Universidad de las fuerzas armadas ESPE

Ingeniería Electrónica e Instrumentación

ELECTRONICA DE POTENCIA

Alumno:
BRAYAN PILA

DEFINICIÓN Y LAS VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE

LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA.

SEXTO NIVEL

26 de Mayo 2017
 Ventajas de la electrónica de
Potencia
 Se ocupa de los dispositivos y circuitos
de estado sólido requeridos en el
procesamiento de señales para
cumplir con los objetivos de control
deseado.
 Generación, transmisión y utilización
de grandes cantidades de energía
Eléctrica.
 Se encarga del régimen permanente y
de las características dinámicas de los
sistemas de lazo cerrado.
Desventajas de la
electrónica de potencia
 Elementos utilizados tienen un alto
costo debido a la gran cantidad de
energía con la que se trabaja.
 La conmutación de altos bloques de
energía trae consigo la introducción de
contaminación armónica en tensión y
corriente sobre las líneas de
alimentación, problemas de
resonancia, interferencia
electromagnética, fallas de aislación,
entre otra.
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ELECTRONICA DE POTENCIA

Alumno:
BRAYAN PILA

EJERCICIOS ARMONICOS

SEXTO NIVEL

26 de Mayo 2017
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ELECTRONICA DE POTENCIA

Alumno:
BRAYAN PILA

EJERCICIOS CONVERSORES AC/DC

SEXTO NIVEL

26 de Mayo 2017

1.
𝑖𝑅 = 𝑖𝐷𝑅 Corriente de entrada R
𝑖𝑆 = 𝑖𝐷𝑆 Corriente de entrada S
𝑖 𝑇 = 𝑖𝐷𝑇 Corriente de entrada T

Análisis de corrientes de línea del primario del transformador

𝑖𝐴 = 𝑖𝐷𝑅 − 𝑖𝐷𝑇 Corriente de línea A

𝑖𝐵 = 𝑖𝐷𝑆 − 𝑖𝐷𝑇 Corriente de línea B
𝑖𝐶 = 𝑖𝐷𝑇 − 𝑖𝐷𝑅 Corriente de línea C

1) Investigar sobre la clasificación de los interruptores de estado sólido de potencia

2) Investigar sobre la física de semiconductores.
3) Investigar sobre la estructura principios de operación funcionamiento de un diodo de
potencia.

2.
3.
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ELECTRONICA DE POTENCIA

Alumno:
BRAYAN PILA

CLASIFICACION DE LOS INTERRUPTORES DE

ESTADO SOLIDO DE POTENCIA.

SEXTO NIVEL

26 de Mayo 2017
INTERRUPTORES DE NIVEL DE ESTADO SÓLIDO

Nuestros interruptores de nivel de estado sólido Boletín

840E se basan en microprocesadores y están diseñados
para resistir condiciones industriales difíciles y
aplicaciones de proyecciones de agua tales como el
monitoreo del nivel de líquido en tanques, contenedores y
oleoductos. Estos interruptores están disponibles en
versiones de CA y CC, no se ven afectados por la espuma y
son inmunes a la vibración y la acumulación.

Es un dispositivo interruptor electrónico que conmuta el

paso de la electricidad cuando una pequeña corriente es
aplicada en sus terminales de control. Los SSR consisten en
un sensor que responde a una entrada apropiada (señal de
control), un interruptor electrónico de estado sólido que
conmuta el circuito de carga, y un mecanismo de acoplamiento a partir de la señal de control que
activa este interruptor sin partes mecánicas.

RELE

El relé puede estar diseñado para conmutar corriente alterna o continua. Hace la misma función que
el relé electromecánico, pero sin partes móviles.

Los relés de estado sólido utilizan semiconductores de potencia como tiristores y transistores para
conmutar corrientes hasta más de 100 amperios. Los relés SSR pueden conmutar a muy altas
velocidades (del orden de milisegundos) en comparación a los electromecánicos, y no tienen
contactos mecánicos que se desgasten. A la hora de aplicar este tipo de relés debe tenerse en cuenta
su baja tolerancia para soportar sobrecargas momentáneas, comparado con los relés
electromecánicos, y su mayor resistencia al paso de la corriente en su estado activo.

Un SSR basado en un único MOSFET, o múltiples MOSFET en paralelo, puede trabajar bien para
cargas de CC. Los MOSFET implementan un diodo que conduce la electricidad en un sólo sentido, por
lo que un único MOSFET no puede bloquear la corriente en ambas direcciones. Un SSR para CC es
básicamente un MOSFET pero manejando mayor corriente y con la peculiaridad de que la entrada
está aislada de la salida, además tendrán el terminal positivo y negativo identificados, ya que se
pueden dañar si las polaridades se invierten. Cuando se conmutan cargas inductivas debe colocarse
un diodo de protección en la salida del SSR para evitar que las corrientes inversas de retorno lo
dañen.

Características:

 Envolvente de acero inoxidable 316L duradero y resistente a la corrosión con clasificación

IP66/67 para envolventes de tipo CC e IP65 para envolventes de tipo CA
 Versión PNP de CC con conector M12
 Versión de CA con conector de válvula de 1/2 pulgada NPT
 Elemento de detección de acero inoxidable 316L
 Control en las instalaciones mediante indicador de estado de alta visibilidad
 Interruptor de nivel NA/NC discreto basado en tecnología de horquilla vibratoria ultrasónica
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ELECTRONICA DE POTENCIA

Alumno:
BRAYAN PILA

FISICA DE SEMICONDUCTORES

SEXTO NIVEL

26 de Mayo 2017

FISICA DE SEMICONDUUCTORES
La Física de semiconductores es el conjunto de teorías y modelos que explican el comportamiento de
los semiconductores, bajo diversas condiciones. Sin embargo, gran parte de los semiconductores son
estudiados en Física del estado sólido. Debido a que la banda que efectivamente conduce es la que
está casi vacía o casi llena, la poca densidad de los portadores de carga en el seno del cristal hace que
se comporten como un gas clásico o maxweliano.

Tipos

Una de las propiedades más importantes de los semiconductores es la cantidad de portadores como
función de la temperatura. El modelo de las 2 corrientes es el usado para describir los portadores,
donde los electrones excitados son los que conducen cargas negativas y los huecos transportan carga
positiva. Así que las cantidades importantes a determinar son la cantidad de portadores en la banda
de conducción y la cantidad de portadores en la banda de valencia.

Dependiendo de la relación entre la cantidad de portadores en cada banda podremos clasificar a los
semiconductores. Así es como si la cantidad de portadores (huecos) en la banda de valencia es igual
a la cantidad de portadores de la banda de conducción (electrones) tendremos lo que se llama un
semiconductor intrínseco. Si, en cambio, la relación cambia se dice que es un semiconductor
extrínseco.

 El caso intrínseco se da en cristales puros, donde la densidad de carga es despreciable. Las

bandas de conducción solo pueden ser ocupadas por electrones que abandonaron la banda
de valencia, dejando una vacancia, o sea un hueco. De esta manera la cantidad de cada tipo
de portador esta siempre balanceada.

 El caso extrínseco, por el contrario, tiene exceso ya sea de electrones o huecos. Esto se debe
que el cristal puro se encuentra "contaminado" con un átomo de otro tipo que puede agregar
un donor (electron) o un aceptor (hueco), esto pasa cuando ese átomo contaminante tiene
una cantidad distinta de electrones en la capa de valencia a los de la red pura.

En cambio, si se ha dopado con elementos trivalentes (Al, B, Ga o In), las impurezas aportan una
vacante, por lo que se las denomina aceptoras (de electrones, se entiende). Ahora bien, el espacio
vacante no es un hueco como el formado antes con el salto de un electrón, sino que tiene un nivel
energético ligeramente superior al de la banda de valencia (del orden de 0,01 eV).
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ELECTRONICA DE POTENCIA

Alumno:
BRAYAN PILA

DIODOS DE POTENCIA

SEXTO NIVEL

26 de Mayo 2017

DIODO DE POTENCIA

ESTRUCTURA
El diodo consiste fundamentalmente en la unión de dos piezas de cristal semiconductor compuestas
por átomos de silicio puro, procesadas cada una de una
forma diferente, de forma que una sea de tipo P y otra tipo
N. Para lograr esto, a las piezas se les añade algunas
moléculas de otro elemento semiconductor, denominadas
impurezas. Al final del proceso se obtiene una pieza de
cristal de silicio positiva (P) con faltante de electrones en su
estructura atómica (lo que produce la aparición de
“huecos”) y otra pieza negativa (N) con exceso de
electrones.

CARACTERÍSTICAS

La curva característica se muestra a continuación en la figura.

Las características más importantes del diodo podemos agrupar de la siguiente forma:

 Características estáticas
 Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
 Parámetros en conducción.
 Modelo estático.
 Parámetros en bloqueo

Tensión inversa de trabajo (VRWM): Tensión inversa máxima que puede ser soportada por el
diodo de forma continuada sin peligro de avalancha.

Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): Tensión inversa máxima que puede ser soportada en
picos de 1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.

Tensión inversa de pico único (VRSM): Tensión inversa máxima que puede ser soportada por una
sola vez cada 10 min o más, con duración de pico de 10ms.

Tensión de ruptura (VR): Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede destruirse o al
menos degradar sus características eléctricas.

Parámetros en estado de conducción

Intensidad media nominal (IFAV): Es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos

senoidales de 180º que el diodo puede soportar con la cápsula mantenida a determinada
temperatura (110 ºC normalmente).

Intensidad de pico repetitivo (IFRM): Máxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms por
tiempo indefinido, con duración de pico de 1ms a determinada temperatura de la cápsula.
Intensidad de pico único (IFSM): Es el máximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10
minutos o más, con duración de pico de 10ms.

Modelo estático

a) Modelo Ideal b) Diodo ideal en serie con fuente de tensión. c) Diodo ideal en serie con fuente de
tensión y con la resistencia del diodo en conducción.

Características dinámicas

 Tiempo de recuperación inverso (trr).

 Influencia del trr en la conmutación.
 Tiempo de recuperación directo.

Tiempo de recuperación inverso: El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se

efectúa instantáneamente. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del
tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y
aparece en la unión la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado
tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van
desapareciendo el exceso de portadores.

ta(tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad
hasta llegar al pico negativo.

tb(tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que ésta
se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. En la práctica se
suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.

trr(tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Influencia del trr en la conmutación: Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es

despreciable:

 Se limita la frecuencia de funcionamiento.

 Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperación rápida. Factores de los que
depende trr:

 A mayor IRRM menor trr.

  Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor será la capacidad
almacenada, y por tanto mayor será trr.

Potencia

 Potencia máxima disipable.

 Potencia media disipada.
 Potencia inversa de pico repetitivo.
 Potencia inversa de pico no repetitivo.

Potencia máxima disipable (Pmáx): Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero
no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada ésta
potencia de trabajo.

Potencia media disipada (PAV): Es la disipación de potencia resultante cuando el dispositivo se

encuentra en estado de conducción, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.

Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM): Es la máxima potencia que puede disipar el
dispositivo en estado de bloqueo.

Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM): Similar a la anterior, pero dada para un pulso
único.

Características térmicas

Temperatura de la unión (Tjmáx): Es el límite superior de temperatura que nunca debemos hacer
sobrepasar a la unión del dispositivo si queremos evitar su inmediata destrucción.

Temperatura de almacenamiento (Tstg): gEs la temperatura a la que se encuentra el dispositivo

cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta
temperatura.
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ELECTRONICA DE POTENCIA

Alumno:
BRAYAN PILA

BJT

SEXTO NIVEL

26 de Mayo 2017

BJT

ESTRUCTURA
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones
semiconductoras dopadas: la región del emisor, la
región de la base y la región del colector. Estas regiones
son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP,
y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada
región del semiconductor está conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.

La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de material
semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la región del emisor,
haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar de ser
colectados, lo que hace que el valor resultante de α se acerque mucho hacia la unidad, y por eso,
otorgarle al transistor una gran β.

Tipos de Transistores según polarización

NPN

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los

cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga
mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La
mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son
NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la
movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operación. Los transistores
NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de
material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es
amplificada en la salida del colector. La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del
emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está
en funcionamiento activo.

PNP

El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las

letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de
las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho
mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias. Los
transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado
P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el
colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de
una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector

Principio de Funcionamiento
En una configuración normal, la unión base-emisor se
polariza en directa y la unión base-colector en
inversa. Debido a la agitación térmica los portadores
de carga del emisor pueden atravesar la barrera de
potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prácticamente todos los portadores que llegaron son
impulsados por el campo eléctrico que existe entre la
base y el colector.

Un transistor NPN puede ser considerado como dos

diodos con la región del ánodo compartida. En una
operación típica, la unión base-emisor está polarizada
en directa y la unión base-colector está polarizada en
inversa.

La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores
puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del portador minoritario
del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar
la unión base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusión de los electrones.

Control de tensión, carga y corriente

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control
de corriente), o por la tensión base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relación tensión-
corriente de la unión base-emisor, la cual es la curva tensión-corriente exponencial usual de una
unión PN (es decir, un diodo).

En el diseño de circuitos analógicos, el control de corriente es utilizado debido a que es

aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente β veces la
corriente de la base.

Parámetros Alfa y Beta del transistor de unión bipolar

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de electrones capaces de cruzar
la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la región del emisor y el bajo dopaje de la región de la
base pueden causar que muchos más electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que
huecos desde la base hacia el emisor
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ELECTRONICA DE POTENCIA

Alumno:
BRAYAN PILA

MOSFET

SEXTO NIVEL

26 de Mayo 2017
El MOSFET posee cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato
(B). Generalmente el sustrato está conectado internamente al terminal del surtidor, por lo que se
pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.

El material de la compuerta, que antes era metálico, ahora se

construye con una capa de silicio policristalino. La compuerta
se fabricaba en aluminio hasta mediados de los 70, cuando
empezó a ser sustituido por el silicio policristalino en favor de
su capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Sin
embargo la mayor velocidad alcanzable de las puertas
metálicas esta haciendo que se vuelvan a emplearse. Además, el 'óxido' utilizado como aislante en la
compuerta también se ha reemplazado por otros materiales con el propósito de obtener canales
fuertes con la aplicación de tensiones más pequeñas.

Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y sólo requiere una pequeña
corriente de entrada. La velocidad de conmutación es muy alta, y los tiempos de conmutación son del
orden de nanosegundos. Los MOSFET no tienen problemas de fenómenos de segunda
avalancha como los BJT pero sí los de descarga electrostática además de que son difícil de proteger
en condiciones de falla por cortocircuito.

Los MOSFET tienen tres terminales. Las tres terminales son compuerta, drenaje y fuente. En el caso
normal, el substrato se conecta a la fuente. Si el voltaje de compuerta a fuente VGS es lo
suficiéntemente negativo no pasa corriente del drenaje a la fuente IDS. Si VGS es positivo, la
IDS circulará del drenaje a la fuente. Requieren poca energía de compuerta. Por el contrario, tienen
grandes pérdidas en estado activo.

Hay dos tipos de MOSFET:

 MOSFET decrementales: se forman sobre un substrato de silicio tipo p, con dos regiones de
silicio n- muy dopado,, para formar conexiones de baja resistencia. La compuerta está aislada del
canal por una capa muy delgada de óxido. En función de si la VGS es positiva o negativa, el canal
se ensanchará o estrechará permitiendo el paso o no de corriente.

 MOSFET incrementales: no tienen canal físico. SI VGS es positiva, un voltaje inducido atrae a los
electrones del substrato p y los acumula en la superficie. Si VGS es mayor o igual a un valor
llamado voltaje umbral, se acumula una cantidad suficiente de electrones para formar un canal
N virtual, y la corriente circula del drenaje a la fuente.
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ELECTRONICA DE POTENCIA

Alumno:
BRAYAN PILA

IGBT

SEXTO NIVEL

26 de Mayo 2017
Transistor IGBT. Componente electrónico diseñado para
controlar principalmente altas potencias, en su diseño está
compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y transistor
de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.

Durante mucho se tiempo se busco la forma de obtener un

dispositivo que tuviera una alta impedancia de entrada y que
fuera capaz de manejar altas potencias a altas velocidades, esto dio lugar a la creación de los
Transistores bipolar de puerta aislada (IGBT). Los transistores IGBT han permitido desarrollos que
no habían sido viables hasta entonces y se describirán más adelante. El mismo se puede identificar
en un circuito con la simbología mostrada en la figura I.

Estructura

El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se

alternan (PNPN) que son controlados por un metal-óxido-
semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una acción
regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) celular se
construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de
poder de la construcción, excepto la n se sustituye con un drenaje + p
+ capa de colector, formando una línea vertical del transistor de unión
bipolar de PNP.

Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo
con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una
puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo
dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características
de conducción son como las del BJT. En la figura II se observa la estructura interna de un IGBT, el
mismo cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C).

Funcionamiento

Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el IGBT enciende inmediatamente, la corriente

de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente
IC persiste para el tiempo de encendido en que la señal en la puerta es aplicada. Para encender el
IGBT, el terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La señal de
encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.

Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts, puede causar que el
tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de colector ID es igual a la
corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene así
por una señal de voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipación de potencia
en la puerta es muy baja.

El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal G. La transición del

estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 microsegundos, por lo que la
frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los 50 kHz.

EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y
viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae a un valor bajo cercano
a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba
de 15 V, y la corriente IC se autolimita.

Características técnicas

ICmax Limitada por efecto Latch-up.

VGEmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.

Se diseña para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la
nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 us. y pueda actuar una
protección electrónica cortando desde puerta.

VCEmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, será VCEmax=BVCB0
Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de
6.5 kV).

La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC (con SiC se esperan valores mayores)

Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.

En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un par de MW,
trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

APLICACIONES

El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un

dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. Se usan en los Variadores de frecuencia
así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan
cada día y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de
eso: Automóvil, Tren, Metro, Autobús, Avión, Barco, Ascensor, Electrodoméstico, Televisión, Domóti
ca, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc.
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ELECTRONICA DE POTENCIA

Alumno:
BRAYAN PILA

ELECTRONICA DE POTENCIA VS ELECTRONICA

LINEAL.

SEXTO NIVEL

26 de Mayo 2017
En todos los procesos de conversión de potencia es importante que se presente una pequeña pérdida
de potencia y, por ende, una alta eficiencia de energía, por dos razones: el costo de la energía
desperdiciada y la dificultad para eliminar el calor generado debido a la energía disipada.

Otras consideraciones importantes son la reducción de tamaño, peso y costo. En la mayoría de los
sistemas, los objetivos recién mencionados no se pueden alcanzar por medio de la electrónica lineal,
pues en ésta los dispositivos de semiconductores son operados en su región lineal y se usa un
transformador de frecuencia de línea para el aislamiento eléctrico. La entrada de la compañía
generadora de energía eléctrica normalmente podrá estar en 120 o 240 V, y el voltaje de salida podrá
ser, por ejemplo, 5 V. Se requiere que la salida sea eléctricamente aislada de la entrada de la compañía
generadora de energía eléctrica.
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ELECTRONICA DE POTENCIA

Alumno:
BRAYAN PILA

APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA

SEXTO NIVEL

26 de Mayo 2017
En los últimos años, la Electrónica de Potencia viene contribuyendo en el desarrollo de nuevas
estructuras para el procesamiento de la energía.

Se está volviendo muy común generar energía eléctrica de diversas formas y convertirla en otra
forma para poder utilizarla. Como ejemplo de esto, se puede citar las fuentes renovables, bancos de
baterías y la transmisión de energía eléctrica en corriente continua (CC), que ponen a disposición la
tensión de la red en niveles y formas diferentes de los de la red eléctrica original. Los principales
usuarios de estas señales son los equipamientos electrónicos que usan tensiones en niveles
diferentes de la disponible de la red eléctrica, los accionamientos de máquinas eléctricas, que
modifican la tensión de la red eléctrica (amplitud y frecuencia) para controlar las máquinas, y
finalmente en los sistemas eléctricos, la transmisión de energía en CC y la conversión de frecuencia.

Todo esto, se ha logrado con el desarrollo de los dispositivos semiconductores: en primer lugar, se
utilizaron dispositivos de conmutación natural (diodos), los que presentaban muchas limitaciones
de operación y generaban una importante contaminación de armónicos en las redes eléctricas. Estos,
posteriormente, fueron evolucionando, pasando por la invención del Rectificador Controlado de
Silicio (SCR, por su sigla en inglés), invento que dio inicio a la Electrónica de Potencia moderna. Con
el paso del tiempo fueron apareciendo otros dispositivos, como el Triac, tiristores bloqueables por
puerta (GTO), transistores bipolares de potencia (BJT), transistores de efecto de campo de potencia
(MOSFET), transistores bipolares de puerta aislada (IGBT), transistores y tiristores de inducción
estática (SIT y SITH), tiristores de puerta tipo MOS (MCT), Gate Turn-Off Thyristor (GTO) y tiristor
conmutado puerto integrado (IGCT). Estos dispositivos pueden ser clasificados según sus frecuencias
de operación y capacidades de procesamiento de energía.

En la actualidad, la Electrónica de Potencia está presente en los convertidores CA/CC (rectificadores),

CC/CC (choppers), CC/CA (inversores) y CA/CA (gradadores o convertidores directos de frecuencia).

Productos donde se aplica la electrónica de potencia

La electrónica de potencia ha alcanzado ya un lugar importante en la tecnología moderna y se utiliza

ahora en una gran diversidad de productos de alta potencia, que incluye:

 Controles de calor
 Controles de iluminación
 Controles de motor
 Fuente de alimentación
 Sistema de propulsión de vehículos
 Sistemas de corriente directa de alto voltaje ( HVDC por sus siglas en inglés)
Dispositivos semiconductores de potencia

Para estas aplicaciones se han desarrollado una serie de dispositivos semiconductores de potencia,
todos los cuales derivan del diodo o el transistor. Entre estos se encuentran los siguientes:

 Diodos de potencia
 Rectificador controlado de sislicio (SCR en inglés)
 Transistores bipolares de juntura de potencia (BJT)
 MOSFET de potencia
 Transistores bipolares de compuerta aislada(IGBT)
 Transistor de inducción estática(SIT)

Los Tiristores pueden subdividirse en ocho tipos:

 Tiristor de conmutación forzada

 Tiristor conmutado por linea
 Tiristor desactivado por compuerta (GTO)
 Tiristor de conducción inversa (RTC)
 Tiristor de inducción estático (SITH)
 Tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT)
 Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR)
 Tiristor controlado por MOS (MCT)
 Triac

Convertidores de la Energía Eléctrica

Conversión de potencia es el proceso de convertir una forma de energía en otra, esto puede incluir
procesos electromecánicos o electroquímicos. Dichos dispositivos son empleados en equipos que se
denominan convertidores estáticos de potencia, clasificados en:

 Rectificadores: convierten corriente alterna en corriente continua.

 Inveror: convierten corriente continua en corriente alterna.
 Cicloconversores: convierten corriente alterna en corriente alterna.
 Choppers: convierten corriente continua en corriente continua.

En la actualidad esta disciplina está cobrando cada vez más importancia debido principalmente a la
elevada eficiencia de los convertidores electrónicos en comparación a los métodos tradicionales, y su
mayor versatilidad. Un paso imprescindible para que se produjera esta revolución fue el desarrollo
de dispositivos capaces de manejar las elevadas potencias necesarias en tareas de distribución
eléctrica o manejo de potentes motores
Ingeniería Electrónica e Instrumentación

ELECTRONICA DE POTENCIA

Alumno:
BRAYAN PILA

CARGA LINEAL Y NO LINEAL

SEXTO NIVEL

26 de Mayo 2017
El circuito no lineal En teoría de circuitos, un circuito no lineal es un circuito cuya relación entre
tensión y corriente no se puede describir con una ecuación o sistema lineal.
La electrización por contacto es considerada como la consecuencia de un flujo de cargas negativas de
un cuerpo a otro. Si el cuerpo cargado es positivo es porque sus correspondientes átomos poseen un
defecto de electrones, que se verá en parte compensado por la aportación del cuerpo neutro cuando
ambos entran en contacto,

El resultado final es que el cuerpo cargado se hace menos positivo y el neutro adquiere carga eléctrica
positiva. Aun cuando en realidad se hayan transferido electrones del cuerpo neutro al cargado
positivamente, todo sucede como si el segundo hubiese cedido parte de su carga positiva al primero.

Una carga no lineal es aquella que produce corrientes de forma diferente a las sinusoidales, esto es,
son corrientes que además de generar la componente fundamental, contienen otras que son
múltiplos enteros de la fundamental y que reciben el nombre de armónicos.

Al principio este tipo de cargas que existían en Sistemas Eléctricos de Potencia eran de naturaleza
magnética, por ejemplo la corriente de arranque de los transformadores y balastros magnéticos de
lámparas tipo fluorescente. La aplicación de estas cargas era muy escasa.

En la actualidad las aplicaciones de la electrónica de potencia en la fabricación de varios dispositivos

modernos brindan un mejor confort en los hogares, comercios e industria, pero también ha traído,
entre otros problemas, la generación de cargas no lineales que afectan de manera seria las
instalaciones eléctricas en general.

Podemos citar algunos ejemplos de productos que generan armónicos del orden 5, 7, 11, y 13 como
son los variadores de frecuencia y motores de inducción. Estos equipos permiten mejorar la eficiencia
de las maquinarias haciendo variar su velocidad.

También los balastros electrónicos presentan una muy importante mejoría, tanto en la eficiencia
como en la vida útil del equipo. Pero tiene el problema de aumentar significativamente el contenido
de armónicos.

Otros equipos generadores de armónicos son los hornos de arco, el cargador de batería. Sin embargo
los mayores generadores de este tipo de cargas son aquellos grupos de cargas electrónicas
monofásicas (ordenadores, impresoras, fotocopiadoras, etc.), que son conectadas entre la fase y el
neutro de un sistema Delta-Estrella en 440/220 VCA.
 Ingeniería Electrónica e Instrumentación

ELECTRONICA DE POTENCIA

Alumno:
BRAYAN PILA

CLASIFICACION DE LOS CONVERSORES ESTATICOS

DE ENERGIA.

SEXTO NIVEL

26 de Mayo 2017

Clasificación de convertidores estáticos

En el marco de la conversión de energía eléctrica, los convertidores estáticos, que están
basados en semiconductores de potencia, se pueden clasificar en las siguientes categorías:

Rectificadores: Para obtener CC a partir de CA, la tensión de salida puede ser fija o variable.

Onduladores o inversores: Convierten CC en AC de tensión y frecuencia variables.

Convertidores de frecuencia: Partiendo de CA, se puede obtener CA de frecuencia distinta a

la de partida. Se puede utilizar para eliminar diferentes tipos de perturbaciones en el
sistema eléctrico.

Reguladores por control de fase: Varía la tensión de CA suministrada a la carga manteniendo

la frecuencia.

Troceadores. Consigue en CC variar la tensión que recibe la carga.

Ingeniería Electrónica e Instrumentación

 ELECTRONICA DE POTENCIA

Alumno:
BRAYAN PILA

INTERRUPTORES DE ESTADO SOLIDO DE

POTENCIA.

SEXTO NIVEL

26 de Mayo 2017

A. diodo de potencia
Un diodo de potencia tiene una estructura PIN en comparación con el diodo de señal que
tiene una estructura de PN. Aquí, I (en PIN) es
sinónimo de capa de semiconductor intrínseco de
soportar la tensión inversa de alto nivel en
comparación con el diodo de señal (n-, la deriva
capa de región se muestra en la Fig. 2). Sin embargo,
el inconveniente de esta capa intrínseca es que
añade resistencia notable durante la condición de
sesgado hacia adelante. Por lo tanto, diodo de
potencia requiere un dispositivo de refrigeración
adecuada para el manejo de gran disipación de energía. Diodos de potencia se utilizan en
numerosas aplicaciones, incluyendo rectificador, abrazadera de tensión, multiplicador de
tensión y etc. símbolo diodo de potencia es el mismo que del diodo de señal como se muestra
en la Fig.1.

B. metal-óxido-semiconductor transistor de efecto de campo (alimentación)

MOSFET es un portador controlado por tensión

mayoría (o unipolar) dispositivo de tres
terminales. Sus símbolos se muestran en la
Fig. 7 y la fig. 8. En comparación con la sencilla
MOSFET de canal lateral para señales de baja
potencia, MOSFET de potencia tiene una
estructura diferente. Tiene una estructura de
canal vertical donde la fuente y el drenaje están
en el lado opuesto de la oblea de silicio como se
muestra en la Fig. 10. Esta colocación opuesto
de la fuente y el drenaje aumenta la capacidad
del MOSFET de potencia para manejar el poder
más grande.

C. Potencia Bipolar Junction Transistor (BJT)

BJT de potencia se utiliza tradicionalmente para muchas aplicaciones. Sin embargo, IGBT
(Insulated-Gate Bipolar Transistor) y MOSFET (Metal-Oxido-Semiconductor transistor de
efecto campo) han reemplazado a que para la mayoría de las aplicaciones, pero todavía se
utilizan en algunas áreas debido a su tensión de saturación más bajo en el rango de
temperatura operativa . IGBT y MOSFET tienen una mayor capacidad de entrada en
comparación con BJT. Por lo tanto, en caso de IGBT y MOSFET, circuito de accionamiento
debe ser capaz de cargar y descargar las capacitancias internas.

D. Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT)

IGBT combina la física de ambos BJT y MOSFET de potencia para obtener las ventajas de
ambos mundos. Es controlado por la tensión de puerta. Se tiene la alta impedancia de
entrada como un MOSFET de potencia y tiene baja pérdida de potencia en estado de
encendido como en el caso de BJT. No hay inclusive descomposición secundaria y no tienen
tiempo de conmutación siempre que en el caso de BJT. Se tiene mejores características de
conducción en comparación con MOSFET debido a la naturaleza bipolar. Que no tiene diodo
de cuerpo como en el caso del MOSFET, pero esto puede ser visto como una ventaja usar
diodo de recuperación rápida externa para aplicaciones específicas. Ellos están
reemplazando el MOSFET para la mayoría de las aplicaciones de alta tensión con menos
pérdidas de conducción.

E. Los tiristores (SCR, GTO, MCT)

Los tiristores son la familia de dispositivos de estado sólido utilizados ampliamente en

circuitos de electrónica de potencia, tales como SCR (rectificador controlado de silicio),
DIAC (diodo en AC), TRIAC (triodo en AC), GTO (tiristores puerta de desconexión), MCT (
tiristor MOS-controlado), RCT, PUT, UJT, LASCR, LASCS, SIT, Sith, SIS, SBS, SUS, SBS y etc.
SCR es el miembro más antiguo y la cabeza de esta familia; y normalmente se conoce con el
nombre de “tiristor”.
Ellos funcionan como interruptores biestables que están trabajando ya sea en no
conductores o conductoras estado. tiristores tradicionales están diseñados sin capacidad de
apagado controlado por puerta en la que el tiristor puede venir de la realización de un
estado a otro no conductor, cuando sólo la corriente del ánodo cae por debajo de la corriente
de mantenimiento. Mientras GTO es un tipo de tiristor que tiene una capacidad de apagado
controlado por puerta.

SCR

SCR generalmente tiene tres terminales y cuatro capas de alternancia de p y tipo n

materiales como se muestra en la Fig. 34. La
estructura de tiristor se puede dividir en dos
secciones: transistores npn y pnp para fines de
análisis simples como se muestra en la Fig. 36.
Tiene tres terminales denominados como cátodo,
ánodo y la puerta.

N-base es una región de alta resistividad y su espesor es directamente dependiente de la

calificación de bloqueo hacia delante del tiristor. Pero más ancho de la n-base indica un
tiempo de respuesta lento para la conmutación. Símbolo del tiristor se da en la Fig. 35.

Figura 35. Esquema Símbolo del tiristor

GTO (Puerta de Turn-off tiristores)

GTO se puede activar con el pulso de corriente de puerta positivo y apagado con el pulso de
corriente de puerta negativa. Su capacidad para apagar se debe a la desviación de la
corriente de colector PNP por la puerta y rompiendo así
el efecto de retroalimentación regenerativa.

En realidad, el diseño de GTO se hace de tal manera que

la ganancia de corriente PNP de GTO se
reduce. Altamente dopadas n puntos en la capa p ánodo
forman un efecto de emisor en cortocircuito y en última
instancia disminuye la ganancia de corriente de GTO
para inferior regeneración actual y también la
capacidad de bloqueo de tensión inversa. Esta
reducción de la capacidad de bloqueo inverso se puede
mejorar mediante la difusión de oro, pero esto reduce
la vida de los portadores. Por otra parte, se requiere una
protección especial, como se muestra en la Fig. 43.

Higo. 40 muestra las cuatro capas de Si y las tres uniones de GTO y la fig. La figura 41
muestra su forma práctica. El símbolo para GTO se muestra en la Fig.42.

MCT (tiristor controlado por MOS)

IGBT es una mejora sobre un BJT utilizando un MOSFET para

encender o apagar la corriente del ánodo. Del mismo modo,
MCT es una mejora sobre un tiristor con un par de MOSFETs
para cambiar la corriente. Hay varios dispositivos en la
familia de la MCT, pero el canal p es comúnmente
discutidos. Su circuito diagrama y equivalente esquemático
se da en la Fig. 45 y la fig. 46. Su símbolo se da en la Fig. 47.