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Informe NºI
Caracteristica I-V del diodo de union
Subgrupo: 01
Orlando Murcia Perdomo
20162151798
Juan Esteban Perez
20162153108
Diana Sofia Afanador
20162151429

 Característica I-V de los diodos polarizados en directo:

Resumen— Durante el desarrollo del laboratorio se pudo
verificar mediante la práctica cómo se comporta el diodo de silicio
y de germanio, cuál es su funcionamiento y como trabaja al ser
Silicio Germanio
polarizado de forma inversa y directa, también se hizo practico Vr(V) VD(V) ID(mA)
conceptos como el voltaje umbral (o activación) aprendidos
durante el desarrollo de la clase teórica, conceptos necesarios para 0.1 0.44 0.158 0.1
entender el porqué de los efectos producidos en el diodo. 0.2 0.47 0.173 0.2
Palabras claves—diodo, material, temperatura, silicio, germanio,
0.3 0.486 0.185 0.3
ruptura, polarización, directa, inversa, unión PN, saturación, 0.4 0.498 0.196 0.4
umbral.
0.5 0.508 0.198 0.5
0.6 0.516 0.20 0.6
I. DESARROLLO PRÁCTICO 0.7 0.524 0.23 0.7
De primera mano se procedió a energizar el circuito 0.8 0.529 0.25 0.8
implementado mediante la fuente de alimentación,
0.9 0.534 0.27 0.9
seguidamente se comenzó a medir con el multímetro el voltaje
del diodo a medida que se iba aumentando poco a poco el 1 0.539 0.29 1
voltaje que pasaba por la resistencia utilizada (dichos voltajes 2 0.57 0.24 2
fueron propuestos en la guía), una vez terminado se continuó a 3 0.54 0.26 3
realizar el mismo proceso pero ésta vez implementando el diodo
de germanio. Una vez realizadas las mesuras se procedió a
4 0.61 0.26 4
realizar el montaje de polarización en inversa (tanto para el 5 0.62 0.27 5
diodo de silicio como para el de germanio cada uno 6 0.63 0.281 6
individualmente) y aplicando una tensión de 20 V se midió el 7 0.63 0.282 7
voltaje en cada uno de los diodos; finalmente se implementó
un circuito propuesto en la guía, en el cual con ayuda de un 8 0.64 0.293 8
cautín se le aplicó temperatura a los dos diodos (de forma 9 0.65 0.294 9
individual), dando así fin a la práctica realizada. 10 0.67 0.294 10
II. ANALISIS DE RESULTADOS
Tabla 1. Corriente calculadas para cada diodo.
A continuación se presentará una tabla con las corrientes
calculadas para cada uno de los diodos y sus gráficas, teniendo
en cuenta los resultados medidos durante la práctica:
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Grafíca 1. Corriente del diodo de silicio vs Voltaje del diodo Diodo Germanio:
1.05𝑉
𝐼𝑠 = = 9.130𝑥10−14 𝐴𝑚𝑝
ID vs VD (Diodo silicio) (1.15𝑀Ω)(10𝑀)
10
ID (corriente diodo (mA))

Para VD = 16,09mV
8
16,08𝑚𝑉
6 𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 𝑥 𝑒 2∗25𝑚𝑉 = 9.13𝑥10−14 𝐴𝑚𝑝
4
𝑛𝑉𝑇
𝑅𝐷 = = 5.47𝑥1011 Ω
2 𝐼𝐷

0 Con base en los cálculos, podemos afirmar que el valor

0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 correspondiente de 𝐼𝑠 e 𝐼𝐷 son similares, característica de un
VD (Voltaje diodo (V)) circuito en serie, el valor de la resistencia es notablemente alto
efecto que será explicado en el cuestionario.

Resistencia estática:
ID vs VD (Diodo de germanio) Teniendo en cuenta la figura 1 y 2, se presentará una tabla con
los cálculos realizados para determinar la resistencia estática:
12
ID (Corriente diodo (mA))

10 𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
8 𝐼𝐷
6
Silicio Germanio
4 ID (mA) VD (V) RD (Ω) VD (V) RD (Ω)
2 0.2 0,48 2400 0,17 850
0 1 0,55 550 0,21 210
0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 5 0,66 132 0,26 52
VD (Volatje diodo (V)) 10 0,75 75 0,29 29
Tabla n°2: Resistencia Estática.
Grafica 2. Corriente del diodo de germanio vs voltaje del diodo
Como se aprecia en los resultados, la resistencia que presenta
Se puede apreciar a partir de la figura 1 y 2, que el diodo de cada diodo va disminuyendo considerablemente, en el
silicio posee un voltaje inicial mayor que el de germanio, la cuestionario se explicará el porqué de este suceso.
causa principal de este efecto se debe a que el diodo de silicio
posee un voltaje de umbral o de activación mayor al de Voltaje umbral:
germanio; el comportamiento de las gráficas es similar y esto Teniendo en cuenta la figura 1 y 2, se determina el voltaje
se debe a que los dos diodos son del mismo tipo (unión PN) y umbral para cada uno de los diodos:
fuera de esto, no presentan ninguna falla ya que en comparación
con lo propuesto por la teoría la curva característica para cada Silicio Germanio
uno de los diodos representa el comportamiento en el flujo de VT (V) 0.6V 0.2V
electrones (corriente) que ocurre al ser sometido el diodo a una Tabla n°3: Voltaje umbral o de activación
tensión que polarice al mismo directa o inversamente.
Polarización en Inverso (Corriente de saturación): Demostración de los efectos de la Temperatura:
Finalmente se ajustó la fuente para que 𝑉𝑅 = 1𝑉 , se aplicó con
Diodo silicio: ayuda del cautín temperatura y se realizaron mediciones
2.5𝑚𝑉 respectivas de voltaje entre los terminales del diodo de silicio y
𝐼𝑠 = = 2.173𝑥10−16 𝐴𝑚𝑝
(1.15𝑀Ω)(10𝑀) luego en los terminales de la resistencia.

Para VD = 16,09mV Temperatura Diodo Silicio (V) Diodo

16,08𝑚𝑉
Germanio(V)
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 𝑥 𝑒 2∗25𝑚𝑉 = 2.173𝑥10−16 𝐴𝑚𝑝 Normal 0.69V 0.27V
Caliente 0.45< 0,18<
𝑛𝑉𝑇
𝑅𝐷 = = 2.3𝑥1014 Ω Frio 0.52> 0.23>
𝐼𝐷
Tabla n°4: Voltajes aplicando temperatura.
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III. CUESTIONARIO
1. Polarización en inverso:
f) Teniendo en cuenta los cálculos realizados, dichos valores
resistivos resultaron siendo notablemente altos, como
consecuencia se puede afirmar que el comportamiento del
diodo es similar al de un circuito abierto.
2. Resistencia Estática:
b) Al ir incrementando la corriente, el voltaje también lo hace
teoría que fue ya planteada en la Ley de Ohm en circuitos DC
pero en sentido inverso la resistencia va disminuyendo
notablemente, y su principal causa radica en que los dos
diodos van alcanzando su voltaje umbral: 0.7V para el de
Silicio y 0.3V para el de germanio.
3. Demostración de los efectos de la Temperatura:
b)La característica directa del diodo también se ve afectada
por la temperatura, siendo el efecto más importante la
influencia sobre la barrera de potencial. Conforme aumenta
la temperatura, la tensión directa necesaria para polarizar el
diodo disminuye.
c) Al aumentar la temperatura en el diodo la resistencia va
disminuyendo ya que al hacerlo la tensión que se es
requerida para poder polarizar el diodo va disminuyendo
constantemente puesto que la corriente de saturación
depende de la temperatura y también del nivel de dopado
como su área de unión.
• Se reconoció el efecto que tiene la temperatura al ser
aplicada sobre éste, principalmente la influencia que
adquiere sobre la barrera de potencial.
• Al realizar consultas teóricas se concluye que al ser
polarizado en directo el diodo de silicio posee una
resistencia muy pequeña pero que en comparación con
la del de germanio ésta es superior; ahora al ser
polarizados en inverso sus resistencias adquieren
grandes valores.
• Cuando se trabaje o se realice un circuito haciendo uso
de los diodos se hace necesario implementar también
una resistencia conectada en serie la cual estará
conectada al voltaje generado actuando así como un
limitante al paso de la corriente en el diodo evitando
que este se dañe y trabaje de forma correcta. Su valor
estará determinado por la corriente que pase atraves de
él y el voltaje con que se desee trabajar.
V. REFERENCIAS.
[1] Ramos, Idalia. “Características de diodos”. [en línea].
2014-2015, [16 de Marzo de 2016]. Disponible en:
http://mate.uprh.edu/~iramos/fisi3143/lab4.pdf
[2]Ingelibre. “Diodos. Curva caracteristica y tension
umbral”. [en línea]. 2014, [28 de Octubre de 2014].
Disponible en:
https://ingelibreblog.wordpress.com/2014/10/27/diodos-
curva-caracteristica-y-tension-umbral/

d)Tiene un coeficiente de temperatura negativo (en inglés
"tempo" negativo). El valor de esta variación en diodos de
señal tanto de silicio como de germanio es de 2mV por grado
centígrado ya la temperatura influye directamente sobre su
barrera de potencial.
[3]Tutorial de diodos. “Dispositivos semiconductores”. [en
linea].2013, [Mayo de 2003]. Disponible en:
http://arantxa.ii.uam.es/~labweb/electronica/tutorialdiodo.ht
ml

IV. CONCLUSIONES
• Los diodos son dispositivos no lineales, poseen gran
importancia en el desarrollo de la industria
tecnologica; adquieren varias funciones y una de ellas
es actuar como rectificadores (diodos Zener) siendo
estos reguladores de voltaje, un caso común es la
transformación de corriente AC en DC.

• Se logró apreciar el funcionamiento del diodo

(permitir el paso de la corriente en una dirección
determinada); de igual forma se aprendió a polarizar
el diodo semiconductor de manera adecuada y así
graficar la curva característica I-V del diodo.

• Al realizar la polarización directa; la corriente toma

valores muy bajos (para los dos diodos) hasta que la
tensión adquiere un valor promedio 0.67 voltios para
el diodo de silicio y 0.294 voltios para el de germanio;
y después de ser alcanzada crece exponencialmente.
Cabe resaltar que los dos resultados concuerdan con la
teoría consultada previamente al laboratorio.