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Bibliografía:
Electrónica y teoría de circuitos Boylestad y Nachelsky
Electrónica y teoría de circuitos Malvino
Internet
Marco referencial.
Un diodo semiconductor de estado sólido consta de dos partes, formadas por cristales de silicio (Si) de
diferente polaridad. Un cristal de silicio en estado puro constituye un elemento químico tetravalente por
estar compuesto por átomos de valencia +4, pero para obtener dos cristales semiconductores de
polaridad diferente es necesario “doparlos” durante el proceso de producción del diodo, añadiéndole a
la estructura molecular de cada uno de esos cristales cierta cantidad de impurezas pertenecientes a
átomos de otros elementos químicos (también semiconductores), pero de valencias diferentes para
cada una de las partes que formarán el diodo, con sus correspondientes polaridades.
Para fabricar un diodo, primeramente uno de los cristales de silicio se dopa añadiéndole, como
impureza, un elemento químico de valencia +3 (trivalente) como el galio (Ga), por ejemplo. Al final del
proceso se obtiene un semiconductor “tipo-p”, con polaridad positiva (P), que presentará defecto o
falta de electrones en la última órbita de los átomos de galio añadidos como impurezas. En esas
órbitas se formarán “huecos” en aquellos lugares que debían estar ocupados por los electrones
faltantes.
A continuación, el otro cristal de silicio, que inicialmente es igual al empleado en el proceso anterior, se
dopa también durante el proceso de fabricación del diodo, pero añadiéndole esta vez impurezas
pertenecientes a átomos de otro elemento químico también semiconductor, pero de valencia +5
(pentavalente) como, por ejemplo, antimonio (Sb). Una vez finalizado este otro proceso de dopado se
obtiene un semiconductor “tipo-n”, con polaridad negativa (N), caracterizado por presentar exceso de
electrones libres en la última órbita de los átomos de antimonio añadidos como impurezas.
Cuando conectamos una batería a los extremos de un cristal semiconductor positivo, se establece
un.flujo de “huecos” en sentido opuesto al flujo de electrones que proporciona la fuente de energía
eléctrica..En la ilustración se puede observar también que mientras el flujo de electrones o corriente
electrónica.se establece del polo negativo al polo positivo de la batería, el flujo de “huecos”, por el
contrario, se.establece en el sentido inverso a través del cristal de silicio.
B.- Semiconductor de silicio de conducción “tipo-n”, de polaridad negativa (N), con exceso
de.electrones libres en su estructura molecular. Si a este tipo de semiconductor negativo le
conectamos.una batería, el flujo electrónico se establecerá en el mismo sentido de circulación de la
propia fuente de.suministro eléctrico, o sea, del polo negativo al polo positivo
En el mismo momento que un cristal semiconductor de silicio (Si) de conducción “tipo-p” (positivo) se
pone en contacto con otro cristal semiconductor también de silicio, pero de conducción “tipo-
n”(negativo), se crea un diodo de empalme o de unión “p-n”. Si al diodo así formado le conectamos
una fuente de corriente eléctrica, éste reacciona de forma diferente a como ocurre con cada una de las
dos partes semiconductoras por separado, tal como se pudo ver en el ejemplo anterior.
En el punto de unión p-n de las dos piezas semiconductoras de diferente polaridad que forman el
diodo, se crea una “barrera de potencial”, cuya misión es impedir que los electrones libres
concentrados en la parte negativa salten a la parte positiva para unirse con los huecos presentes en
esa parte del semiconductor. Hasta tanto los electrones no alcancen el nivel de energía necesario que
le debe suministrar una fuente de energía externa conectada a los dos extremos del diodo, no podrán
atravesar esa barrera.
Por otra parte, a ambos lados de la barrera de potencial se forma una “zona de deplexión” (también
llamada zona de agotamiento, de vaciado, de carga espacial o de despoblación). Esa es una zona o
región aislada, libre de portadores energéticos, que se origina alrededor del punto de unión de los dos
materiales semiconductores dopados de diferente forma y que poseen también polaridades diferentes.
La función de la “zona de deplexión” es alejar a los portadores de carga energética (electrones) del
punto de unión p-n cuando el diodo no se encuentra energizado con la tensión o voltaje suficiente, o
cuando se energiza con una tensión o voltaje inverso.
El efecto que se crea al unir simplemente un cristal semiconductor de silicio tipo-p con otro de tipo-n,
equivale a tener conectada una batería o fuente de suministro de energía imaginaria en los extremos
del diodo. Bajo esas circunstancias la “zona de deplexión” que se crea a ambos lados de la unión p-n
obliga a los huecos o agujeros de la parte positiva (P) alejarse de ese punto de empalme o unión,
mientras que los electrones en exceso en la parte negativa (N) reaccionan de igual forma alejándose
también del propio punto, hasta tanto no adquieran la energía suficiente que les permita atravesar la
barrera de potencial.
Para que los electrones en exceso en el semiconductor con polaridad negativa (N) puedan atravesar la
barrera de potencial del diodo y saltar a la parte positiva y “llenar” los huecos, es necesario
energizarlos suministrándoles una corriente eléctrica o diferencia de potencial en los extremos del
diodo, por medio de una batería o cualquier otra fuente de fuerza electromotriz. Cuando
la tensión aplicada al diodo de silicio alcanza 0,7 volt, el tamaño de la zona de deplexión se reduce por
completo y los electrones en la parte negativa adquieren la carga energética necesaria que les permite
atravesar la barrera de potencial. A diferencia de los diodos de silicio (Si), los de germanio (Ge) sólo
requieren 0,3 volt de polarización directa para que la zona de deplexión se reduzca y los electrones
adquieran la carga energética que requieren para poder atravesar la barrera de potencial.
http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_1.htm.
La rectificación de una corriente alterna (C.A.) para convertirla en corriente directa (C.D.) —
denominada.también corriente continua (C.C.)— es una de las tecnologías más antiguas empleadas
en los circuitos electrónicos desde principios del siglo pasado, incluso antes que existieran los
elementos semiconductores de estado sólido, como los diodos de silicio que conocemos en la
actualidad.
Puesto que los diodos permiten el paso de la corriente eléctrica en una dirección y lo impiden en la
dirección contraria, se han empleado también durante muchos años en la detección de señales de alta
frecuencia, como las de radiodifusión, para convertirlas en audibles en los receptores de radio. En la
actualidad varios tipos de diodos de construcción especial pueden realizar otras funciones diferentes a
la simple rectificación o detección de la corriente cuando se instalan en los circuitos electrónicos.
Para comprender mejor la forma en que funciona un semiconductor diodo, es necesario recordar
primero que la corriente alterna (C.A.) circula por el circuito eléctrico formando una sinusoide, en la que
medio ciclo posee polaridad positiva mientras y el otro medio ciclo posee polaridad negativa. Es decir,
cuando una corriente alterna circula por un circuito eléctrico cerrado su polaridad cambia
constantemente tantas veces como ciclos o hertz por segundo de frecuencia posea. En el caso de la
corriente alterna que llega a nuestros hogares la frecuencia puede ser de 50 o de 60 ciclos en
dependencia del sistema que haya adoptado cada país en cuestión. En Europa la frecuencia adoptada
es de 50 ciclos y de 60 ciclos en la mayor parte de los países de América (Ver tabla de frecuencia de la
corriente por países y los respectivos voltajes).
Por tanto, durante cada medio ciclo negativo de una fuente de corriente alterna (C.A.) conectada a un
diodo se registra una polaridad fija en los extremos de un consumidor conectado al circuito de salida
del propio diodo, mientras que durante el siguiente medio ciclo positivo no aparecerá polaridad alguna
debido al bloqueo que ofrece el propio diodo al paso de los electrones en sentido inverso. De esa
forma, a través del consumidor circulará una corriente pulsante, pues en este caso el diodo actúa como
un rectificador de corriente alterna de media onda.
Cuando un circuito eléctrico o electrónico requiere de una corriente directa que no sea pulsante, sino
mucho más lineal que la que permite un simple rectificador de media onda, es posible combinar de dos
a cuatro diodos rectificadores de forma tal que la resultante sea una corriente directa (C.D.) con menos
oscilaciones residuales.
No obstante, la mayoría de los circuitos eléctricos o electrónicos que funcionan con corriente directa
(C.D.), emplean rectificadores de onda completa compuestos por cuatro diodos. A continuación se
ilustran tres formas de esquematizar en un diagrama la conexión de esos cuatro diodos para obtener
un rectificador de onda completa.
Como aclaración, al llegar los electrones en su recorrido al punto de conexión (a), no pueden atravesar
el diodo (4) porque, de acuerdo con la colocación que éste ocupa en el circuito, bloqueará o impedirá
la circulación de los electrones en ese sentido.
Una vez que los electrones continúan su recorrido, al llegar al punto de conexión (b), tampoco pueden
atravesar el diodo (4), porque la corriente de electrones nunca circula en dirección a su propio
encuentro (de forma similar a como ocurre con la corriente de agua en un río), sino que siempre se
mueve en dirección al polo opuesto de la fuente de suministro que le proporciona la energía eléctrica, o
sea, el polo positivo de la corriente alterna (C.A.) en este caso.
En la parte (B) de la ilustración podemos ver que la corriente alterna cambia la polaridad y, por tanto, el
sentido de circulación de los electrones. En esta ocasión, los electrones atraviesan primeramente el
diodo (3), a continuación atraviesan el consumidor (R) y, por último, el diodo (4) para retornar a la
fuente de suministro eléctrico y completar así el circuito. De forma similar a lo ocurrido en el ciclo
anterior, ahora el diodo (1) es el encargado de bloquearle el paso a los electrones para que se puedan
dirigir en dirección al consumidor (R), mientras que el diodo (2) tampoco pueden atravesarlo los
electrones, porque no pueden ir a su propio encuentro, tal como ocurre en el medio ciclo anterior.
Ejemplo 1.
Para el rectificador de media onda calcule los valores teóricos de la tensión de pico en la carga y
la tensión continua en la carga.
Revisar y tener a mano la tabla de formulas, teniendo en cuenta la ley de Ohm y la
de Watt. Estudiar cuidadosamente los ejemplos, desarrollar los ejercicios y repasar
los temas que se dejaron en las tareas y los vistos en clase.
Bibliografía:
Internet
RECTIFICACION DE ONDA COMPLETA CON TRANSFORMADOR CON DERIVACION
Ejemplo 1
Para el rectificador de onda completa calcule los valores teóricos de la tensión de pico en la
entrada y en la carga y la tensión continua en la carga.
Entonces el valor de voltaje dc (Vdc) en la resistencia es según tabla:
Vdc = 4.96 V
Para el rectificador de onda completa calcule los valores teóricos de la tensión de pico en la
entrada y en la carga y la tensión continua en la carga.
Entonces el valor de voltaje dc (Vdc) en la resistencia es según tabla:
Vdc = 9.93 V
Los diodos rectificadores tienen un tope máximo de manejo de voltaje en polarización inversa y
este valor nos lo proporciona el fabricante del diodo en la hoja de datos. Si al conectar el diodo
en un circuito sobrepasamos el voltaje VIP este se dañará.
VPI = Vp
EJERCICIOS
4. Determine el voltaje en la resistencia
5. Encuentre el valor de Vo
4-6. EL FILTRO CON CONDENSADOR A LA ENTRADA'
El filtro de choque produce una tensi6n de salida continua igual a1 valor
medio de la tensi6n rectificada. El filtro con condensador a la entrada genera
una tensi6n de salida continua igual a1 valor de pico de la tensi6n rectificada.
Este tipo de filtros es el mk usado en fuentes de alimentaci6n.
resistor de carga de 1K Ω.