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Laboratorio Nº2

“Circuitos de control de disparo aplicado al Tiristor”


(Informe Previo)
Facultad de ingeniería Eléctrica y Electrónica UNI
Laboratorio de Electrónica II-P (EE432M3)
Arellano Cáceres Alexsander
alexsanderarellano468@gmail.com
20090258G

I. OBJETIVOS

-Ver los diferentes tipos de disparo bajo un ángulo de


conduccion Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un
diodo en conducción y ya no hay control sobre el
II. FUNDAMENTO TEÓRICO dispositivo.

A. SCR El tiristor seguirá conduciendo, porque en la unión J2


Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los no existe una capa de agotamiento de vida a movimientos
dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores libres de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente
se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos directa del ánodo por debajo de un nivel conocido como
de potencia. Se operan como conmutadores biestables, corriente de mantenimiento IH , se genera una región de
pasando de un estado no conductor a un estado conductor. agotamiento alrededor de la unión J2 debida al número
Para muchas aplicaciones se puede suponer que los reducido de portadores; el tiristor estará entonces en
Tiristores son interruptores o conmutadores ideales, estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del
aunque los tiristores prácticos exhiben ciertas orden de los miliamperios y es menor que la corriente de
características y limitaciones. enganche, IL. Esto significa que IL>IH . La corriente de
mantenimiento IH es la corriente del ánodo mínima para
mantener el tiristor en estado de régimen permanente. La
corriente de mantenimiento es menor que la corriente de
enganche.

Cuando el voltaje del cátodo es positivo con respecto al


del ánodo, la unión J2 tiene polarización directa, pero las
uniones J1 y J3 tienen polarización inversa. Esto es
similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje
inverso a través de ellos. El tiristor estará en estado de
bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida
como corriente de fuga inversa IR, fluirá a través del
Fig. 1 Símbolo del tiristor y tres uniones pn dispositivo.
De acuerdo a los tipos de conmutación los angulos de de E a B1 es de corta duración, y el UJT pronto se revierte
retardo se pueden presentar de 0 a 90 o mas de 90 como a la condición de apagado.
en el siguiente grafico
Los UJT en circuitos de disparo para SCR:

Los UJT casi son ideales como dispositivos de disparo


para los SCR. A continuación indicamos varias razones
de la compatibilidad entre los UJT y los SCR:

- El UJT produce una salida tipo pulso, que es


excelente para asegurar el encendido de un SCR sin
forzar la capacidad de disipación de carga de
compuerta del SCR.

- El punto de disparo del UJT es inherentemente


estable sobre un rango de temperatura amplio.
Puede hacerse aún más estable con muy poco
esfuerzo. Esto anula la inestabilidad térmica de los
SCR.

Fig.2 ángulos de retardo a la conducción - Los circuitos de disparo con UJT pueden adaptarse
con facilidad para el control realimentado.

B. EL UJT (Unijunction transistor) :


Es un dispositivo de conmutación de
transición conductiva. Es un dispositivo de
tres terminales que se denominan emisor,
base1 y base2.

III. PREGUNTAS PARA EL INFORME PREVIO:

1. DESCRIBA EL FUNCIONAMIENTO DEL


CIRCUITO A Y DISEÑELO:
2. REPETIR LA PARTE (1) PARA LOS CIRCUITOS B,
C, D.

Cuando el voltaje entre el emisor y la base 1 es menor que


cierto valor llamado voltaje pico, el UJT está apagado y
no puede haber flujo de corriente de E a B1. Cuando el
voltaje de emisor a base 1 excede al voltaje pico por una
cantidad muy pequeña, el UJT se dispara. Cuando esto
ocurre, el circuito de E a B1 se vuelve casi cortocircuito,
y la corriente puede descargarse de un terminal a otro. En
la mayoría de los circuitos UJT, la descarga de corriente
cero. Esto es necesario para proteger la compuerta contra
sobrecarga. R2 también determina el ángulo de retardo de
disparo mínimo.

Del circuito tenemos:


Vin = ( R L + R). I ¿ +V ¿
V m . sin wt = ( R L + R). I ¿ min +V ¿ min
Si: α=90°=wt CIRCUITO B:
220 √2 = ( RL + R). I GTmin +V GTmin

RL + R = 220 √ 2−0.8 v
2 mA
R L + R =155kΩ
Si: α=30°, entonces:

RL + R = 220 √ 2 .sin 30 °−0.8 v


2mA
R L + R = 77.5kΩ
Diodo limita la tensión inversa en el Gate: Cuando el SCR no conduce (OFF) el circuito equivalente

V GTmin es:
0.8
RG = = =400 Ω Ic = c.dv/dt
I GTmin 2 mA
t
El ángulo de retardo de disparo es determinado por el 1
Vc = ∫ idt
t 0
valor de R3(potenciómetro). Si R3 es bajo, la corriente de
t
compuerta será lo suficientemente grande para disparar el 1
Vin=i.(RL+R)+ ∫ idt
t 0
SCR cuando la fuente de voltaje sea baja. Luego el ángulo
de disparo será pequeño, y la corriente de carga promedio vn
Vc(t) = - sin( wt−φ) +…
será alta. El propósito de R2 es mantener una resistencia √(wcR )2+1
fija en la terminal de la compuerta, aun cuando R3 es Φ= tan −1 (wcR)
Si; Vc=Vp
−t 1
Vp/Vs = 1- e RC

Haciendo Vp/Vs=n

1
t1=RC.ln( )=RC
1−n

n: relación instrinseca =0.67

Rmin < R < Rmáx

Vs−Vv Vs−Vp
<R<
Iv Ip

Tr 16.6 12−4 12−0.67(12)


α=T- = R’c - ms=R’c – 4.15ms <R<
4 4 2mA 2uA
Si R’=100k y C= 0.1uF
4k<R<2MΩ
100K.0,1uF=4.15ms+α
180°
α=5.85ms ( ) =126°
8.3 mseg

IV. REFERENCIAS

[1] EL TIRISTOR O SCR https://tellesyaretzi.wordpress.com/

[2] http://unicrom.com/scr-silicon-controled-rectifier/

[3] EL TIRISTOR O SCR https://www.youtube.com/watch?


v=FPSt59RBDL0
[4] Apuntes Circuitos Electrónicos IIP

Oscilador con UJT:


−t
Vc(t) = Vs(1- e RC )