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I. INTRODUCCIÓN
II. OBJETIVOS
El transistor es un dispositivo semiconductor que permite el
control y la regulación de una corriente grande mediante una
1. Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento.
señal muy pequeña; existen algunos tipos de transistores pero
nos enfocaremos en los transistores bipolares los cuales pueden
a) Polarización con fuente de G y fuente gen D.S.
ser tipo NPN o PNP.
b) Auto polarización con resistencia S.
c) Polarización con divisor de voltaje.
A1. Ventajas.
d) Polarización con fuente doble positiva y
negativa (preferencia simétrica). Su impedancia de entrada es extremadamente alta (típicamente
100M Ω o más). Su consumo de potencia es mucho más
2. Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento pequeño que la del BJT. Su velocidad de conmutación es mucho
de la polarización MOOSFET.
mayor que la del BJT. Es menos ruidoso que el BJT, esto lo
a) Para los 2 objetivos el punto de trabajo debe
hace idóneo para amplificadores de alta fidelidad. Es afectado
estar a la salida al centro de carga
en menor grado por la temperatura.
A2. Desventajas.
III. MARCO TEÓRICO
A. Transistores: Su ganancia de voltaje es mucho menor que en el BJT. Es
Los transistores de efecto de campo o FET (Field Effect susceptible al daño en su manejo, sobre todo el MOSFET. Su
Transistor) son particularmente interesantes en circuitos ancho de banda o respuesta en frecuencia es menor que en el
integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de BJT.
campo de unión o JFET y transistor de efecto de campo metal-
óxido semiconductor (MOSFET).
B. Los transistores tienen tres zonas de trabajo, las
Son dispositivos controlados por tensión con una alta cuales son:
impedancia de entrada Figura 1. Ambos dispositivos se utilizan
en circuitos digitales y analógicos como amplificador o como B1. Corte.
conmutador. No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de
Colector y Emisor también es nula. La tensión entre Colector y
Emisor es la de la batería. El transistor, entre Colector y Emisor un paso de fluido desde E (emisor) hacia C (colector). La
se comporta como un interruptor abierto. válvula está en reposo y no hace nada.
𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵
• Multímetro 5.2𝑚𝐴
𝑉𝑔𝑠 = 3.57 (1 − √ )
• Transistores FET 10.4𝑚𝐴
• Transistor Mosfet
𝑉𝑔𝑠 = −1.04𝑉 = 𝑉𝑝
• Resistencia
• Protoboard
• Cables “Bananas”
𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆 12 − 6
V. DESARROLLO DE LA PRACTICA 𝑅𝐷 = = = 1.14 𝐾Ω
𝐼𝐷 5.2𝑚𝐴
𝑉𝑅𝐷 = 5.97
1. Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento de
los siguientes circuitos de polarización del transistor
FET obteniendo las gráficas de las rectas de carga y
puntos de trabajo. B. Auto polarización con resistencia S.
Cálculos.
𝐼𝐷 = 5.2 𝑚𝐴
𝐼𝐷𝐷 = 14.4 𝑚𝐴
𝑉𝑃 = 3.57𝑉 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10.4 𝑚𝐴
𝑉𝑆 1.04 𝑅2
𝑅𝑆 = = 𝑉𝐺 = ( ) 𝑉𝐷𝐷
𝐼𝐷 5.2𝑚𝐴 𝑅1 + 𝑅2
𝑅𝑆 = 200 1𝑀
𝑉𝐺 = 𝑥 12
11𝑀
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑅𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝑅𝑆 = 0
𝑉𝐺 = 1.09𝑉
𝑉𝑅𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝑅𝑆
12 − 6𝑉 − 1.04 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆
𝑅𝐷 = 𝑉𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑔𝑠
5.2𝑚𝐴
𝑉𝑆 = 1.09 − (−1.04)
𝑅𝐷 = 953.84Ω = 1𝐾 𝑉𝑆 = 2.13𝑉
𝑉𝑆 = 𝐼𝐷 𝑥 𝑅𝑆
C. Polarización con divisor de voltaje.
𝑉𝑆 2.13
𝑅𝑆 = =
𝐼𝐷 5.2𝑚𝐴
𝑅𝑆 = 409.7𝑉
𝑉𝑅𝑆 = 2.13
12 − 6 − 2.13
𝑉𝐷𝐷 = 12𝑉 𝑅𝐷 =
5.2𝑚𝐴
𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10.4𝑚𝐴 𝑅𝐷 = 744.2 = 760
𝑉𝑝 = −3.57
𝑉𝑅𝐷 = 3.87𝑉
𝑅1 = 10𝑀
𝑅2 = 1𝑀
12
𝑉𝐷𝑆 = =6
2
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = (1 − )
𝑉𝑃
a) Para los 2 objetivos el punto de trabajo debe estar
a la salida al centro de carga
𝑅𝐺 = 𝑀𝐺
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆
𝑉𝐷𝑆 = 4𝑉
𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10.4𝑚𝐴
𝑉𝑝 = −3.57𝑉 TABLAS DE VALORES OBTENIDOS.
TABLA I
A. CIRCUITO CON POLARIZACIÓN CON GATE Y
𝑉𝑔𝑠 2 DRAIN-SOURCE.
𝐼𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) VALOR
𝑉𝑃
PARAMETRO VALOR
𝐼𝐷 CALCULADO MEDIDO
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑝 (1 − √ )
𝐼𝐷𝑆𝑆
VDS 6V 6V
2
1.04 ID 5.2mA 5.1mA
𝐼𝐷 = 1.04𝑚𝐴 (1 − )
3.57
𝑖𝑑 = 5.2𝑚𝐴
VDS 6V 5.5V
ID 5.2mA 5.1mA
VDS 6V 6.1V
ID 5.2mA 6mA
TABLA V
Figura 15: Simulación polarización
E. CIRCUITO DE LA POLARIZACIÓN DEL MOSFET.
con resistencia en el source.
VALOR
PARAMETRO VALOR
CALCULADO MEDIDO
VGS 4V 4.04V
VDS 4V 4.04V
ID 6mA 6.29mA
GRAFICAS DE CORTES.
VIII. BIBLIOGRAFIA
[1]http://jorgemendozapua.blogspot.com/2007/09/polarizacion
-del-bjt.html
[2]http.//www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema6/
Paginas/Pagina6.htm
[3] http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.php
[4] http://www.areatecnologia.com/electronica/mosfet.html
IX. ANEXOS