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Fundamentos de Electrónica

Teoria
Cap.3 – Transístor Bipolar de Junções

Jorge Manuel Torres Pereira


IST-2010
ÍNDICE

CAP. 3 – TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

Pag.
3.1 Introdução ................................................................................................................... 3.1
3.2 Equações de Ebers-Moll ............................................................................................ 3.3
3.2.1 Dedução das equações de Ebers-Moll ........................................................... 3.5
3.2.2 Definição da estrutura do TBJ que optimiza o seu funcionamento
na zona activa directa .................................................................................... 3.9
3.2.3 Equações derivadas ...................................................................................... 3.11
3.2.4 Modelo SPICE do TBJ ................................................................................. 3.15
3.3 Análise das características do TBJ ......................................................................... 3.18
3.3.1 Montagens básicas ........................................................................................ 3.18
3.3.2 Características de montagem emissor comum .......................................... 3.19
3.3.2.1 Característica de saída: IC(UCE)IB=Cte ........................................... 3.19
3.3.2.2 Característica de entrada: IB(U1)UCE=Cte ...................................... 3.21
3.3.3 A disrupção no TBJ ...................................................................................... 3.22
3.3.4 Efeito de Early .............................................................................................. 3.23
3.3.5 Variação de αF, βF com a corrente .............................................................. 3.24
3.3.6 Efeitos da temperatura ................................................................................ 3.25
3.3.7 Região de funcionamento seguro dum TBJ ............................................... 3.26
3.4 Regime dinâmico ...................................................................................................... 3.30
3.4.1 Modelo incremental geral do TBJ .............................................................. 3.30
3.4.2 Modelo π-híbrido .......................................................................................... 3.33
3.4.3 Modelo T ....................................................................................................... 3.38
3.5 Circuito com transístores bipolares de junção ...................................................... 3.39
3.5.1 Circuitos de polarização .............................................................................. 3.40
3.5.2 Montagem emissor comum .......................................................................... 3.44
3.5.3 Montagem colector comum ou seguidor de emissor ................................. 3.46
3.5.4 Montagem base comum ............................................................................... 3.48
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

3.1. Introdução

O transístor bipolar de junções (TBJ) foi o primeiro dispositivo de semicondutor


desenvolvido tecnologicamente capaz de amplificação de potência. O seu princípio de
funcionamento baseia-se no comportamento da junção p-n estudada anteriormente.
Nomeadamente, as correntes no dispositivo podem ser modelizadas em termos das correntes
de difusão dos portadores minoritários nas regiões quase neutras junto à região de transição. A
designação de bipolar resulta do facto de as correntes no dispositivo terem a contribuição de
ambos os tipos de portadores, electrões e buracos. Deste modo também a junção p-n é um
dispositivo bipolar.
O TBJ é constituído por duas junções p-n suficientemente próximas para que haja
interacção entre elas, isto é, a perturbação numa das junções ir-se-á fazer sentir na outra.
Atendendo a que a perturbação se reflecte no andamento da densidade dos minoritários, e que
estes tendem para os valores de equilíbrio termodinâmico longe da perturbação, a interacção
entre as junções exige que a separação entre elas não deve exceder o comprimento de difusão
dos portadores minoritários nessa região. Na realidade, nos dispositivos comerciais, a
distância entre as junções é muito menor que o comprimento de difusão e a distribuição da
densidade de dopante pelas várias regiões é feita de modo a privilegiar o efeito de uma das
junções na outra, não tendo por isso o dispositivo um comportamento simétrico.
Há somente dois tipos de TBJ, o p-n-p e o n-p-n. Na Fig. 3.1 mostra-se, de forma
esquemática e não à escala, a estrutura de um TBJ p-n-p. As regiões p são usualmente muito
maiores que o comprimento de difusão dos portadores minoritários e designam-se por
Emissor e Colector. À região intermédia n chama-se Base. A junção p-n que envolve o
Emissor designa-se por junção emissora e a que envolve o Colector por junção colectora. Um
TBJ com Emissor e Colector tipo-n e Base tipo-p designa-se por n-p-n. Na Fig. 3.2 mostra-se
o símbolo utilizado para os TBJ p-n-p e n-p-n, assim como os sentidos convencionados como
positivos para as correntes e tensões.
O TBJ, sendo um dispositivo de três terminais, possui duas tensões independentes o que
permite definir quatro zonas de funcionamento, correspondentes a todas as combinações
possíveis de polarização das duas junções. Assim se ambas as junções estiverem polarizadas
3.2 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

directamente, u E > 0, uC > 0 , tem-se a zona de saturação; a junção emissora directamente

polarizada, u E > 0 , e a junção colectora inversamente polarizada, uC < 0 , zona activa directa;

a junção emissora inversamente polarizada, u E < 0 , e a junção colectora directamente

polarizada, uC > 0 , zona activa inversa e se ambas as junções estiverem inversamente

polarizadas, uE < 0, uC < 0 , zona de corte. Os dispositivos são fabricados de modo a

optimizar o seu funcionamento na zona activa directa. Nesta zona de funcionamento a


corrente na junção colectora, que está polarizada inversamente, pode tomar valores
relativamente elevados, pois é controlada pela tensão na junção emissora que se encontra
directamente polarizada. Este efeito é que está na base da designação transístor, de “Transfer
Resistor”, resistência de transferência.

p n p
E C

E B C

B
Na, Nd
NaE
NdB
NaC
x

Fig. 3.1 – Representação esquemática da estrutura unidiminsional e do andamento típico da densidade


de impurezas num transístor p-n-p.

iE iC iE iC
E C E C

uE uC uE uC
iB iB

B B

p-n-p n-p-n

Fig. 3.2 – Símbolos para o p-n-p e n-p-n e sentidos convencionados como positivos para as correntes e
tensões.
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.3

3.2. Equações de Ebers-Moll

As equações que descrevem o funcionamento do TBJ, exceptuando a disrupção,


designam-se por equações de Ebers-Moll. Na sua forma mais simples, e para os sentidos
referidos na Fig. 3.2, são igualmente válidas para o p-n-p e o n-p-n e também para todas as
zonas de funcionamento, podendo escrever-se como:

(
I E = I ES eU E uT
)
− 1 − α R I CS eU C( uT
)
−1
(3.1)
(
I C = −α F I ES eU E uT
) (
− 1 + I CS eU C uT
−1 )
No caso de se pretenderem utilizar outros sentidos de referência para as tensões ou correntes,
as equações (3.1) devem ser corrigidas trocando, nas equações, o sinal da grandeza respectiva.

A dependência de I E com U C e de I C com U E evidencia a interacção entre as duas

junções. As equações de Ebers-Moll são válidas nas condições em que se deduziu a relação
I (U ) para o díodo de junção p-n, isto é, junções abruptas, modelo unidimensional, injecção
fraca, regiões emissora e colectora com comprimentos muito maiores que o comprimento de
difusão das minorias respectivas e desprezo da geração e recombinação nas regiões de
transições. Também são desprezadas as resistências associadas aos contactos e às regiões
neutras. De acordo com (3.1) o TBJ é caracterizado por quatro parâmetros: I ES , I CS , α R e

α F . Como se verá mais à frente só é necessário conhecer 3 desses parâmetros já que se


verifica a igualdade

α R I CS = α F I ES (3.2)

Este resultado deriva do facto do dispositivo ser recíproco, isto é, as correntes de curto-
circuito na saída são iguais às de curto-circuito na entrada para tensões iguais na entrada e na
saída respectivamente.
As correntes I ES e I CS representam as correntes inversas de saturação na junção

emissora e colectora quando U C = 0 e U E = 0 respectivamente. Os parâmetros α R e α F são


adimensionais, menores que um, e representam a fracção de corrente associada à tensão na
junção colectora ou à tensão na junção emissora que contribui para a corrente total do emissor
ou colector, respectivamente. Nos TBJ usuais α F > α R e α F toma valores muito próximos

de 1, tipicamente 0,995. Assim, na zona activa directa, I C  −α F I E , isto é, I C  I E . É de


3.4 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

realçar que na zona activa inversa ter-se-á I E  −α R I C , isto é, I E < I C pelo que o efeito

transístor é mais importante no sentido Emissor-Colector, sentido directo (“Forward”) que no


sentido Colector-Emissor, sentido inverso (“Reverse”). Este comportamento, associado aos
valores de α F e α R , é obtido com um perfil de impurezas do tipo esquematizado na Fig. 3.1
para um p-n-p. Para um n-p-n o perfil de impurezas mantém-se mas deve-se alterar o tipo de
impurezas em cada região.
Na Fig. 3.3 representa-se, para um TBJ p-n-p, o andamento da densidade de
minoritários, fora da região de transição, em equilíbrio termodinâmico e com o transístor na
zona activa directa.

E B C

p n p
LnC
nC0

nE pB0
nC
nE0 pB
LnE xnC
xnE
x pE x
O b’ x pC
b
Junção Emissora Junção Colectora

Fig. 3.3 – Andamento espacial das densidades de minoritários quando u E > 0 e uC < 0 : nE 0 , pB 0 e
nC 0 são os valores de equilíbrio termodinâmico dos portadores minoritários; b’ é a largura da região
neutra da base.

Na Fig. 3.4 mostra-se, para um TBJ p-n-p na zona activa directa, o movimento dos
portadores de carga responsáveis pelas correntes aos seus terminais. A corrente no emissor,
junto ao contacto metálico, é determinada pela corrente de buracos. Na região do emissor,
próxima da junção, a corrente de emissor possui duas componentes: a corrente de buracos
injectados na base a partir do emissor, que é dominante, e a corrente de electrões injectados da
base para o emissor. Ambas estas correntes estão associadas aos excessos de portadores
minoritários que se estabelecem nas fronteiras da região de transição da junção emissora que
está polarizada directamente. Com uma região da base suficientemente estreita só uma
pequena fracção dos buracos injectados do emissor é que desaparece na base por
recombinação. Os buracos que atingem a junção colectora serão transportados por acção do
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.5

campo eléctrico para a região do colector onde são maioritários. Na junção colectora esta
corrente de buracos é a parcela dominante para a corrente de colector que no entanto possui
outra componente devida aos electrões que são extraídos do colector para a base. Deste modo
a corrente de colector é, em módulo, só ligeiramente inferior à de emissor. A diferença entre
as duas correntes é a corrente de base que, de acordo com a análise anterior, pode ser
visualizada como sendo o resultado de três contribuições: fluxo e electrões que garante a
recombinação na base, fluxo de electrões injectados da base para o emissor e fluxo de
electrões extraídos do colector.

Emissor (p) Base (n) Colector (p)

Buracos Buracos
IE atravessando IC
injectados
na base a base

Electrões injectados Electrões extraídos


no emissor do colector

IB Electrões que se
recombinam na base
Fig. 3.4 – Movimento dos portadores no TBJ com polarização directa.

3.2.1. Dedução das equações de Ebers-Moll

Os andamentos nE ( x), nC ( x) e pB ( x) , na Fig.3.3, são obtidos por aplicação da


equação da continuidade, na situação estacionária, à evolução dos minoritários por difusão
com recombinação, para o cristal semi-infinito, nE ( x ) e nC ( x ) , e para o cristal finito,

pB ( x ) . Como é sabido a primeira situação conduz a um andamento exponencial e a segunda

a um andamento que envolve combinações de exponenciais (funções hiperbólicas). Tem-se


então, para o sistema de eixos e origem do referencial da Fig. 3.3:
3.6 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

x pE − x

⎣ ( )
nE ( x) = nE 0 + ⎡ n x pE − nE 0 ⎤ e

LnE
( x ≤ x pE )
x − x pC

( )
nC ( x) = nC 0 + ⎡ n x pC − nC 0 ⎤ e
⎣ ⎦
LnC
( x ≥ x pC )
(3.3)

1 ⎧⎪ ⎛ x −x⎞
pB ( x ) = p B 0 + ⎨ ⎣⎡ p ( xnE ) − pB 0 ⎦⎤ sh ⎜⎜ ⎟+
nC
⎛ b' ⎞ ⎪ L ⎟
sh ⎜ ⎟⎩ ⎝ pB ⎠
⎜ L pB ⎟
⎝ ⎠
⎛ x−x ⎞ ⎫⎪
+ ⎡⎣ p ( xnC ) − pB 0 ⎤⎦ sh ⎜ nE ⎟⎬ xnE ≤ x ≤ xnC
⎜ L pB ⎟
⎝ ⎠ ⎪⎭

As densidade de corrente de difusão é dada por

dn
J ndif = q Dn
dx
(3.4)
dp
J pdif = − q D p
dx

Deste modo, para a região do emissor, colector e base ter-se-à:

( )
⎡ n x pE − nE 0 ⎤ − x pE − x
J nEdif ( x) = q DnE
d nE ( x)
dx
= q DnE ⎣
LnE
⎦ e LnE
( x ≤ x pE )

( )
⎡ n x pC − nC 0 ⎤ − x − x pC
J nCdif ( x) = q DnC
d nC ( x)
dx
= − q DnC ⎣
LnC
⎦ e LnC
( x ≥ x pC )
(3.5)

{
d pB ( x) 1
J pBdif ( x) = − q D pB = − q D pB ⎡ p ( xnE ) − pB 0 ⎤⎦ ×
dx ⎞ ⎣ ⎛ b'
⎟⎟ sh ⎜
⎜ L pB
⎠ ⎝
⎛ x − x ⎞⎛ 1 ⎞ ⎛ x − xnE ⎞ 1 ⎫⎪
× ch ⎜ nC ⎟ ⎜ − ⎟ + ⎡⎣ p ( xnC ) − pB 0 ⎤⎦ ch ⎜ ( xnE ≤ x ≤ xnC )
⎜ L pB ⎟ ⎜ L pB ⎟ ⎜ L pB ⎟⎟ L pB ⎬
⎝ ⎠⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎪⎭

Nas fronteiras das junções emissora e colectora, as densidades de corrente de difusão


são dadas por
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.7

J nEdif ( x pE ) =
qDnE ⎡
LnE ⎣
( )
n x pE − nE 0 ⎤

J nCdif ( x pC ) = −
q DnC ⎡
LnC
(
= ⎣ n x pC − nC 0 ⎤⎦)

q D pB ⎧⎪ ⎡⎣ p ( xnE ) − pB 0 ⎤⎦ ⎛ b ' ⎞ ⎡⎣ p ( xnC ) − pB 0 ⎤⎦ ⎫⎪


J pBdif ( xnE ) = ch ⎜ − (3.6)
⎛ b ' ⎞ ⎩⎪

L pB ⎜ L pB ⎟⎟ L pB

sh ⎜ ⎝ ⎠ ⎭⎪
⎜ L pB ⎟⎟
⎝ ⎠

q D pB ⎧⎪ ⎡⎣ p ( xnE ) − pB 0 ⎤⎦ ⎡⎣ p ( xnC ) − pB 0 ⎤⎦ ⎛ b ' ⎞ ⎫⎪


J pBdif ( xnC ) = ⎨ − ch ⎜ ⎟⎟ ⎬
⎛ b ' ⎞ ⎩⎪ L pB L pB ⎜ L pB
sh ⎜ ⎝ ⎠ ⎭⎪
⎜ L pB ⎟⎟
⎝ ⎠

Atendendo a que

( )
n x pE = nE 0 eU E uT

p ( xnE ) = pB 0 eU E uT

(3.7)
p ( xnC ) = PB 0 e U C uT

( )
n x pC = nC 0 eUC uT

Vem:

( )
J nEdif x pE =
q DnE nE 0 U E
LnE
e ( uT
−1 )

⎡ U ⎛ b' ⎞ ⎤
( ) ( )
q D pB pB 0
J pBdif ( xnE ) = ⎢ e E uT
− 1 ch ⎜ ⎟⎟ − e C
U uT
−1 ⎥
(
L pB sh b ' L pB )⎢⎣ ⎜ L pB
⎝ ⎠ ⎥⎦
(3.8)
⎡ U ⎛ b' ⎞⎤
( ) ( )
q D pB pB 0
J pBdif ( xnC ) = ⎢ e E uT
− 1 − eUC uT
− 1 ch ⎜ ⎟⎟ ⎥
(
L pB sh b ' L pB )⎣⎢
⎜ L pB
⎝ ⎠ ⎦⎥

( )
J nCdif x pC = −
q DnC nC 0 UC
LnC
e ( uT
−1 )
Com:
3.8 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

( )
J nE x pE  J nEdif x pE ( )
J pB ( xnC )  J pBdif ( xnC )
(3.9)
J pB ( xnE )  J pBdif ( xnE )

( )
J nC x p 0  J nCdif x p 0 ( )
e desprezando a geração e recombinação na região de transição tem-se:

( )
J E = J nE x pE + J pB ( xnE ) e IE = A JE
(3.10)
J C = J pB ( xnC ) + J nC x pC ( ) e IC = − A J C

em que A é a área de secção transversal do TBJ.


Deste modo pode escrever-se
⎛D n ⎞
( ) (e )
D pB pB 0 D pB pB 0
I E = Aq ⎜ nE E 0 + ⎟ eU E uT
− 1 − Aq U C uT
−1
⎜ LnE
⎝ L pB sh b ' L pB( ) ⎟
⎠ (
L pB sh b ' L pB )
(3.11)
⎛D n ⎞
(e ) ( )
D pB pB 0 D pB pB 0
I C = − Aq U E uT
− 1 + Aq ⎜ nC C 0 + ⎟ eUC uT
−1
(
L pB sh b ' L pB ) ⎜ LnC
⎝ L pB sh b ' L pB ( )⎟

Comparando (3.11) com (3.1) tira-se


⎛D n D pB pB 0 ⎞
I ES = Aq ⎜ nE E 0 + ⎟
⎜ LnE
⎝ L pB sh b ' L pB ( ) ⎟

(3.12)
⎛D n D pB pB 0 ⎞
I CS = Aq ⎜ nC C 0 + ⎟
⎜ LnC
⎝ L pB sh b ' L pB ( ) ⎟

D pB pB 0
α R I CS = α F I ES = Aq
(
L pB sh b ' L pB )
A corrente de base obtém-se através da relação
I B = − I E − IC (3.13)
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.9

e é dada por:

(
I B = − (1 − α F ) I ES eU E uT
) (
− 1 − (1 − α R ) I CS eUC uT
−1 ) (3.14)

Note-se que a largura da região neutra da base, b ' , depende de U E e U C e portanto os

parâmetros α F , α R , I ES e I CS não são independentes das tensões de polarização,


contrariamente ao que seria de supor a partir de (3.1).

3.2.2. Definição da estrutura do TBJ que optimiza o seu funcionamento na zona activa
directa

Trabalhando (3.12) obtém-se

1 1

αF =
(
ch b ' L pB ) αR =
(
ch b ' L pB ) (3.15)
D L pB nE 0 ⎛ b ' ⎞ D L pB nC 0 ⎛ b ' ⎞
1 + nE sh ⎜ ⎟⎟ 1 + nC sh ⎜ ⎟⎟
D pB LnE pB 0 ⎜⎝ L pB ⎠ D pB LnC pB 0 ⎜⎝ L pB ⎠

Atendendo a que ch x ≥ 1 então α F , α R < 1 . Por sua vez pretendendo-se que a

interacção entre as junções seja elevada deverá ter-se b ' << L pB . No entanto b ' não pode

reduzir-se a zero pois, neste caso, haveria sobreposição das regiões de transição da junção
emissora e colectora, situação esta que se costuma designar por atravessamento da base. Nesta
situação o transporte dos portadores minoritários na base é por condução, devido ao campo
eléctrico intenso que aí se estabelece, a corrente de colector sobe rapidamente e,
consequentemente, o dispositivo deixa de funcionar como transístor. O TBJ pode então ser
destruído a não ser que haja um circuito exterior que limite a corrente no dispositivo para
valores aceitáveis. O dimensionamento de largura da região da base é por isso feito de modo a
que não haja atravessamento da base para as tensões máximas admissíveis para o dispositivo.
Para se conseguirem valores de αF elevados deve verificar-se

pb 0 >> nE 0 ⇒ N aE >> N dB , isto é, o emissor deve estar mais fortemente dopado que a base.

De igual modo para que α R seja elevado deverá ter-se N aC >> N dB . No entanto, tendo em
vista a optimização do funcionamento de TBJ na zona activa directa, não é conveniente ter
essa relação de impurezas entre a base e o colector. Com efeito funcionando geralmente o
TBJ com a junção colectora polarizada inversamente, é conveniente que a tensão de disrupção
do colector seja o maior possível. Uma diminuição da densidade de impurezas de ambos os
3.10 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

lados da junção colectora conduz a um aumento da tensão de disrupção pelo que, para um
dado N dB se deveria ter N aC << N dB . Além disso os parâmetros do transístor dependem de

b ' , que varia com U E e U C . Sendo geralmente U C < 0 há uma variação significativa da

largura da região de transição da junção colectora com esta tensão e que se vai reflectir no
valor de b ' . Atendendo a que a largura da região de transição numa junção assimétrica está
praticamente toda do lado menos dopado, uma relação de impurezas em que N dB >> N aC

permite ter uma largura b ' menos dependente de U C .

As expressões (3.12) podem escrever-se de forma mais simplificada se b ' << L pB . Neste

caso:

⎛D n D pB pB 0 ⎞
I ES  Aq ⎜ nE E 0 + ⎟ (3.16)
⎝ LnE b' ⎠

Se tivermos também em linha de conta que N aE >> N dB então

D pB pB 0
I ES  Aq (3.17)
b'

Por sua vez

⎛D n D pB pB 0 ⎞
I CS  Aq ⎜ nC C 0 + ⎟ (3.18)
⎝ LnC b' ⎠

1 D n b'
e também αF   1 − nE E 0 (3.19)
D n b' D pB pB 0 LnE
1 + nE E 0
D pB pB 0 LnE

1
e αR  (3.20)
D n b'
1 + nC C 0
D pB pB 0 LnC

O parâmetro α F pode-se exprimir em termos do produto de duas grandezas: o

rendimento de injecção ou eficiência de emissor, γ, e o factor de transporte, θ.


Define-se rendimento de injecção ou eficiência de emissor, γ, como:

J pE
γ= (3.21)
JE U C =0
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.11

e o factor de transporte θ:

J pC JC
θ=− =− (3.22)
J pE J pE
U C =0 U C =0

É importante notar que, sendo


JC
αF = − (3.23)
JE U C =0

então

αF = γ .θ (3.24)

Maximizar α F consiste pois em melhorar γ e θ.

3.2.3. Equações derivadas

A análise do ponto de funcionamento em repouso dum TBJ num dado circuito exige a
determinação das correntes e tensões no dispositivo. A utilização das equações de Ebers-Moll,
na forma expressa por (3.1), pode não ser a mais adequada para o circuito em questão. A
utilização de outras equações, derivadas das de Ebers-Moll e portanto com a mesma
generalidade, poderá ser mais conveniente. A escolha das equações mais adequadas para
resolver um dado problema prende-se com o tipo de montagem e valores fornecidos.

Partindo das equações (3.1) e substituindo em I C o valor de I ES eU E ( uT


)
− 1 obtido da

equação para I E , ter-se-á

(
I C = −α F I E + I CB 0 eUC uT
−1 ) (3.25)

em que

I CB 0 = (1 − α F α R ) I CS (3.26)

representa a corrente inversa de saturação da junção colectora quando o emissor está em


aberto ( I E = 0 ) .

Analogamente obter-se-à
3.12 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

I E = −α R I C + I EB 0 eU E( uT
−1 ) (3.27)

em que

I EB 0 = (1 − α F α R ) I ES (3.28)

representa a corrente inversa de saturação da junção emissora quando o colector está em


aberto ( I C = 0 ) .

Atendendo a que I E = − I B − I C , a equação (3.25) toma a forma

(
I C = β F I B + I CE 0 eU C uT
)
−1 (3.29)

em que:

αF
βF = e I CE 0 = (1 + β F ) I CB 0 (3.30)
1− αF

De igual modo se pode escrever

(
I E = β R I B + I EC 0 eU E uT
)
−1 (3.31)

em que

αR
βR = e I EC 0 = (1 + β R ) I EB 0 (3.32)
1− αR

As correntes I CE 0 e I EC 0 representam as correntes inversas de saturação das junções

colectora e emissora respectivamente, quando a base está em aberto ( I B = 0 ) . As equações

derivadas têm a particularidade de envolverem somente uma tensão, ou seja, um termo


exponencial. Sempre que possível, a escolha da equação deve envolver a tensão que está
associada à junção polarizada inversamente. Deste modo a resolução do problema será
grandemente simplificada.
Por exemplo, com o TBJ na zona activa directa, as equações (3.25) e (3.28)
simplificam-se para

I C  −α F I E − I CB 0 (3.33)

I C  β F I B − I CE 0 (3.34)

Com I CE 0  β F I B , na maior parte das situações de interesse, ter-se-á:


TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.13

IC  β F I B (3.35)

Esta relação indica que é conveniente ter um TBJ com β F elevado pois este parâmetro
está intimamente ligado com as características amplificadoras do transístor. Com efeito na
zona activa directa, e em regime quase-estacionário, a uma variação ΔI B na corrente de base

corresponde uma variação ΔI C na corrente de colector que é dada por:

ΔI C  β F ΔI B (3.36)

Os valores típicos de β F >> β R são da ordem dos 200-400 a que correspondem valores

de α F da ordem de 0,995-0,9975.
Para a zona activa inversa as equações mais simples para o TBJ derivam de (3.27) e
(3.31) e podem ser escritas como

I E  −α R I C − I EB 0 (3.37)

I E  β R I B − I EC 0 (3.38)

Quando o transístor está na saturação não é possível eliminar, das expressões das
correntes no dispositivo, os termos exponenciais em virtude das tensões de polarização serem
ambas positivas. A dificuldade na determinação destas correntes é contudo aparente porque,
como foi visto para o díodo, as tensões de polarização directa das junções são relativamente
baixas e, no caso ideal, podem ser consideradas nulas. Na saturação o TBJ pode, em primeira
aproximação, ser substituido por um curto-circuito e as correntes que o percorrem poderão ser
calculadas com base no circuito exterior de polarização. No sentido de obter resultados mais
precisos podem-se modelizar as junções polarizadas directamente por fontes de tensão
constante que, para um dispositivo de Silício, é usual tomarem o valor de 0,7 V.
Na zona de corte as correntes no emissor e no colector, e portanto na base, são da ordem
das correntes inversas de saturação das junções e, em primeira aproximação, o TBJ pode ser
substituido por um circuito aberto.

É importante haver concordância entre as equações e os sentidos convencionados como


positivos para as correntes e tensões. Quando isso não acontece os sinais para as correntes e
tensões aparecem trocados o que se vai reflectir na análise do PFR do TBJ e também na
distribuição das quedas de tensão nos restantes elementos do circuito conduzindo a
3.14 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

resultados errados e, na maior parte das vezes, sem significado físico. Se se pretender utilizar
sentidos de referência, para as correntes e tensões, diferentes dos indicados na Fig. 3.2
dever-se-ão corrigir as equações de Ebers-Moll e as equações derivadas, trocando, nessas
equações, o sinal das grandezas que tiveram o sentido alterado. Por exemplo no caso do TBJ
n-p-n, com os sentidos indicados na figura abaixo, as equações devem ser escritas como

iE iC (
I E = I ES eU E uT
) (
− 1 − α R I CS eU C uT
−1 )
E C
(
I C = α F I ES eU E uT
− 1) − I ( e
CS
U C uT
− 1)

uE
iB
uC I C = α F I E − I CB 0 ( e − 1)
U C uT

B
I C = β F I B − I CE 0 ( e − 1)
U C uT

n-p-n I E = α R I C + I EB 0 ( e − 1)
U E uT

(
I E = −β R I B + I EC 0 eU E uT
)
− 1 e IC + I B − I E = 0 .

Mesmo com as correntes e tensões calculadas correctamente é necessário ter em


atenção que a definição da zona de funcionamento do TBJ deve ser feita em termos do tipo de
polarização das junções emissora e colectora e não dos sinais das tensões correpondentes
pois estes dependem da convenção adoptada. Por exemplo, para o esquema do n-p-n referido
anteriormente a zona activa directa é definida por u E > 0 e uC < 0 . Contudo se o sentido

convencionado para a tensão uC fosse o oposto do indicado, o TBJ estaria na zona activa

directa só se u E > 0 e uC > 0 . Para que se possa dizer se a junção colectora está ou não

polarizada inversamente é pois essencial ligar o sinal de uC com o sentido convencionado

como positivo.
O cálculo da potência posta em jogo no TBJ pode também ser afectado pelas
convenções adoptadas para os sentidos das tensões e correntes. Para os sentidos usados na
Fig. 3.2 a potência na junção colectora é simplesmente PC = U C I C . No entanto para o caso em
que a corrente de colector troca de sentido convencional a potência na junção colectora deve
escrever-se PC = −U C I C . Com esta convenção uma potência positiva indica dissipação de
energia e negativa indica fornecimento de energia.
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.15

3.2.4. Modelo SPICE do TBJ

O circuito eléctrico equivalente do TBJ, obtido a partir das equações (3.1), está
representado na Fig. 3.5. Neste circuito a interacção entre as duas junções está incluida nas
fontes de corrente dependentes.

(
I E1 = I ES eU E uT
−1 ) (
I E 2 = I CS eUC uT
)
−1

IE IC
E C

αR IE2 α F I E1
IB
UE UC

Fig. 3.5 – Circuito eléctrico equivalente do TBJ

Introduzindo a corrente

I S = α F I ES = α R I CS (3.39)

as equações de Ebers-Moll, (3.1), tomam a seguinte forma:

IE =
IS
αF
(e U E uT
) (
− 1 − I S eU C uT − 1


)
I EC

(3.40)

( I
I C = − I S eU E uT − 1 + S eU C

αR
) ( uT
)
−1
I CE

O circuito eléctrico equivalente do TBJ baseado em (3.40) está representado na Fig.3.6 e não
difere muito do circuito da Fig. 3.5.

Os modelos anteriores possuem duas fontes de corrente dependentes sendo possível


contudo obter um circuito que permite modelizar o TBJ envolvendo uma única fonte de
corrente. De (3.30) e (3.32) tira-se
3.16 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

1 1 1 1
= 1+ e = 1+ (3.41)
αF βF αR βR

I CE / α F I EC / α R

IE IC
E C

I EC I CE
IB
UE UC

Fig. 3.6 – Circuito eléctrico equivalente do TBJ

pelo que (3.40) pode tomar a forma:

⎛ 1 ⎞ UE
I E = I S ⎜1 +
⎝ β
⎟ e
F ⎠
( uT
)

(
− 1 − I S eU C uT − 1

)
I EC

(3.42)
⎛ 1 ⎞ UC

(

)
I C = − I S eU E uT − 1 + I S ⎜1 +
⎝ βR ⎠
⎟ e ( uT
)
−1
I CE

As equações (3.42) são a base do modelo do TBJ utilizado no programa SPICE e os


parâmetros I S , β F e β R são todos parâmetros do SPICE.
Atendendo à definição de IEC e ICE, ter-se-á:

I CE I EC I CE I EC
I E = I CE + − I EC ; I C = − I CE + + I EC ; I B = − − (3.43)
βF βR βF βR

e o circuito eléctrico correspondente é o da Fig. 3.7, que é o modelo do TBJ utilizado no


programa SPICE para a análise de circuitos.
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.17

I CE − I EC

IE IC
E C

I CE / β F I EC / β R

IB
UE UC

Fig. 3.7 – Circuito eléctrico equivalente do TBJ utilizado no programa SPICE.

No caso do TBJ estar na zona activa directa, as equações gerais (3.42) podem
simplificar-se

UE
IC  − I S e uT

⎛ 1 ⎞ U E uT I
I E  ⎜1 + ⎟ IS e =− C (3.44)
⎝ βF ⎠ αF
UE
IS IC
IB = − e uT

βF βF

Os sentidos reais das correntes para os transístores pnp e npn, na zona activa directa, estão
representados na Fig. 3.8.

iE iC iE iC
E C E C

uE uC uE uC
iB iB

B B

p-n-p n-p-n

Fig. 3.8 –Sentidos reais das correntes para os transístores pnp e npn, na zona activa directa.

Para estes sentidos para as correntes as expressões (3.44) podem ser escritas como
3.18 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

UE
uT IC I
IC  I S e ; IE  ; IB  C (3.45)
αF βF

3.3. Análise das características do TBJ

3.3.1. Montagens básicas

O TBJ, embora seja um dispositivo de três terminais, pode ser tratado como um
quadripolo, em que um dos terminais é comum à entrada e à saída. Deste modo é possível
distinguir três tipos de montagens: emissor comum, colector comum e base comum, Fig. 3.9.

Emissor comum Colector comum


iC iE
uC
C uE
E

iB iB
B uCE B uEC
u1 u1
uE uC
iE
E E C C
(a) (b)

Base comum
iE iC
E C

uE uC

B B
(c)

Fig. 3.9 – Montagens básicas para o TBJ.

Para cada uma das montagens, o comportamento do TBJ em regime estacionário é


completamente caracterizado através das suas características de entrada e saída em que cada
uma destas características é constituída por uma família de curvas. Perde-se assim a
simplicidade inerente à característica dum dispositivo de dois terminais, como o díodo, que é
constituída por uma única curva I(U). É ainda de realçar que cada montagem determina uma
dada resposta do dispositivo às tensões e correntes aplicadas pelo que a escolha do tipo de
montagem é determinada pela aplicação que se pretende implementar.
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.19

3.3.2. Características da montagem emissor comum

Esta montagem está representada na Fig. 3.9 (a). Neste caso a tensão de saída é U CE ,
que não coincide com as tensões que aparecem nas equações de Ebers-Moll. O
comportamento do TBJ vai ser descrito por duas famílias de curvas,
Características de entrada: I B (U1 ) U te
CE =C

Características de saída: I C (U CE ) I B =C te

As equações que interessa reter são:

(
− I B = (1 − α F ) I ES eU E uT
)
− 1 + (1 − α R ) I CS eUC( uT
)
−1

(
I C = β F I B + I CE 0 eU C uT
−1 ) (3.46)

(
I E = β R I B + I EC 0 eU E uT
−1 )
e ainda U CE = U C − U E , I E = − I B − I C e U1 = −U E .
Sob o ponto de vista das aplicações a montagem emissor comum é uma das mais
importante e as características de saída associadas à zona activa directa de funcionamento são
das mais utilizadas no projecto de circuitos electrónicos.

3.3.2.1. Características de saída: I C (U CE ) I te


B =C

A expressão para I B , (3.14), permite concluir que I B toma normalmente valores

negativos para os sentidos de referência indicados. O valor positivo máximo de I B é dado por

I B = (1 − α F ) I ES + (1 − α R ) I CS . (3.47)

obtido quando o TBJ está na zona de corte (U C < 0, U E < 0 ) .

Quando U CE é negativo e U CE << −uT , tem-se U CE  U C pois a junção emissora está


polarizada directamente, zona activa directa. Deste modo

I C  β F I B − I CE 0 . (3.48)

De igual modo se U CE for positivo e U CE >> uT ter-se-á U CE  −U E pois a junção


3.20 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

colectora está polarizada directamente, zona activa inversa. Assim vem

I E  β R I B − I EC 0 . (3.49)

Como I E = − I B − I C , tira-se

I C  − ( β R + 1) I B + I EC 0 . (3.50)

Na Fig. 3.10 mostram-se as curvas correspondentes a (3.48) e (3.50), assim como a sua
evolução quando −uT < U CE < uT Na figura estão também identificadas as várias zonas de
funcionamento do TBJ e a disrupção.
IC

Zona activa
inversa
Disrupção da
junção emissora
Saturação

ICE0 Corte
(1 + βR ) ΔI B
UCE0
UCE
UEC0
IB = 0 IEC0
β F I B1 Corte

I B1 < 0
Disrupção da β F ΔI B Saturação
junção colectora
I B 2 < I B1 < 0

Zona Activa
Directa

Fig. 3.10 – Características de saída do TBJ na montagem emissor comum.

Os valores de U CE correspondentes à saturação são da ordem dos 0,2-0,3 V em virtude

de, possuindo as junções emissora e colectora diferenças de potencial de contacto diferentes,


também possuem tensões de polarização directa diferentes. No caso de junções idênticas a
tensão U CE correspondente à saturação deveria ser aproximadamente zero.
A disrupção manifesta-se quer na zona activa directa quer na zona activa inversa. Os
valores de U CE para os quais o dispositivo entra em disrupção são contudo bastante

diferentes para as duas zonas de funcionamento já que na zona activa directa é a junção
colectora que determina a disrupção e na zona activa inversa é a junção emissora. Devido ao
perfil de impurezas a tensão de disrupção da junção emissora é muito menor que a da junção
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.21

colectora e portanto U CE 0  U EC 0 . Também se verifica que quando I C sobe a tensão de

disrupção em módulo baixa.


Como se mostra na Fig. 3.11 as curvas I C (U CE ) I te só passam pela origem quando
B =C

I B = 0 . Em geral o valor de U CE que conduz a I C = 0 é dado por

βF ( − I B )
1+
I CE 0
U CE ( I C = 0 ) = uT ln (3.51)
β ( −IB )
1+ F
α R I CE 0

que, para I B < 0 e − I B  I CB 0 dá

U CE ( I C = 0 )  uT ln α R (3.52)

3.3.2.2. Características de entrada: I B (U1 ) U te


CE =C

Estas características são apresentadas na Fig. 3.11 e são obtidas a partir de (3.14). É de
realçar a semelhança destas características com a característica do díodo. No gráfico a tensão
U ED é a tensão de disrupção de junção emissora e I B 0 = (1 − α F ) I ES + (1 − α R ) I CS
−I B

U CE > 0 U CE = 0 U CE  −uT

Zona activa directa

U ED I B0
U E ( −U1 )

Fig. 3.11 – Características de entrada do TBJ na montagem emissor comum.

Exemplo 3.1 – Para um TBJ n-p-n, com a convenção para os sentidos das correntes e

tensões indicados na Fig. 3.8, traçar as características de saída I C (U CE ) I B = C te


3.22 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

relativas à zona activa directa. É importante recordar que o sentido positivo da tensão
U CE é sempre do colector C para o emissor E.
Solução:
As correntes IC e IB estão dirigidas no sentido oposto àquele para que foram eduzidas as
equações de Ebers-Moll. Quanto à tensão U CE é de realçar que (U CE ) p − n − p = U C − U E e

(U CE ) n − p − n = −(U C − U E ) ou seja (U CE ) n − p − n = −(U CE ) p − n − p . Deste modo, no gráfico da

Fig. 3.10, isso equivale a trocar o sentido dos eixos relativos a IC e UCE e o sinal

correspondente a IB. As características I C (U CE ) I B = C te para o n-p-n, na zona activa

directa, estarão portanto agora no 1º quadrante. Para o p-n-p obtêm-se características


idênticas desde que se adoptem os sentidos para as correntes da Fig. 3.8 e se exprima o
eixo das abcissas em termos de U EC .

IC IC
n-p-n p-n-p
I B3 > I B 2 I B3 > I B 2
I B 2 > I B1 I B 2 > I B1
I B1 > 0 I B1 > 0

U CE U EC

3.3.3. A disrupção no TBJ

A disrupção no TBJ pode ser devida à disrupção na junção colectora ou na junção


emissora e os mecanismos subjacentes são os mesmos que conduzem à disrupção no díodo. O
valor da tensão de disrupção depende do valor da corrente na junção respectiva e, atendendo a
que essa corrente depende da montagem, isto é, do circuito exterior, tensão de disrupção não é
só característica do transístor. Neste contexto é fácil de perceber que a tensão de disrupção do
colector com a base em aberto ( I B = 0 ) é menor em módulo do que a que se obtém com o

emissor em aberto ( I E = 0 ) . Atendendo a que N aE  N dB  N aC a tensão de disrupção na

junção emissora é bastante inferior à da junção colectora o que não é em geral um problema
porque a junção emissora está, em princípio, polarizada directamente. Os valores típicos para
a tensão de disrupção do colector são da ordem de 50 – 100 V enquanto que a disrupção do
emissor se dá para valores de tensão cerca de dez vezes menores. A tensão de disrupção do
colector é na maior parte dos dispositivos, o factor determinante na definição da tensão
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.23

máxima do dispositivo. Assim, no fabrico do transístor, escolhe-se uma densidade de dopante


para a região de colector que garanta uma tensão de disrupção só um pouco mais elevada que
a tensão máxima especificada. Baixar mais a densidade de dopante no colector iria aumentar
desnecessariamente a resistência da região colectora. De igual modo a largura da região
colectora é dimensionada para acomodar a região de transição nas condições de polarização
inversa, com a tensão máxima em módulo. Uma região de colector maior aumenta a
resistência e uma região menor reduz a tensão de disrupção. Os valores da tensão de
disrupção indicam que o mecanismo dominante é o de avalanche. Como no caso díodo, a um
aumento da temperatura corresponde um aumento do módulo de tensão de disrupção.

3.3.4. Efeito de Early

A relação (3.29) e a Fig. 3.10 mostram que, na zona activa directa, para I B constante

então I C é constante. Experimentalmente verifica-se que I C sobe com o aumento em módulo

de U C que, na zona activa directa, é sensivelmente igual a U CE já que U C = U E + U CE e

U E > 0 , U E  0, 7 V para o Silício, Fig. 3.12.

A evolução das características experimentais é justificada em termos do aumento de β F

αF
com o aumento de U CE . Com efeito, atendendo a que β F = e tendo em linha de conta
1− αF
(3.19), obtém-se:

D pB LnE pB 0
βF  (3.53)
DnE b ' nE 0

que é inversamente proporcional a b ' . Um aumento de U C  U CE faz diminuir a largura da

região neutra da base, b ' , e portanto aumentar β F . Este efeito é designado por efeito de Early

e é caracterizado pelo parâmetro VA que se designa por tensão de Early com valores típicos da
ordem dos 100 V.
3.24 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

− IC Zona activa directa


Saturação I B3 > I B 2
Teórico
Experimental I B 2 > I B1

I B1

−VA −U CE

Fig. 3.12 – Características I C (U CE ) I B = C te para um TBJ p-n-p,


evidenciando o efeito de Early.

3.3.5. Variação de α F , β F com a corrente

As expressões de α F e β F , (3.19) e (3.53) respectivamente, baseiam-se num modelo


muito simples, que assenta na difusão dos portadores de minorias e em que se desprezam a
geração e recombinação de portadores na região de transição. Com polarização directa a
corrente na junção emissora, para correntes baixas, poderá ter uma componente de corrente de
recombinação importante dando origem a uma eficiência de emissor menor que aquela que se
obtém para correntes mais elevadas. Sendo assim α F e portanto β F serão menores para
níveis de corrente mais baixos, Fig. 3.13.

βF

1000

100

10−6 10−4 10−2 − IC ( A)

Fig. 3.13 – Variação de βF com a corrente de colector.


TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.25

Para valores de corrente elevados está-se nas condições de injecção forte e β F desce
com o aumento da corrente. Nestas condições o factor de transporte e a eficiência de emissão
baixam em virtude do aumento recombinação na região da base e dos efeitos associados à
resistência de base, que deixa de ser desprezável. Um dos efeitos associados à resistência da
base é a diminuição da tensão de polarização da junção emissora à medida que nos afastamos
dos extremos da junção pelo que só existe a corrente de emissor na periferia da junção
(“emitter crowding”), Fig. 3.14.

E Região de transição
B Emissor-Base

Emissor
Base Base

Colector
Linhas de fluxo de
Região de transição
portadores maioritários
Base-Colector

Fig. 3.14 – Secção transversal de um TBJ em que os efeitos associados à resistência de base podem ser
importantes.

3.3.6. Efeitos da Temperatura

O efeito da temperatura manifesta-se, como no díodo, num aumento da densidade


intrínseca e portanto da densidade de portadores minoritários. Embora os transístores possuam
uma geometria e perfil de impurezas muito variado verifica-se que na generalidade dos
transístores de silício o α F , e por isso o β F , aumentam com o aumento da temperatura. Esta
variação pode ser explicada em termos do aumento do comprimento de difusão com a
temperatura que domina sobre o aumento da largura da região da base b ' , ver eq. (3.19). Em
muitos transístores o emissor é degenerado e portanto a altura da banda proibida é inferior à
da região da base e do colector. Um aumento da temperatura faz com que niB suba mais que
2
ni E e portanto a relação niE 2
niB desce, o que faz com que o valor de α F ou β F aumente,
como se pode ver pela expressão:
3.26 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

αF =
(
ch b ' L pB ) (3.54)
2
D L pB niE N dB b'
1 + nE 2
th
D pB LnE niB N aE L pB

No que se refere à tensão de disrupção, o seu valor em módulo sobe com o aumento da
temperatura quando o mecanismo dominante é a avalanche.

3.3.7. Região de funcionamento seguro dum TBJ

Um TBJ está limitado por um valor de temperatura máxima, acima do qual há o perigo
de ser destruído. O valor desta temperatura pode ser atingido para várias combinações de
valores de ( IC , U CE ) , obtidas para diversos regimes de funcionamento do transístor. A

temperatura do dispositivo é determinada pela potência posta em jogo nas junções emissora e
colectora

P = U E I E + U C IC (3.55)

que, na zona activa directa, pode ser aproximada por:

P  U C IC , (3.56)

isto é, a dissipação tem lugar sobretudo na junção colectora. É por esta razão que o
encapsulamento e o dissipador devem ser colocados junto à junção colectora para que a
transferência de energia do dispositivo para o meio ambiente seja mais eficaz.
A temperatura T da junção, na situação estacionária, é obtida a partir da relação

f (T − Ta ) = P (3.57)

em que Ta é a temperatura ambiente e f é uma função que representa as perdas para o

exterior e é em geral um polinómio em (T − Ta ) . No caso das perdas serem

predominantemente por condução pode-se escrever:

f (T − Ta )  a (T − Ta ) (3.58)

em que a é a condutância térmica do semicondutor que depende do material e da geometria


do dispositivo. A 1 a costuma chamar-se resistência térmica.
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.27

A potência máxima admissível para o transístor pode então ser expressa por:

Pmax = a (Tmax − Ta ) (3.59)

que, como se vê da expressão, depende da temperatura ambiente. O valor de Pmax é um valor


de catálogo e é especificado para uma dada temperatura ambiente. De (3.59) é fácil de
concluir que Pmax diminui com o aumento da temperatura ambiente.
Na Fig. 3.15 mostra-se a região de funcionamento seguro do dispositivo no plano
I C (U CE ) com a indicação das limitações correspondentes.

− IC

− I CMX

Pmax

2ª disrupção

uCED
−uCE
Disrupção
Fig. 3.15 – Região de funcionamento seguro do TBJ.

O valor de I CMX está associado ao aquecimento demasiado elevado dos fios metálicos
que ligam os contactos metálicos do dispositivo ao encapsulamento e que pode conduzir à sua
fusão.
O limite imposto pela segunda disrupção resulta da não uniformidade do fluxo de
corrente na junção emissora-base. Este efeito traduz-se no aquecimento local da junção que
pode conduzir a um aumento da corrente, criando-se então as condições para o embalamento
térmico o qual, tratando-se de um fenómeno pontual e bem localizado no semicondutor, não
depende da temperatura ambiente. A disrupção em si não conduz à destruição do TBJ desde
que exista um circuito exterior que permita limitar a corrente no dispositivo. No entanto,
como este efeito pode ser acompanhado por aquecimentos locais, é de evitar que TBJ entre
em disrupção.
3.28 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

A curva que limita a área de funcionamento seguro do TBJ depende de se os valores da


tensão e corrente são ou não variáveis no tempo. A área de segurança é maior no caso em que
as grandezas variam no tempo.

Exemplo 3.2 – Pretende-se determinar a zona


de funcionamento e o ponto de funcionamento RC
em repouso (PFR) dum TBJ n-p-n no circuito da UC IC +
figura, conhecidos os parâmetros do transístor e RB IB EC
UCE −
os valores dos restantes elementos do circuito. +
EB UE IE
TBJ(300K): βF=200; ICE0=1 μA; Ucdisr=30 V; −
Pcmax=100mW. EC=40 V; EB=20 V; RC=10 kΩ;

RB=1,3 MΩ.

Solução:
A determinação da zona de funcionamento e do PFR do TBJ deve ser feita em três
passos: 1) Observar atentamente o circuito com o transístor nomeadamente no que se
refere à polarização mais provável das junções emissora e colectora atendendo à
polaridade das baterias; 2) Avançar com uma hipótese relativamente à zona de
funcionamento. Definida a zona de funcionamento, devem-se escolher as equações do
transístor mais adequadas para resolver o problema com o mínimo de esforço e de
tempo; 3) Confirmação ou não da hipótese. A partir dos resultados obtidos é obrigatório
verificar se a hipótese é ou não confirmada. No caso de não ser confirmada a hipótese os
resultados obtidos não são correctos pelo que o PFR deve ser de novo calculado para
outra zona de funcionamento. Os resultados têm que ser sempre consistentes com a zona
de funcionamento correspondente. Iremos seguir os passos anteriores para resolver o
problema proposto.
A bateria EB está ligada de modo a polarizar directamente a junção emissora. No que se
refere a EC não se pode concluir nada sobre o seu efeito na junção colectora porque o
valor de UC não está directamente dependente de EC. Há portanto duas zonas prováveis
de funcionamento: zona activa directa (UE>0, UC<0) ou zona de saturação (UE>0, UC>0).
Em geral deve escolher-se como primeira hipótese a zona activa directa porque permite
utilizar expressões mais simples para o TBJ.
Considera-se então a hipótese de que o transístor está na zona activa directa. Circulando
na malha de entrada obtém-se I B = −( EB − U E ) / RB  − EB / RB = −15, 4 μA pois,
admitindo UE>0, pode-se desprezar UE face a EB. Esta simplificação é aceitável pois não
é indicado o material semicondutor utilizado no fabrico do TBJ e portanto não se
conhecem os valores típicos para as tensões de polarização directa das junções que, no
entanto sabemos, são da ordem de décimos de Volt. Para o Si é usual utilizar U E  0,7 V
quando se pretende obter um valor mais correcto para IB. A corrente IC, dada por
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.29

I C = β F I B + I CE 0 [ exp(U C / uT ) − 1] pode ser escrita como I C  β F I B − I CE 0 = −3,08 mA

admitindo que UC<0 e UC<<-uT. A corrente IE obtém-se de I E = − I B − I C  3,09 mA . Com


base nestes resultados vamos então testar a nossa hipótese. Comecemos por calcular
UC. Circulando na malha exterior tem-se EB + RB I B = U C + RC I C + EC ou seja

U C  − RC I C − EC = −9, 2 V . Verifica-se portanto que UC<0 e UC<<-uT, e que a junção


colectora não está na disrupção. Embora sem calcular a tensão UE vejamos se é positiva.

Da equação de Ebers-Moll I E = I ES ⎡⎣exp (U E / uT ) − 1⎤⎦ − α R I CS ⎡⎣exp (U C / uT ) − 1⎤⎦ , e

atendendo a que UC<<-uT, pode-se escrever I E  I ES ⎡⎣ exp (U E / uT ) − 1⎤⎦ + α R I CS . Sendo

IE>0 e com valores relativamente elevados então UE>0. Confirmou-se então que o TBJ
está na zona activa directa, com os valores das correntes e tensões obtidos
anteriormente. Os resultados permitem também verificar se o TBJ está ou não a trabalhar
numa zona de funcionamento seguro. A potência posta em jogo no TBJ, na zona activa
directa, é aproximadamente a potência posta em jogo na junção colectora e dada por
P  PC = U C I C = 28,3 mW e que é muito menor que a potência máxima.

Exemplo 3.3 – Considere o circuito analisado no exemplo anterior. Determinar

graficamente o PFR a partir das características de saída I C (U CE ) I B = C te . Supondo que

se mantêm os valores de EB e RB, analisar graficamente a evolução de EC ou RC que faz


com que o TBJ entre na região de saturação ou na disrupção e calcular os seus valores.
Solução:

A característica de saída I C (U CE ) I B = C te do TBJ é constituida por uma única curva,

correspondente ao valor de IB definido pela malha de entrada. A malha de saída permite


obter a relação IC(UCE), que constitui a recta de carga, − I C = ( EC − U CE ) / RC . Da
intersecção da recta de carga com a característica do transístor obtém-se o PFR, como se
mostra nas figuras abaixo. Graficamente é fácil de ver que, para EC fixo, uma diminuição
de RC pode fazer com que o TBJ entre na disrupção; pelo contrário um aumento de RC
leva o TBJ para a zona de saturação. Para um RC fixo, aumentar EC pode fazer com que o
TBJ entre na disrupção; uma diminuição de EC pode levar o transístor para a saturação.
A entrada na saturação corresponde a ter as duas junções directamente polarizadas, i.e.,
U CE  0 pelo que 0 = EC + RC I C . Por sua vez a corrente no colector é, à entrada na
saturação, igual à da zona activa directa. Sendo assim, para EC= 40 V, o TBJ estará na
saturação se RC ≥ 13 k Ω . No caso em que RC = 10 k Ω o TBJ está na saturação para

EC ≤ 30,8 V . A análise da disrupção baseia-se no facto de que a tensão


U CE  U cdisr = 30 V e que à entrada da disrupção a corrente no colector é igual à da zona
3.30 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

activa directa. Para a malha de saída tem-se então U CE = EC + RC I C pelo que, para EC=

40 V, o TBJ está na disrupção se RC ≤ 3, 25 k Ω . Deve verificar que a resistência não deve

contudo ser inferior a 3 kΩ, porque abaixo deste valor é ultrapassada a potência máxima
do TBJ. Para RC = 10 k Ω o TBJ está na disrupção se EC ≥ 60,8 V . Pode comprovar no

entanto que se deve verificar EC ≤ 63,3 V para que não seja ultrapassada a potência
máxima do TBJ.
− IC − IC RC fixo
n-p-n EC aumenta n-p-n
Aumenta RC
EC / RC EC fixo EC / RC
3,08 mA I B = −15, 4 μA I B = −15, 4 μA
3,08 mA

9,2 V 30 V EC U CE 9,2 V 30 V EC U CE

3.4. Regime Dinâmico

As equações de Ebers-Moll foram obtidas nas condições em que não há variação no


tempo da densidade de portadores. Em regime variável só é válida a utilização das equações
de Ebers-Moll se a variação for suficientemente lenta para que a resposta do dispositivo possa
ser descrita por uma sucessão de estados estacionários ou seja, se se estiver num regime
quase-estacionário. Nestas condições a análise do circuito sob o ponto de vista da sua resposta
a sinais de pequena ou grande amplitude pode ser feita facilmente quer através das equações
do TBJ ou das suas características. Fora do regime quase-estacionário contudo, para qualquer
tipo de montagem e no caso de sinais sinusoidais de pequena amplitude, é possível representar
o transístor por um modelo linear.

3.4.1. Modelo incremental geral do TBJ

Atendendo a que o TBJ pode ser olhado como um quadripolo, podem estabelecer-se
diversos tipos de relações entre as correntes e tensões presentes na entrada e na saída, cada
uma delas dando origem a um circuito eléctrico equivalente para o transístor. No caso das
tensões serem as variáveis independentes ter-se-á

⎡ ii ⎤ = ⎡ yii yio ⎤ ⎡ ui ⎤
⎢i ⎥ ⎢ y yoo ⎥⎦ ⎢⎣uo ⎥⎦
(3.60)
⎣ o ⎦ ⎣ oi
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.31

⎡y yio ⎤
Em que a matriz Y = ⎢ ii
yoo ⎥⎦
é designada por matriz das admitâncias com
⎣ yoi

ii ii
yii = yio =
ui uo =0
uo ui =0
(3.61)
i i
yoi = o yoo = o
ui uo =0
uo ui =0

O circuito eléctrico equivalente para o TBJ, correspondente à relação (3.60), está


representado na Fig. 3.16 em que os valores dos parâmetros y são obtidos a partir de (3.61).
É de realçar que o valor dos elementos da matriz depende do ponto de funcionamento
em repouso e do tipo de montagem considerado.

ii io

yoi ui
ui 1 yii u0
yiou0 1 yoo

Fig. 3.16 – Circuito incremental do TBJ obtido a partir da matriz das admitâncias.

De igual modo se se pretender uma relação entre as tensões em as correntes, ter-se-á a


matriz das impedâncias.

⎡ ui ⎤ ⎡ zii zio ⎤ ⎡ ii ⎤
⎢u ⎥ = ⎢ z zoo ⎥⎦ ⎢⎣io ⎥⎦
(3.62)
⎣ o ⎦ ⎣ oi
Quando as variáveis independentes são a corrente de entrada e a tensão de saída ter-se-
ão os parâmetros híbridos h. Se a tensão de entrada e corrente de saída forem as variáveis
independentes ter-se-ão os parâmetros híbridos g.
Os parâmetros híbridos h são os mais utilizados e são também aqueles que são
normalmente fornecidos pelo fabricante. As vantagens destes parâmetros prendem-se com o
facto de poderem ser facilmente determinados experimentalmente e porque permitem uma
análise mais simples dos circuitos. A matriz h é geralmente escrita, na montagem emissor
comum, como:
3.32 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

⎡ui ⎤ ⎡ii ⎤ ⎡h hre ⎤


⎢ ⎥ = [h] ⎢ ⎥ [ h ] = ⎢ hie hoe ⎥⎦
(3.63)
⎣io ⎦ ⎣ uo ⎦ ⎣ fe

ui ui
hie = [Ω] hre =
ii uo = o
uo ii =0
(3.64)
i i
h fe = o hoe = o [S ]
ii uo = o
uo ii =o

em que o primeiro índice se refere a: i – entrada (“input”); o – saída (“output”); r – inverso


(“reverse”); f – directo (“forward”), e o segundo índice se refere ao tipo de montagem: e –
emissor comum; c – colector comum; b – base comum.
O circuito eléctrico equivalente para o TBJ, utilizando os parâmetros h, está
representado na Fig. 3.17.

ii io

hi h f ii
ui 1 ho u0
+

hr vo

Fig. 3.17 – Circuito eléctrico equivalente do TBJ com base nos parâmetros h.

É importante realçar que, dado um determinado tipo de parâmetros para uma dada
montagem, se podem obter os restantes parâmetros para essa ou qualquer das outras
montagens embora, nalguns casos, isso comporte alguma dificuldade.
Quando é necessário incluir os efeitos capacitivos as relações referidas nos parágrafos
anteriores devem ser escritas de forma mais conveniente em termos das amplitudes complexas
das tensões e correntes sendo os elementos das matrizes, em geral, números complexos que
poderão representar impedâncias, admitâncias ou grandezas adimensionais.
Atendendo que os parâmetros incrementais dependem do PFR, os valores de catálogo
são normalmente especificados para uma dada corrente de colector (típ. 1mA), tensão
colector-base (típ. 5V), temperatura ambiente (25 ºC) e frequência (1 KHz).
Na tabela 3.1 indicam-se os valores típicos dos parâmetros híbridos h para alguns
transístores.
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.33

Tabela 3.1 - Parâmetros híbridos para vários transístores em baixa frequência


h TBJ 2N1613 2N3114 2N699B
hie ( Ω ) 2,2 1,5 2,8
(
hre ×10−4 ) 3,6 1,5 3,5
h fe 55 50 70
hoe ( μ S ) 12,5 5,3 11
hib ( Ω ) 27 27 27
(
hrb ×10−4 ) 0,7 0,25 0,5
h fb -0,98 -0,981 -0,987
hob ( μ S ) 0,16 0,09 0,12

3.4.2. Modelo π-híbrido

O tratamento formal e bastante geral descrito anteriormente para o modelo incremental


do TBJ possui algumas desvantagens. Como foi referido, cada parâmetro é, em geral, um
número complexo que varia de uma forma mais ou menos complicada com a frequência,
temperatura ambiente e PFR e sem uma relação simples com a física do dispositivo. Deste
modo, o projecto de um circuito electrónico obriga à utilização de vários gráficos e tabelas
que descrevem a dependência dos parâmetros utilizados com essas grandezas não permitindo
prever facilmente o comportamento do circuito em várias situações.
Um modelo incremental especialmente importante para o TBJ na zona activa directa é
o modelo π-híbrido cujo nome deriva da topologia associada ao circuito correspondente.
Consideremos então que o TBJ está na zona activa directa, u E > 0 e uC < 0 , e vamos

supor que as tensões sofrem variações incrementais, isto é, uE varia de U E para U E + ΔU E e

uC de U C para U C + ΔU C . Iremos determinar o efeito destas variações nas correntes de


colector e de base do dispositivo.
Das equações de Ebers-Moll pode escrever-se

⎛ uE ⎞
iC  −α F I ES e − 1⎟ − I cs
⎜ uT
(3.65)
⎜ ⎟
⎝ ⎠

uE

pois uC  −uT . Com uE > 0 tem-se normalmente e uT


 1 a que faz com que o primeiro

termo do segundo membro de (3.65) seja muito maior que I CS , podendo escrever-se então
3.34 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

uE

iC  −α F I ES e uT
(3.66) .

Deste modo é fácil de ver que a variação ΔU C não afecta a corrente iC . A equação
(3.66) pode ainda escrever-se como

UE ΔU E

iC  −α F I ES e uT
e uT
(3.67)

ΔU E
ΔU E
Se ΔU E  uT então e uT
 1+ e portanto
uT

⎛ UE UE
ΔU E ⎞

iC  −α F I ES e + e uT
uT ⎟ (3.68)
⎜ uT ⎟
⎝ ⎠

ou seja

UE UE
ΔU E
iC = −α F I ES e −α F I ES e
uT uT
(3.69)

uT
IC 

ΔI C

Sob o ponto de vista das pequenas variações podemos então escrever

ΔI c = − g m ΔU E (3.70)

em que gm é designada por condutância incremental e é dada por:

UE

α F I ES e uT
Ic
gm = = (3.71)
uT uT

Para I c = 1mΑ e T = 300 K , g m  0, 04 S .

A corrente de base irá também variar devido às variações de uE . Na zona activa directa
(3.14) pode-se escrever como
uE

iB  − (1 − α F ) I ES e uT
(3.72)

Para ΔU E  uT obtém-se então

UE
ΔU E
ΔiB = − (1 − α F ) I ES e uT
(3.73)
uT
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.35

Que se pode escrever como

ΔI B = − gπ ΔU E (3.74)

em que

UE

gπ =
(1 − α F ) I ES e UT
=
IB
(3.75)
uT uT

é a condutância incremental de entrada. A resistência incremental de entrada é dada por:

1 u
rπ = = T (3.76)
gπ IB

Para I B = 10 μ A e T = 300 K rπ  2,5 kΩ .


É de realçar que se verifica a relação

g m rπ = β F (3.77)

As equações de Ebers-Moll não dão conta do efeito de Early pelo que, na zona activa directa,
a corrente do colector é constante e independente da tensão colector-emissor para uma dada
tensão na junção emissora, (3.65), ou uma dada corrente de base, (3.34). Na prática contudo a
corrente no colector sobe com o módulo da tensão entre o colector e o emissor devido ao
efeito Early, Fig.3.11. Sob o ponto de vista de sinal este efeito é contabilizado em termos
duma resistência incremental de saída ro , definida como

ΔI c Ic
( ro )−1 = = (3.78)
ΔU CE I B =C te VA + U CE
PFR

e que está associada à tangente à curva I c (U CE ) I = cte


no PFR na zona activa directa.
B

Como em geral VA  U CEsat pode escrever-se:

VA
ro  (3.79)
IC

Para VA = 100V e I C = 1mA ro  100kΩ .


A análise anterior permite estabelecer o modelo incremental do TBJ para baixas
frequências, Fig. 3.18.
3.36 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

ΔI B ΔI C
B C

g m ΔU E
ΔU E rπ ro
ΔU CE

Fig. 3.18 – Modelo incremental do TBJ para baixas frequências, onde se inclui o efeito de Early
através de ro .

Para frequências intermédias os efeitos capacitivos já se fazem sentir e devem ser


incorporados no modelo incremental. Estas capacidades estão associadas às junções emissora
e colectora e, atendendo a que o transístor está na zona activa directa, ter-se-à

CE = CdE + CtE
(3.80)
Cc = Ctc

Atendendo às considerações feitas para o díodo não é de estranhar que se verifique a relação
Cc  CE .
Para frequências intermédias, o modelo incremental do TBJ pode então ser representado
pelo circuito π-híbrido da Fig. 3.19.

ΔI B CC ΔI C
B C

g m ΔU E
ΔU E rπ CE ro
ΔU CE

Fig. 3.19 –Modelo incremental do TBJ para frequências intermédias.

Na Fig. 3.20 mostra-se, para um transistor n-p-n ou p-n-p, o circuito correspondente ao


modelo π -híbrido para altas frequências onde se optou por utilizar a notação e os sentidos
convencionais. A inclusão de rx no modelo permite dar conta da queda de tensão transversal
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.37

na base do TBJ que é efectivamente uma estrutura bidimensional. Nas aplicações em alta
frequência rx é responsável pela dinâmica de carga dos condensadores Cμ e Cπ e não pode

ser desprezado. Os valores de rx podem ir até à ordem dos 100 Ω. A resistência incremental

rμ , sendo normalmente muito elevada, pode desprezar-se. Os fios de ligação às várias regiões

do TBJ e o próprio encapsulamento podem introduzir novos elementos a juntar ao modelo


incremental da Fig. 3.20.
Não deixa de ser pedagógico compararmos, o modelo π -híbrido da Fig. 3.18, com o
circuito baseado nos parâmetros h da Fig. 3.17.

ib rx Cμ ic
B C

gm V
rπ Cπ ro
V

Fig. 3.20 – Modelo π -híbrido do TBJ para altas frequências com inclusão da resistência de base e da
resistência colector-emissor.

Relativamente ao circuito da Fig. 3.18 convém realçar que a fonte de corrente


dependente de tensão pode ser substituída por uma fonte de corrente dependente de corrente.
ΔU E
Para isso basta verificarmos que sendo − = rπ então ΔU E = − rπ ΔI B e portanto
ΔI B

g m ΔU E = − g m rπ ΔI B = − β F ΔI B (3.81)

Efectuada esta transformação verifica-se que o circuito da Fig. 3.18 é equivalente ao circuito
equivalente do TBJ com base nos parâmetros h, Fig.3.17, em que

1
hie = rπ ; hre = 0; h fe = β F ; hoe = (3.82)
ro
3.38 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

3.4.3. Modelo T

Este modelo incremental do TBJ reflecte as variações nas correntes do emissor e colector em
termos das variações das tensões do emissor e do colector, Fig. 3.21.

C ic C ic

αi g m vπ

ib ib
ro ro
B B

re vπ re

ie ie
E E

Fig. 3.21 – Modelo incremental T para o TBJ em baixas frequências.

Seguindo um raciocínio idêntico ao que foi utilizado para o modelo π-híbrido define-se uma
resistência incremental re dada por

uT
re = (3.83)
IE
que estabelece a relação entre a variação da tensão na junção emissora com a variação da
corrente de emissor. Por sua vez as variações de corrente de colector e emissor estão ligadas
através de αF, que verifica a relação g m re = α F .

Exemplo 3.4 – Para o circuito de emissor comum analisado no Exemplo 3.2 considere que a
tensão EB sofre uma variação ΔEB << EB . Em regime quase-estacionário calcular

ΔU CE / ΔEB no PFR. Deduzir a expressão para mesma relação mas utilizando o modelo π-
híbrido para o transístor. Indicar as condições que garantem resultados idênticos para ambos
os casos.
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.39

Solução:
Em regime quase-estacionário são válidas as equações utilizadas para a determinação do
PFR. Vão-se aplicar variações nas grandezas afectadas e, por manipulação algébrica,
determinam-se as relações pretendidas. Como se está na zona activa directa a relação para as
correntes no TBJ é dada por I C  β F I B − I CE 0 e a corrente de base por I B  − EB / RB . Por sua

vez U CE = EC + RC I C . Como as variações nas correntes e tensões só têm origem na variação

de EB então pode escrever-se ΔI B  −ΔEB / RB , ΔI C  β F ΔI B e ΔU CE = RC ΔI C . Combinando

estas relações obtém-se ΔU CE / ΔEB = −β F ( RC / RB ) = −1,54 . O resultado mostra que a


variação na tensão de saída é superior à da tensão na entrada. O sinal negativo indica que os
sinais estão em oposição de fase. Manipulando, para um dado TBJ, os valores de RC e RB
pode-se aumentar o valor de ΔU CE / ΔEB . No entanto deve-se ter em atenção que o PFR não
deve, em caso algum, sair da zona activa directa porque a expressão utilizada só é válida para
essa região.
É também possível utilizar o modelo π-híbrido para calcular a relação ΔU CE / ΔEB , já que o

PFR está na zona activa directa. Sob o ponto de vista de sinal o circuito a analisar está
representado na figura junta.
ii RB ic
B C

g m vπ
vi rπ vπ r0 RC v0

E E

Neste diagrama o sinal de entrada vi ≡ ΔEB e o sinal de saída v0 ≡ ΔU CE . Por análise do

circuito tira-se o ganho de tensão Av, Av = v0 / vi = − g m ⎡⎣ rπ / ( rπ + RB ) ⎤⎦ ( r0 // RC ) e o ganho de

corrente Ai, Ai = −ic / ii = − g m rπ ⎡⎣ r0 / ( r0 + RC ) ⎤⎦ No caso de RB >> rπ e r0 >> RC então

Av = v0 / vi  −β F ( RC / RB ) e Ai = −ic / ii  − g m rπ = β F , relações idênticas às obtidas no


parágrafo anterior. É importante notar que este circuito permite amplificar a tensão e a corrente
associada ao sinal de entrada.

3.5. Circuitos com Transístores Bipolares de Junção

A título de exemplo vão-se analisar alguns circuitos simples de aplicação do TBJ,


nomeadamente os circuitos amplificadores envolvendo as montagens emissor comum,
colector comum e base comum.
3.40 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

Em qualquer circuito amplificador o TBJ deve estar a trabalhar na zona activa directa. A
escolha das fontes de alimentação e das resistências do circuito está pois condicionada pela
necessidade de garantir o PFR do TBJ nessa zona de funcionamento. Sob o ponto de vista de
sinal o TBJ é substituído pelo seu modelo incremental, cujos parâmetros dependem do PFR.
Sendo assim, a estabilidade do PFR é fundamental para garantir a estabilidade do sinal de
saída e das diferentes grandezas que caracterizam o amplificador, nomeadamente o ganho de
corrente e/ou tensão, a impedância de entrada, a impedância de saída e a resposta em
frequência.

3.5.1. Circuitos de polarização

Os circuitos de polarização utilizados para os circuitos com componentes discretos são


bastante distintos daqueles que se utilizam para os circuitos integrados em virtude de, no
primeiro caso, se procurar minimizar o número de transístores e, no segundo caso, se procurar
minimizar o número de resistências e condensadores, pois eles ocupam uma área muito maior
que a dos transístores. A polarização nos circuitos integrados é feita com fontes de corrente
que podem ser implementadas com circuitos envolvendo vários transístores e poucas ou
nenhumas resistências. Para já ir-se-ão analisar alguns circuitos de polarização envolvendo
componentes discretos.
Na Fig. 3.22 estão representados dois circuito de polarização envolvendo duas fontes de
alimentação. É fácil de verificar que o circuito (b) tem um melhor desempenho que o circuito
(a) sob o ponto de vista da estabilidade do PFR.

RC RC
IC
IC + IB +
RB IB VCC VCC
− −
+ + UE IE
VB UE VB
IE
− − RE

(a) (b)

Fig. 3.22 – Circuitos de polarização do TBJ envolvendo duas fontes de alimentação sem (a) e com
resistência de emissor (b).
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.41

Com efeito para o circuito da Fig.3.22(a), admitindo que o TBJ está na zona activa
directa,

⎛ V −UE ⎞
IC  βF I B = βF ⎜ B ⎟ (3.84)
⎝ RB ⎠

A corrente I C depende de U E e de β F e por isso não é possível definir completamente o seu

valor porque β F varia de transistor para transistor, mesmo dentro da mesma família, varia

com a temperatura e com a corrente I C , e U E varia com a temperatura. Para o circuito da


Fig.3.22(b) a corrente de colector é dada por

VB − U E
IC  I E = (3.85)
RE

que não depende de β F .

Um circuito de polarização que, para além de estabilizar I C , utiliza uma única fonte de
alimentação, está representado na Fig. 3.23(a). É de realçar que esta topologia corresponde a
uma situação intermédia relativamente à dos circuitos da Fig.3.22, como se pode ver pela
Fig.3.23(b), que utiliza o circuito equivalente de Thévenin.

R1 RC RC
IC IC
+ RB = R1 // R2 +
IB
VCC VCC
− IB −
IE + IE
UE
R2 R2
RE − VB = VCC RE
R1 + R2

(a) (b)

Fig. 3.23 – Circuitos de polarização do TBJ envolvendo uma fonte de alimentação. (a) Circuito de
polarização; (b) Circuito obtido utilizando o esquema equivalente de Thévenin para a entrada.

A tensão e resistência de Thévenin são dadas por


3.42 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

R2
VB = VCC ; RB = R1 // R2 (3.86)
R1 + R2

A corrente de colector é então dada por

VB − U E
IC  I E = (3.87)
R
RE + B
1 + βF

RB
Para que I C seja pouco dependente de β F deve ter-se RE >> . Contudo não
1 + βF

convém ter um RB baixo porque, não só baixa a impedância de entrada do amplificador,

como também conduz a um maior consumo. Para que I C dependa pouco da temperatura

deverá ter-se VB >> U E o que conduz a RE I E elevado. Por sua vez interessa RC I C elevado,

para se ter um ganho de tensão elevado, e um U CE elevado para garantir uma margem
dinâmica elevada. Deste modo é usual dimensionar as resistências por forma a que se
verifique RE I E = RC I C = U CE = VCC / 3 . A resistência RE permite uma melhor estabilização

do PFR, porque a haver um aumento de I C , aumenta a queda de tensão em RE o que conduz

a uma diminuição da tensão na junção emissora, e portanto reduzindo o valor de I C .


Uma situação semelhante à anterior e de certo modo mais simples de implementar está
representada na Fig. 3.24(a), que envolve duas fontes de alimentação. É fácil de verificar que
a corrente de emissor pode ser expressa por

VEE − U E
IE = (3.88)
R
RE + B
1 + βF

que é idêntica a (3.87) excepto no termo VB que é substituído por VEE. As considerações feitas
anteriormente aplicam-se nesta situação. A resistência RB só é necessária se o sinal for
aplicado na base do TBJ. Em todas as outras situações pode ligar-se directamente a base do
transístor à massa o que faz com que a corrente IE seja independente de βF.

A polarização estabilizada pode também ser conseguida ligando uma resistência entre o
colector e a base , como se mostra na Fig. 3.24(b).
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.43

RC RC
IC
IB +
+ IC VCC
VCC RB
IE − −
UE
RB RE IB IE
− UE
+ VEE

(a) (b)

Fig. 3.24 – Circuitos de polarização do TBJ: (a) com duas fontes de alimentação; (b) uma fonte de
alimentação e uma resistência ligada entre a base e o colector.

Para este circuito é fácil de verificar que

VCC − U E
IC  I E = (3.89)
R
RC + B
1 + βF

RB
Interessa ter << RC mas convém que RB não seja muito baixo para que a amplitude de
1 + βF

U C e o ganho de tensão sejam elevados. A resistência RB estabiliza o PFR porque quando

I C sobe U C desce, ou seja, I B desce e portanto I C desce.


Finalmente um TBJ pode ser polarizado utilizando uma fonte de corrente, como se
mostra na Fig. 3.25. Este circuito tem a vantagem de a corrente de emissor ser independente
de βF e de RB.

RC

+
VCC

RB I

+ VEE

Fig. 3.25 – Circuito de polarização do TBJ utilizando uma fonte de corrente.


3.44 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

3.5.2. Montagem Emissor Comum

Um circuito amplificador típico da montagem emissor comum está representado na Fig.


3.26, envolvendo um TBJ n-p-n, em que se utiliza a metodologia de polarização da Fig.3.23.
A escolha dos valores para as resistências e fonte de alimentação deve ser feita por forma a
que o TBJ utilizado possua o PFR na zona activa directa. Os condensadores C1 e C2 são
designados por condensadores de acoplamento, bloqueiam a corrente contínua e são
considerados como curto-circuitos para o sinal. O condensador CE é um condensador de
contorno que permite ter a resistência RE no terminal do emissor sob o ponto de vista da
polarização mas curto-circuita esta resistência sob o ponto de vista do sinal. O estudo do
circuito inicia-se com a determinação do PFR do TBJ pelo que só se têm em linha de conta as
fontes de tensão e corrente DC.
Para analisar o comportamento do circuito sob o ponto de vista do sinal as fontes de
tensão constantes são curto-circuitadas e/ou as fontes de corrente constantes são colocadas em
circuito aberto e o TBJ é substituído pelo modelo incremental adequado. Nas frequências
intermédias, em que os condensadores C1,C2 e CE são curto-circuitos e as capacidades
incrementais do TBJ se podem desprezar, o circuito incremental correspondente à montagem
emissor comum da Fig.3.26 apresenta a configuração da Fig. 3.27, onde se utilizou o modelo
π-híbrido para o TBJ.
+VCC

R1 RC
C2

C1

v0
vi R2
RE CE

Fig. 3.26 – Circuito amplificador típico da montagem emissor comum.


TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.45

ii
B C
i0
g m vπ
vi R1 // R2 rπ vπ r0 RC v0

E E

Fig. 3.27 – Circuito incremental para frequências intermédias do amplificador emissor comum da
Fig.3.26.

O ganho de tensão é dado como

vo
Av = = − g m ( ro // RC ) (3.90)
vi

Sendo usualmente ro >> RC ter-se-á

I C RC
Av  − g m RC = − (3.91)
uT

Por sua vez o ganho de corrente pode ser expresso por:

io ro
Ai = = − gm ( rπ // R1 // R2 ) (3.92)
ii ro + RC

que, sendo ro >> RC , é aproximado por

Ai  − g m ( rπ // R1 // R2 ) (3.93)

As resistências de entrada Ri e de saída Ro são dadas por

Ri  rπ // R1 // R2 (3.94)

Ro = ro // RC (3.95)

Em resumo, a montagem emissor comum permite obter um ganho de tensão e corrente


elevados, uma resistência de entrada moderada e resistência de saída elevada.
3.46 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

3.5.3. Montagem Colector Comum ou Seguidor de Emissor

A Fig.3.28 mostra um circuito amplificador tipo colector comum (sob o ponto de vista
do sinal) utilizando um circuito de polarização do tipo indicado na Fig.3.25.

RS
R0 +
C1 VCC


Ri
vS
v0 RL
VEE −
+

Fig. 3.28 – Circuito amplificador tipo colector comum.

O circuito para pequenos sinais está representado na Fig.3.28 onde, por conveniência, se
utilizou o modelo T para o circuito incremental do TBJ.
A resistência e entrada Ri é dada por

Ri = ( β + 1) ⎡⎣ re + ( ro // RL ) ⎤⎦ (3.96)

αi
RS r0
B
ib i

re
vS ∼ E
RL
i0 v0

Fig. 3.29 – Circuito incremental do amplificador tipo colector comum.


TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.47

Na determinação da resistência de saída Ro utiliza-se o circuito da Fig.3.30 que envolve


uma tensão de teste Vx aplicada na saída, sendo que Ro=Vx/ix. A resistência de saída pode ser
expressa como

⎡ Rs ⎤
Ro = ro // ⎢ re + ⎥ (3.97)
⎢⎣ (β + 1) ⎥⎦
re iX

RS VX
r0
αi

Fig. 3.30 – Circuito utilizado na determinação da resistência de saída da montagem colector comum.

Por sua vez o ganho de tensão Av é dado como

Av =
vo
=
(β + 1) ( ro // RL ) (3.98)
vs Rs + ( β + 1) ⎡⎣ re + ( ro // RL ) ⎤⎦

o que indica que Av é menor que um embora tome valores próximo da unidade.
O ganho de corrente Ai toma a forma

io ro
Ai = = ( β + 1) (3.99)
ib ro + RL

Atendendo a que usualmente ro >> RL e no caso em que RL >> re , as expressões


anteriores podem simplificar-se para

Rs
Ri  ( β + 1) RL Ro  re +
(β + 1)
(3.100)
Av 
(β + 1) RL Ai  ( β + 1)
Rs + ( β + 1) RL

Em resumo, o andar colector comum apresenta resistência de entrada alta, resistência de


saída baixa, ganho de tensão aproximadamente unitário e ganho de corrente elevado. Pode ser
utilizado como andar isolador para sinais representados por tensão.
3.48 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES

3.5.4. Montagem Base Comum

A Fig. 3.31 mostra um circuito amplificador de base comum.

+VCC

RC
R1
C2

v0 RL
C1

C3 RS
R2 RE
∼ vS

Fig. 3.31 – Circuito amplificador tipo base comum.

O circuito incremental para frequências intermédias, está representado na Fig. 3.32.


A resistência de entrada Ri é dada por

Ri = RE // re (3.101)

e a resistência de saída Ro pode ser expressa como

Ro = RC // RL (3.102)

Ri E ie R0
C

RS αie
vi RE re RC RL v0
vS ∼
B
B
Fig. 3.32 – Circuito incremental do amplificador tipo base comum.

O ganho de tensão Av vem


TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.49

α ( RC // RL )
Av = (3.103)
( re // RE )
Atendendo a que normalmente RE >> re , ter-se-á

Av  g m ( RC // RL ) (3.104)

Por sua vez o ganho de corrente, com a saída em curto-circuito, é

Ai  α  1 (3.105)

Em resumo, o andar de base comum apresenta resistência de entrada baixa, resistência


de saída alta, ganho de corrente aproximadamente unitário e ganho de tensão elevado. Pode
ser utilizado como andar isolador para sinais representados por correntes.