Problema examen de Septiembre de 2014

𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐹𝐶

𝑅𝑃

Se trata de un problema análogo al de Julio, pero ahora se utiliza una fuente de

corriente de wildar con transistores PMOS y el amplificador está configurado en Base
Común. La corriente generada por el espejo se inyecta en la base del transistor. El
transistor lleva su base a tierra para señales a través del condensador C1 y es excitado
por emisor a través del condensador C2, siendo su salida el colector que aparece sin
carga externa.

a) Punto de operación de los tres transistores 𝒈𝒎 de 𝑴𝟏 y 𝑴𝟐 𝒈𝒎 𝒚 𝒈𝝅 𝒅𝒆 𝑸.

El espejo de wildar con transistores PMOS funciona de la mima manera que con
los NMOS. Para tratarlos analíticamente cambiaremos las corrientes de sentido y los
subíndices de las tensiones con el fin de tratar a las ecuaciones de la misma manera
que los NMOS. Igualmente a la tensión umbral 𝑉𝑇𝑂 le cambiaremos el signo. Es decir,
trabajaremos en el primer cuadrante. Calculemos la corriente que inyecta la fuente de
wildar en la base del transistor. Observemos que las fuentes de los transistores están
conectadas al potencial más positivo. La resistencia de Polarización de la fuente de
wildar 𝑅𝑃 está conectada al drenador del transistor M1 y la corriente espejo sale por el
drenador del transistor M2 hacia la base del transistor.

 Espejo de corriente:

Corriente fuente-drenador que circula por los dos transistores PMOS:

𝑉𝐹𝐶 − 𝑉𝑆𝐺 = 𝑅𝑃 · 𝐼𝑟𝑒𝑓 (1)

𝑉𝐹𝐶 −𝑉𝑆𝐺
𝐼𝑟𝑒𝑓 = 𝑅𝑃
(2)
 Para determinar la corriente de referencia del espejo, hemos de calcular la
tensión fuente-puerta (común) de los transistores PMOS. Para ello supondremos que
están saturados:
𝛽𝑝
𝐼𝑟𝑒𝑓 = (𝑉𝑆𝐺 − 𝑉𝑇𝑂 )2 (3)
2

Resolviendo las dos ecuaciones simultáneas (1) y (3):

Sustituyendo (3) en (1) para eliminar 𝐼𝑟𝑒𝑓 tenemos:

𝛽𝑝
𝑉𝐹𝐶 − 𝑉𝑆𝐺 = 𝑅𝑃 · (𝑉𝑆𝐺 − 𝑉𝑇𝑂 )2 (4)
2

De donde extraemos la ecuación de segundo grado en 𝑉𝐺𝑆 :

2 1 2 2·𝑉𝐹𝐶
𝑉𝑆𝐺 + 2( − 𝑉𝑇𝑂 ) · 𝑉𝑆𝐺 + 𝑉𝑇𝑂 − =0 (5)
𝑅𝑃 ·𝛽𝑝 𝑅𝑃 ·𝛽𝑃

Sustituyendo datos:

2
1 2 · 7𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
𝑉𝑆𝐺 + 2( − 1𝑉𝑜𝑙𝑡) · 𝑉𝑆𝐺 + (+1𝑉𝑜𝑙𝑡)2 − =0
200000Ω · 10 · 10−6 𝐴⁄ 200000Ω · 10 · 10−6 𝐴⁄𝑉 2
𝑉2
2
𝑉𝑆𝐺 − 𝑉𝑆𝐺 − 6 = 0 (6)

De donde:
1±√(1)2 −4·(−6) 3.0 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
𝑉𝑆𝐺 = ={ (7)
2 −2.0 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠

La tensión 𝑉𝑆𝐺 debe ser positiva y mayor que la tensión umbral. Por lo que
debemos descartar la solución negativa. 𝑉𝑆𝐺 = 3.0𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠.
Calculemos la corriente de referencia según (2):

𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝑆𝐺 7𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠−3.0𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠

𝐼𝑟𝑒𝑓 = 𝐼𝑆𝐷 = = = 20𝑢𝐴 (8)
𝑅𝑃 200000Ω

Según (3) debemos obtener la misma (es bueno hacerlo para comprobar si nos hemos
equivocado en algún cálculo):

𝛽𝑝 10·10−6 𝐴⁄ 2
𝐼𝑟𝑒𝑓 = (𝑉𝑆𝐺 − 𝑉𝑇𝑂 )2 = 𝑉
· (3𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠 − 1𝑉𝑜𝑙𝑡)2 = 20𝑢𝐴 (9)
2 2
Dibujemos el circuito equivalente para continua:

RC
1k

IM2 Vc
VFC
7 Ic

Vbe VCC
Vb 5

Ve
IM2 = Ib

RE
100

La corriente de base es igual a la corriente inyectada por la fuente de corriente:

𝐼𝐵 = 𝐼𝑟𝑒𝑓 = 𝐼𝑀2 (10)

Ecuaciones de Mallas:
Entrada:
𝑉𝐹𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐸 · 𝑅𝐸 (11)
Salida:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 𝐼𝐶 · 𝑅𝐶 + 𝐼𝐸 · 𝑅𝐸 (12)

Para conocer la corriente de colector y la tensión colector-emisor es necesario

saber a qué tensión se encuentra el nodo de base. Si la corriente de base es conocida,
y es conocida la β del transistor podemos conocer la corriente de colector y la corriente
de emisor:
𝐼𝐶 = 𝛽𝐷𝐶 · 𝐼𝐵 = 100 · 20 · 10−6 𝐴 = 2𝑚𝐴 (12)

𝐼𝐸 = (𝛽𝐷𝐶 + 1) · 𝐼𝐵 = (100 + 1) · 20 · 10−6 𝐴 = 2.02𝑚𝐴 (13)

Tensión en el nodo de emisor:

𝑉𝐸 = 𝑅𝐸 · 𝐼𝐸 = 100 · 2.02 · 10−3 𝐴 = 0.202 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 (14)
Tensión en el nodo de base (suponiendo que el transistor esté en modo activo normal
𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠):

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 = 0.7𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠 + 0.2 = 0.9𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 (15)

La tensión en el nodo de colector es:

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 · 𝐼𝐶 = 5𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠 − 1000Ω · 2.0 · 10−3 𝐴 = 3 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 (16)
Entonces la tensión colector-emisor será:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 3𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 − 0.202 = 2.798𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 (17)

El transistor se encuentra en modo activo normal porque esta tensión es mayor

que 0.2 Voltios y no llega a alcanzar el valor de la pila.
Para comprobarlo con certeza solo tenemos que analizar las tensiones en las
uniones: 𝑉𝐵𝐸 y 𝑉𝐵𝐶 . La tensión base emisor es positiva (polarización directa) y la tensión
colector base es: 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 = 0.9𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 − 3𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 = −2.1𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 (polarización inversa).
Por tanto el transistor está en modo activo normal.
Finalmente calculemos las conductancias de los transistores:

𝑔𝑚𝑀1𝑀2 = 𝐺𝑀𝑀 = √2 · 𝛽𝑛 · 𝐼𝐷𝑆 = √2 · 10 · 10−6 𝐴⁄𝑉 2 · 20 · 10−6 𝐴 = 20𝑢𝐴/𝑉𝑜𝑙𝑡 (18)

𝐼𝐶𝑄 2·10−3 𝐴 𝑚𝐴
𝑔𝑚𝑄 = 𝐺𝑀𝑄 = 𝑉𝑇
= 25.85·10−3 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠 = 77.4 𝑉𝑜𝑙𝑡 (19)

1 𝑔 77.4·10−3 𝐴⁄𝑉
𝑔𝜋 = 𝑅𝑃𝐼 = 𝛽 𝑚𝑄 = 100
= 774𝑢𝑚ℎ𝑜𝑠 (20)
𝐴𝐶_𝑄

1
𝑅𝑃𝐼 = 𝑔 = 1292Ω (21)
𝜋

Resumen:

Punto de polarización del transistor Q: 𝑄(𝑉𝐶𝐸 , 𝐼𝐶 ) = 𝑄(2.798𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠, 2𝑚𝐴)

Punto de polarización del transistor M1 y M2: 𝑀(𝑉𝑠𝑔 , 𝐼𝑆𝐷 ) = 𝑀(3𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠, 20𝑢𝐴)

Tensión drenador-fuente M1: 𝑉𝑆𝐷_𝑀1 = 𝑉𝑆𝐺_𝑀1 = 3𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠

Tensión drenador-fuente M2: 𝑉𝑆𝐷_𝑀2 = 𝑉𝐹𝐶 + 𝑉𝐵 = 7𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠 − 0.9𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 = 6.1𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠

𝑔𝑚 de M1 y M2: 𝑔𝑚 = 𝐺𝑀𝑀1−𝑀2 = 20𝑢𝐴/𝑉𝑜𝑙𝑡

𝑚𝐴
𝑔𝑚 de Q: 𝑔𝑚𝑄 = 77.4 𝑉𝑜𝑙𝑡
1
𝑔𝜋 de Q: 𝑔𝜋 = 𝑅𝑃𝐼 = 774𝑢𝑚ℎ𝑜𝑠
1
RPI de Q: 𝑅𝑃𝐼 = 𝑔 = 1292Ω
𝜋
 𝒗𝒐
b) Ganancia en tensión a frecuencias intermedias 𝑨𝑽 = ⁄𝒗𝒊 :

Dibujemos el modelo de pequeña señal considerando el modelo en ‘T’ en el que

hemos suprimido la resistencia de salida RO suponiendo que RO>>>:

Iin Iout
RS Vin=Vbe E C

ic=Alpha·ie
rE=RPI/(BETAAC+1) ic=GM·Vbe
Vi RE rE=Alpha/GM RC
Vout
Vin

B
0

𝑣𝑜𝑢𝑡 𝑅𝐶 ·𝑖𝑜𝑢𝑡 𝑅𝐶 ·𝐺𝑀·𝑣𝑏𝑒

𝐴𝑉 = = = = 𝑅𝐶 · 𝐺𝑀 (22)
𝑣𝑖𝑛 𝑣𝑖𝑛 𝑣𝑏𝑒

Particularizando:

𝐴𝑉 = 𝑅𝐶 · 𝐺𝑀 = 1000Ω · 77.4 · 10−3 𝐴⁄𝑉 = 77.4 (23)

c) Frecuencia de corte a bajas frecuencias:

El modelo de pequeña señal a bajas frecuencia es:

RS C2 E C

1u

RE rE RC

Vi
B

IM=Ib C1
1u

Cortocircuitamos las fuentes de tensión y abrimos las fuentes de corriente. Para

estudiar el corte en bajas ponemos todos los condensadores en cortocircuito menos el
que queremos estudiar.
 Resistencia thevening desde C1:

RS E C

rE
RE rE RC

B C1

RS RE

C1
1u

𝑅𝑃𝐼 1292Ω
𝑟𝐸 = 𝛽 = 100+1 = 12.79Ω (24)
𝐴𝐶 +1

𝑅𝑇𝐻_𝐶1 = 𝑟𝐸 + 𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐸 = 12.7Ω + 50Ω ∥ 100Ω = 46Ω (25)

Frecuencia en Hertzios del polo asociado a C1:

1 1
𝑓𝐶1 = 2𝜋·𝑅 = 2𝜋·46Ω·1·10−6 𝐹 = 3460𝐻𝑧 (26)
𝑇𝐻_𝐶1 ·𝐶1

Resistencia thevening desde C2:

RS C2 E C

1u

RE rE RC

RE rE
B C2

RS

𝑅𝑇𝐻_𝐶2 = 𝑅𝐸 ∥ 𝑟𝐸 + 𝑅𝑆 = 100Ω ∥ 12.79Ω + 50Ω = 61.3Ω (27)

Frecuencia en Hertzios del polo asociado a C1:

1 1
𝑓𝐶2 = 2𝜋·𝑅 = 2𝜋·61.3Ω·1·10−6 𝐹 = 2596𝐻𝑧 (28)
𝑇𝐻_𝐶2 ·𝐶2

Frecuencia de corte en bajas:

𝑓𝑐𝐿 = 𝑓𝐶1 + 𝑓𝐶2 = 3460𝐻𝑧 + 2596𝐻𝑧 = 6056𝐻𝑧 (29)