UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO

FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES CUAUTITLÁN

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA
SECCION ELECTRÓNICA

INGENIERÍA EN TELECOMUNICACIONES, SISTEMAS Y ELECTRÓNICA

Laboratorio de Dispositivos y Circuitos Electrónicos

Grupo: 1509D

ACTIVIDADES PREVIAS A LA PRÁCTICA NO. 7

PROFESORA: PETRA MEDEL ORTEGA

ALUMNO: JORGE EDUARDO SUÁREZ GALLARDO

Fecha de entrega: 26 de octubre de 2017

Semestre:2018-1
 1. El alumno deberá leer la práctica de laboratorio.
2. Calcule y dibuje el circuito equivalente π del transistor, para una IB = 40µA, T=25°C y β = 180, para
los diferentes valores de VCE de la tabla 7.1. Aplicando las formulas necesarias proporcionadas en
la introducción.
El Circuito a analizar es el de la figura 7.2. Los valores de V1 = 5V y V2 = VCE. Y tomando la mayor
resistencia del potenciómetro de 5kΩ. El circuito equivalente del mismo, se presenta en la figura 7.2.1

Para la malla 1, aplicando la Ley de Ohm Para calcular rπ

Ic = (VBB - VBE) /(RB/β) rπ = (kT/q|IB|)
Ic = (1.25 V-0.7V)/(3.75kΩ/180) = 26.4mA rπ = (1.381 x 10-23 J/K)(298.15K)/(1.6 x 10-19C)(40µA)
= 643Ω

Para calcular gm
gm = (q/kT) x |Ic|
gm = 1.6 x 10-19 C / (1.381 x 10-23 J/K)(298.15K) x 26.4mA = 1.05 mhos

y el circuito equivalente π del transistor queda como en la figura 7.3

Para los siguientes valores de VCE de las tablas, se tienen los mismos valores de gm, rπ, Ic, ya que en la
malla 2 solo se modifica el valor de VCE. Las figuras 7.4, 7.5, 7.6 y 7.7 representan los demás valores de VCE
de la tabla.