
Si tomamos una resistencia R2 = 100 KΩ
Tenemos:
100 KΩ * 20v − 15.13v *100 KΩ
R1 = = 32.187 KΩ
15.13v
Normalizando el valor es R1 = 33KΩ
Replanteando los valores del punto Q tenemos
De la ecuación 2 halando el valor de VG
100 KΩ
VG = * (20v) = 15.037v
220 KΩ + 100 KΩ

De la ecuación 4 despejando ID tenemos

VG − VGS
ID =
RS
15.037v − 4.13v
ID = = 9.92mA
1.1KΩ
De la ecuación 1 despejamos VDS
VDS = 20v − 9.92mA * 1.1KΩ = 9.092v
El nuevo punto Q con las resistencias normalizadas es Q = (9.092v,9.92mA)
Simulación

4. Amplificación con transistor Bipolares
*** Diseñe un amplificador para obtener una ganancia de voltaje de AV = 150, impedancia de
entrada ZIN = 1.5KΩ, impedancia de salida ZOUT =3.3K Ω. Determine los valores de las
resistencias y elija el transistor adecuado.
+V
RC
R1
Cc
Q1
Ce
Cb R2 10kHz
Re RL
Primero planteamos las ecuaciones de los parámetros de Av , Ai, Zi, Zo
Tenemos el siguiente circuito equivalente para corriente alterna
BIb
ien
iL
Vi RE hie RC RL
ib
De la grafica donde se esta utilizando el modelo hibrido EC tomando que la corriente en

la resistencia de entrada es ien + (1 + β )ib en el siguiente análisis se supone que β es mucho
mayor a 1 entonces permite sustituir β por 1 + β entonces:
vi = RE * (ien + βib ) ......................1
Y también
vi = −ib * hie …………………………..2
Sustituyendo ib de la ecuación 2 en la 1 tenemos

βvi
vi = RE * (ien − )
hie
Combinando términos y resolviendo para Ren se obtiene
RE
Ren =
R *β
1+ E
hie
hie * RE
Ren =
hie + RE * β
Como hie ≈ β * hib
Entonces tenemos
β * hib * RE
Ren =
β * hib + RE * β
Simplificando β
hib * RE
Ren = ………..3
hib + RE
Ahora hallando la ganancia de corriente

Donde de la definición tenemos
iL − βib RC
Ai = = * ……………4
ien ien RC + RL
Del análisis anterior tenemos

vi i *R
ib = − = − en en
hie hie
Remplazando la ecuación 3 en la anterior ecuación
vi i * RE
ib = − = − en
hie β (hib + R E )
Esta ecuación reemplazando en la ecuación 4

β ien * R E RC
Ai = * *
ien β (hib + R E ) RC + R L
Simplificando la ecuación y tomando el criterio de que hib << RE se obtiene la forma corta e
la ecuación
RC
Ai = ……………….5
RC + RL
Hallando la ganancia de voltaje tenemos

RL RC RL
Av = Ai * = *
Ren RC + RL hib * RE
hib + RE
Simplificando la ecuación y tomando el criterio de que hib << RE se obtiene la forma corta e
la ecuación
RC * R L
Av = ……………….6
hib ( RC + R L )
La impedancia de salida esta dado por
Z O = RC
De los datos de entrada tenemos el valor de RC = 3.3KΩ
Tomando una corriente de colector de I C = 2mA
Y como I C ≈ I E
De la siguiente ecuación hallamos el valor de hib
25mV 25mV
hib = = = 12.5Ω
IE 2mA
Y tomando la ganancia pedida de Av = 150 con la ecuación 6 obtenemos el valor de RL
1
RL =
1 1
−
Av * hib RC
1
RL = = 4.342 KΩ
1 1
−
150 * 12.5Ω 3.3KΩ
Normalizando tenemos RL = 4.7 KΩ
Para hallar los valores de las otras resistencias del circuito equivalente de corriente continúa
VCC
VCC − VCE = I C * RC + I E * RE ……..A
Y como
IC ≈ I E
RC
R1 Ic Entonces la ecuación A se convierte en
VCC − VCE = I C * ( RC + *RE )
IB De esta ecuación despejando RE
+
VB Q1
VEC VCC − VCE
NPN RE = − RC
- IC
+
E
VB
RE El valor de RE es
-
R2
15v − 7v
RE = − 3.3KΩ = 700Ω
2mA
Normalizando tenemos RE = 620Ω
Con el valor de la resistencia encontramos la caída de voltaje en la resistencia RE ya que:

VE = I C * RE
VE = 2mA * 700Ω = 1.4v
Entonces la caída en VB es: B
VB = VBE + VE
VB = 0.7v + 1.4v = 2.1v
Y hallando el valor de la corriente IB y tomando criterios de diseño para poder hallar el valor
B
de las resistencias R1 y R2 donde:

IC
IB =
β
2mA
IB = = 10uA
200
Para hallar el valor de R2 utilizamos la siguiente ecuación
VB
R2 =
10 * I B
2.1v
R2 = = 21KΩ
10 *10uA
Normalizado el valor R2 = 20 KΩ
Para hallar el valor de R1 tenemos la siguiente ecuación

VCC − VB
R1 =
11* I B
15v − 2.1v
R1 = = 117.27 KΩ
11*10uA
Normalizando tenemos R1 = 120 KΩ
a) Calcular la máxima excursión del voltaje de entrada y salida.

Para poder calcular la máxima excursión de salida y entrada tenemos que hallar el
nuevo punto de trabajo
Entonces con las ecuaciones características del divisor de tensión tenemos
R1 * R2
RB =
R1 + R2
120 KΩ * 20 KΩ
RB = = 17.14 KΩ
120 KΩ + 20 KΩ
Y para el voltaje equivalente VB B
R2
VB = *VCC
R2 + R1
20 KΩ
VB = *15v = 2.14v
120 KΩ + 20 KΩ
De la malla de entrada tenemos la siguiente ecuación

RB
VB − VBE = I CQ * ( RE + )
β
De la ecuación despejamos el valor de I CQ donde

VB − VBE
I CQ =
R
RE + B
β
2.14v − 0.7v
I CQ = = 2.04mA
17.14 KΩ
620Ω +
200
Y también hallando VCEQ de la ecuación de la malla de salida
VCC = VCEQ + ( RC + RE ) * I CQ
Entonces
VCEQ = VCC − ( RC + RE ) * I CQ
VCEQ = 15v − (3.3KΩ + 620Ω) * 2.04mA = 6.98v
La línea de carga de ca se interfecta en el eje en
V 'CC = VCEQ + I CQ * Rca
Donde
RC * RL
Rca =
RC + RL
3.3KΩ * 4.7 KΩ
Rca = = 1.94 KΩ
3.3KΩ + 4.7 KΩ
Entonces reemplazando en la ecuación anterior tenemos

V 'CC = 6.98v + 2.04mA *1.94 KΩ = 10.93v
Y
V 'CC
I 'C =
Rca
10.93v
I 'C = = 5.64mA
1.94 KΩ
Se debe notar que el punto Q se encuentra por debajo de la linea de carga ya que
I CQ = 2.04mA y el centro está en 5.64 mA / 2 = 2.82mA por lo tanto con la siguiente ecuación se
obtiene la exurción pico a pico sin distorsión de la tensión de salida
RL * RC
vo( p − p ) = 2 * ( I CQ − 0.05 * I 'C )( )
RL + RC
Remplazando valores tenemos
4.7 KΩ * 3.3KΩ
vo( p − p ) = 2 * (2.04mA − 0.05 * 5.64mA)( ) = 6.81v
4.7 KΩ + 3.3KΩ
Y para la maxima excursión de entrada tenemos

vo( p − p )
AV =
vi( p − p )
vo( p − p ) 6.81v
vi( p − p ) = = = 45mv
AV 150
b) Calcular AV, AI, ZI y ZO, después de adoptar los valores normalizados de las
resistencias.
Para halar la ganancia de voltaje utilizamos la ecuación 6
RC * R L
Av =
hib ( RC + R L )
Donde:
26mV
hib = = 12.74Ω
2.04mA
Entonces
3.3KΩ * 4.7 KΩ
Av = = 152.65
12.74(3.3KΩ + 4.7 KΩ)
Para hallar el valor de la ganancia de corriente utilizando la ecuación 5 tenemos
RC
Ai =
RC + RL
3.3KΩ
Ai = = 0.41
3.3KΩ + 4.7 KΩ
Para hallar la impedancia de entrada tenemos

hib * R E
Zi =
hib + R E
12.74 * 680
Zi = = 12.5Ω
12.74 + 680
La impedancia de salida es la siguiente
Z O = RC
Z O = 3.3KΩ
La impedancia de salida observada desde la resistencia de carga es la siguiente
RC * R L
ZO =
RC + R L
3.3KΩ * 4.7 KΩ
ZO = = 1.93KΩ
3.3KΩ + 4.7 KΩ

c) Dibujar las rectas de carga AC y DC sobre las características V-I mostrando

claramente los puntos de operación estático y dinámico.
De la ecuación de salida
VCC = VCEQ + ( RC + RE ) * I CQ
Se puede obtener las intersecciones con los ejes
Primero si IC=0
Entonces VCC = VCE = 15v
Y si VCE = 0
VCC
Entonces I C =
RC + R E
15v
I CQ = = 3.76mA
3.3KΩ + 680Ω
De los valores obtenidos en el inciso a tenemos la siguiente grafica
ic(mA)
5.64mA
-1/(RC//RL)
3.76 mA
Punto de trabajo Q
-1/(RC+RE)
ICQ=2.04mA
VCE=6.98v 10.93v VCC=15v vCE(V)

d) Calcule la estabilidad del circuito.

1+ β
S I CBO =
dI
1− β * B
dI C
V B = I B * RB + VBE + ( I B + I C ) * RE
V B − V BE − I C * R E
IB =
RB + RE
dI B RE
=−
dI C RB + RE
1+ β
S I CBO =
RE
1+ β
RB + RE
1 + 200
S I CBO = = 25.18
620Ω
1 + 200
17.14 KΩ + 620Ω
concluimos que para toda variación de I CBO en el transistor por variación térmica, la
corriente de colector varia 25.18 veces la variación
e) Calcule la ganancia eliminando el capacitor de derivación de la base.
Nota.- Todos los capacitares son de 10uF electrolíticos para 30V.
Para calcular la ganancia eliminando el capacitor tenemos el siguiente circuito
equivalente

De la grafica con loa mismos criterios ya mencionados tenemos

vi = RE * (ien + βib ) ......................e.1
Y también
vi = −ib * (hie + RB ) …………………………..e.2
Sustituyendo ib de la ecuación e.2 en la e.1 tenemos
βvi
vi = R E * (ien − )
hie + R B
Combinando términos y resolviendo para Ren se obtiene
RE
Ren =
R *β
1+ E
hie + RB
( hie + R B ) * R E
Ren =
hie + R B + R E * β
Ahora hallando la ganancia de corriente

Donde de la definición tenemos
iL − βib RC
Ai = = *
ien ien RC + RL
Del análisis anterior tenemos
vi i * Ren
ib = − = − en
hie + R B hie + R B
Remplazando la ecuación de Ren en la anterior ecuación
ien * R E
ib = −
β (hib + R E ) + R B
Esta ecuación reemplazando en la ecuación de la ganancia de corriente

β ien * R E RC
Ai = * *
ien β ( hib + R E ) + R B RC + R L
Simplificando la ecuación y tomando el criterio de que hib << RE y RB << βRE se obtiene la
forma corta e la ecuación
RC
Ai =
RC + RL
Hallando la ganancia de voltaje tenemos

RL RC RL
Av = Ai * = *
Ren RC + R L hib + R B / β
Reemplazando los valore tenemos
3.3KΩ 4.7 KΩ
Av = * = 19.69
3.3KΩ + 4.7 KΩ 12.75 + 17.14 KΩ / 200

Simulación de la polarización del circuito
Simulación de la ganancia de voltaje del circuito con el capacitor C1 conectado

Se puede observar que la ganancia de de voltaje esta dado por toda la amplitud de la
señal
3v
AV = = 151.51
19.8mv
Que es la ganancia pedida por el ejercicio.
Cuando se retira el capacitor de la base se tiene la siguiente ganancia
Para hallar la ganancia con los valore picos de cata señal tenemos
211mv
AV = = 20.31
9.9mv
Que es la amplitud hallada en los cálculos

5. Amplificación con transistor Unipolar FET

Diseñe un amplificador que tenga una ganancia de tensión de AV = -10, una ganancia de
corriente de AI = 100, una impedancia de entrada de ZI = 200KΩ y una impedancia de salida de
ZO = 3.5KΩ. Para el mismo utilice el siguiente circuito como referencia.
+V
RD
CD
CG
V3 Q2
-1m/1mV
S1
10kHz RL
RG RS CS
Determinando su circuito equivalente que es el siguiente
De la grafica tenemos las siguientes ecuaciones suponiendo que rds es mucho mayor
comparado con RD // RL
v gs = vi − RS * iD = vi − RS g m vgs
Despejando v gs
vi
vgs =
1 + RS g m
La tensión de salida vo esta dada por
− ( RD // RL ) * g m vi
vO = −id * ( RD // RL ) =
1 + RS g m
Y la ganancia de voltaje esta dada por

vO − g m * ( RD // RL )
AV = = ………….1
vi 1 + RS * g m
La impedancia de entrada esta dada por
Z i = RG ………..2
Y la ganancia de corriente esta dada por
iO AV * Z i
Ai = =
ien RL
− ( RD // RL ) Z i − RG RD
Ai = = ………..3
RS + 1 / g m RL RS + 1 / g m RD + RL
Y la impedancia de salida esta dada por
Z O = RD …………..4
De la ecuación 4 hallamos el valor de la resistencia RD
Z O = RD = 3.5KΩ
Normalizando RD = 3.9 KΩ
Para hallar el valor de la resistencia RE determinados su circuito equivalente en corriente
continúa
VDD Tomando los datos siguientes

R D = 3. 3 K Ω
V DD = 15v
RD ID g m = 3.5mΩ −1
V DS = 7.9v
I D = 2mA
+
Q1
NJFET VDS
D
G
S
-
+
S
VG
-
RG RS

VDD = VDS + I D * ( RS + RD )
De esta ecuación despejamos RS
VDD − VDS
RS = − RD
ID
15v − 7.9v
RS = − 3.5 KΩ = 50Ω
2mA
Normalizando RS = 47Ω
Con este valor en la ecuación 1 y despejando el valor de RL
1
RL =
1 1
−
AV * ( RS + 1 / g m ) RD

1
RL = = 67.3KΩ
1 1
−
10 * (47 + 1 / 3.5mΩ −1 ) 3.5KΩ
Normalizando RL=68Kohm
a) Calcular la máxima excursión del voltaje de entrada y salida.

Para la máxima excursión de salida utilizamos la ecuación
vO ( p − p ) = 2 * I DQ * ( RD // RL )
3.5KΩ * 67.3KΩ
vO ( p − p ) = 2 * 2mA * ( ) = 13.3v
3.5KΩ + 67.3KΩ
Y la máxima excursión de entrada tenemos
vO ( p − p )
AV =
vi ( p − p )
vO ( p − p )
vi ( p − p ) =
AV
vO ( p − p ) 13.3v
vi ( p − p ) = = = 1.33v
AV 10
b) Calcular AV, AI, ZI y ZO, después de adoptar los valores normalizados de las
resistencias.
Utilizando la ecuación 1 para hallar el valor de la ganancia de voltaje tenemos
vO − g m * ( RD // RL )
AV = =
vi 1 + RS * g m
− 3.5mΩ −1 * (3.9 KΩ // 68KΩ)
AV = = −11.085
1 + 47 * 3.5mΩ −1
La ganancia de corriente esta dado por
− ( RD // RL ) Z i − RG RD
Ai = =
RS + 1 / g m RL RS + 1 / g m RD + RL
− 200 KΩ 3.9 KΩ
Ai = −1
= 32.6
47 + 1 / 3.5mΩ 3.9 KΩ + 68KΩ
La impedancia de entrada esta dada por
Z i = RG
Z i = 200 KΩ
La impedancia de salida esta dada por
Z O = RD = 3.9 KΩ
c) Dibujar las rectas de carga AC y DC sobre las características V-I mostrando
claramente los puntos de operación estático y dinámico.
Para dibujar las rectas de carga primero calculamos los siguientes valores
V 'DD = VDSQ + I DQ * Rca
Donde
Rca = RE + RC // RL

Remplazando valores tenemos

Rca = 47Ω + 3.9 KΩ // 68KΩ = 3.735KΩ
Entonces el valor de V’DD es
V ' DD = 7.9v + 2mA * 3.735 KΩ = 15.37v
Y la corriente es I’C
V 'DD 15.37v
I 'C = = = 4.11mA
Rac 3.735KΩ
Y para la recta de carga de continua es
De la ecuación de salida
VDD = VDSQ + ( RD + RS ) * I DQ
Se puede obtener las intersecciones con los ejes
Primero si IC=0
Entonces V DD = VDS = 15v
Y si VCE = 0
V DD
Entonces I D =
R D + RS
15v
I DQ = = 3.8mA
3.9 KΩ + 47Ω
De los valores obtenidos en el inciso a tenemos la siguiente grafica

d) Analizar el circuito si se añade un Condensador en la Fuente, en paralelo a Rs.

Nota.- Todos los capacitares son de 20uF electrolíticos para 30V.
Para realizar solo usamos la ecuación simplificada de la ganancia de tención

AV = − g m * ( RD // RL )
AV = −3.5mΩ −1 * (3.9 KΩ // 68KΩ) = 13
Simulación
De la polarización del transistor
De la ganancia de voltaje

La ganancia de voltaje esta dado por

1v
AV = − = 10.17v
98.3mV
Que es el valor pedido del amplificador

La simulación con el capacitor de la resistencia RS
La ganancia de voltaje esta dado por

1.2v
AV = − = 12.28v
97.7 mV
Que es el valor calculado con el capacitor de desacoplo
6. Amplificador con transistor Unipolar MOSFET

Diseñe un amplificador MOSFET DC siendo RL=150Ω Ai=130, IDQ=8mA, VGSQ=1,5V,
VDSQ=6,3V, Rin=200K Ω y gm=3 mS, VDD=18V Determinar Av y el valor de todas las resistencias
del circuito, adoptando los valores normalizados de las resistencias para los que se debe
calcular el punto de trabajo y la ganancia de tensión del amplificador. Utilice la topología de
polarización con divisor de tensión a la entrada.
SOLUCION
Circuito planteado
VDD
R1
C1
Q1
NDMOS
C2
1kHz
R2 RS
R3
150
Hallando su circuito equivalente en corriente continua tenemos
VDD
Y los datos son los siguientes
RL = 150Ω
R1 ID
Ai = 150
I DQ = 8mA
IG Q1 + VGSQ = 1.5v
NDMOS VDS
VDSQ = 6.3v
-
+
S
Rin = 200 KΩ
VG
R2
-
RS g m = 2.9mS
VDD = 18v
IG=0

VDD = VDSQ + I DQ * RS ………………1

De esta ecuación despejamos RS

VDD − VDSQ
RS =
I DQ
18v − 6.3v
RS = = 1.4 KΩ
8mA
Normalizando RS = 1.5 KΩ
Y por las ecuaciones de polarización por divisor de tensión tenemos
R1 * R2
RG = ............A
R1 + R2
Y
R2
VG = VDD ..........B
R1 + R2
Por otro lado tenemos
VG = VGS + I D * RS
VG = 1.5 + 8mA *1.4 KΩ = 13.2v
Y tomando como Rin=RG
Despejando de la ecuación B el siguiente termino
R2 V
= G
R1 + R2 VDD
Esto reemplazando el A tenemos la siguiente ecuación
VG
RG = * R1
VDD
De esta ecuación despejamos el valor de R1

RG *VDD
R1 =
VG
200 KΩ *18v
R1 = = 272.72 KΩ
13.2v
Para el valor de la resistencia R2 de la ecuación A despejando este valor tenemos
RG * R1
R2 =
RG − R1
280 KΩ * 200 KΩ
R2 = = 750.055KΩ
280 KΩ − 200 KΩ

Relazando el circuito equivalente

gmVgs
+ +
RS RL Vo
Vi RG Vgs
- -
Del circuito tenemos las siguientes ecuaciones

vgs = vi − g m * ( RS // RL ) * vgs
De la cual se obtiene
vi = vgs *[1 + g m * ( RS // RL )]
La tensión de salida es
vO = g m * ( RS // RL ) * v gs
La ganancia de tensión esta dada por
vO g m * ( RS // RL ) RS // RL
AV = = =
vi 1 + g m * ( RS // RL ) RS // RL + 1 / g m
Entonces reemplazando los valores tenemos
1.5KΩ // 150
AV = = 8.333
1.5KΩ // 150 + 1 / 2.9mS
Replanteando el punto de trabajo del transistor
De la ecuación
R2
VG = VDD
R1 + R2
Hallamos el valor de VG
750 KΩ
VG = 18v = 13.23v
270 KΩ + 750 KΩ
Y de la siguiene ecuación obtenemos el valor de ID
VG = VGS + I D * RS
V − VGS
ID = G
RS
13.23v − 1.5v
ID = = 7.82mA
1.5KΩ

De la ecuación
VDD = VDS + I D * RS
Despejamos el valor de VDS
VDS = 18v − 7.82mA * 1.5KΩ = 6.27v
Simulación
Para observar la polarización tenemos

La ganancia del circuito podemos observarlo como

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Universidad Mayor de San Andrés Electrónica I

Carrera de Ingeniería Electrónica

1. Polarización de transistores Bipolares.

1.1 Circuito de polarización fija en BC para transistores NPN

Circuito Equivalente Para Corriente Continua

De la malla de salida tenemos:

Aux.: ARIEL MARCOS CONDO MERLO I/2007

De la malla de entrada tenemos:

Tomando el criterio de que

Aux.: ARIEL MARCOS CONDO MERLO I/2007

La estabilidad del circuito esta dado por la ecuación

Replanteando el punto de trabajo con los valores ya normalizados tenemos:

De la ecuación 1 despejando VCE :

El nuevo punto de trabajo es Q = (13.41v,2.888mA)

1.2 Polarización Colector a base en EC para transistores PNP

Aux.: ARIEL MARCOS CONDO MERLO I/2007

Circuito Equivalente de Corriente Continúa

Tomando el circuito de salida tenemos

De la ecuación 1 reemplazando RE despejando RC

Aux.: ARIEL MARCOS CONDO MERLO I/2007

Replanteando el punto de trabajo con los valores ya normalizados tenemos:

Aux.: ARIEL MARCOS CONDO MERLO I/2007

1.3 Auto polarización en CC para transistor PNP

Aux.: ARIEL MARCOS CONDO MERLO I/2007

Circuito Equivalente de Corriente Continúa

Tomando el circuito de salida tenemos

Aux.: ARIEL MARCOS CONDO MERLO I/2007

La resistencia equivalente RB esta dado por

Reemplazando valores tenemos

Reemplazando en la ecuación de estabilidad

Replanteando el punto de trabajo con los valores ya normalizados tenemos:

Aux.: ARIEL MARCOS CONDO MERLO I/2007

El nuevo punto de trabajo es Q = (−12.143v,−2.91mA)

Aux.: ARIEL MARCOS CONDO MERLO I/2007

2. Polarización de transistores Unipolares FET.

Calcule las resistencias para el circuito de polarización fija en GC para transistores de

2.1 Polarización fija en GC para transistores FET de canal P

El equivalente en corriente continua es el siguiente:

De la malla de salida tenemos la siguiente ecuación

Reemplazando los valores tenemos:

Replanteando los puntos de trabajo tenemos de la ecuación 2 tenemos

Aux.: ARIEL MARCOS CONDO MERLO I/2007

2.2 Polarización drenador compuerta en SC para transistores FET de canal N

Circuito equivalente para corriente continúa

De la malla de salida tenemos

Aux.: ARIEL MARCOS CONDO MERLO I/2007

Replanteando el punto de trabajo con los valores normalizados tenemos

2.3 Autopolarización en DC para transistores FET de canal P

Circuito equivalente para corriente continúa

De la malla de salida tenemos la siguiente ecuación

De esta ecuación despejamos VGS

Aux.: ARIEL MARCOS CONDO MERLO I/2007

Aux.: ARIEL MARCOS CONDO MERLO I/2007

3.1 Polarización fija en GC para transistores MOSFET (deflexión) de canal N

Circuito equivalente para corriente continua es

Los datos son los siguientes

De la malla de salida tenemos la siguiente ecuación

Aux.: ARIEL MARCOS CONDO MERLO I/2007

De la malla de entrada tenemos

Reemplazando los valores tenemos:

Replanteando los puntos de trabajo tenemos de la ecuación 2 tenemos

Aux.: ARIEL MARCOS CONDO MERLO I/2007

3.2 Polarización Drenador a Compuerta en SC para transistores MOSFET (deflexión)