FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y

ELECTRÓNICA
Carrera de Ingeniería Electrónica y Control

LABORATORIO DE CONTROL DE MÁQUINAS

PRÁCTICA N°2
1. TEMA
DISEÑO DE UN GATE DRIVER PARA EL DISPARO DE SEMICONDUCTORES DE
POTENCIA EN UN INVERSOR TRIFÁSICO
2. OBJETIVOS
2.1. Analizar los métodos de activación de semiconductores de potencia para un
inversor trifásico.

2.2. Comprender la necesidad del uso de drivers para el manejo de semiconductores

de potencia.

2.3. Diseñar un gate driver para el disparo de 6 semiconductores de potencia en un

inversor trifásico.

2.4. Implementar y comprobar el funcionamiento de los circuitos diseñados.

3. MARCO TEÓRICO
Durante el desarrollo de esta práctica de laboratorio se realizará el diseño e
implementación de gate drivers que posteriormente serán utilizados como parte del
Proyecto de Control de Máquinas correspondiente al primer bimestre. La bibliografía
acerca de este tipo de dispositivos es muy amplia, como se puede encontrar en la web
de los diferentes fabricantes, y se requiere que el estudiante desarrolle la capacidad de
analizar la oferta en el mercado y en base a las necesidades planteadas de acuerdo a
la aplicación se escoja la mejor opción, o en su defecto, se diseñe e implemente su
propio gate drive.
Los inversores trifásicos son ampliamente utilizados en los variadores de frecuencia
para controlar la operación de velocidad de máquinas AC y para aplicaciones de
transmisión de energía en alto voltaje (HVDC). A continuación, la Figura 1 presenta la
aplicación típica de un inversor trifásico utilizando un gate drive comercial aislado
(ISO5500). En este caso, el inversor trifásico consiste en tres ramales con dos
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semiconductores de potencia cada uno, los cuales contienen dos ISO5500. La

operación de las tres ramas del inversor está coordinada y como interface entre la parte
digital a la parte de potencia se encuentra la modulación por ancho de pulso-PWM [1].

Figura 1. Aplicación típica: Control de un motor [1]

4. TRABAJO PREPARATORIO
4.1. Mediante una tabla comparativa indique los requerimientos de disparo para
semiconductores de potencia IGBTs y MOSFETs en un inversor trifásico.

4.2. Consultar el efecto que tiene la corriente de cola en el apagado de un

semiconductor de potencia IGBTs y MOSFETs y graficar las pérdidas dinámicas
que se producen por este efecto.

4.3. Consultar las técnicas que se pueden implementar para reducir la corriente de cola
y disminuir las pérdidas dinámicas en la conmutación de los semiconductores de
potencia (IGBTs y MOSFETs).

4.4. Consultar el funcionamiento de gate drivers comerciales. Presentar el resumen de

un driver comercial que maneje una rama del inversor trifásico y un driver comercial
que maneje las tres ramas del inversor trifásico (principio de funcionamiento,

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prestaciones, aplicación en un inversor trifásico). Basado en un análisis, explique

cuál de los dos drivers recomienda.

4.5. Diseñar el circuito de disparo para 6 semiconductores de potencia (IGBTs o

MOSFETs) dentro de un inversor trifásico. Considerar los niveles de voltaje de
disparo para cada semiconductor de potencia del inversor y su respectiva
referencia, modos y maneras de aislamiento entre control y potencia, posibles
rebotes y su compensación en la señal de disparo de control.

4.6. Diseñar en un sistema microprocesado 2 señales de salida tipo PWM

complementadas de frecuencia variable entre 5 KHz y 10 KHz y relación de trabajo
0.5. Considerar tiempos de retardo (tiempos muertos) acorde a las especificaciones
en los hojas técnicas de los semiconductores de potencia (IGBTs o MOSFETs) para
el encendido y apagado en un mismo ramal del inversor trifásico.

NOTA: Para la realización de esta práctica los estudiantes deben traer al menos 6
semiconductores de potencia (IGBTs o MOSFETs) por grupo.

5. EQUIPO Y MATERIALES

 Fuente de DC de dos salidas

 Osciloscopio
 2 puntas de prueba de voltaje
 Sonda de corriente
 Multímetro
 Autotransformador monofásico
 Puente de diodos
 Capacitor
 3 cargas resistivas

6. PROCEDIMIENTO
6.1. El instructor evaluará a los estudiantes sobre lo consultado en el trabajo
preparatorio previo a la realización de la práctica.

6.2. Comprobar el funcionamiento de un driver diseñado para el disparo de un

semiconductor de potencia (IGBTs o MOSFETs) como se indica en la Figura 2:

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Figura 2. Esquema de conexión de medio ramal

6.3. Implementar el esquema mostrado en la Figura 3 para comprobar el funcionamiento

de los drivers (al menos un ramal). Tomar en cuenta que los semiconductores de
potencia (IGBTs o MOSFETs) 1,2,3 necesitan cada uno una referencia propia de
disparo mientras con los semiconductores de potencia (IGBTs o MOSFETs) 4,5,6
pueden usar la misma referencia de disparo.

Figura 3. Esquema de conexión de un inversor trifásico

7. INFORME
7.1. Mostrar y analizar las formas de onda obtenidas de acuerdo a lo indicado por el
instructor en el procedimiento. Se debe observar para cada uno de los
semiconductores al menos:
- Tiempo de encendido
- Tiempo de apagado
- Tiempo de retardo entre el encendido y apagado de un par de semiconductores
de potencia en un mismo ramal.
- Tiempo de retardo entre la señal de control y la salida del gate drive.

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7.2. Presentar los diseños finales y diagramas circuitales implementados en el

laboratorio.

7.3. Realizar el diseño de hardware de un inversor trifásico alimentado a partir de la

RED eléctrica trifásica (R, S, T) para un motor de ½ HP, 220V, 1.9A. Dimensionar:
Puente de diodos, circuito de carga y descarga de condensador del bus DC, circuito
de braking chopper y semiconductores de potencia (IGBTs o MOSFETs).
NOTA: El circuito debe ser diseñado para 600 VDC y 10 A.

7.4. Comprobar el funcionamiento del diseño del literal anterior realizando la simulación
en Matlab - SIMULINK utilizando la librería SimPowerSystems.

7.5. Indicaciones adicionales que solicite el instructor.

7.6. Conclusiones y Recomendaciones.

7.7. Bibliografía

8. REFERENCIAS
[1] Disponible online (17/Abril/2018):
http://www.ti.com/product/ISO5500/datasheet/abstract#SLLSE644017

Elaborado por: Ing. Nataly Pozo Viera, M.Sc.

Revisado por: Dr.-Ing. Marcelo Pozo P.

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