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SENAI – “Serviço Nacional de Aprendizagem


Industrial”
Centro de Formação Profissional
“AFONSO GRECO”

ELETRÔNICA

Praça Expedicionário Assunção, 168 – Bairro Centro


Nova Lima – MG – CEP: 34.000-000
Telefone: (31) 3541-2666

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Presidente da FIEMG
Olavo Machado

Gestor do SENAI
Petrônio Machado Zica

Diretor Regional do SENAI e

Superintendente de Conhecimento e Tecnologia


Lúcio Sampaio

Gerente de Educação e Tecnologia


Edmar Fernando de Alcântara

Organização

Magno Estevam Vieira Junior

Unidade Operacional

Centro de Treinamento de Ouro Branco

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ELETRÔNICA.....................................................................Erro! Indicador não definido.


APRESENTAÇÃO ..................................................................................................................... 4
1.SEMICONDUTORES – PRINCÍPIO BÁSICO ................................................................... 5
1.1 Diodos – Silício e Germânio .............................................................................................. 6
1.2 Diodos zenner e a região de polarização negativa. ............................................................. 9
2 RETIFICADORES A DIODO ............................................................................................. 11
2.1 Circuitos Retificadores de Meia Onda ............................................................................. 13
2.2 Retificador Center Tape – onda completa ........................................................................ 14
2.3 Circuito em Ponte – Onda Completa - Carga Resistiva ................................................... 18
2.4 Resumo das Características dos Retificadores ................................................................. 21
2.5 Filtros em Retificadores de Meia Onda - Carga RC........................................................ 21
2.6 Regulador de tensão com Zener. ...................................................................................... 23
2.7 Regulador de tensão com CI – circuito integrado ............................................................ 25
3. TRANSISTORES – PRINCÍPIO BÁSICO; ...................................................................... 27
3.1 O transistor como chave ................................................................................................... 28
3.2 Ponto quiescente do transistor .......................................................................................... 29
3.3 Circuitos com transistores ................................................................................................ 30
3.4 Configuração Darlington .................................................................................................. 33
4. LÓGICA DIGITAL.............................................................................................................. 34
4.1 Álgebra de boole ............................................................................................................... 34
4.2 Circuitos digitais com transistores .................................................................................... 35
4.3 Portas lógicas básicas (AND, OR, NAND, NOR, EXOR, EXNOR). .............................. 36
5. AMPLIFICADOR OPERACIONAL ................................................................................. 44
6. CONVERSOR ANALÓGICO E DIGITAL ...................................................................... 50
6.1 Conversores D/A .............................................................................................................. 50
6.2 Conversores A/D .............................................................................................................. 54
7. TIRISTORES ........................................................................................................................ 57
7.1 O SCR ............................................................................................................................... 57
7.2 Triac .................................................................................................................................. 62
7.3 Diac................................................................................................................................... 63
7.4 UJT Transistor unijunção ................................................................................................. 64
8. BIBLIOGRAFIA .................................................................................................................. 67

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APRESENTAÇÃO

“Muda a forma de trabalhar, agir, sentir, pensar na chamada sociedade do


conhecimento. “
Peter Drucker

O ingresso na sociedade da informação exige mudanças profundas em todos os


perfis profissionais, especialmente naqueles diretamente envolvidos na produção,
coleta, disseminação e uso da informação.

O SENAI, maior rede privada de educação profissional do país,sabe disso , e


,consciente do seu papel formativo , educa o trabalhador sob a égide do conceito da
competência:” formar o profissional com responsabilidade no processo
produtivo, com iniciativa na resolução de problemas, com conhecimentos
técnicos aprofundados, flexibilidade e criatividade, empreendedorismo e
consciência da necessidade de educação continuada.”

Vivemos numa sociedade da informação. O conhecimento , na sua área tecnológica,


amplia-se e se multiplica a cada dia. Uma constante atualização se faz necessária.
Para o SENAI, cuidar do seu acervo bibliográfico, da sua infovia, da conexão de suas
escolas à rede mundial de informações – internet- é tão importante quanto zelar pela
produção de material didático.

Isto porque, nos embates diários,instrutores e alunos , nas diversas oficinas e


laboratórios do SENAI, fazem com que as informações, contidas nos materiais
didáticos, tomem sentido e se concretizem em múltiplos conhecimentos.

O SENAI deseja , por meio dos diversos materiais didáticos, aguçar a sua
curiosidade, responder às suas demandas de informações e construir links entre os
diversos conhecimentos, tão importantes para sua formação continuada !

Gerência de Educação e Tecnologia

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1. SEMICONDUTORES – PRINCÍPIO BÁSICO


Os materiais podem ser classificados em 03 (três) tipos:
 condutores
 isolantes
 semicondutores

Condutores:
Dizemos que um material é condutor, quando os elétrons são fracamente ligados
ao núcleo e ao serem submetidos a uma diferença de potencial passam a se
locomover no interior do material.
Podemos citar como exemplo o ouro, a prata, o cobre e outros.

Isolantes:
Dizemos que um material é isolante, quando os elétrons se encontram fortemente
presos em suas ligações, evitando a circulação desses elétrons.
Podemos citar como exemplo, a borracha, a mica, a porcelana, etc.

Semicondutores:
Dizemos que um material é semicondutor se sua resistência se encontra entre a
dos condutores e a dos isolantes.
Os principais semicondutores utilizados são:
 Silício (Si)
 Germânio (Ge)
A principal característica dos semicondutores é a de possuir 04 (quatro) elétrons
em sua última camada, camada de valência. Isto permite aos átomos do material
semicondutor a formação entre si de ligações covalentes.

Cristais semicondutores
Dizemos que uma substância é cristalina se ela possui uma estrutura cúbica, tendo
seus átomos ocupando os vértices desse cubo.
O silício (Si) e o germânio (Ge) apresentam-se sob a forma cristalina, significando que
seus átomos acham-se dispostos uniformemente em uma configuração periódica.

Dopagem do semicondutor
Chama-se dopagem de um semicondutor, o processo utilizado para construir
elementos P e
N, através da mistura ao silício (Si) ou germânio (Ge) de quantidades reduzidas de
impurezas
de elementos trivalentes ou pentavalentes.

Semicondutor tipo N
Se introduzirmos na estrutura cristalina de um semicondutor uma pequena quantidade
de um material pentavalente, por exemplo, antimônio (Sb), tendo este 05 (cinco)
elétrons na camada de valência, haverá a sobra de 01 (um) elétron do antimônio (Sb)
que não formará ligação covalente.

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O átomo do antimônio (Sb) que deu esse elétron chamamos de doador. O silício (Si)
ou germânio (Ge) dopados com elementos pentavalentes são chamados de tipo N,
sendo um material negativo.
Os portadores de carga no material tipo N, são os elétrons.

Semicondutor tipo P
Se introduzirmos na estrutura cristalina de um semicondutor uma pequena quantidade
de um material trivalente, por exemplo, índio (ln), tendo este 03 (três) elétrons na
camada de valência, faltará um elétron.
Essa falta de elétron comporta-se como uma carga positiva que chamamos de lacuna.
Os semicondutores dopados com elementos trivalentes são chamados do tipo P, e ao
elemento trivalente da dopagem chamamos de aceitador.
Os portadores de carga no material tipo P são as lacunas.

Portadores de cargas
A condutividade de um semicondutor depende do número de portadores de carga,
elétrons ou lacunas, dependendo da dopagem. Outro fator que influi na condutividade
é a temperatura.
Este fator contribui para o rompimento da ligação covalente, dando origem a elétrons
e lacunas à medida que a temperatura aumenta. No material tipo N os elétrons da
dopagem mais os surgidos pelo rompimento das ligações são chamados de
portadores majoritários, pois existem em maior quantidade no material. E as lacunas
surgidas no material tipo N, devido ao rompimento das ligações, chamadas de
portadores minoritários.
No material tipo P os portadores majoritários são as lacunas e os portadores
minoritários são os elétrons:

1.1 Diodos – Silício e Germânio


Junção PN
Se unirmos um material do tipo P a um material do tipo N, de maneira a construirmos
um único cristal, esta junção será denominada de junção PN ou diodo de junção. Sua
grande utilidade reside em deixar passar uma dada corrente em apenas um sentido.
Sendo esta corrente alternada, que flui em dois sentidos, passa a fluir em um só
sentido. A esta operação chamamos de retificação.
Na figura abaixo, representamos uma junção PN não polarizada.

Figura 1.1 Diodo semicondutor


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p.12.

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O material N apresenta um grande número de elétrons (portadores majoritários) e o


material
P um grande número de lacunas (portadores majoritários). Haverá difusão através da
junção, ou seja, alguns elétrons começam a aparecer nas proximidades do material P
e algumas lacunas, nas proximidades do material N, causando a recombinação
(ocupação de uma lacuna por um elétron ) entre esses portadores e uma
neutralização de cargas (um elétron se anula com uma lacuna).

Quando um elétron e uma lacuna se encontram, suas cargas individuais neutralizam-


se e isto deixa o átomo da impureza carregado. Os átomos das impurezas são fixos.
O átomo que produzir o elétron tem agora uma lacuna e se carrega positivamente, e o
átomo que produziu a lacuna tem um elétron e se carrega negativamente, e são
chamados de íons. Com isto aparecerá um campo elétrico entre o material P e o
material N e uma diferença de potencial chamada de barreira de potencial ou região
de carga espacial ( camada de depleção ).
Depleção significa diminuição ou ausência e, neste caso, esta palavra corresponde à
ausência de portadores majoritários na região próxima à junção PN .

Diodos retificadores

Um díodo é um componente de larga utilização na eletrônica.

Antigamente os díodos eram válvulas (um componente com o aspecto de uma


lâmpada). Quando hoje se fala em díodos estamos normalmente a referir-nos ao
díodo semicondutor, que é completamente diferente, embora funcione da mesma
maneira, sendo embora muito menor. As figuras seguintes mostram o aspecto de dois
tipos de díodo.

Figura 1.2 Diodo semicondutor


Fonte: RICA componentes eletônicos.

As suas dimensões são pequenas, com cerca de 1 cm de comprimento.

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O gráfico a seguir mostra a corrente em função da tensão aplicada em um diodo de


junção para o caso de diodo de silicio (Si)

Podemos notar que o gráfico tem 3 regiões:

1. Região de polarização direta: vd > 0

2. Região de polarização reversa: vd<0

3. Região de ruptura: vd< -VBK

Figura 1.3 Gráfico do Diodo semicondutor


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p.14.

O retificador mais simples que existe é o diodo (confeccionado com material do tipo
semicondutor), que permite a passagem de corrente elétrica num só sentido; esse
retificador é chamado "retificador de meia-onda" e resulta num sinal de corrente
contínua pulsante, como mostra a figura abaixo

Figura 1.4 Formas de onda de entrada e de saída de um circuito retificador.


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p.12.

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1.2 Diodos zenner e a região de polarização negativa.

Diodos Zener são diodos projetados para operar na região de ruptura, onde
grandes variações de corrente produzem pequenas variações de tensões desta
forma permitindo que se construa um regulador de tensão. A figura1a mostra o
símbolo e a figura1b a curva característica mostrando a região de operação.

(a) (b)
Figura 1.5 ( a ) símbolo do diodo Zener ( b ) curva característica
Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p.16.

A região de trabalho do diodo Zener está compreendida entre Izmin (menor


corrente que mantém a regulagem) e Izmáx (máxima corrente antes de ocorrer a
destruição do componente). Associado aos valores de corrente acima temos os
valores de tensão (que são muito próximos). A tensão nominal é a tensão de
especificação (Vznom). Outra especificação importante é a máxima potencia que o
Zener pode dissipar (Pzmáx) a qual está relacionada com a tensão
aproximadamente por :

Pzmáx=Vznom.Izmáx (visto que Vznom é aproximadamente igual a Vzmáx).

Em geral podemos estimar Izmin por:

Izmin=Izmáx/10 e IZmáx = PZmáx/Vnom

Os valores de potência mais conhecidos são: 0,25W - 0,5W - 1W - 5W - 10W-


50W.

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Os valores de tensão Zener estão compreendidos entre 3,3V e 75V.

Exemplos de Zeners comerciais: 1N4729A para 3,6V - 1N4730A para 3,9V -


1N4735A para 6,2V
Se escolhermos o 1N4735A de 1W a máxima corrente que ele pode conduzir é
Izmax=1W/6,2V = 161mA e a mínima aproximadamente 16mA

LED – Diodo Emissor de luz,


Utilizado para sinalização de circuitos eletrônicos. Quando polarizado diretamente
produz luz, quando polarizado reversamente comporta-se como um diodo comum.
Veja o símbolo e a ilustração abaixo:

Figura 1.6 Simbologia do Diodo e fotografia de Diodos comerciais.


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p.18.

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2 RETIFICADORES A DIODO
Valor Médio de Tensão e Corrente de um Sinal periódico

Para compreender o significado de valor médio, lançaremos mão de um exemplo,


para em seguida, aplicarmos a definição de valor médio para as grandezas corrente e
tensão.
Consideremos um automóvel que apresenta sua velocidade em função do tempo,

km/
h
100
66,7

min
0 30 60 90

Figura 2.1 Simbologia do Diodo e fotografia de Diodos comerciais.


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p.19.

Velocidade Média:

Vm = ( 100 [km/h] x 0,5 [h] + 100 [km/h] x 0,5 [h] ) / 1,5 [h]
Vm = 66,7 [km/h]

Cálculo de valores médio de tensão e corrente para sinais periódicos:

e
i Vm = 0
temp Im = 0
o
e Vm = Vmax / 
i Im = Imax / 
temp
e o
Vm = 2.Vmax / 
i Im = 2.Imax / 
temp
o
Figura 2.2 Formas de onda retificadas e calculo de seu valor médio.
Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p.19.

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Valor Eficaz de Tensão e Corrente de um Sinal Periódico

Na figura abaixo, temos representada a forma de onda de uma corrente periódica


qualquer, sendo denotada genericamente por Ik.

Ik

temp
o
Figura 2.3 Senoide
Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p.19.

Esta corrente circulou através de uma resistência R durante um intervalo de tempo t,


dissipando por conseguinte uma potência P.
Fez-se circular pela mesma resistência R, durante o mesmo intervalo de tempo, uma
corrente contínua I, e dissipou-se a mesma potência P obtida no caso anterior.
O que se pode dizer, é que o valor efetivo da corrente periódica Ik, deve ser igual ao
valor da corrente contínua I, para que possamos obter nos dois casos o mesmo valor
de potência dissipada em R.
Ao valor efetivo da corrente Ik, denominamos de corrente RMS, ou simplesmente
corrente eficaz.

Cálculo de valores eficazes de tensão e corrente para sinais periódicos:

Ik Vm = Vmax / 2
Im = Imax / 2
temp
o
Ik Vm = Vmax / 2
Im = Imax / 2
temp
Ik o
Vm = Vmax / 2
Im = Imax / 2
temp
o
Figura 2.4 Grafico de tensões retificadas
Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p.20.

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2.1 Circuitos Retificadores de Meia Onda

VP + V RL V L
VS D

Figura 2.5 Circuito retificador de meia onda.


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p.21.

Quando tivermos no anodo do diodo, uma tensão positiva em relação a aplicada ao


catodo, ele passará a conduzir, e isto é o que ocorre durante o semiciclo positivo da
tensão secundária.
Durante este semiciclo, teremos corrente circulando pela carga, e no diodo teremos
uma queda de tensão que será da ordem de 0,7 volts quando for de material silício.
No próximo semiciclo negativo da tensão, o diodo não conduzirá, por estar
inversamente polarizado, estando seu anodo num potencial negativo em relação ao
catodo.
Dessa forma, neste meio ciclo, não haverá corrente circulando pela carga, e a tensão
existente no secundário do transformador ficará retida nos terminais do diodo.

VS
Vmax

Valor médio da tensão na carga


t
VD VL = Vmax / 

Valor médio da corrente na carga e


t no diodo

VL Id = Imax / 

Valor eficaz da tensão na carga


t
IL= ID Vef = Vmax / 2

Valor eficaz da corrente na carga e


no diodo
t

Figura 2.6 Formas de onda de um circuito retificador de Ief = Imax


meia /2
onda.
Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 21.

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O diodo a ser utilizado deverá ter as seguintes características:

1) Idc > Imax / 


2) VR > Vmax ou Vpico

2.2 Retificador Center Tape – onda completa


D1

VS VL RL
VP
1
VS
2
D2
Figura 2.7 Circuito retificador de onda completa
Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 22.

Inicialmente veremos como se comporta o secundário de um transformador com


ponto neutro

1 +

+ VS
1
A Ponto de observação
_
VS
_
2
2

Figura 2.8 Secundário do transformador Center Tape


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 22.

O observador verá em relação ao ponto A potencial + no ponto 1 e potencial negativo


no ponto 2. Quando muda a polaridade da tensão de entrada, o ponto 1 passa a ser
negativo e o ponto 2 positivo em relação ao ponto A, desta maneira a forma de onda
das tensões VS1 e VS2 será a representada a seguir

1 _

_ VS
1
A Ponto de observação
+ VS
+ 2
2

Figura 2.9 Secundário do transformador Center Tape


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 22.

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Podemos concluir que as formas de onda de V S1 e VS2 serão no domínio do tempo,


as apresentadas a seguir

VS
_ 2
+ t
1 0

VS + t
2 0 _  2

Figura 2.10 Formas de onda do transformador.


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 23.

Voltemos ao Retificador
D1

VS RL V L
VP
1
VS
2
D2

Figura 2.11 Circuito retificador de onda completa


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 23.

Quando VS1 estiver no semi ciclo positivo, o diodo D1 estará com seu anodo positivo
de tal maneira que conduzirá.
No mesmo instante em que VS1 é positivo, VS2 é negativo e este potencial está sendo
aplicado no anodo do diodo D2, que comportará como um circuito aberto, não
conduzindo.
Quando VS1 passa a ser negativo, este potencial é aplicado ao diodo D 1 que passa a
se comportar como circuito aberto. Neste mesmo instante o potencial de V S2 é
positivo e está sendo aplicado no anodo do diodo D2 que passará a conduzir.

D1

RL V L
VP

D2

Figura 2.12 Circuito retificador de onda completa


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 23.

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Pode-se notar que cada diodo conduz somente meio ciclo de onda, e sobre a carga a
corrente sempre circula em um mesmo sentido de tal maneira que temos na carga
tensão e corrente contínua pulsante.

É interessante observar que a tensão reversa sobre cada diodo é o dobro da tensão
de pico. Faremos um exemplo para ilustrar. Vamos supor que o valor da tensão de
pico de VS1 e VS2 sejam iguais a 100 V

1 D1 B
+ 100 + RL V L
V
A
V
VS1
S2 _
2 - 100
C
V D2

Figura 2.13 Circuito retificador de onda completa


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 24.

No instante em que o diodo D1 estiver conduzindo o diodo D2 estará cortado. A


tensão na carga é de 100 volts neste instante.
Notem que nos pontos 1, B e C o potencial, num dado instante é exatamente 100
volts positivos e está no catodo do diodo D2. O diodo D1 neste momento está
conduzindo, e comporta-se como um curto-circuito.
No mesmo instante, em que aparece 100 volts positivos no catodo D2, no anodo do
diodo comentando existe um potencial de – 100 volts.

D2
-100v +100
v
VR

Figura 2.14 Potenciais sobre o diodo D2


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 24.

Conclui-se que a tensão reversa sobre o diodo D2 neste instante é de 220 volts, o
dobro da tensão VS1 ou VS2.

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As formas de onda de tensão e corrente de um retificador de onda completa com


derivação central no transformador e carga resistiva são mostradas a seguir.

VS
1

VS2
t

ID1
t

ID2
t

VL
t

Figura 2.15 Formas de onda do circuito retificador de onda completa


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 25.

A tensão sobre a carga tem uma tensão contínua pulsante cujo valor médio é

Vdc = 2 . Vmax / 

E valor eficaz

Vef = Vmax / 2

Para se dimensionar os diodos necessitamos do valor médio da corrente direta que


circulará por eles e de sua tensão reversa máxima.
A forma de onda da corrente em cada diodo é de meia onda como mostra a figura a
seguir.

Figura 2.16 Formas de onda da corrente em cada diodo


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 26.

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Daí concluimos que: IDC = Imax / 

A tensão reversa sobre os diodos possui a forma a seguir

2
Vmax

Figura 2.17 Formas de onda da tensão reversa sobre os diodos


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 26.

VR = 2 Vmax, logo:

Corrente Média > Imax / 


Tensão Reversa Máxima > 2 Vmax

2.3 Circuito em Ponte – Onda Completa - Carga Resistiva


1
D1 D2
VS
VP

D4 D3
RL V L
2

Figura 2.18 Circuito retificador em ponte


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 26.

No instante em que temos VS positivo, ou seja ponto 1 positivo em relação ao ponto 2,


os diodos D2 e D4 conduzem fazendo com que circule uma corrente no circuito, no
sentido indicado na figura a seguir.

1
D2
VP + D1
D4
D3
RL V L
2

Figura 2.17 Circuito retificador em ponte


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 27.

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Quando VS inverte a polaridade, o ponto 1 será negativo em relação ao 2, e os diodos


D1 e D3 conduzem.
Uma vez conduzindo os diodos D1 e D3, propiciarão a circulação de uma corrente cujo
sentido é mostrado na figura a seguir
1
D2
VS
VP _ D1
D4
D3
RL V L
2

Figura 2.18 Circuito retificador em ponte


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 27.

É fácil verificar que mesmo VS mudando de polaridade a corrente na carga circula


sempre no mesmo sentido, isto é a corrente IL possui somente uma polaridade, ou
seja, esta corrente é contínua pulsante e consequentemente a tensão V L também o
será.

Tensão Reversa Sobre os Diodos

Quando VS é positivo, os diodos D2 e D4 conduzem. Na figura a seguir, estes diodos


estão representados como curto-circuito para que possamos analisar melhor o
circuito.
1
D2
VS
VP D1

D4 D3
RL V L
2

Figura 2.19 Circuito retificador em ponte


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 28.

Pode-se notar que os diodos D1, D3, o secundário do transformador e a carga R


estão em paralelo, polarizados inversamente e a tensão máxima que ficará sobre eles
é a tensão máxima fornecida pelo secundário do transformador.
Pode-se concluir que a tensão de pico reversa sobre os diodos terá o mesmo valor da
tensão máxima fornecida pelo secundário do transformador.

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Logo, para dimensionamento destes diodos deve-se considerar

Corrente média > Imax / 

Tensão Reversa máxima > Vmax

Formas de Onda para os circuitos em ponte


V Vmax
S
t

ID1 = I
D3
t
ID2 = I
D4
t
VD1 = V D3
t

VD2 = V D4
t

VL
t
Figura 2.20 Formas de Onda para os circuitos em ponte
Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 29.

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2.4 Resumo das Características dos Retificadores

½ OndaCenter Ponte
Tape
Tensão média na Vmax /  2Vmax /  2Vmax / 
carga Vdc
Tensão eficaz na Vmax / 2 Vmax / 2 Vmax / 2
carga Vef
Tensão Inversa sobre Vmax 2Vmax Vmax
os diodos VR
máxima

2.5 Filtros em Retificadores de Meia Onda - Carga RC

IT
IC IL
VE + _ C RL VL

Figura 2.21 Retificador de meia onda com filtro


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 32.

Sem o capacitor, a forma de onda da tensão na carga seria a seguinte:

Com o capacitor, temos:

tC tD

Figura 2.22 Carga e descarga de um capacitor.


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 32.

tC  tempo de carga do capacitor, é o tempo em que o diodo conduz e fornece carga


ao capacitor e ao resistor

td  é o tempo de descarga do capacitor, tempo em que o diodo não conduz pois, sua
tensão de catodo (fornecida pelo capacitor) é maior que sua tensão de anodo. O
capacitor mantém a corrente na resistência RL

Analisaremos agora a tensão reversa sobre o diodo. Considerar uma tensão de


entrada máxima de 100 volts.
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Observando o circuito, no semi-ciclo positivo, o diodo conduz e o capacitor se carrega


com tensão máxima de 100 volts.
No semi-ciclo negativo, no anodo do diodo (no instante em que temos a tensão
máxima do semi-ciclo negativo), passará a ter – 100 volts, e no catodo tem-se a
tensão do capacitor que ainda é de ordem de + 100 volts, de modo que a tensão
inversa de pico sobre o diodo é de 200 volts.

Devido ao semiciclo - 100 + 100


Tensão sobre o capacitor
negativo da onda de V V
entrada
Figura 2.23 Potenciais sobre o diodo.
Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 33.

Obs: Na escolha do diodo, este deve aguentar tensão inversa máxima maior que
2Vmax, onde Vmax é o valor da tensão de pico da onda de entrada.

Cálculo Aproximado da Tensão Média na Carga:

2CRf Vmax
Vdc =
1 + 2CRf

Filtros em Retificadores de Onda Completa – Carga RC


D1

Vmax C RL
VE
Vmax
Referência
D2
A tensão média sobre a carga
será:

4.CRf Vmax
Vdc =
 1 + 4CRf

Figura 2.24 Forma de Onda retificada do circuito Center tape com filtro.
Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 29.

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2.6 Regulador de tensão com Zener.

No circuito abaixo formado por um diodo zener polarizado reversamente pela fonte VE
e um resistor limitador de corrente, temos que:

Figura 2.25 Circuito regulador de tensão.


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 38.

A tensão VZ permanece constante para correntes entre IZmin e IZmax. Podendo o


diodo ser substituído pelo seu modelo ideal.

Figura 2.26 Modelo ideal do diodo zener


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 38.

Na especificação de um circuito regulador devemos nos preocupar em definir limites


para VE e RS de modo a não danificar o diodo.

Regulador de Tensão com Carga

As quatro aplicações básicas dos reguladores de tensão, são as seguintes:


• Estabilizar uma tensão de saída para uma carga fixa a partir de uma
tensão constante.
• Estabilizar uma tensão de saída para uma carga variável a partir de uma
tensão constante.
• Estabilizar uma tensão de saída para uma carga fixa a partir de uma
tensão com ripple.
• Estabilizar uma tensão de saída para uma carga variável a partir de uma
tensão com ripple.

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O primeiro caso seria o mais simples, por exemplo, se desejássemos alimentar um


aparelho de 4,5 V a partir de uma bateria de 12 V. O último caso é o mais geral,
geralmente o encontrado nas fontes de tensão com filtros capacitivos.
Basicamente, o projeto de um regulador de tensão com carga consiste no cálculo da
resistência limitadora de corrente RS conhecendo-se as demais variáveis do circuito:
• Tensão de entrada (constante ou com ripple)
• Carga (fixa ou variável)
• Tensão de saída esperada
• Especificações do diodo zener

Figura 2.27 Circuito regulador de tensão.


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 39.

Exemplo 1 - Determine RS do regulador de tensão acima para que uma fonte de


tensão de 12 V fixos alimente um circuito com carga constante de 1 kW e tensão de
5,6 V, usando um diodo zener de VZ=5,6V e IZmax=100mA..

• Solução: O resistor RS deve satisfazer as condições dadas pelas


especificações do diodo.
• Com a corrente mínima definimos o valor máximo para RS
• Com a corrente máxima definimos o valor mínimo para RS
• Definimos um valor comercial para RS dentro do intervalo estabelecido.
• Calculamos a potência dissipada pelo resistor.

Exemplo 2 - Uma fonte de alimentação foi projetada para alimentar uma carga de
560W com tensão de 15V. Porém o sinal de saída do filtro capacitivo corresponde a
uma tensão de 22V com ripple de 5Vpp. Determinar R S do regulador de tensão que
elimina o ripple desta fonte e estabiliza sua tensão em 15V.
• Solução: O resistor RS deve satisfazer as condições dadas pelas
especificações do diodo e pela variação da tensão de entrada..
• Com a corrente mínima definimos o valor máximo para RS. A corrente
mínima acontece para o valor mínimo de VE.
• Com a corrente máxima definimos o valor mínimo para R S. A corrente
máxima acontece para o valor máximo de VE.
• Definimos um valor comercial para RS dentro do intervalo estabelecido.
• Calculamos a potência dissipada pelo resistor.

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2.7 Regulador de tensão com CI – circuito integrado


O regulador de tensão mantêm a tensão de saída constante (estabilizada) mesmo
havendo variações na tensão de entrada ou na corrente de saída.

Figura 2.28 Circuito regulador de tensão.


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 41.

Os reguladores de tensão podem ser implementados com componentes discretos


ou podem ser obtidos na forma de circuito integrado (C I ). Os reguladores de tensão
na forma de C.Is
são mais precisos e tornam o circuito mais compacto pois ocupam menor espaço.

Tem-se vários tipos de reguladores de tensão, dentre os quais podemos citar os CIs
da série 78XX para tensão positiva e os da série 79XX para tensão negativa.

Figura 2.29 Circuito regulador de tensão.


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 42.

Nota: As funções dos pinos 1 e 2 da série 79XX são trocadas em relação à série
78XX
Nos reguladores 78XX, o pino 1 é a entrada e o pino 2 é o comum (ligado ao terra).
Nos reguladores 79XX, o pino 2 é a entrada e o pino 1 é o comum (ligado ao terra).
O pino 3 é a saída tanto para o 78XX quanto para o 79XX.

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Alguns exemplos de CIs reguladores de tensão


CI Tensão de CI Tensão de
saída saída
7805 + 5V 7905 -- 5V
7806 + 6V 7906 -- 6V
7812 + 12V 7912 -- 12V
7815 + 15V 7915 -- 15V
7824 + 24V 7924 -- 24V
Tabela 2.1

As características dos reguladores de tensão 78XX são:


Máxima tensão de entrada = 35 V
Tensão mínima de entrada é de aproximadamente 3V acima da tensão de saída
Máxima corrente de saída = 1 A
Máxima potência dissipada = 15 W ==> PD = (Vent -- Vsaída) . IL
IL é a corrente de saída.
Se PD for maior que 1W deve-se utilizar um dissipador ou radiador de calor para o
C.I.

Conversor de 12V para 5V com o C.I 7805.

Figura 2.30 Circuito regulador de tensão.


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 45.

RL é a resistência da carga (LOAD) ou o circuito eletrônico que está sendo


alimentado com 5V.
Os capacitores C1 e C2 eliminam ruídos de RF e dão maior estabilidade na tensão de
saída.

Considerando IL = 500 mA , tem-se uma potência dissipada no CI de:


PD = ( 12V -- 5V ).0,5 A => PD = 3,5W

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3. TRANSISTORES – PRINCÍPIO BÁSICO;


No estudo de diodo, analisamos uma junção PN. Para o transistor, estudaremos duas
junções.
Para cada junção do transistor, existirá uma barreira de potencial. Temos 02 (dois)
tipos de transistores, NPN e PNP, apresentando 03 (três) terminais: o emissor, a base
e o coletor, e duas junções: junção base-emissor e a junção base-coletor, conforme a
figura abaixo.

Figura 3.1 Transistor.


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 47.

Neste caso, o emissor composto de um material tipo N, tem a função de emitir


elétrons. O coletor, que também é de material tipo N, coleta os elétrons. A base,
formada por material tipo P, é a parte comum.

Os símbolos convencionados para o transistor são os seguintes:

Figura 3.2 Transistor NPN, PNP.


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 48.

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3.1 O transistor como chave

Uso do transistor como chave implica em polarizá-lo na região de corte ou de


saturação. Como o corte do transistor depende apenas da tensão de entrada, o
cálculo dos transistores é efetuado baseado nos parâmetros de saturação. Um
transistor comum, quando saturado, apresenta um VCE de aproximadamente 0,3V
e um ganho de valor mínimo (entre 10 e 50) para garantir a saturação. A corrente
de coletor de saturação depende da resistência acoplada ao coletor ou da corrente
imposta pelo projeto.

Exemplo No circuito a seguir, deseja-se que o Led seja acionado quando a chave
estiver na posição ON e desligado quando a chave estiver na posição OFF.

Parâmetros do transistor BC 548:

VBESAT=0,7V VCESAT=0,3V

ICMAX=200 mA VCEMAX=30V

b =20

Parâmetros do LED: VD=1,5V ID=25mA

Exemplo Um circuito digital (TTL) foi projetado para acionar um motor de 220V/
60Hz sob determinadas condições. Para tanto, é necessário que um transistor
como chave atue sobre um relé, já que nem o circuito digital, nem o transistor
podem acionar este motor. O circuito utilizado para este fim esta mostrado a
seguir.

Figura 3.3 Transistor como chave.


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 48.

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Neste circuito, em série com RC, coloca-se a bobina do relê. Esta bobina,
normalmente, apresenta uma resistência DC da ordem de algumas dezenas de
ohms. Por ser tão baixa, a resistência RC, tem a função de limitar a corrente no
transistor, para não danificá-lo. O diodo em paralelo com a bobina serve para
evitar que o transistor se danifique devido à tensão reversa gerada por ela no
chaveamento do relê.

Parâmetros do 2N2222:

VBESAT=0,7V VCESAT=0,3V b =10

ICMAX=500mA VCEMAX=100V

Parâmetros do relé:

RR=80W IR=50mA

3.2 Ponto quiescente do transistor


Ao polarizarmos o transistor devemos verificar os limites de operação do mesmo,
ou seja, a tensão máxima coletor-emissor (VCE máx), a corrente máxima de coletor
(IC máx), a tensão máxima base emissor (VBE máx ), a tensão máxima coletor-base
(VCB máx), a Potência máxima (PC máx) e a temperatura máxima. Se ultrapassarmos
estes limites, poderemos danificar o transistor ou fazê-lo trabalhar com distorções.
O ponto de operação de um transistor, também denominado ponto de trabalho ou
ponto quiescente, deve ser localizado na região de operação limitada pelos
valores máximos de tensão, corrente e potência.

Figura 3.4 Curva do Transistor.


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 50.

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Além da região de operação (região ativa), onde o transistor trabalha sem distorções,
devem ser levadas também em consideração as regiões de corte e de saturação. Na
região de corte, a\ tensão VBE é menor que VBE de condução, logo não haverá
corrente IB circulando, IC também será zero, e VCE estará com valor elevado. Na região
de saturação, a tensão VBE é um pouco maior que VBE de condução. Neste caso, a
corrente de entrada IB e conseqüentemente IC são muito grandes, o que implica em
VCE baixo, em torno de 0,2 Volts (dependendo do transistor)

3.3 Circuitos com transistores


Ligação Base
Comum

Figura 3.5 Configuração Base Comum


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 51.

Valem as seguintes relações em um transistor:

IE = IC + IB sendo que

 é o ganho de corrente na configuração emissor comum.

Outra forma de representar uma conexão de transistor é a emissor comum, Fig9.

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Ligação Emissor Comum

Corrente convencional
Corrente de elétrons

Figura 3.6 Configuração Emissor Comum


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 52.

Observe que a junção base emissor continua polarizada diretamente e a junção


base coletor reversamente. Os elétrons são emitidos no emissor atingem a base
que por se pouco dopada e estreita permite que a maioria atinja o coletor.

Para essa configuração chamada emissor comum define-se o ganho de


corrente, beta, como sendo:

31
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Os desenhos das Figuras 3.5 e 3.6 são representados pelos seus esquemas
elétricos correspondentes indicados na Figuras 3.7 e 3.8 respectivamente.

Figura 3.7 Configuração Base Comum


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 53.

Figura 3.8 Configuração Emissor Comum

Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 53.

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3.4 Configuração Darlington


A principal função desta configuração é conseguir alta impedância de entrada e alto ganho de
corrente.
O arranjo desta configuração é conectar dois transistores do mesmo tipo de maneira que se o
ganho de corrente de um transistor for 1 e o do outro for 2 então o ganho de corrente do
arranjo será igual a D = 1.2 . A conecção Darlington atua como um novo dispositivo, cujo
ganho de corrente é o produto dos ganhos individuais. A figura abaixo mostra esta
configuração.

Figura 3.9 Par Darlington


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 59.

Obs:
1) Esta configuração pode ser feita também com transistores PNP.
2) Como o transistor Q1 opera com baixas corrente, e comumente encontrado na
prática um resistor entre a base e o emissor de Q2 , assim b1 não é reduzido.

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4. LÓGICA DIGITAL

4.1 Álgebra de boole


A Álgebra de Boole é uma ferramenta matemática muito utilizada na representação e
simplificação de funções binárias (ou lógicas), sendo a sua designação resultante do
contributo do Matemático George Boole.

Definições
A Variável lógica (ou de Boole ou binária) - Variável que tem por domínio 2 valores
lógicos distintos, representados pelos valores 0 e 1 (ou outras designações como
FALSE(F) e TRUE (T) ou FALSO(F) e VERDADEIRO(V) ).

Função lógica (ou de Boole ou binária) - Função que tem por contradomínio os
valores lógicos 0 e 1.
Operadores/Funções lógicos elementares:

Intersecção (conjunção ou produto lógico)- AND


F(A,B) = A,B = A B

Tabela 4.1 Tabela da verdade porta AND

União (disjunção ou soma lógica) - OR


F(A,B) = A + B

Tabela 4.2 Tabela da verdade porta OR

Complemento (negação ou inversão) – NOT


F(A) = A = A'

Tabela 4.3 Tabela da verdade porta NOT

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4.2 Circuitos digitais com transistores

Analogia com circuitos integrados TTL


É importante notar que, se as entradas estiverem abertas, o bloco lógico comporta-se
como se elas estivessem em nível lógico 1. Porém, essa condição deve ser evitada,
pois pode acarretar problemas de ruído. Assim, as entradas não utilizadas devem ser
ligadas ao nível adequado à lógica da porta (0 ou 1).
A família TTL tem como bloco lógico principal a porta NÃO E. A partir desse bloco
lógico são
desenvolvidas todas as demais funções. Veja tabela-verdade e circuito básico a
seguir:

Figura 4.1 Porta NAND


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 65.

A saída com coletor aberto apresenta um transistor que não possui o resistor de
coletor. Por isso, esse tipo de circuito exige um resistor externo para poder funcionar.
Veja figura a seguir.

Figura 4.2 Porta NAND com coletor aberto


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 65.
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4.3 Portas lógicas básicas (AND, OR, NAND, NOR, EXOR, EXNOR).
Funções Lógicas E, OU, NÃO, NE e NOU.
Faremos a seguir, o estudo das principais funções lógicas que na verdade derivam
dos postulados da álgebra de Boole, sendo as variáveis e expressões envolvidas
denominadas de booleanas.
Nas funções lógicas, temos apenas dois estados distintos:
O estado 0 (zero) e o estado 1 (um).
O estado 0 representará, por exemplo: portão fechado, aparelho desligado, ausência
de tensão, chave aberta, não, etc. O estado 1 representará, então: portão aberto,
aparelho ligado, presença de tensão, chave fechada, sim, etc.
Note, então, que se representarmos por 0 uma situação, representaremos por 1 a
situação contrária. Deve-se salientar aqui, que cada variável booleana da função
lógica pode assumir somente 2 situações distintas 0 ou 1.

Função E ou AND
A função E é aquela que executa a multiplicação de 2 ou mais variáveis booleanas. É
também conhecida como função AND, nome derivado do inglês.
Sua representação algébrica para 2 variáveis é S = A.B, onde se lê S = A e B.
A figura abaixo mostra o circuito elétrico equivalente a porta E.

Figura 4.2 Analogia à porta AND


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 66.

CONVENÇÃO
CHAVE ABERTA = 0 LÂMPADA APAGADA = 0
CHAVE FECHADA = 1 LÂMPADA ACESA = 1

Tabela-verdade de uma Função E ou AND


Chamamos de tabela-verdade um mapa onde colocamos todas as possíveis
situações com seus respectivos resultados. Na tabela 04, iremos encontrar o modo
como a função se comporta. A seguir, iremos apresentar a tabela-verdade de uma
função E ou AND para 2 variáveis de entrada:

Tabela 4.4 Tabela da verdade Porta AND

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Simbologia
A porta E é um circuito que executa a função E, sendo representada na prática,
através do símbolo abaixo:

Figura 4.3 Símbolo porta AND


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 66.

Teremos a saída no estado 1 se, e somente se, as 2 entradas forem iguais a 1, e


teremos a saída igual a 0 nos demais casos.
Podemos estender o conceito da função E com 2 variáveis de entrada para qualquer
número de entradas. Para exemplificar, mostraremos uma porta E de 3 variáveis de
entrada, sua tabela-verdade e sua expressão booleana

Figura 4.4 Símbolo porta AND com 3 entradas e sua tabela da verdade
Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 67.

Notamos que a tabela-verdade mostra as 8 possíveis variações das variáveis de


entrada e seus respectivos resultados na saída. O número de situações possíveis é
igual a 2N, onde N é o número de variáveis de entrada.
No exemplo: N = 3 23 = 8.

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Função OU ou OR
A função OU ou OR é aquela que assume valor 1 quando uma ou mais variáveis da
entrada forem iguais a 1 e assume valor 0 se, e somente se, todas as variáveis de
entrada forem iguais a 0. Sua representação algébrica para 2 variáveis de entrada é

S = A + B, onde se lê S = A ou B.

O termo OR também utilizado é derivado do inglês.


O circuito da figura 04 abaixo representa a função OU:

Figura 4.5 Analogia à porta OR


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 67.

Tabela-verdade da Função OR ou OU
Nesta tabela 05, temos todas as situações possíveis com os respectivos valores que
a função OU assume.

Tabela 4.5 Tabela da verdade porta OR

Simbologia
È a porta que executa a função OU, representada através do símbolo abaixo:

Figura 4.6 Simbolo da porta OR


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 69.

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O conceito da função OU pode ser estendido para mais de 2 variáveis de entrada.


Como exemplo veremos uma porta OU e sua expressão booleana com 4 variáveis de
entrada:
S=A+B+C+D

Figura 4.7 Simbolo da porta OR de três entradas


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 69.

Função NÃO ou NOT


A função NÃO, ou função complemento, é aquela que inverte ou complementa o
estado da variável de entrada. Se a variável de entrada for 1, ela se tornará 0 na
saída. Se a variável de entrada for 0, ela se tornará 1na saída.
A operação lógica inversão é realizada pela porta lógica NÃO (“NOT” em inglês).
Ela consiste em converter uma dada proposição em uma proposição a ela oposta, é
representada algebricamente por: S = A.
Essa expressão é lida da seguinte forma: saída S é igual a não A, pois o traço sobre o
A significa não. Para A pode-se dizer também A barrado ou A negado.

Veja na figura abaixo o circuito elétrico equivalente de uma porta NÃO.

Figura 4.8 Simbolo da porta OR


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 70.

CONVENÇÃO
CHAVE ABERTA = 0 LÂMPADA ACESA = 1
CHAVE FECHADA = 1 LÂMPADA APAGADA = 0

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A lâmpada S acenderá (1) quando a chave A estiver aberta (0). Quando a chave A
estiver fechada (1), a lâmpada será curto-circuitada e não acenderá (0).
Veja a seguir o símbolo, as combinações possíveis da chave e a respectiva tabela-
verdade.

Figura 4.6 Simbolo da porta OR


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 70.

PORTAS LÓGICAS DERIVADAS


Os sistemas digitais mais complexos, como computadores de grande porte, são
construídos a partir das portas lógicas básicas E, OU e NÃO. A partir dessas portas,
podem-se construir quatro outras denominadas portas lógicas derivadas.

Elas são: porta NE (ou NÃO E), porta NOU (ou NÃO OU), porta OU EXCLUSIVO e
porta NÃO OU EXCLUSIVO.

Função NÃO E, NE ou NAND.


Como o próprio nome “NÃO E” diz: essa função é a composição da função E com a
função NÃO, ou seja, teremos a função E invertida. É representada algebricamente
da seguinte forma:
S = (A . B)`, onde o traço indica que teremos a inversão do produto A . B.
Porta NE ou NAND é o bloco lógico que executa a função NAND. Sua tabela da
verdade e símbolo são mostrados a seguir:

Figura 4.7 Simbolo da porta NAND e sua tabela da verdade.


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 71.

Podemos também formar uma porta NAND através da composição de uma porta
AND com um inversor ligado a sua saída.

Figura 4.8 Composição da porta NAND.


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 71.

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Função NÃO OU, NOU ou NOR.


A função NOU é a composição da função NÃO com a função OU, ou seja, a função
NOU será o inverso da função OU. É representada da seguinte forma:
S = (A+B), onde o traço indica a inversão da soma A + B.
Porta NOU ou NOR é o bloco lógico que executa a função NOU. Sua tabela da
verdade e símbolo são mostrados abaixo na figura

Figura 4.9 Porta NOR e sua tabela da verdade


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 72.

De maneira análoga, podemos formar uma porta NOU utilizando uma OU e um


inversor ligado à sua saída.

Figura 4.9 Composição da porta NOR.


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 72.

Porta Lógica XOR (OU-EXCLUSIVO)


A função lógica que esta porta executa, como o próprio nome já diz, consiste em
fornecer 1 à saída quando as variáveis de entrada forem diferentes entre si. A partir
desta definição, montamos sua tabela-verdade.

Tabela 4.6 Tabela da verdade porta XOR

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Figura 4.10 Circuito da porta XOR


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 74.

Devido a sua definição, o circuito OU Exclusivo só pode ter duas variáveis de entrada
e possui um símbolo característico mostrado abaixo:

Figura 4.11 Símbolo da porta XOR


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 74.

Porta Lógica XNOR (COINCIDÊNCIA)


Sua função é fornecer 1 à saída quando houver coincidência nos valores das
variáveis de entrada.

Tabela 4.7 Tabela da verdade porta XNOR

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Figura 4.12 Circuito da porta XNOR


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 74.

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5. AMPLIFICADOR OPERACIONAL
O Amplificador Operacional (abreviadamente A. O ou amp-op) é certamente um dos
integrados de aplicações lineares mais usados e mais versáteis da atualidade. Além
de ser de fácil emprego, não requer cálculos cansativos e ajustes para sua
polarização, ao contrário dos transistores. Essa versatilidade e seu vasto campo de
aplicações tornaram seu conhecimento uma necessidade para todo técnico e
engenheiro que atuam no campo da eletrônica, mesmo que o componente não faça
parte do seu dia-a-dia.
O A.O. recebeu esta denominação pelo fato de ter sido utilizado inicialmente para
executar operações matemáticas em computação analógica, tais como: somar,
subtrair, integrar, diferenciar, etc.
Atualmente, o componente em forma de CI é empregado em inúmeras aplicações
lineares ou não lineares na eletrônica em geral, mas principalmente em sistemas de
controle e regulação, instrumentação, processamento e geração de sinais.
Trata-se na realidade de um amplificador CC linear, com elevado ganho de tensão e
que usa externamente uma rede de realimentação negativa ou positiva (em função da
aplicação) para controlar suas características de operação.
Abaixo o diagrama interno do 741, considerado o amp-op mais popular.

Figura 5.1 Circuito interno de um Amp Op


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 74.

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Símbolo do amplificador operacional

Figura 5.2 Amplificador operacional e seus terminais


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 75.

O amplificador Operacional é composto de uma entrada (+) = entrada não-inversora;


uma entrada (-) = entrada inversora e uma saída. E por se tratar de um circuito
integrado necessita de tensão de alimentação externa que nesse caso pode ser
simples ou simétrica dependendo da aplicação que se destina.
Aplicações
O amplificador operacional pode ser usado como amplificador ou comparador de
tensão. Existem circuitos, portanto que exploram as características do amplificador
operacional por ex: osciladores, somadores, conversores e outros. Vamos estudá-los
como amplificador e como comparador.

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Amplificador Inversor
A tensão de saída será igual ao produto da tensão de entrada pelo ganho, estando a
saída defasada de 180º elétricos em relação à entrada.

Figura 5.3 Circuito de utilização de amplificador inversor


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 76.

Figura 5.4 Formas de onda de um amplificador inversor


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 77.

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Figura 5.5 Circuito de utilização de amplificador não inversor


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 77.

Figura 5.6 Formas de onda de um amplificador não inversor


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 78.

A expressões matemáticas que definem o ganho são:


Amplificador não-inversor:

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Amplificador inversor:

Se compararmos os circuitos iremos observar que no amplificador não-Inversor o


ganho é ligeiramente maior. Isto é conseqüência de não haver inversão de fase.
Comparador de tensão
No caso do AMP-OP como comparador iremos definir uma das entradas como
referência e outra servirá de entrada do sinal a ser analisado.

Figura 5.7 Amplificador como comparador


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 78.

Funcionamento do circuito

Comparador não_inversor

Quando Vin>Vref; então Vout=+Vcc


Quando Vin<Vref; então Vout=-Vcc
Comparador inversor

Quando Vin>Vref; então Vout=-Vcc


Quando Vin<Vref; então Vout=+Vcc

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Esta configuração será muito utilizada quando o aluno estudar microcontroladores, já


que estes possuem blocos comparadores que permitem comparar tensões em pontos
diferentes.
Mas agora podemos elaborar circuitos que possam efetuar controles utilizando
circuitos comparadores de tensão. Para isso podemos alguns modelos de
microcontroladores, como o LM311 (comparador single) e LM339 (comparador
quádruplo).

OBS: Todos os comparadores necessitam de resistores de Pull-up para forçar um


nível alto na saída, porque a saída Vout é em coletor aberto. O resistor varia de 1K a
47K.

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6. CONVERSOR ANALÓGICO E DIGITAL

Funções geradas por blocos funcionais analógicos são muitas vezes processadas por
circuitos digitais (por exemplo, um computador). Para processar este sinal usando
circuitos digitais, deve-se necessariamente efetuar uma conversão para a forma
digital. Tal conversão é efetuada por um conversor analógico/digital ("A/D converter"
ou ADC). Este sinal processado (ou transformado) deve (na maioria das vezes) atuar,
produzindo um efeito sobre o circuito analógico que gerou o sinal original, ou outro
similar.

Um sinal na forma digital, para ser processado por um bloco funcional analógico, deve
ser previamente convertido (ou reconvertido) para a forma analógica equivalente. Este
processo reverso é efetuado por um conversor digital/analógico ("D/A converter" ou
DAC).

Figura 6.1. Ilustração de um computador "conversando" com o ambiente externo


Fonte: http://www.din.uem.br

Discutir-se-á a seguir alguns conversores, iniciando pelos D/A. Adota-se esta


seqüência por considerar-se a mais didática dado a simplicidade destes conversores.

6.1 Conversores D/A

Sistemas que aceitam uma palavra digital como entrada e traduzem ou convertem
para uma voltagem ou corrente analógica são chamados de conversores
digitais/analógicos.

CONVERSOR D/A DE RESISTORES COM PESOS PONDERADOS

("D/A Converter with Binary-Weighted Resistor")

É o mais simples dos conversores D/A. Construído a partir de um circuito básico de


resistores em paralelo controlado por corrente, onde a corrente é somada num ponto
em comum, passando por um resistor de carga, criando assim uma saída analógica.
Os valores dos resistores são distribuídos ponderadamente, de forma a Obter pesos
de acordo com a numeração binária.

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A numeração binário codificado decimal (BCD) usa quatro bits para representar
números decimais de 0 a 9. O bit menos significativo (LSB) é expresso como (valor do
bit x 20), o próximo bit como (valor do bit x 21), o terceiro como (valor do bit x 22), e o
bit mais significativo (MSB) como (valor do bit x 23). Assim o peso de cada coluna da
direita para a esquerda é 1, 2, 4 e 8.

Figura 6.2 Conversor D/A usando resistores com pesos ponderados


Fonte: http://www.din.uem.br

Nesta linha de raciocínio, num circuito conversor D/A que recebe um número BCD a
ser convertido em analógico, o LSB deverá ser apresentado para um resistor de
entrada com o maior valor de resistência do circuito, o segundo com a metade do
LSB, o terceiro com um quarto do LSB e o MSB com um oitavo do LSB. A saída é
então a soma das quatro voltagens atenuadas. Note que o maior valor de resistência
refere-se ao LSB porque ele causa o menor fluxo de corrente resultante.

O resistor de carga (RL ) que é utilizado para criar a voltagem de saída (Va), que
nada mais é, que uma diferença de potencial (ddp) intermediária, calculada entre o
ponto onde as correntes são somadas (Va) e o terra.

A relação entre o valor de resistência de RL e de Req deve ser tal que RL esteja entre
o valor médio e o menor valor de Req (1KW < RL > 500W). Isto deve-se ao fato de
que a ddp sobre RL não deve ser nem muito maior nem muito menor que a ddp sobre
Req.

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A seguir apresenta-se um estudo onde é determinado a melhor relação entre RL e


Req, baseado num exemplo de um conversor D/A para os seguintes valores de
resistências:

R0= 8 K; R1= 4 K; R2= 2 K; R3= 1 K;

para RL foram testados cinco valores, são eles: 100 , 500 , 1 K , 2 K e 15 K .

Figura 6.3 Diagrama esquemático do conversor ponderado


Fonte: http://www.din.uem.br

Para se encontrar o valor de Va, deve-se inicialmente encontrar o valor da resistência


eqüivalente (Req) dos resistores em paralelo. É considerado apenas o valor das
resistências que estão ligadas ao 5V, desta forma encontra-se 16 valores de Req,
correspondentes as 16 possibilidades de entrada digital. Somando-se a resistência
equivalente com a de carga (RL) obtém-se a resistência equivalente total do circuito.

A corrente total é obtida pela lei de Ohm (I = V / R), onde V = 5 Volts e R = Req+RL.
Desta forma, ao obter-se a corrente total do circuito, que passa igualmente por Req e
por RL, pode-se também, obter o valor correspondente a conversão da entrada digital,
através da fórmula Va = RL * I.

A seguir é mostrado o gráfico resultante referente aos cinco valores de RL. O eixo X
representa as entradas digitais e o eixo Y as possíveis saídas analógicas,
proporcionais às entradas.

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Figura 6.4 Gráfico Entrada Digital x Saída Analógica


Fonte: http://www.din.uem.br

Conclusão: para um valor muito baixo de RL a ddp sobre Req é dominante,


provocando uma faixa de valores para Va muito pequena, já para o inverso a ddp
sobre RL é excess ivamente dominante. No caso onde é utilizado um valor médio,
obtém-se um gráfico mais linear aproximando-se da idealidade.

Freqüentemente é utilizado um amplificador operacional na saída analógica, projetado


para atingir os níveis de tensão e corrente desejados.

Utilizando-se esta configuração, o resistor de carga é substituído pelo circuito de


amplificação, onde, o Rf tem o mesmo valor que o menor resistor ( neste exemplo: Rf
= R3)< /P>

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A voltagem de saída é dada por:

Figura 6.5 Conversor D/A de 4 bits


Fonte: http://www.din.uem.br

6.2 Conversores A/D

Freqüentemente, é requerido a conversão de dados obtidos em um sistema físico na


forma analógica para a forma digital. Conversores A/D são utilizados para conversão
da forma analó gica para a digital.

CONVERSOR A/D COMPARADOR PARALELO

("Parallel-Comparator A/D Converter")

É o mais rápido dos conversores A/D, mas é expressivamente caro, visto que
necessita de 2N-1 comparadores para um conversor de N bits.

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Figura 6.7 Conversor A/D comparador paralelo


Fonte: http://www.din.uem.br

No exemplo, o sinal analógico a ser convertido é aplicado simultaneamente aos sete


comparadores com um limiar ("treshold") ou voltagem de referência igualmente
espaçados. As referências são portan to, Vref/8, 2Vref/8, etc.

A saída Y será baixa para todos comparadores com limiar maior que a entrada
analógica respectiva (Vref > Ve; Y=0). E Y será alta para todos os comparadores com
limiar menor que a entrada analógica ( Vref < Ve; Y=1).

Desta forma é obtido um código diferente da numeração binária, fazendo-se


necessária a utilização de um conversor de código. A palavra com este código binário
deve ficar disponível em suas entradas por um tempo suficiente para que a conversão
seja feita sem perda de informação, para tal, é introduzido um conjunto de "latch's"
que seguram a palavra a ser convertida.

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O conversor de código do exemplo deverá traduzir o código formado pelas saídas Y,


para o código de numeração binária de três bits, como mostra a tabela xx. Note que
quando to dos os comparadores estão com suas saídas em zero, tem-se um a
correspondência direta com o zero binário.

Ve Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 S2 S1 S0

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1

2 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0

3 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1

4 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0

5 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1

6 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0

7 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

Tabela 6.1 Estados do conversor A/D paralelo como função da tensão de entrada

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7. TIRISTORES
Tiristor é o nome usado para designar uma família de componentes de quatro
camadas (P-N-P-N). Nesta seção serão abordados os tiristores SCR e TRIAC.
Embora o GTO seja também um tiristor, ele será abordado na seção de chaves
controláveis.

7.1 O SCR
O SCR – Silicon Controled Rectifier – é o mais antigo dispositivo semicondutor de
potência, possui construção simples, ainda hoje é o dispositivo capaz de manipular as
mais altas potências. É possível encontrar no mercado dispositivos que podem
suportar vários Kilovolts e vários Kiloampères. Entretanto, como mencionado na
tabela 1, somente seu ligamento pode ser controlado.

A figura seguinte mostra o símbolo do SCR, juntamente com sua característica


estática (idealizada).

Figura 7.1 O SCR e sua característica estática


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 97.

Além de possuir anodo e catodo como os diodos, o SCR possui um terminal de


controle, o gate. Desta forma, o SCR comporta-se como um “diodo controlável”,
sendo capaz de bloquear tensões positivas e negativas. No estado de condução do
SCR real, a queda de tensão direta (VT) é bastante pequena, da ordem de 1 a 3V,
mesmo nos dispositivos capazes de suportar vários Kilovolts.

O ligamento do SCR é feito através do terminal Gate (porta ou gatilho), onde deve ser
aplicado um pulso de corrente positiva em relação ao catodo, com amplitude e
duração suficientes. O SCR entrará em condução se estiver sob polarização direta
anodo – catodo, e manterá seu estado de condução se, antes de ser retirada a
corrente de gate, a corrente de anodo for superior ao valor chamado corrente de
travamento (latching), IL . Caso contrário o SCR retoma o estado de bloqueio.

A figura seguinte ilustra o processo de ligamento do SCR. Como pode ser observado,
existe um tempo de atraso td entre o estabelecimento da corrente de gate e o início
do crescimento da corrente de anodo. O tempo tr refere-se ao intervalo de
decaimento da tensão anodo-catodo de 90% para 10% de seu valor inicial. O tempo
de ligamento ton é a soma de td e tr.

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Figura 7.2 Processo de ligamento do SCR


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 98.

No processo de ligamento, é importante limitar a taxa de crescimento da corrente


(di/dt) no dispositivo, sob pena de formação de pontos quentes (“hot spots”) próximos
ao gate com a conseqüente destruição do componente.

Não é possível realizar o desligamento do componente pelo terminal de gate.


Inclusive, após o disparo, a corrente de gate pode ser retirada sem comprometer a
condição de condução do SCR. Há dois meios de efetuar o bloqueio do SCR:

Comutação natural: neste caso, a corrente de anodo naturalmente cai abaixo do valor
mínimo chamado corrente de manutenção IH – (Holding Current), o que dá início à
comutação. Em aplicações CA, isto ocorre automaticamente nas passagens por zero
da forma de onda corrente.

Comutação forçada: neste caso, o tiristor é reversamente polarizado por um circuito


auxiliar (chamado circuito de comutação forçada) ou, às vezes, pelo próprio circuito
de potência. O processo de bloqueio é semelhante ao dos diodos.

Depois de se anular, a corrente de anodo se inverte durante o intervalo trr. Para que o
SCR mantenha seu estado de bloqueio, ele somente pode receber nova polarização
direta após passado um tempo superior a tq (tempo de comutação), o qual é igual à
soma de trr e tgr, o tempo de recuperação de gatilho. O tq é dependente da
temperatura e da corrente direta, dentre outros parâmetros.

A figura seguinte ilustra o processo de bloqueio do SCR, juntamente com a indicação


dos tempos relevantes.

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Figura 7.3 Processo de bloqueio do SCR


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 99.

Após completo o processo de comutação, é importante limitar a taxa de subida da


tensão no dispositivo (dv/dt), sob pena de ligamento indevido. Devido à presença da
capacitância de junção, a corrente de deslocamento causada por uma taxa dv/dt
elevada pode provocar o disparo acidental do SCR. Para evitar esse problema, deve
ser externamente ligado ao SCR um circuito que reduza essa taxa, chamado circuito
“snubber”, o qual consiste num circuito RC série.

Dependendo das necessidades da aplicação, vários tipos de SCRs são disponíveis:

SCRs de freqüência de rede: também conhecidos por “phase control SCRs”, são
utilizados em retificadores controlados e como chave eletrônica CA. Os parâmetros
mais importantes são as capacidades de tensão e corrente e a queda de tensão
direta. Em favor de uma pequena queda de tensão direta, o tempo de comutação tq
não é otimizado, variando entre 50 e 300μs. Este tipo de SCR pode ser encontrado
para operar em tensões de até 5-12kV e correntes de até 3-4kA, aproximadamente.

SCRs rápidos: também conhecidos por “inverter type SCRs”, são projetados para
utilização em choppers e inversores, e desta forma possuem um tempo de comutação
reduzido (2 a 50μs) . A utilização destes tiristores está sendo abandonada devido à
performance muito superior dos transistores IGBT e MOSFET de potência. Apenas
são utilizados em potências muito elevadas.
Os tempos de ligamento e desligamento dos SCR são relativamente elevados, o que
produz consideráveis perdas por comutação. Por isso, a utilização de SCRs é restrita
a aplicações de freqüência não muito elevadas.

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A necessidade de circuitos de comutação forçada e a menor velocidade são as


grandes desvantagens dos SCRs. Nos dias de hoje, devido aos avanços na
tecnologia dos transistores de potência MOSFET e IGBT, o SCR tem sua utilização
restrita a circuitos retificadores de linha, relés de estado sólido e conversores de

altíssimas potências (na casa das dezenas de MVA), como transmissão de energia
CC em alta tensão (HVDC), acionamento de grandes motores de vários MVA, ETC.

A tabela seguinte ilustra resumidamente as características de alguns dispositivos.

Código VRRM / VDRM ITAV VT tq


Tiristores de linha
30TPS16 1600V 20 A 1,3V 110μs
180RKI80 800V 180 A 1,35V 100μs
ST1230C16 1600V 1745 A 1,62V 200μs
Tiristores Rápidos
IRFK7212 1200V 71 A 2,40V 25μ
SKFH150/8 800V 150 A 2,45V 20μ
Tabela 7.1 Características elétricas de alguns dispositivos

A seguir estão os significados dos parâmetros mais importantes.

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VDRM  Tensão direta repetitiva


VRRM  Tensão reversa repetitiva
VRSM  Tensão de surto reversa não repetitiva
VR  Tensão reversa contínua
VT  Queda de tensão direta com o SCR em condução
(dv/dt)cr  Máxima taxa de crescimento da tensão
ITSM  Corrente de surto direta não repetitiva
ITM ou ITRM  Corrente de surto direta repetitiva
IT ou ITAV  Corrente direta média
ITRMS  Corrente direta eficaz
i2 t  Este valor é utilizado para selecionar o fusível de proteção, que deve
2
possuir um i t menor do que o do SCR.
IR  Corrente reversa (corrente de fuga)
IRD  Corrente direta com o SCR bloqueado (corrente de fuga)
IL  Corrente de travamento (latching current)
IH  Corrente de manutenção (holding current)
(di / dt) cr  Máxima taxa de crescimento da corrente
tq  Tempo de comutação
tgr  Tempo de recuperação de gate
td ou tgd  Tempo de atraso no ligamento
tr ou tgr  Tempo de decaimento da tensão anodo – catodo
tON ou tgt
 Tempo de ligamento
trr
 Tempo de recuperação reversa
IRM
 Pico da corrente de recuperação reversa, é dado para valores de
temperatura, IF e diF / dt específicos.
Qrr  Carga que flui para no circuito durante o intervalo trr
PTOT ou PD(AV)  Dissipação de potência
Tj
 Faixa de temperatura de operação da junção
Rthjc ou RθJC
 Resistência térmica entre a junção – encapsulamento em ºC / W
rT
 Resistência ôhmica do tiristor
IGT
 Mínima corrente de gate para o disparo
VGT
 Mínima tensão de gate para o disparo
VGRM
IGD  Tensão reversa que pode ser aplicada à junção G-K
 Máxima corrente de gate que certamente não provocará o disparo (“gate
non-trigger current”)
VGD
 Máxima tensão de gate que certamente não provocará o disparo (“gate
non-trigger voltage”)
PGM  Pico de potência de gate
PG(AV)  Potência média de gate
IGTM ou IGSM  Corrente de gate

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7.2 Triac
O TRIAC – “Thyristor AC” pode ser interpretado como a conexão de dois SCRs em
anti-paralelo. O componente é bidirecional em corrente e tensão, possuindo os
terminais de carga MT1 e MT2 (MT = “Main Terminal”), bem como o terminal de gate.

O maior problema do TRIAC é que sua capacidade de dv/dt é muito baixa,


tipicamente 5 a 20V / μs, contra 100 1000 V/ μs nos SCRs. Além disso, somente
estão disponíveis dispositivos para correntes de apenas aproximadamente 40 A rms.
Esses fatores seriamente limitam sua capacidade de controle de potência, mas não
impedem sua ampla e difundida utilização em aplicações CA de baixa potência.

A figura seguinte mostra o símbolo do TRIAC, juntamente com sua característica


estática idealizada. Como pode ser observado, é um dispositivo que opera em todos
os quadrantes do plano v x i. Sendo um tiristor, possui característica de travamento,
isto é, uma vez em condução a corrente de gate pode ser retirada.

Figura 7.4 O TRIAC e sua característica v x i


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 101.

O processo de bloqueio é similar ao do SCR. Embora com sensibilidades diferentes, o


TRIAC pode ser disparado tanto com correntes positivas quanto negativas no gate,
mas sempre em relação a MT1. Como o TRIAC pode conduzir em ambas as direções,
em aplicações CA ele somente dispõe de um breve intervalo de tempo para recuperar
sua condição de bloqueio na passagem por zero da forma de onda senoidal de
corrente, o que limita seu emprego confiável em freqüências de até 60HZ.

Quando aplicado no controle de cargas indutivas, o atraso da corrente em relação a


tensão implica que quando a corrente cai abaixo da corrente de manutenção I H e o
TRIAC bloqueia, surge sobre os terminais do mesmo certa tensão. Se esta tensão
surge muito rapidamente, o TRIAC retoma o estado de condução e o controle é
perdido. A fim de evitar esse problema, a taxa dv / dt de subida da tensão deve ser
limitada através de uma rede RC série ligada aos terminais do componente (circuito
“snubber”).

Na prática, em aplicações de alta potência, quando é necessário efetuar o controle


bidirecional de correntes mais elevadas, utilizam-se dois SCRs ligados em anti-
paralelo.

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A designação dos parâmetros dos TRIACs são semelhantes às dos tiristores. A tabela
seguinte mostra resumidamente as características de alguns dispositivos.

Código VRRM / ITRMS VT dv/dt(cr)


VDRM
T2500DFP 400V 6A 2v 10 V/μs
2N6344 800V 12 A 1,55V 5V/ μs
BCR30GMI2 600V 30 A 1,6V 20V/ μs
Tabela 7.2 Características elétricas de alguns dispositivos

7.3 Diac

Os diacs são diodos de disparo bidirecional, composto por três camadas (PNP) com a
simples função de disparar tiristores.

Sua construção assemelha-se a de um transistor bipolar, porém difere na dopagem


do cristal N.

Seu funcionamento é simples: Para passar do estado de bloqueio para o estado de


condução, é preciso ultrapassar a tensão de ruptura (VR), rompendo assim, a junção
polarizada inversamente, podendo a corrente fluir em ambos sentidos.
Para voltar ao estado de bloqueio, basta remover a tensão por alguns instantes.
Os diacs servem para controlar o disparo de triacs quando uma tensão de referência
chegar a certo valor.

Figura 7.4 O DIAC e sua simbologia


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 112.

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7.4 UJT Transistor unijunção


Os UJT (Unijunction Transistor) podem ser utilizados em osciladores de baixa
freqüência, disparadores, estabilizadores, geradores de sinais dente de serra e em
sistemas temporizados.

Simbolo
B2
E E – Emissor
B1
B1 – Base 1
B2 – Base 2

Figura 7.5 O UJT


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 117.

Constituição Interna

Basicamente o transistor de unijunção é constituído por uma barra de material


semicondutor do tipo N (de alta resistividade) com terminais nos extremos. Tais
contactos não constituem junções semicondutoras, e assim, entre B2 (base 2) e B1
(base 1) temos, na prática uma resistência, formada pelo material semicondutor N. O
material do tipo P como material do tipo N formam a única junção PN semicondutora
interna.

B2

B1

Figura 7.6 O UJT - Constituição Interna


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 117.

Tudo se passa como se o bloco do tipo N fosse formado por duas simples
resistências (Rb2 e Rb1), em série, tendo ligado no seu ponto central um diodo
(terminal E ou Emissor).
O terminal do emissor (E) está mais próximo da base 2 (B2).

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Princípio de funcionamento
+
6 a 30 Volt

Figura 7.7 O UJT – Princípio de funcionamento


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 118.

O valor resistivo normal entre os terminais da base 2 e 1 é relativamente alto


(tipicamente entre 4 K e 12 K). Assim, se ligarmos o terminal B2 a um potencial
positivo (tipicamente entre 6 e 30 Volt), e o terminal B1 ao negativo, uma corrente
muito pequena circulará por Rb2 e Rb1. Ao mesmo tempo, Rb2 e Rb1 formam um divisor
de tensão, em cujo ponto intermédio surge uma tensão menor, porém proporcional
àquela que foi aplicada a B2. Suponhamos que Rb2 e Rb1 têm valores iguais, de 5 K
cada um. Assim, se aplicarmos (com a polaridade indicada) 10 Volt entre B2 e B1, o
“cátodo” do “diodo” do emissor terá uma tensão de 5 Volts. Ao aplicarmos, então, uma
tensão de entrada no emissor (E) do UJT, esta terá que, inicialmente vencer a
barreira de potencial intrínseca da junção PN ( 0,6V) e, em seguida, superar a
própria tensão que polariza o “cátodo” (5 Volts no exemplo). Nesse caso, enquanto a
tensão aplicada ao terminal do emissor (E) não atingir 5,6 Volt (0,6V + 5V) não haverá
passagem de corrente pelo emissor através de Rb1 para a linha de negativo da
alimentação. Mantendo-se no exemplo, uma tensão de emissor igual ou maior do que
5,6 Volts determinará a passagem de uma corrente; já qualquer tensão inferior (a
5,6V) será incapaz de originar passagem da corrente elétrica pelo emissor (E) e por
Rb1. Enquanto os 5,6V não forem atingidos, a corrente será nula, como através de um
interruptor aberto. Alcançando os 5,6V, tudo se passa como se o tal interruptor
estivesse fechado. A corrente que circulará estará limitada unicamente pelo valor
resistivo intrínseco de Rb1.
Como a transição de corrente nula, para corrente total, entre emissor (E) e base 1
(B1) se dá sempre de forma abrupta (quando a tensão de emissor chega à
tensão/limite de disparo), podemos considerar o UJT como um simples
interruptor acionado por tensão.

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Características técnicas

 Tensão entre bases (Vbb) – é a máxima tensão que pode ser aplicada entre as
bases.
 Tensão entre emissor e base 1 (Vb1e) – é a máxima tensão que pode ser
aplicada entre esses dois terminais.
 Resistência entre bases (Rbb) – é a resistência existente entre os dois terminais
de base.
 Corrente de pico de emissor (Ie) – é a corrente máxima que pode circular entre o
emissor e a base 1 quando o transistor é disparado.
 Razão intrínseca de afastamento ()

Rb1
 Rbb = Rb1 + Rb2
Rbb

V1

Figura 7.6 O UJT – Características técnicas


Fonte: Apostila SENAI Eletrônica, 2007, p. 119.

 é a chamada razão intrínseca de afastamento, que nada mais é do que o fator do


divisor de tensão.

A faixa típica de variação de  é de 0,5 a 0,8.


Por exemplo, o 2N2646 tem um  de 0,65. Se este UJT for usado com uma tensão de
alimentação de 10 Volt
V1 – Tensão intrínseca de afastamento.
 - Razão intrínseca de afastamento,
V1 =  x V V – Tensão de alimentação.

V1 = 0,65 x 10

V1 = 6,5V

V1 é a chamada tensão intrínseca de afastamento porque ela mantém o diodo


emissor com polarização inversa para todas as tensões aplicadas ao Emissor,
inferiores a V1.
Se V1 for igual a 6,5 Volt, então temos de aplicar um pouco mais ( 0,6V) do que os
6,5V para polarizar diretamente a junção PN e haver condução entre Emissor e a
Base 1.

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8. BIBLIOGRAFIA

SENAI. MG. Eletrônica Digital


IDOETA, Ivan Valeije, CAPUANO, Francisco Gabriel. Elementos de Eletrônica
Digital. 34ª Edição. São Paulo. Ed. Érica. 2002.
LOURENÇO, Antônio Carlos, CRUZ, Eduardo C. A.. Circuitos Digitais - Estude e
Use. 5ª Edição. São Paulo. Ed. Érica. 2002.
TOCCI, Ronald J., LASKOWSKI,Lester P.. Microprocessadores e
Microcomputadores. 2ª Edição. Rio de Janeiro. Ed. Prentice-Hall do Brasil. 1983.
http://www.i-magazine.com.br/imagazine/picbook/cap1.htm em 15/07/2004.

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