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Objeto:
Analiar las condiciones de disipación térmica correcta, sin que sufra desbocamiento
térmico de cada dispositivo de potencia y determinar el rendimiento de potencia
Buscar para los diseños de los circuitos las soluciones prácticas que mejor se adapten a las
consignas del presente trabajo
Software plicado:
Multisim
Introduccion:
Desarrollo Práctico:
Calcular:
PL= (1/2)x(Vcc²/RL)
PL= 156,25W
Icq = Vcc / Rc
Icq = 50 /47k
Icq = 1,06mA
Vceq = 50,18 V
Rendimiento real
Rendimiento medido
n = PL / Pcc
n = 156,25W / 199W
n = 0,7851
n (%) = 78,51%
A continuación se dará una guía detallada del procedimiento de ensayo, como así también las
mediciones que se deberán obtener.
Dibuje el circuito de la figura teniendo en cuenta que el interruptor J1 esté abierto, la señal de
entrada deberá ser senoidal con Vi=50mV y frecuencia 1000Hz, el potenciómetro de entrada
puesto a mínimo(a masa) la tensión de la fuente de alimentación Vcc=0V
a) Cierre el interruptor comience a aumentar la tensión de alimentación hasta que los
amperímetros indiquen una Ie de 220mA. Verifique que la tensión de alimentación en este caso
debería ser Vcc=20v.
b) Conecte un osciloscopio en RL y aumente el nivel de señal de entrada accionado la tecla de
control sobre el pote de manera que a la salida haya máxima excursión de señal sin deformación.
Atención si la señal de salida muestra evidencia de una distorsión de cruce, aumente poco a poco
la tensión de alimentación Vcc hasta que desaparezca la distorsión.
c) Determine los valores del pinto de funcionamiento estático en todos los transistores.
Q1 = BC547C
Icq = 6,28mA
Vceq = 2,27 V
Q2 = BC327
Icq = 214 mA
Vceq = 10,23 V
Q3 = BC337
Icq = 214 mA
Vceq = 9,76 A
PL = 6,25W
Pcc = 7,95 w
n = PL / Pcc
n = 6,25W / 7,95
n = 0,786
n (%) = 78,6%
En el circuito que nos dan, nos muestra que tenemos un generador senoidal y que esta conectada
con un amplificador el LM741 y esta puesto como no-inversor para que esta pueda obtener mayor
nivel de tensión de entrada.
Luego del amplificador esta conectada con una serie de transistores. Los transistores 1 y 2 se
utilizan para la protección de los mismos transistores 5 y 6 debido para impedir cortocircuitos que
se puedan producir en la salida del circuito.
Con respecto, a los transistores 3 y 5 funciona con la configuracion Darlington que seria igual a un
transitor NPN obteniendo una ganancia mayor.
Dependiendo de los transistores 4 y 6 esta funciona como un transistor de Darlington pero esta en
cambio actua como PNP.
Para terminar esta el R18 Y C5 forma parte de la Red Zobel.
b) Medición del rendimiento de potencia de la etapa
PL = (1/2)x((Vcc x Vcc)/RL)
PL = (1/2)x(38/4)
PL = 90,25 W
n = PL / PCC
n= 0,7854
n(%) = 78,54%
PDmax = (2/3,14²)/(Vcc²/RL)
PDmax =73,15W
2N3904 Q2
ICQ= 285 uF
VCEQ= 1,1 v
2N3904 Q3
ICQ = 5mA
VCEQ = 37,4 V
BD243B Q1
ICQ = 251 mA
VCEQ = 37,7V
2N3906 Q5
ICQ = 3,7mA
VCEQ= 37,7V
2N3906 Q1
ICQ= 20mA
VCEQ= 0,5v
BD243B Q6
ICQ= 213 mA
VCEQ = 38,1V
BW = 41,23K - 12,24
BW = 41,21K
f) Analisis de la distorcion armonica
g) Corriente maxima de cortocircuito
h) En funcion de los parametros analizados confeccione una tabla de las especificaciones tecnicas
de la etapa.
4. Realizar el proyecto completo de una etapa de potencia en simetria cuaso complementaria de
manera que entregue :
descripcion
http://electronicavm.files.wordpress.com/2011/03/amplificadores-clase-a-y-b1.pdf
Pd1=680 mA x 9V
Pd1 = 6,12W
Pda = 11mA x 1V
Pda = 11mW
Q1 = BD535
Icq = 680mA
Vceq = 9V
Q2 = BD536
Icq =3,9A
Vceq = 3,9V
Q3 = BC337
Icq = 17mA
Vceq = 2,5V
Q7 = BC558B
Icq = 1,64mA
Vceq = 1,6 V
QA = BC548B
Icq = 11mA
Vceq = 1V
n % = PL / Pcc
n = 2W / 3,2 W
n = 0,63
n = 63 %
h) Realizar una simulacion del comportamiento del circuito con Multisim obteniendo en forma
practica la polarizacion de todos los transistores, la sensibilidad, la respuesta en frecuencia en
modulo y fase, la distorcion armonica y la potencia de salida.
Analisis de Fourier
Respuesta en frecuencia
BW = 15,36 kHZ -55,92 Hz
BW = 15,30 k Hz
Po nos la dieron al principio de la practica pero vamos a realizar las cuentas de su desarrollo
Po = (1/2) x (Vo²/RL )
Po = (1/2) x (4V² / 4)
Po = 2W
5) Redacte las conclusiones finales del tp haciendo una sintesis sobre los resultados obtenidos en el
mismo
En este trabajo buscamos los mismas incognitas que el tp 7 solamente con diferentes calculos ya
que estos transistores son amplificadores de potencia de clase B. Pero también incorporamos una
nueva aplicación la red Zobel.
Amplificador de clase B (push-pull)
En este vamos a detenernos para estudiar la clase B y los amplificadores
push-pull (en castellano tira-afloja) que operan en esta clase.
Este es el esquema:
La etapa final esta formada por dos transistores complementarios: Uno es
NPN mientras que el otro es PNP. Si se quiere utilizar dos NPN, habría que
utilizar un transformador con toma media. Esto se hacia antiguamente, pero
ya no debido al volumen y precio del transformador.
La misma señal se aplica a ambos transistores, al ser uno NPN y otro PNP,
cuando uno conduzca el otro estará en corte y viceversa.
Ya solo falta elegir el valor de R4 y R5. Elegiremos un valor alto para R5, ya
que la tensión de alimentación es alta y no es necesario desperdiciar
demasiada corriente (podría ser también por ejemplo de 10k). R4 sera un
valor que se ajustará en el circuito real (con un potenciómetro).
REFERENCIAS:
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Trabajo Práctico N°8 : Amplificadores de Potencia
Objeto:
Analizar las características lineales de los amplificadores de potencia en clase B
Estudiar los bloques funcionalesnmás importantes usados en el diseño de las etapas de potencia en
simetría complementaria
Analizar las diferentes estructuras circuitales para amplificadores de potencia, incorporando
conocimientos relativos a estrategias de implementación y diseño
Analiar las condiciones de disipación térmica correcta, sin que sufra desbocamiento térmico de cada
dispositivo de potencia y determinar el rendimiento de potencia
Determinar las especificaciones térmicasde la etapa
Buscar para los diseños de los circuitos las soluciones prácticas que mejor se adapten a las consignas
del presente trabajo
Verificar para cada diseño el funcionamiento de la etapa utilizando software de simulación aplicado
Presentar el informe del TP correctamente en tiempo y forma
Desarrollo Práctico:
1) Parael siguiente amplificador en simetría complementaria, sabiendo que la
fuente de alimentación Vcc=50V. Vee=50V, y el resto de los componentes
RG=600ohm, R1=10kohm, R2=47kohm, RL=8ohm, Q1=, Q2=MJD253,
D1=D2=1N4001, C1= 1uF.
Calcular:
Pdmax = 63,33 W
Vce = Vcc - Ic . Rc
Vce = 36,9 V
Ps = 55,7 W
n = 0,785
n= 78,54 %
Rendimiento teórico:
n = 0,012
n = 12,88 %
2) El siguiente circuito representa un amplificador de potencia en simetría
complementaria, y al cual estudiaremos su comportamiento utilizando el
programa Multisim.
Transistor T1:
Icq = 6 pA = 0 A
Vceq = 0,05 mV = 0 V
Transistores T2 y T3:
Cómo medirlos:
Ie2 = 13 nA = 0 A
Ie3 = 5 nA = 0A
Vce = 0,281 V
Pdmax = 11,44 mW
Potencia que soportan los transistores:
Pdmax = 576,9 mW
n = 0,05
n = 5,26 %
Vo = 5.275 V
n =0,109
n = 10,9 %
Potencia necesaria:
Siendo que:
PL = 4,03 mW
Pdmax = 1,6 mW
Pdmax = 576,9 mW
Transistor T1:
Icq = 6,6 mA
Vceq = 2,016 V
Transistor T2:
Icq = 12 mA
Vceq = 2,27 V
Transistor T3:
Icq = 13 mA
Vceq = 36,56 V
Transistor T4:
Icq = 3,73 uA
Vceq = 38,77 V
4) Se desea proyectar una etapa de potencia de clase B en simetría cuasi complementaria de manera
que entregue:
RL = 4 Ohm Po = 2W
Debido a lo extenso de este punto, dejamos a continuación el link en donde pueden descargar el
ejercicio hecho en Word:
http://www.mediafire.com/download.php?7bssjzs21ubell3
Si resulta: Rz = R
Entonces:
T1 = BD535
T2 = BD536
T3 = BC337
T7 = BC558B
C'= 100 uF
C = 1 mF
C1 = 10 uF
C2 = 100 uFC8 = 27 uF
R1 = 0,33 Ω
R2 = 0,33 Ω
R5 = 100 Ω
R6 = 82 Ω
R7 = 330 Ω
R8 = 8,2 KΩ
R9 = 82 KΩ
R10 = 15 KΩ
R11 = 50 kΩ (preset)
R12 = 800 Ω
R13 = 27 Ω
g) Cálculo final del rendimiento real del sistema
h) Realizar una simulación del comportamiento del circuito con Multisim, obteniendo en
forma práctica la polarización de todos los transistores, la sensibilidad, la respuesta en
frecuencia (en módulo y fase), la distorción armónica y la potencia de salida.
Cicuito completo:
Análisis Fourier:
El THD es del 0,61 %
Potencia de salida:
5) Redacte las conclusiones finales del TP haciendo una síntesis sobre los
resultados obtenidos en el mismo.
El objetivo principal de esta actividad fue el realizar enteramente por cuenta propia
una etapa de potencia en clase B, proceso el cual es es mostrado en el último
ejercicio. Para poder lograr esto, primero observamos el comportamiento teórico de
estos circuitos, para luego hacer todo tipo de mediciones sobre unos ya hechos, con
lo cual también podemos comparar las diferencias que poseen con respecto a los de
clase A.
2.-Calcular la máxima potencia que pueda disipar el transistor TIP41, si utilizamos un disipador con una
Rtda= 50° C/W.
Pdmax = 1,81 W
3.- Determinar el disipador adecuado para que el transistor TIP07 pueda disipar 10W sin sufrir desbocamiento
térmico.
Rtda = 7,2 ºC/W
4.Calcular la máxima potencia que pueda disipar el transistor BD136, si utilizamos un disipador con una
Rtda= 30° C/W.
Pdmax = 2,76 W
5.Un amplificador de potencia tiene como transistor de salida un 2N3055.Calcular la resistencia térmica del
disipador, sabiendo que dicho transistor tiene que disipar 25W y que por problemas de diseño no puede
superar el mismo 80mm de longitud por necesidades de montaje.
a) Sin disipador.
b) Con un disipador que tiene Rtda= 1,5°C/W.
a)
Pdmax = 730 mW
b)
Rx= 1.5 K
dBm1= -2.497
Vi= 1V
Rx= 5 K
dBm2= -10,1
Ps= 5.633 . 10 a la -4 W
g) Partiendo de las mediciones y cálculos de los parámetros determinados en el circuito elabore una tabla de
todas las características técnicas de la etapa.
8. Diseñar una amplificador clase A con un grupo Darlington sabiendo que la potencia de salida es de 2 W y
la tensión máxima excursión simétrica de señal sin deformación de salida es de 20 Vpk.
a) Características del transistor utilizado:
PL = 2 W Vopk = 20 V
Por lo tanto:
Icq = Pcc / Vcc = 185mA
Calculo de RC Y RE:
40v/200mA = RC + RE
RC + RE = 200ohm
Adoptamos:
RC = 100ohm RE = 100ohm
Calculo de R1 y R2:
Adoptamos R1 = 2,7k, R2 = 1k
n% = (PL/Pcc) . 100
PL= 2w
Pcc= 11,11w
n = (2w / 11,11w)
n% = 18%
e) Cálculo de disipación térmica del transistor y diseño del disipador:
Icq = 200mA
Vceq= 20v
Rtjc = 1,5°C/w
Rtcd = 0,8°C/w
tj = 150°C
ta = 50°C
Medición de la polarización:
Punto de funcionamiento:
Icq = 200mA
Vceq= 20v
g) Análisis de la respuesta en frecuencia del sistema:
9. Un amplificador clase A con acoplamiento por transformador, suministra a una carga RL = 16 ohm, una
potencia PL = 2 W.
Calcular:
a) Características del transistor utilizado.
b) Los cálculos de diseño de la etapa.
c) Valores del punto de funcionamiento estático.
d) Determinación de la relación de transformación, y las características constructivas del transformador.
e) Medición del rendimiento de potencia de la etapa.
f) Cálculo de disipación térmica del transistor y diseño del disipador.
g) Medición de la polarización y análisis gráfico del punto de funcionamiento de los transistores.
h) Análisis de la respuesta en frecuencia del sistema.
i) Análisis de la distorsión armónica.
j) Partiendo de las mediciones y cálculos de los parámetros determinados en el circuito, elabore una tabla de
todas las características técnicas de la etapa.
10. Redacte las conclusiones finales del TP haciendo una síntesis sobre los resultados obtenidos en el mismo:
Al observar los comportamientos que tiene un amplificador con respecto a la disipación se pudo hacer un
análisis del mismo, en que también se muestran las diferencias entre el uso o directamente desuso de los
disipadores. Aprendimos a medir la distorción armónica, factor importante para la calidad del amplificador,
además de aprender también a utilizar la tabla de cálculo de los disipadores.