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ELECTRÓNICA
Tema:
INTEGRANTE:
STALIN ALVAREZ
CICLO:
1
UNIVERSIDAD TÉCNICA DE COTOPAXI
1. INTRODUCCION
2. OBJETIVOS:
2.1. GENERAL
Realizar un sistema de alarma de seguridad para 4 zonas en el protoboard, realizando
sus respectivos cálculos en circuitos básicos con BJT (Transistores de unión Bipolar)
interruptores, sensores y resistencias, visualizando el funcionamiento del sistema de
seguridad para cada zona y de igual forma mediante la simulación de circuitos
familiarizarnos con el comportamiento de cada uno de los componentes electrónicos
utilizados aplicando fuentes de alimentación de corriente continua a lo largo de la
práctica.
2.2.ESPECÍFICOS
Diseñar un circuito en el protoboard del sistema de alarma de seguridad con
BJT, aplicando una fuente variable de alimentación de corriente continua (C.C)
en sus 4 zonas de sensores y determinar su funcionamiento.
Realizar los respectivos cálculos del circuito y simular en un software de
circuitos electrónicos que permita su comprobación con la práctica realizada,
para una mejor familiarización y aprendizaje de circuitos con Transistores
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UNIVERSIDAD TÉCNICA DE COTOPAXI
3. MATERIALES
• 1 Dip switch
• 1 Resistencias de 1MΩ
• 1 Resistencias de 75 K
• 1 Resistencias de 1.2 K
• 1 Resistencias de 36 K
• 1 Resistencias de 620 Ω
• 2 Transistores de 2N2222A
• Una fuente de 12 voltios
• Cable de conexión
4. CALCULOS:
1. Consulte a la hoja de datos parcial del 2N2222A y determine el valor del
resistor de colector R3 para limitar la corriente a 10 mA con un voltaje de
alimentación de +12 V
𝑉𝑅𝐶
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉 𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
12𝑉
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 10𝑚𝐴 = 𝑅𝐶
𝟏𝟐𝑽
𝑉𝑅𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉 𝑹𝑪 = 𝟏𝟎𝒎𝑨 = 𝟏. 𝟐𝑲Ω
𝐼
𝑰𝑪 = 10𝑚𝐴 𝐼𝐵 = 𝛃 𝐶
𝐶𝐷
𝟏𝟎𝒎𝑨
𝑰𝑩 = = 𝟎. 𝟏𝟑µ𝑨
𝟕𝟓
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3. Para garantizar la saturación, calcule el valor de R1 necesario para
proporcionar suficiente corriente de base a Q1 producida por la entrada
de 12 V al sensor, R2 puede ser cualquier valor arbitrariamente alto para
garantizar que la base de Q1 esté cerca de tierra cuando no haya voltaje
de entrada.
𝑉𝐸𝑁𝑇 = 𝑉𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝑅𝐵 = 12𝑉 − 0,7𝑉 = 11.3𝑉
𝑽𝑹𝑩 𝟏𝟏. 𝟑𝑽
𝑹𝑩 = = = 𝟖. 𝟔𝑲Ω
𝑰𝑩 𝟎. 𝟏𝟑µ𝑨