UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARIA

INGENIERIA MECANICA, MECANICA ELECTRICA Y

MECATRONICA

Circuitos electrónicos I

DOCENTE: ING. CHRISTIAN G. COLLADO OPORTO

ALUMNOS: CONDORI BEDOYA RODRIGO

ENRIQUEZ CORNEJO GIANFRANCO
JUAREZ ALVAREZ JOSÉ
TRIVEÑO LUQUE ANDRÉ

GRUPO: 01
 Transistor BJT

OBJETIVOS
 Determinar los parámetros eléctricos de conductividad de un transistor.
 Determinar las características físicas y eléctricas de un transistor BJT
 Analizar las características de transistores BJT
 Calcular la curva de los transistores BJT

MARCO TEÓRICO

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio
o silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en
cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C)
y emisor
(E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de
transistor.

Transistor NPN Transistor PNP

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una

cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregará por otra (emisor), una cantidad
mayor a ésta, en un factor que se llama amplificación. Este factor se llama b (beta) y es un dato
propio de cada transistor.
Entonces:

 Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de amplificación) por Ib
(corriente que pasa por la patilla base).
 Ic = β * Ib
 Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, sólo que, la corriente
en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de él, o viceversa.

Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc),
pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver
figura 1.
En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a más
corriente la curva es más alta

Regiones operativas del transistor

Región de corte: Un transistor esta en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación
del circuito (como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, Ley de Ohm). Este
caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito
y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande
como para inducir una corriente de colector β veces más grande. (Recordar que Ic = β * Ib)

Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte

entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector
(Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente de un
amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector
y emisor). Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador.

CUESTIONARIO PREVIO
1. ¿Qué tipos de transistores existen según su tecnología de fabricación? Explique.
Transistor de contacto puntual
Consta de una base de germanio semiconductor, sobre la que se apoyan, muy juntas,
dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es
capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector.
Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar
las puntas) y ruidoso, en la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unión bipolar
El transistor de unión, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio o Silicio,
que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como
los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan
en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP,
quedando formadas dos uniones NP.
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto campo es una familia de transistores que se basan en el campo
eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los
FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de
semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la
región activa o canal.
Los transistores de efecto de campo más conocidos son los JFET, MOSFET y MISFET
Fototransistor
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base,
generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de
conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia
propio del transistor.
Disipadores de calor
Un disipador es un componente metálico generalmente de aluminio que se utilizan para
evitar que los transistores bipolares se calienten y se dañen.
 Por ello una manera de aumentar la potencia de un transistor es deshacerse
del calor interno del encapsulado.

2. ¿Qué materiales se utilizan en la fabricación de transistores? Indique sus características.

Los transistores suelen construirse de Ge o de Si según la técnica usada. Los transistores de

aleación prácticamente se usan sólo con el Ge, debido en gran parte a su temperatura de
fusión mucho más baja que la del Si.
3. ¿Qué curvas características nos permiten explicar el funcionamiento del transistor?

Las curvas características más empleadas en la práctica son las que relacionan VBE con IB
y VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes.

4. ¿En su estructura, en qué se diferencian los transistores PNP y NPN?

En el transistor NPN se aplica una corriente positiva a la unión base-emisor, y entonces por
el efecto amplificador del transistor se obtiene una corriente mayor entre colector-emisor.

En un transistor PNP las tensiones y los sentidos de corriente se invierten. La corriente seria
negativa para base-emisor (o la tensión entre base y emisor seria negativa), y la corriente
entre colector y emisor seria negativa ( es decir el circuito debería tener una alimentación con
positivo al emisor, y el negativo hacia el colector después de pasar por la carga.

EQUIPOS Y MATERIALES
 Protoboard
 Resistencias
 Transistor BC548
 Miliamperímetro DC
 Voltímetro DC
 Fuente DC

PROCEDIMIENTO
Identificación del transistor

Identifique los terminales del transistor BJT

Seleccione la escala de prueba de Diodos en el DMM

Conectar los terminales del DMM con el transistor de acuerdo a la tabla 1. Registrar la lectura
del DMM.
Tabla 1.

Terminal Rojo (+) Terminal Negro (-) Lectura del DDM

1 2 Sin lectura
2 1 7.4
1 3 Sin lectura
3 1 Sin lectura
2 3 7.39
3 2 Sin lectura
Identificar las características del Transistor en la siguiente tabla
Tabla 2.

Terminal Base 2
Terminal Colector 3
Terminal Emisor 1
Tipo del Transistor NPN
Material del Transistor Ge

Esquema

1. Mediante el multímetro, obtenga las siguientes características del transistor: deducción del tipo
de transistor (NPN o PNP en los BJT), configuración de cada patilla y  (hFE).

2. Para ello, encontrar cuál es la situación de los diodos y su polaridad. Una vez conocida la
correspondencia de cada patilla, colocar adecuadamente en el multímetro para medir  en el
caso de un BJT. De esta forma se puede deducir si se trata de un PNP, de un NPN si son
BJTs.

3. Utilizando la hoja de datos analizar las siguientes características del transistor: tipo de
transistor, configuración de cada patilla, potencia máxima, VCE máxima, IC máxima,  (hFE) y
frecuencia de corte.

4. En el circuito, T1= BC548B; Vref= 15V; Rb1= 4.7K; Rb2 = 5M; Rc1= 100 y Rc2 =10K.
Se requiere ajustar Rb2 de tal manera que IB alcance los 25uA. A continuación se varía Rc2
de forma de V CE sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la corriente I C.

Vce = 0 V Vce = 0.5 V Vce = 1 V Vce = 1.5 V

Ib= 25uA Ic= 1.3 mA 8.1 mA 8.3 mA 8.3 mA
Ib= 50uA Ic= 3.7 mA 15.2 mA 16 mA 16.4 mA
Ib= 75uA Ic= 1.3 mA 10.2 mA 23.5 mA 24 mA
Ib= 125uA Ic= 1.3 mA 16.9 mA 33.6 mA 37.3 mA

5. Grafique Vce vs Ic.

 40

35

30

25

20

15

10

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6

25 uA 50 uA 75 uA 125 uA

6. Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el multímetro, repitiendo el proceso para I B
igual a 50uA, 75uA y 125uA. Grafique Vce vs Ic para cada caso.

Características del Colector

a. Construya el circuito de la fig 2.

b. Fijar el voltaje VRB a 3.3V variando el potenciómetro de 1M. Esto fijará IB = VRB/RB a 10A
como se indica en la Tabla 3.
c. Luego fijar VCE a 2V variando el potenciómetro de 5K como se indica en la primera línea de la
Tabla 3.
d. Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 3.
e. Variar el potenciómetro de 5K parta incrementar V CE de 2 V hasta los valores que aparecen
en la Tabla 3.
Notar que IB es mantenida a 10A en los diferentes niveles de VCE.

f. Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala de mV para VBE.
g. Repita los pasos B hasta F para todos los valores indicados en la Tabla 3. Cada valor de
VRB establecerá un nivel diferente de IB para la secuencia de valores de VCE.
h. Después de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de IC = VRC / VC y el valor de
IE = Ic + IB. Use los valores medidos de Rc.
i. Usando los datos de la Tabla 3, dibuje la curva característica del transistor en la fig. 3 La
curva es I C vs. VCE para los diferentes valores de IB Seleccionar una escala adecuada para
Ic e indique cada valor de IB.

Vrb (V) Ib(uA) Vce (V) Vrc (V) Ic (mA) Vbe (V) Ie (mA) α β
(medido) (calculado) (medido) (medido) (calculado) (medido) (calculado) (calculado) (calculado)
3.3 10 2 0.53 0.265 0.54 10.265 0.025815879 0.0265
3.3 10 4 0.62 0.155 0.54 10.155 0.015263417 0.0155
3.3 10 6 0.8 0.133333333 0.54 10.13333333 0.013157895 0.013333333
3.3 10 8 2.21 0.27625 0.56 10.27625 0.026882374 0.027625
3.3 10 10
3.3 10 12
3.3 10 14 FUERA DE RANGO
3.3 10 16

6.6 20 2 1.14 0.57 0.56 20.57 0.027710258 0.0285

6.6 20 4 1.31 0.3275 0.56 20.3275 0.016111179 0.016375
6.6 20 6 1.72 0.286666667 0.56 20.28666667 0.014130792 0.014333333
6.6 20 8 6.63 0.82875 0.58 20.82875 0.039788754 0.0414375
6.6 20 10
6.6 20 12 FUERA DE RANGO
6.6 20 14

9.9 30 2 1.79 0.895 0.57 30.895 0.028969089 0.029833333

9.9 30 4 2.07 0.5175 0.57 30.5175 0.016957483 0.01725
9.9 30 6 2.73 0.455 0.57 30.455 0.014940076 0.015166667
9.9 30 8
9.9 30 10
FUERA DE RANGO

13.2 40 2 2.47 1.235 0.58 41.235 0.029950285 0.030875

13.2 40 4 2.857 0.71425 0.58 40.71425 0.017542998 0.01785625
13.2 40 6 3.8 0.633333333 0.58 40.63333333 0.015586546 0.015833333
13.2 40 8 FUERA DE RANGO

16.5 50 2 3.19 1.595 0.58 51.595 0.030913848 0.0319

16.5 50 4 3.69 0.9225 0.58 50.9225 0.018115764 0.01845
16.5 50 6 4.93 0.821666667 0.59 50.82166667 0.016167645 0.016433333
16.5 50 8 FUERA DE RANGO

2.5

1.5

0.5

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

10 20 30 40 50
Variación de α y β

Para cada línea de la Tabla 3. Calcule los niveles correspondientes de α y β usando las siguientes
ecuaciones:

α= Ic/Ie
β= Ic/Ib

CUESTIONARIO FINAL

1. La gráfica Vce vs Ic ¿qué características tiene? ¿las intersecciones con el eje “x” e “y”, que
representan?

Su característica es que representa niveles, de acuerdo a la intensidad de la base, la

intersección con el eje y representa saturación y la del eje x representa corte.

2. ¿Qué diferencias encuentras entre las gráficas para 25,50, 75 y 125 uA?
Las alturas a las que llegan, ya conforme aumenta la intensidad, también aumentan los
valores en “y” de las gráficas.

3. ¿Cuándo se dice que un transistor está en corte?

Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus otros terminales; se
dice entonces que el transistor está en corte.

4. ¿Cuándo se dice un transistor está en saturación? ¿se logra en la práctica?

El transistor está en saturación cuando la corriente en la base es muy alta; en ese caso se
permite la circulación de corriente entre el colector y el emisor y el transistor se
comporta como si fuera un interruptor cerrado, lo cual si se logra en la práctica.

CONCLUSIONES
- Es importante tener en cuenta los puentes indicados para los potenciómetros por el esquema
del circuito.
- Se debe tener cuidado de usar el transistor que indica el circuito, ya que de usa otro, se
podrían obtener resultados incorrectos.
- Se requiere de orden al momento de arma el circuito ya que un error de conexión podría
causar algún daño a los equipos a utilizar.
- La práctica se realizó con éxito y se pudieron comprobar las diferentes características de los
transistores.