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Electrónica Análoga I

Material tipo N
Se llama material tipo N al que posee átomos de impurezas
que permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a
los mismos semiconductores. Los átomos de este tipo se
llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones.

Existirán más electrones que huecos, por lo que los primeros


serán los portadores mayoritarios y los últimos los
minoritarios. La cantidad de portadores mayoritarios será
función directa de la cantidad de átomos de impurezas
introducidos.

El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fósforo


(dopaje N). En el caso del Fósforo, se dona un electrón.
Material tipo P
Material que tiene átomos de impurezas que permiten la
formación de huecos sin que aparezcan electrones asociados a
los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los átomos
de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un
electrón.

Generando más huecos que electrones, por lo que los primeros


serán los portadores mayoritarios y los segundos los
minoritarios. Al igual que en el material tipo N, la cantidad de
portadores mayoritarios será función directa de la cantidad de
átomos de impurezas introducidos.

El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P


dopaje). En el caso del boro le falta un electrón y, por tanto, es
donado un hueco de electrón.
Diodo
Dispositivo semiconductor cuyo comportamiento se parece
mucho al de un interruptor simple; es decir, deja pasar corriente
idealmente en sólo una dirección cuando opera dentro de
límites especificados.
Principio de operación de un diodo
El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de
electrones) y el semiconductor tipo P tiene huecos libres
(ausencia o falta de electrones). Cuando una tensión positiva se
aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el
lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a través
del material P más allá de los límites del semiconductor. De
igual manera los huecos en el material P son empujados con
una tensión negativa al lado del material N y los huecos fluyen
a través del material N.
En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica al
lado N y una negativa al lado P, los electrones en el lado N son
empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al
lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se
mueven y en consecuencia no hay corriente.
Curva característica del diodo
Tensión umbral (𝑉𝛾 ).
La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de
polarización directa coincide en valor con la tensión de la zona
de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar
directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va
reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor
del 1 % de la nominal (0,7 V). Sin embargo, cuando la tensión
externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial
desaparece, de forma que para pequeños incrementos de
tensión se producen grandes variaciones de la intensidad de
corriente.

Corriente máxima (𝐼𝑚𝑎𝑥 ).


Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el
diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es función
de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende
sobre todo del diseño del mismo.

Corriente inversa de saturación (𝐼𝑠 )


Es la pequeña corriente que se establece al polarizar
inversamente el diodo por la formación de pares electrón-
hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica por
cada incremento de 10 °C en la temperatura.

Efecto avalancha (diodos poco dopados).


En polarización inversa se generan pares electrón-hueco que
provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión inversa
es elevada los electrones se aceleran incrementando su energía
cinética de forma que al chocar con electrones de valencia
pueden provocar su salto a la banda de conducción. Estos
electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la
tensión, chocando con más electrones de valencia y
liberándolos a su vez. El resultado es una avalancha de
electrones que provoca una corriente grande. Este fenómeno
se produce para valores de la tensión superiores a 6 V.

Tensión de ruptura (𝑉𝑟 )


Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes
de darse el efecto avalancha. Teóricamente, al polarizar
inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de
saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de
la tensión.

Efecto Zener (diodos muy dopados).


Cuanto más dopado está el material, menor es la anchura de la
zona de carga. Puesto que el campo eléctrico 𝐸 puede
expresarse como cociente de la tensión 𝑉 entre la distancia 𝑑;
cuando el diodo esté muy dopado, y por tanto d sea pequeño,
el campo eléctrico será grande, del orden de 3·105 V/cm. En
estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar
electrones de valencia incrementándose la corriente. Este
efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.

Comportamiento diodo ideal y real


Modelo de fuentes y resistencias para el diodo
Ejemplos circuitos fuente variable con diodos
Circuitos con condensadores y diodos
El condensador al cambio brusco de tensión se comporta
como un corto Sin embargo la carga depende enteramente del
RC

El condensador tendera a poseer el mismo voltaje de la fuente


o al equivalente pero con signos contrarios sea en serie o en
paralelo
Fuentes de alimentación

El transformador entrega un voltaje eficaz pero para ver el


voltaje pico o máximo en la señal se calcula
𝑉𝑝
𝑉𝑅𝑀𝑆 =
√2

Usualmente se trabaja con una frecuencia de 60Hz lo que


quiere decir que el periodo T=16.7ms y 𝑇⁄2 = 8.35𝑚 𝑠

Factor de rizado

Rectificado de onda completa


Tap central
Rectificador en puente

Filtros
Diseño

𝑉𝑝
𝑉𝑟 =
2𝑅𝐶𝑓
Diodo Zener
Transistores

Transistor JFET
Transistor MOSFET
Se invierte la polaridad de voltajes y fuentes de corriente
Para que funcione
𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇

Estará es zona de saturación si


𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇
Estará en la zona óhmica o activa si
𝑉𝐷𝑆 ≤ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇

Si está saturado
𝐼 = 𝑘(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2

Si está en la zona óhmica o activa


𝐼 = 𝑘[2𝑉𝐷𝑆 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 ) − (𝑉𝐷𝑆 )2 ]
Remplazar
𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝑅𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 → 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − (𝑅𝐼 )
−𝑏±√𝑏2 −4𝑎𝑐
Evaluar 2𝑎
Transconductancia
2𝐼𝐷𝑆
𝑔𝑚 =
𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇
𝑘′𝑛 = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥

𝐶𝑜𝑥 = 𝐹 ⁄𝑚2 Capacitancia por unidad de área de compuerta


𝜇𝑛 Movilidad de electrones en el canal

Resistencia drein-source
𝑉𝐴
𝑟𝑜 = = 𝑟𝐷𝑆
𝐼𝐷𝑆

Expresión característica 𝑖𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 Región de saturación


1 𝑊
𝑖𝐷 = (𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 ) ( ) [(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 ]
2 𝐿
En la saturación 𝑖𝐷 permanece constante para cierto 𝑉𝐺𝑆
mientras 𝑉𝐷𝑆 varia

Región de tríodo
𝑊 1
𝑖𝐷 = 𝑘′𝑛 [𝑉 (𝑉 − 𝑉𝑇 ) − (𝑉𝐷𝑆 )2 ]
𝐿 𝐷𝑆 𝐺𝑆 2
Surtidor Común

Drenador común

Puerta común
Ejemplo

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