Semiconducteurs hors équilibre

• Courants de dérive (conduction)

• Courants de diffusion
• Courant total
• Relation d’Einstein
• Interaction lumière semiconducteur
• Processus de génération-recombinaison
• Équation de continuité
• Équation de Poisson
• Bruit dans les composants
• Résumé
Semiconducteurs hors équilibre
• Courants de dérive (conduction)
• Courants de diffusion
• Courant total
• Relation d’Einstein
• Interaction lumière semiconducteur
• Processus de génération-recombinaison
• Équation de continuité
• Équation de Poisson
• Bruit dans les composants
• Résumé
 Courants de dérive
Mobilité
Équilibre thermodynamique (T)
E=0
Énergie cinétique 5 3

6
1 3
me v th = kT
2 2

2 2 1
7 4
Énergie thermique moyenne

vth vitesse moyenne d’agitation thermique (~107 cm/s)

v th = 3kT me
 Courants de dérive
Mobilité

Temps entre deux collisions τc (10 -12-10 -13 s)

E=0
l = v thτc 5 3

6
2
Libre parcourt moyen l (100-1000 Å) 1
7 4

Vitesse moyenne nulle

Collisions isotropes
Déplacement nul
 Courants de dérive
Mobilité
Force due au champ électrique E
dv i ( t )
me = − qE 5
dt 3

2
vi vitesse instantanée 6
7
qE
vi ( t ) = −
1
t 4
me
1 τc 1 qE τ 2
Vitesse moyenne v = ∫ v i ( t ) dt = − c
τc 0 τc me 2
 Courants de dérive
Mobilité
électrons
r r
Vitesse dérive v n = −µnE E
qτ
µn =
5
Mobilité 3
me
2
τ temps de relaxation 7
6

1
trous
r r 4

Vitesse dérive v p = µ pE
qτ
Mobilité µp =
mh
 Courants de dérive
Mobilité
104 Nd=1014 cm-3
T3/2 T-3/2
Effet de la température
1016
et des impuretés

µn (cm2/Vs)
1017
Diffusion par le réseau 103
Si
1 1 1 1018
= +
µ µR µI
102 1019

Diffusion par les impuretés

100 500 1000
T(K)
 Courants de dérive
Mobilité
10000

T=300 K
GaAs
µ (cm2/Vs)

Si
1000
électrons

trous
100
1014 1016 1018

Concentration en impuretés dopantes (cm-3)

 Courants de dérive
Résistivité
E

I
(n, p) Surface S
r r
Vitesse dérive des électrons v n = −µnE
In
Densité de courant d’électrons Jn = = −qnv n = qnµnE
S
r r
Vitesse dérive des trous v p = µ pE
Ip
Densité de courant de trous Jp = = qpv p = qpµpE
S
 Courants de dérive
Résistivité
E

I
(n, p) Surface S

Densité de courant total

I
(
J = = Jn + Jp = q nµ n + p µp E
S
)
J = σE
1 1
Résistivité ρ = =
( )
conductivité
σ q n µ n + pµ p
 Courants de dérive
Résistivité
1 1
ρ= = Méthode des quatre pointes
(
σ q n µ n + pµ p ) I

Type n (n>>p) V

1 1
ρ= =
σ qnµn e d

Type p (p>>n) D
V
1 1 ρ = e CF
ρ= = I
σ qpµp CF facteur de correction
 Courants de dérive
Résistivité
104
Résistivité Ω cm

102 Si – type p

Si – type n
10-2

10-4
1013 1015 1017 1019

Concentration en impuretés dopantes (cm-3)

 Mesure de la mobilité
Principe de l’effet Hall
ur
B - uur +
- - EH +
- -
uur
+ +
r uur ur - -
( )
+ +
+ +
F = −q v n ∧ B - - -- - vn + + +
+
- + +
- -- -
-q
+ +
uur
−qEH
+ +
- -
- - + +
- - ur +
+
+
- E +
 Mesure de la mobilité
uur uur ur r
( )
−qEH − q v n ∧ B = 0

uur uur ur ur
(
EH = − v n ∧ B ) B uur
-
EH
- -- uu
- ++
+

- - vr
+
r uur ur
F = −q ( vn ∧ B )
+++ +
uur uur - - - n + + +

Jn = −qnv n - - -
- -- - -q + + + +−qE
+ + +
uur
-- - + +
uur uur ur - u
r
H
- -
( )
+ + +
- E
EH = −RH Jn ∧ B +

Constante de Hall RH = − 1 nq
 Mesure de la mobilité

pµp2 − nµn2
Cas général RH = Matériau intrinsèque
( )
2
q pµp + n µn

1 σn = qnµn
Type n RH = − µn = −RHσn
qn

1 σp = qpµp
Type p RH = µp = RHσp
qp
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 Courant de diffusion

t1
x

n, p

t2
x

n, p
 Courant de diffusion

dn
n = −Dn
D
x
dx
Loi de Fick
dp
p = −Dp
D
x
dx

Dn, Dp constantes de diffusion

 Courant de diffusion

3D n = −Dn∇n
D
pD = −Dp∇p
Densité de courants de diffusion
uur ur
Densité de courant d’électrons jdn = qDn ∇n
uur ur
Densité de courant de trous jdP = −qDp ∇p
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• Résumé
 Courant total
Densité de courant d’électrons

Jn = qnµn E + qDn∇n

Densité de courant de trous

Jp = qpµp E − qDp ∇p

Densité de courant total

J = Jn + Jp = qnµnE + qDn∇n + qpµpE − qDp∇p

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• Résumé
 Relation d’Einstein
Nd
x

+ + + + + + + + + + + + + +

+ + + + + + + + + + + + + +
 Relation d’Einstein

Densité de courant d’électrons Jn = qnµn E + qDn ∇n = 0

dn ( x ) 1
n ( x ) = Nc e
-(Ec ( x )-EF ) kT
= − n( x)
dEc ( x ) kT
dV ( x ) 1 dEc ( x ) 1 dEc ( x ) dn ( x )
E (x) = − = =
dx q dx q dn ( x ) dx
kT 1 dn ( x )
E (x) = −
q n ( x ) dx
 Relation d’Einstein
Densité de courant d’électrons

Jn ( x ) = qn ( x ) µnE ( x ) + qDn∇n ( x ) = 0
kT 1 dn ( x ) dn ( x )
−qn ( x ) µn + qDn =0
q n ( x ) dx dx
kT
−µ n + Dn = 0
q
Dn Dp kT
Relation d’Einstein = =
µn µ p q
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• Relation d’Einstein
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• Équation de Poisson
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• Résumé
 Interaction lumière semiconducteur
Processus fondamentaux :

Absorption : hν
Un photon communique son énergie à un électron de la BV
pour qu’il passe dans la BC.
Détecteur de rayonnement (Photo-résistance, Photo diode)

Émission spontanée :
hν
Un électron de la BC passe dans la BV. La conservation
de l’énergie et assurée par l’émission d’un photon.
Émetteur de rayonnement (Diode ÉlectroLuminescente).

Émission stimulée :
hν hν
Un photon provoque la désexcitation d’un électron de la
BC vers la BV par émission d’un photon. Le photon émis à
les mêmes propriétés que le photon incident.
Émetteur de rayonnement cohérent Diode Laser.
 Interaction lumière semiconducteur
Lors de ces processus un choc élastique entre deux particules est
mis en jeu.
conservation de l’énergie E f − E i = ± E ph
conservation de la quantité de mouvement.
→ →
hω → → → →
h k f − h ki = ± = ± h k ph ⇒ k f − k i = ± k ph
v
Indice i pour l’état initial, f pour l’état final et ph pour le photon. Le signe plus
correspond à l’absorption de photon et le signe moins à l’émission de photon.

ordre de grandeur des vecteurs d’onde de l’électron et du photon.

Pour le photon k=2π/λ et dans la gamme visible λ compris entre 4 et 0.4 µm.
donc k est de l’ordre de 104-106 cm-1.
Pour l’électron le vecteur d’onde de la zone de Brillouin est de l’ordre de
k=2π/a (a de l’ordre de quelques Å) soit 108 cm-1.
 Interaction lumière semiconducteur
Simplification : les transitions optiques se font à k constant ou
encore verticalement dans l’espace des k.

BC BC BC
Transitions radiatives
à trois particules Thermalisation
absorption
absorption Transitions non
émission
radiatives
BV BV BV

Transitions optiques pour

Transitions optiques pour un
un semiconducteur à gap
semiconducteur à gap indirect.
direct

Les processus d’émission et d’absorption sont beaucoup plus efficaces dans

les matériaux à gap direct que dans les matériaux à gap indirect.
 Interaction lumière semiconducteur
Absorption et émission sur une bande d’impureté

BC
BC

BV BV

Transitions radiatives sur des Transitions radiatives

niveaux discrets avec sur la bande d’impureté
conservation des k sans conservation des k

Ces effets de bande d’impureté dans le gap de SC sont couramment utilisés

pour l’émission et l’absorption. C’est la cas de l’azote dans GaP.
 Interaction lumière semiconducteur
SC à gap direct de type n
thermalisation
BC BC BC BC
E Fn

EF absorption EF EF EF

E Fp émission
BV BV BV BV

impulsion 10-13-10-12s 10-8-10-9s

à l’équilibre sous excitation après la retour à

thermodynamique thermalisation l’équilibre

Remarque : temps de relaxation (thermalisation) << durée de vie des porteurs

 Interaction lumière semiconducteur
SC à gap direct de type n
thermalisation
BC BC BC BC
E Fn

EF absorption EF EF EF

E Fp émission
BV BV BV BV

impulsion 10-13-10-12s 10-8-10-9s

Pseudo-niveaux de Fermi
A l’équilibre thermodynamique EFn=EFp=EF
Période transitoire les distributions de porteurs sont données par :
1 1
fnBC (E ) = fc (E ) = et fnBV (E ) = fv (E ) =
1+ e (E − EFn ) kT (E −EFp ) kT
1+ e
Semiconducteurs hors équilibre
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• Courants de diffusion
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• Relation d’Einstein
• Interaction lumière semiconducteur
• Processus de génération-recombinaison
• Équation de continuité
• Équation de Poisson
• Bruit dans les composants
• Résumé
 Génération Recombinaison
Transition directe

Bande conduction Bande conduction

hν
gth r go gth r

Bande de valence Bande de valence

Équilibre thermodynamique Sous illumination

 Génération Recombinaison
Transition directe
Bande conduction
A l’équilibre thermodynamique

dn
= gth − r = 0
gth r dt
gth = r
Bande de valence
Taux de recombinaison directe
n0, p0 concentration à
l’équilibre thermodynamique rn = rp = r = Cn0 p0

Taux de génération thermique gth = Cn0 p0 = Cn 2

i
 Génération Recombinaison
Transition directe
dn
Bande conduction
= go + gth − r = go − R ≠ 0
hν dt
go gth r R taux de recombinaison

R = r − gth
Bande de valence
Taux de recombinaison directe rn = rp = r = Cnp

Taux de génération thermique gth = Cn 2

i

R taux de recombinaison (
R = C np − ni2 )
 Génération Recombinaison
Transition directe
n0, p0 concentration à l’équilibre thermodynamique

n, p concentration hors équilibre thermodynamique

Hors équilibre (
R = C np − ni2 )
n = n0 + ∆n p = p0 + ∆p

Neutralité électrique ∆n = ∆p

R = C (n0 + ∆n)(p0 + ∆p) − ni2 

R = C(n0 + p0 + ∆n)∆n = C(n0 + p0 + ∆p)∆p
 Génération Recombinaison
Transition directe
Type n n0 ? p0 ∆p = ∆n << n0 n ≈ n0

∆p
R = Rp = C(n0 + p0 + ∆p)∆ p =
τ ( ∆p )

1 1
τ ( ∆p ) = ≈ = τp
C(n0 + p 0 + ∆p) Cn0

∆p
Rp = τp durée de vie des porteurs minoritaires
τp
 Génération Recombinaison
Transition directe

Type p p0 ? n0 ∆p = ∆n << p0 p ≈ p0

∆n
R = Rn = C(n0 + p0 + ∆n)∆ n =
τ ( ∆n )

1 1
τ ( ∆n ) = ≈ = τn
C(n0 + p0 + ∆n) Cp0

∆n
Rn = τn durée de vie des porteurs minoritaires
τn
 Génération Recombinaison
Transition directe
Mesure de la durée de vie des porteurs

pn(t)
hν

∆pn
pn0
t
0
 Génération Recombinaison
Transition directe
Mesure de la durée de vie des porteurs

hν
d ∆p ∆p
d ∆p ∆p =−
= g− dt τp
dt τp
État stationnaire t = 0 → ∆p ( 0 ) = g τ p
d∆p
=0 t = ∞ → ∆p ( t ) = 0
dt
∆p = g τp
( − t τp )
∆p = τp ge
 Génération Recombinaison
Transition directe
Mesure de la durée de vie des porteurs
Impulsions de lumière

hν
 Génération Recombinaison
Assistée par centres de recombinaisons

Bande conduction

Cn En

Cp Ep

Bande de valence
 Génération Recombinaison
Vitesse de recombinaison en surface
Le temps de recombinaison radiative en surface d’un semiconducteur est
fortement perturbé, d’une part par la rupture de la périodicité du cristal
(intrinsèque), d’autre part par la présence d’atomes adsorbés (extrinsèque). Ce
temps est en général raccourci en surface par rapport à celui obtenu en volume.
De ce fait, sous excitation la densité de porteurs
excédentaires en surface est toujours plus faible que celle
en volume, ce gradient de concentration donne lieu à un
d∆ n
courant de diffusion, dont le signe dépend de l’orientation j = ± eD n
de l’axe des x avec un flux de porteurs orienté vers la dx
surface :
Le courant j peut aussi s’exprimer sous la forme suivante
j = e ∆n s où s est la vitesse de recombinaison en surface
Dn d∆n
de la densité de porteur excédentaire. L’expression de la s=±
vitesse de recombinaison en surface est : ∆n dx
Remarque : On peut procéder de la même façon pour un contact. En effet, la
perturbation introduite par la soudure a les mêmes effets que la surface.
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• Interaction lumière semiconducteur
• Processus de génération-recombinaison
• Équation de continuité
• Équation de Poisson
• Bruit dans les composants
• Résumé
 Équation de continuité
Volume S dx

Électrons recombinés
Jn(x) Rn S dx Jn (x+dx)
R gn
n

Électrons entrants Électrons créés Électrons sortants

Jn(x) S/(-q) gn S dx Jn (x+dx) S/(-q)
S
dx
 Équation de continuité

Jn(x) Rn S dx Jn (x+dx)
Rn gn

Jn(x) S/(-q) gn S dx Jn (x+dx) S/(-q)

Bilan : Variation de la densité d’électrons dans le volume

par unité de temps

dn  Jn ( x ) − Jn ( x + dx ) 
S dx = S   + gn dx S − Rn dx S
dt  −q 
 Équation de continuité
dn  Jn ( x ) − Jn ( x + dx )  1
=  + gn − Rn
dt  −q  dx
∂Jn
Jn ( x + dx ) = Jn ( x ) +
Jn(x) Jn (x+dx)
Rn dx + ..
∂x
gn
S dn 1 ∂Jn
= + gn − Rn
dx
dt q ∂x

Équation de continuité des électrons

 Équation de continuité
Régime de faible injection
dn 1 ∂Jn
Équation de continuité des électrons = + gn − Rn
dt q ∂x

∂n
Jn = qnµn E + qDn
∂x

dn ∂E ∂n ∂n
2
∆n
= nµ n + µ nE + Dn 2 + gn −
dt ∂x ∂x ∂x τn
 Équation de continuité

Régime de faible injection

dp 1 ∂Jp
Équation de continuité des trous =− + gp − Rp
dt q ∂x

∂p
Jp = qpµpE - qDp
∂x

dp ∂E ∂p ∂ 2p ∆p
= −pµp − µ pE + Dp 2 + gp −
dt ∂x ∂x ∂x τp
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• Équation de Poisson
• Bruit dans les composants
• Résumé
 Équation de Poisson

r ρ ( x,y,z )
Théorème de Gauss
()
div E =
ε
uuv r uuuur
ds
r E = −grad ( V )
E

ρ ( x,y,z )
r → Qint
∇ V=−
2

ε
∫∫ E ds = ε
s

∂ V 2
ρ ( x,y,z )
1 dim =−
∂x 2
ε
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• Équation de Poisson
• Bruit dans les composants
• Résumé
 Bruit dans les composants
Considérons un barreau de SC court-circuité, le courant instantané qui circule
est conservé partout dans le circuit.
i ( t ) = 0 mais i ( t ) ≠ 0
Le courant moyen est nul.
La vitesse des porteurs et leur nombre peuvent fluctuer au cours du temps
i(t) n’est pas identiquement zéro.
Ce sont ces déviations qui créent un bruit en courant.
Plusieurs mécanismes coexistes :
• Les fluctuations liées à l’agitation thermique (bruit de Johnson ou de Nyquist)
• Les fluctuations liées aux générations-recombinaisons (bruit généra.-
recombinaison)
• Les fluctuations liées aux disparitions-apparitions
Le bruit des e aux contacts (grenaille)
54
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• Relation d’Einstein
• Interaction lumière semiconducteur
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• Équation de Poisson
• Bruit dans les composants
• Résumé
 Résumé
Densité de courant d’électrons Jn = qnµnE + qDn∇n
Densité de courant de trous Jp = qpµpE − qDp∇p
Densité de courant total
J = Jn + Jp = qnµn E + qDn∇n + qpµp E − qDp∇p
Dn Dp kT
Relation d’Einstein = =
µn µ p q

r ρ ( x,y,z )
Equation de Poisson div E = () ε
 Résumé
Régime de faible injection
dn 1 ∂Jn
Équation de continuité des électrons = + gn − Rn
dt q ∂x
dn ∂E ∂n ∂ 2n ∆n
= nµ n + µn E + Dn 2 + gn −
dt ∂x ∂x ∂x τn
dp 1 ∂Jp
Équation de continuité des trous =− + gp − Rp
dt q ∂x
dp ∂E ∂p ∂p2
∆p
= −pµp − µp E + Dp 2 + gp −
dt ∂x ∂x ∂x τp
 Résumé
SC à gap direct de type n
thermalisation
BC BC BC BC
E Fn

EF absorption EF EF EF

E Fp émission
BV BV BV BV

impulsion 10-13-10-12s 10-8-10-9s

à l’équilibre sous excitation après la retour à

thermodynamique thermalisation l’équilibre
Les transitions optiques se font à k constant ou encore
verticalement dans l’espace des k.
temps de relaxation (thermalisation) << durée de vie des porteurs
Dn d∆n
Vitesse de recombinaison en surface s=±
∆n dx