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El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de

salida en respuesta a una señal de entrada.1Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador

El transistor de Efecto de Campo

Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la base de
los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto
de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión.
Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es
proporcional a la tensión aplicada a la entrada. Características generales:

 Por el terminal de control no se absorbe corriente.

 Una señal muy débil puede controlar el componente
 La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico

Se empezaron a construir en la década de los 60. Existen dos tipos de transistores de

efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unión) y los MOSFET. Los
transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su
aplicación más frecuente la encontramos en los circuitos integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S,
Source), y Drenaje (D, Drain). Según su construcción pueden ser de canal P o de canal
N. Sus símbolos son los siguientes:

Símbolo de un FET de canal N Símbolo de un FET de canal P

CURVA CARACTERÍSTICA

Los parámetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente

figura:
Parámetros de un FET de canal N Parámetros de un FET de canal P

La curva característica del FET define con precisión como funciona este dispositivo. En
ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:

 Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la
tensión VGS.
 Zona de saturación.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el
FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la
tensión que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.
 Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones típicas: Surtidor común
(SC), Drenador común (DC) y Puerta común (PC). La más utilizada es la de surtidor
común que es la equivalente a la de emisor común en los transistores bipolares.

Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentra en la

amplificación de señales débiles.

CARACTERÍSTICAS DE SALIDA
Al variar la tensión entre drenador y surtidor varia la intensidad de drenador
permaneciendo constante la tensión entre puerta y surtidor.
En la zona óhmica o lineal se observa como al aumentar la tensión drenador surtidor
aumenta la intensidad de drenador.
En la zona de saturación el aumento de la tensión entre drenador y surtidor produce
una saturación de la corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando
este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona.
La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula.
La zona de ruptura indica la máxima tensión que soportará el transistor entre
drenador y surtidor.

Es de destacar que cuando la tensión entre puerta y surtidor es cero la intensidad de

drenador es máxima.

CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA

Indican la variación entre la intensidad de drenador en función de la tensión de puerta.

HOJAS DE CARACTERíSTICAS DE LOS FET

En las hojas de características de los fabricantes de FETs encontrarás los siguientes

parámetros (los más importantes):

 VGS y VGD.- son las tensiones inversas máximas soportables por la unión PN.
 IG.- corriente máxima que puede circular por la unión puerta - surtidor cuando
se polariza directamente.
 PD.- potencia total disipable por el componente.
 IDSS.- Corriente de saturación cuando VGS=0.
 IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unión puerta -
surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso.
Ejercicios ley de faraday

¿Qué intensidad debe tener una corriente para que deposite 85

gramos de calcio en dos horas?

(Datos: Ca = 40 ; F = 96 500 C/mol)

SOLUCIÓN

Usamos la ley de Faraday:

Despejamos la intensidad de la ecuación anterior:

Sustituimos teniendo en cuenta que las unidades deben estar

expresadas en S.I:
Calcular la intensidad de corriente eléctrica necesaria para depositar 24
gramos de hierro en una solución de cloruro de Fe (III) en 20 minutos

m=It
I= m/ t
I = m F nº de oxidación/ M t
24gramos 96500C/seg 3 = 103,4A
56g 1200segundos
3.- Calcular el tiempo en horas, que deberá transcurrir para que se depositen 356g
de cobre en una solución de cloruro de Cu (II) por la que asa una corriente de 150
amperes

I = m F nº de oxidación/ M t
Despejamos tiempo
t=m F nº oxidación/ MI

t= 356g 96500C.2/63,5g. 150ª= 7200segundos =2 horas Ampere=C/seg

calcular el equivalente químico del calcio en el óxido de calcio CaO, del cobre en
el sulfato de cobre (II) (CuSO4) y del hidrógeno en el agua.
Eq(Ca)= 40 gramos/2=20g

Eq(Cu) = 63,5g/2= 31,75g

Eq(H)= 1g/1=1g

1.- A través de una solución de cloruro de CU(II) se hace circular una corriente
de 2,5A durante 15 minutos . ¿Cuál será la masa de cobre depositada?
m=CuIt

(Cu)= masa/F nº de oxidación

63,5g/ 96500 Cx2

Masa= 63,5g/ 96500 Cx2 .2,5Ampere 900 seg