66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat.

2011 Clase 3-1

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Clase 3 - Fı́sica de semiconductores (II)

Transporte de Portadores

11 de Marzo de 2011

Contenido:

1. Movimiento térmico de portadores

2. Arrastre de portadores
3. Difusión de portadores

Lecturas recomendadas:

Libro de Pedro Julian, Cap. 2, §§2.4

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Esta clase es una traducción, realizada por los docentes del curso ”66.25 - Dispositivos Semiconduc-
tores - de la FIUBA”, de la correspondiente hecha por el prof. Jesús A. de Alamo para el curso ”6.012 -
Microelectronic Devices and Circuits” del MIT. Cualquier error debe adjudicarse a la traducción.
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Preguntas disparadoras

• ¿Cuáles son los fenómenos fı́sicos que generan el flujo

de corriente en los semiconductores?
• ¿Qué ocurre con los huecos y los electrones en presen-
cia de un campo eléctrico?
• ¿Cómo se comportan los electrones y los huecos en un
semiconductor si su concentración no es espacialmente
uniforme?
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1. Movimiento térmico de portadores

En equilibrio térmico los portadores no estan fijos en el

espacio:

• sufren colisiones con los átomos de Si de la red que

estan vibrando (Movimiento Browniano)
• Interactuan electrostaticamente con los átomos dopantes
cargados y entre si

La constante de tiempo caracterı́stica del movimiento térmico

es el tiempo libre medio entre colisiones:

τc ≡ tiempo entre colisiones [s]

Entre colisión y colisión los portadores adquieren gran

velocidad:

vth ≡ velocidad térmica [cm/s]

...Pero no van a ningún lado!

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Longitud caracterı́stica del movimiento térmico:

λ ≡ Camino libre medio [cm]

λ = vthτc

Por ejemplo, para el Si a 300 K:

τc ' 10−14 ∼ 10−13 s

vth ' 107 cm/s

⇒ λ ' 1 ∼ 10 nm

Para tener una referencia, en los MOSFETs actuales:

Lg ' 50 nm

⇒ Los portadores sufren muchas colisiones dentro de los

dispositivos semiconductores
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2. Arrastre de Portadores

Si se aplica un campo eléctrico sobre el semiconductor:

E ≡ campo eléctrico [V /cm]

⇒ Se genera una fuerza neta sobre los portadores

F = ±qE

Entre colisión y colisión, los portadores se aceleran de

acuerdo con la dirección del campo:

qE
v(t) = at = − mn
t para los electrones
qE
v(t) = mp t para los huecos
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Pero la velocidad se modifica aleatoriamente cada τc (en

promedio):

Siendo la velocidad media en la dirección del campo:

qE qτc
v = vd = ± τc = ± E
2mn,p 2mn,p

Esta es llamada velocidad de arrastre [cm/s].

Definimos:

qτc
µn,p = 2mn,p ≡ movilidad [cm2/V · s]

Luego, para los electrones:

vdn = −µnE

y para los huecos:

vdp = µpE
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Esta relación lineal entre vd y E es válida dentro de un

rango amplio pero acotado:

y la velocidad de saturación depende de la temperatura:

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La movilidad es una medida de la facilidad para arrastrar

portadores:
• si τc ↑, mayor tiempo entre colisiones → µ ↑
• si m ↓, partı́cula mas ”liviana” → µ ↑

La movilidad depende del dopaje. Para Si a 300K:

• Para un bajo nivel de dopaje, µ es limitada por coli-

siones con la red
• Para medio o alto nivel de dopaje, µ es limitada por
colisiones con los dopantes
• los huecos son mas ”pesados” que los electrones:
→ para el mismo nivel de dopaje, µn > µp
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La movilidad depende de la temperatura:

• Para temperaturas bajas µ es limitada por colisiones

con la red
• Para temperaturas medias o altas µ es limitada por
colisiones con los dopantes
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Corriente de Arrastre

Particulas cargadas que tienen velocidad neta ⇒ corriente

eléctrica:

Densidad corriente arrastre:

∝ velocidad arrastre de portadores
∝ concentración de portadores
∝ carga de los portadores

Corrientes de arrastre :

Jnarr = −qnvdn = qnµnE

Jparr = qpvdp = qpµpE

Cuidado con los signos:

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Corriente total de arrastre:

J arr = Jnarr + Jparr = q(nµn + pµp)E

Tiene la apariencia de la Ley de Ohm:

E
J = σE =
ρ

donde:

σ ≡ conductividad [Ω−1 · cm−1]

ρ ≡ resistividad [Ω · cm]

Entonces:

1 1
ρ= =
σ q(nµn + pµp)
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La resistividad se utiliza comunmente para especificar el

nivel de dopaje.

• En un semiconductor tipo N:
1
ρn '
qNdµn

• En un semiconductor tipo P:
1
ρp '
qNaµp

Para Si a 300K:
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Ejemplo numerico:

• Si con Nd = 3 × 1016 cm−3 a 300 K

µn ' 1000 cm2/V · s

ρn ' 0.21 Ω · cm

• si se aplica |E| = 1 kV /cm

|vdn| ' 106 cm/s  vth

|Jnarr | ' 4.8 × 103 A/cm2

• tiempo empleado para recorrer L = 0.1 µm:

L
td = = 10 ps
vdn

Es rápido!
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3. Corriente de Difusión

Difusión: partı́culas que se mueven en respuesta a un gradiente

de concentración.

Elementos de la Difusión:

• un medio material (Cristal de Si)

• un gradiente de partı́culas (huecos y electrones) den-
tro del medio
• las colisiones entre las partı́culas y el medio dispersan
a las partı́culas en direcciónes aleatorias:
→ sin embargo, el movimiento neto de las partı́culas
es en dirección contraria al gradiente
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Relación fundamental de la Difusión (Primera ley de

Fick):

Flujo de Difusión ∝ - gradiente de la concentración

Flujo ≡ numero de partı́culas cruzando un área por

unidad de tiempo [cm−2 · s−1]

Para electrones:
dn
Fn = −Dn
dx
Para huecos:
dp
Fp = −Dp
dx
Dn ≡ Coeficiente de Difusión de los electrones [cm2/s]
Dp ≡ Coeficiente de Difusión de los huecos [cm2/s]

D mide la facilidad con la que se difunden los portadores

en respuesta a un gradiente de concentración:
D ↑ ⇒ F dif ↑.

D esta limitada por las vibraciones de los átomos de Si

de la red y de los dopantes ionizados
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Densidad de corriente de Difusión = carga × flujo de

la carga

dn
Jndif = qDn
dx

dp
Jpdif = −qDp
dx

Cuidado con los signos:

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Relación de Einstein

La Fı́sica fundamental de la Difusión y el arrastre es la

misma: colisiones entre partı́culas y los átomos del medio
⇒ Debe existir una relación entre D y µ

Relación de Einstein [no se demuestra en 66.25]:

D kT
=
µ q

En semiconductores:
Dn Dp kT
= =
µn µp q
kT
q ≡ Voltaje térmico [V ]

A 300 K:
kT
' 25 mV
q

Por ejemplo: para Nd = 3 × 1016 cm−3:

µn ' 1000 cm2/V · s → Dn ' 25 cm2/s

µp ' 400 cm2/V · s → Dp ' 10 cm2/s
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Corriente Total

En general, la corriente puede fluir independientemente

por arrastre o Difusión. Corriente total:

dn
Jn = Jnarr + Jndif = qnµnE + qDn
dx

dp
Jp = Jparr + Jpdif = qpµpE − qDp
dx

Jtotal = Jn + Jp
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Principales conclusiones

• Los electrones y los huecos en un semiconductor son

cargas móviles ⇒ cargas portadoras de corriente eléctrica!
• Corriente de arrastre: producida por un campo eléctrico

J arr ∝ E

• Corriente de Difusión: producida por un gradiente

de concentración
dif dn dp
J ∝ ,
dx dx
• Los portadores se mueven rápido en respuesta a cam-
pos eléctricos y a gradientes
• Las corrientes de Difusión y arrastre son controlables
en los dispositivos modernos