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TECSUP – PFR Electrónica Analógica

Unidad II

TRANSISTORES

Los transistores presentan una gran importancia en la electrónica de potencia, sobre


todo para mando y regulación.

1. ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR BIPOLAR

En los transistores bipolares, figura 2.1, existen dos tipos de portadores de


carga, los electrones y los huecos.

Distinguimos dos tipos de transistores, los pnp y los npn, según cual sea el orden
de sucesión de las diferentes zonas.

Figura 2.1
Estructura, circuitos equivalentes con diodos y símbolos de transistores bipolares.
a) Transistor pnp. b) Transistor npn.

Los transistores npn son los más empleados. En un transistor existen dos uniones
pn.

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La zona central del transistor, la base, tiene un espesor de algunas micras, hecho
fundamental para el funcionamiento del transistor y motivo por el cual no puede
construirse un transistor uniendo simplemente dos diodos.

1.1. FUNCIONAMIENTO Y CURVAS CARACTERÍSTICAS DEL


TRANSISTOR BIPOLAR

La figura 2.2 a nos muestra cómo deben aplicarse teóricamente las


tensiones necesarias para el funcionamiento del transistor. No obstante,
en la práctica se emplea el circuito indicado en la figura 2.2 b, aunque
esto no modifica el funcionamiento del transistor.

La figura 2.2 nos muestra además que la unión pn entre base y emisor
se polariza en sentido directo y la unión pn entre base y colector, en
sentido inverso.

La tensión entre colector y base UBE debe ser considerablemente mayor


que la tensión entre base y emisor UBE

Figura 2.2
Tensiones en un transistor

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Vamos a explicar el funcionamiento del transistor con ayuda del


experimento Nº 1. El experimento nos muestra que:

Cuando UBE aumenta por encima de 0,5V circulan una corriente de base y
una de colector.

La intensidad de la corriente de colector depende de UBE y de IB,


aumentando cuando éstas aumentan. La intensidad de colector IC, es
mucho mayor que la de base IB.

Explicaremos a continuación los resultados del experimento.

El circuito base - emisor de un transistor presenta como ya sabemos una


unión pn. Si la tensión aplicada en sentido directo UBE es mayor que la
tensión de difusión circulará una corriente de electrones del emisor a la
base del transistor npn.

El colector del transistor, cargado positivamente a causa de la tensión


UCE, atraerá a la mayor parte de los electrones que se encuentren en la
delgado zona de la base arrastrándolos a través de la unión pn entre base
colector. Por consiguiente, circulará una corriente de colector.

Una pequeña parte de la corriente de emisor circulará a través de la base


hacia la fuente de tensión de base, dando lugar a la débil corriente de
base.

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La figura 2.3 nos aclara estos hechos.

Figura 2.3
Corriente en el transistor NPN

Figura 2.4
Características de entrada del transistor BD 130

La relación existente entre UBE e IB , que obtuvimos en el experimento


1 se suele representar gráficamente dando lugar a la llamada
característica de entrada del transistor.

La figura 2.4 nos muestra la característica de entrada del transistor BD


130, de la que podemos deducir cuál es la intensidad de la corriente de
base que circula para un determinado valor de UBE.

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Figura 2.5
Características de mando por corriente en el transistor BD 130

La figura 2.5 nos indica gráficamente la relación existente entre IC e IB


Esta curva se llama curva de mando por corriente.

El coeficiente entre la intensidad de la corriente de colector y la intensidad


de base se denomina factor de amplificación de intensidad (ganancia
estática de intensidad) B.

B = IC
------

IB

Puede calcularse fácilmente a partir de la curva característica de mando


por corriente. De los resultados del experimento y de las curvas
deducidas de ellos queda claro que la intensidad de colector depende de
UBE y de IB

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La intensidad de colector puede gobernarse mediante UBE y mediante IB .

Sin embargo, como la corriente de base sólo empieza a circular cuando


existe la correspondiente tensión base-emisor UBE , deberá aportarse una
potencia de mando UBE . IB para gobernar la corriente de colector. Pero,
como esta potencia es muy pequeña, podrá despreciarse en la mayoría de
los casos.

Figura 2.6
Características de salida del transistor BD 130

Figura 2.7
Circuito para obtener la característica de salida

Para el diseño de un circuito es de suma importancia conocer las


características de salida de un transistor (figuras 2.4, 2.5 y 2.6). Estas
curvas nos describen la relación existente entre UCE e IC para diferentes
valores de IB o de UBE. La figura 2.7 nos muestra el circuito de medida
para obtener las características de salida.

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Hasta ahora sólo nos hemos ocupado del comportamiento y de las


características de un transistor npn. Las consideraciones anteriores son
también aplicables a los transistores pnp, sin más que considerar que
ahora las corrientes están constituidas por huecos.

Para simplificar el cálculo de los circuitos de transistores se determinó


arbitrariamente el sentido de las corrientes de modo que todas circulen
hacia el interior del transistor. Las corrientes que circulen en sentido
contrario al definido se caracterizarán con un signo negativo delante de
su símbolo o de su valor numérico.

Figura 2.8
Sentidos de las corrientes en los transistores.

1.2. VALORES LÍMITES DE LOS TRANSISTORES

Al utilizar los transistores no deben sobrepasar determinados valores


límites de tensión, intensidad y potencia. Estos valores suelen estar
indicados en las hojas de datos de los fabricantes.

Figura 2.9
Zona de trabajo del transistor BD 130.

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Suelen indicarse los valores límites para la tensión base-emisor, para la


tensión colector - base y para la tensión colector - emisor. También
suelen indicarse las máximas intensidades permisibles de las corrientes de
base y de colector. Durante su funcionamiento los transistores no deben
calentarse excesivamente. El calentamiento es debido a la potencia
eléctrica transformada en calor en el transistor, o sea a sus pérdidas
totales de potencia. Ptot que se calculan con la fórmula.

PTOT = UCE . IC + UBE . IB

Para evitar un calentamiento excesivo del transistor no debe sobrepasarse


la máxima potencia de pérdidas indicada por el fabricante en sus hojas de
datos (figura 2.9).

1.3. OBTENCIÓN DE LA TENSIÓN DE POLARIZACIÓN DE BASE Y


DETERMINACIÓN DEL PUNTO DE TRABAJO

De la figura 2.2 dedujimos que para el funcionamiento del transistor son


precisas dos tensiones UBE y UCE.

Figura 2.10
Obtención de la tensión de polarización de base
a) Mediante divisor de tensión. b) mediante resistor en serie.

Sin embargo, para alimentar el transistor basta con una única fuente de
tensión. La tensión base - emisor UBE que también se llama tensión de
polarización de base, se obtiene con ayuda de un divisor de tensión o de
un resistor en serie. La figura 2.10 nos muestra los circuitos para ambos
métodos junto con las correspondientes fórmulas para el cálculo de la
resistencia.

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Al elegir la tensión de polarización de base quedan fijados también la


corriente IB y el punto de trabajo del circuito base-emisor, o sea, el punto
de trabajo del circuito de entrada.

La figura 2.11 nos muestra las características más importantes del


transistor BD 130. Hemos trazado el punto de trabajo del circuito de
entrada para una tensión de polarización de base UBE = 1,25V. Los
transistores suelen funcionar con un resistor de trabajo Ra conectado en
serie en el circuito de colector. Por consiguiente, podremos trazar sobre
las características de salida la correspondencia recta de trabajo para
obtener el punto de trabajo del circuito de salida.

La construcción de la recta de trabajo se efectúa de modo análogo a


como lo hicimos con los diodos rectificadores. También podemos ver en la
figura 2.11, la obtención exacta del punto de trabajo del circuito de salida
así como la distribución de las tensiones en el transistor (UCE) y en la
resistencia de trabajo (URA). Cuando varíe (UBE) también variarán los
puntos de trabajo de los circuitos de entrada y salida.

Figura 2.11
Puntos de trabajo del transistor

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2. TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

Hemos ya puesto de manifiesto que la corriente de colector de un transistor


puede gobernarse con ayuda de la tensión base-emisor. Por lo tanto, también
puede utilizarse un transistor como conmutador. Para ello solamente cuando
deba circular una corriente de colector se aplicará al transistor una tensión base-
emisor en sentido directo. La carga se conectará en el circuito de colector.

En las figura 2.12 a y b podemos ver un circuito de este tipo en los estados “off”.
Por ejemplo, si sustituimos el interruptor mecánico auxiliar y R1 de la figura 2.12
por un fotorresistor, el transistor conmutará dependiendo de la iluminación. Se
obtiene así un conmutador sensible a la luz. De modo análogo es también posible
la fabricación de conmutadores sencillos dependientes del campo magnético, de
la presión o de la temperatura.

Figura 2.12
Transistor como conmutador

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Figura 2.13
Amplificador con transistor

3. CIRCUITOS BASICOS DE AMPLIFICACIÓN

Los transistores se utilizan con gran frecuencia para amplificar pequeñas


tensiones alternas o continuas. A continuación vamos a ocuparnos en primer
lugar del efecto amplificador del transistor.

3.1. EFECTO AMPLIFICADOR DE LOS TRANSISTORES

La figura 2.13 nos muestra un sencillo circuito amplificador. Ra es el


resistor de trabajo o de carga. La tensión de polarización de base se
obtiene mediante el divisor de tensión R1 y R2. La entrada del circuito se
encuentra entre la base y el emisor, la salida, entre el colector y el
emisor. Como el emisor es el punto de conexión común para la entrada y
para la salida tenemos un circuito de emisor común. También existen
circuitos en los que el punto común a la entrada y a la salida es la base o
el colector (circuitos de base común o de colector común).

En el experimento 2 estudiaremos las propiedades amplificadoras del


circuito de emisor común. Para facilitar la realización del experimento
utilizaremos una fuente de tensión adicional en lugar del divisor de
tensión de base.

El experimento nos muestra que:

La variación de la tensión base - emisor (tensión de entrada) ∆ UBE =


0,17V provoca una variación de la tensión colector - emisor (tensión de
salida) de ∆ UCE = 12, 5V.

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La variación de la intensidad de base (corriente de entrada) ∆ IB = 50 mA


provoc una variación de la intensidad de colector (corriente de salida) ∆
IC = 1,24 A.

Por tanto, la variación de la tensión de entrada ∆ UBE y la variación de la


intensidad de entrada ∆ IB han quedado amplificadas.

Si comparamos la variación de la potencia de entrada (potencia de


mando) ∆ UBE . ∆ lB con la variación de la potencia de salida ∆ UCE ∆ lC
también llegaremos a la conclusión de que se han producido una
amplificación de potencia.

Con un transistor pueden amplificarse tensiones, corrientes y potencias.

La figura 2.14 nos muestra las características del transistor BD 130 y nos
explica la obtención de la amplificación o ganancia de tensión y de
corriente. La variación de UBE provoca un desplazamiento del punto de
trabajo tanto del circuito de entrada como del de salida desde A1 hasta A2
con lo que se obtienen las variaciones de IB, IC y UCE. Puede observarse
claramente que ∆ UCE es mucho mayor que ∆ UBE y que ∆ IC es mucho
mayor que ∆ IB.

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Figura 2.14
Amplificación con un transistor

Figura 2.15
Amplificador de corriente alterna con circuito en emisor común

Además puede verse en la figura 2.14 que UBE y UCE varían en sentidos
opuestos. Cuando UBE aumenta, UCE disminuye, y viceversa. Esto es
debido a que la caída de tensión en Ra varía en el mismo sentido que IC y
UCE.

El cociente entre ∆UCE y ∆UBE se denomina ganancia de tensión V U

V U = ∆UCE
---------
∆UBE

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El cociente entre ∆IC y ∆IB se denomina ganancia de intensidad VI

V I = ∆lC
---------
∆lB

El cociente ∆UCE . ∆IC se denomina ganancia de potencia VP y es igual al


-----------------
∆UBE . ∆IB

Producto VU . VI

VP = Vu . VI

Con los valores del experimento 2 o con ayuda de la figura 14 podemos


obtener las siguientes ganancias para el circuito del experimento 2.

V U = 12, 5 V V I = 1,25 A V p = 73,53 *25


----------- --------------
0,17 V 0,05 A

V U = 73,53 V i = 25 V p = 1838, 25
----------------- ------------ ----------------------

3.2. AMPLIFICADOR DE TENSIÓN ALTERNA

La figura 2.15 muestra un sencillo amplificador de tensión alterna en


circuito de emisor común. Los condensadores C1 y C2 se denominan
condensadores de acoplamiento, evitan la circulación de corrientes
continuas que entren o salgan del circuito. Ue es la tensión alterna de
entrada y Ua la tensión alterna de salida.

Las propiedades amplificadoras del circuito pueden explicarse con ayuda


de la gráfica de características del transistor (figura 2.16). La tensión
alterna de entrada Ue se superpone a la tensión de polarización de base.
Aparecerá pues entre la base y el emisor una tensión mixta de variación
∆UBE.

En la figura 2.16 podemos ver que las corrientes de base y de colector


varían en el mismo sentido que Ue UCE varía en sentido opuesto a IC y Ue
pues al aumentar la intensidad de colector crecerá también la caída de

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tensión en Ra con lo que UCE disminuirá. La tensión colector - emisor será


una tensión mixta, al igual que la tensión base-emisor. No obstante, el
condensador C2 sólo deja pasar la componente alterna, de modo que a la
salida del circuito sólo mediremos la tensión alterna de salida Ua. Esta
tensión estará desplazada 180º respecto a Ue o sea, en oposición de
fase.

Figura 2.16
Amplificación de tensiones alternas

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Figura 2.17
Amplificador de alterna con dos etapas

Figura 2.18
Amplificador de corriente continua

En el circuito de emisor común las tensiones alternas de entrada y de


salida presentan una diferencia de fase de 180º.

Cuando la ganancia de tensión de una etapa amplificadora sea demasiado


reducida para una aplicación determinada pueden conectarse varias
etapas amplificadoras en cascada, esto es, unas a continuación de otras.
Se obtiene así un amplificador multietapa.

La figura 2.17 nos muestra un amplificador de tensión alterna de dos


etapas.

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3.3. AMPLIFICADOR DE TENSIÓN CONTINUA

Los amplificadores de tensión continua pueden tener una o varias etapas.

La figura 2.18 nos muestra un amplificador de dos etapas sin


condensadores de acoplamiento. En este amplificador una tensión
continua a la entrada también aparece amplificada a la salida. Este tipo
de amplificadores se denomina amplificadores de tensión continua.

El resistor de trabajo Ra1 forma junto con el transistor V1 el divisor de


tensión de base para el transistor V2. Cuando varía la intensidad de
colector de V1 al aplicar una tensión alterna o continua a la entrada del
amplificador también variará la tensión colector - emisor de V1. Como
esta tensión es a la vez la tensión de entrada de V2, también se
desplazará el punto de trabajo de V2. Por tanto, variará la tensión emisor
colector de V2 y por consiguiente también la tensión de salida.

Los amplificadores de tensión continua amplifican tensiones tanto


continuas como alternas.

Los amplificadores de tensión continua se emplean sobre todo en


electrometría y para mando y regulación.

4. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

Los transistores de efecto de campo (Field Efect Transistor) son unipolares, pues
la corriente a través e ellos es generada por una sola clase de portadores:
electrones o huecos, según el tipo de FET.

Estos transistores son de dos clases:

JFET: junction FET. FET de juntura.

MOSFET: FET de metal oxido y silicio, también llamado IGFET, FET de puerta
aislada.

4.1. TRANSISTOR DE UNIÓN DE EFECTO DE CAMPO

4.1.1. VENTAJAS Y DESVENTAJAS

Frente a los transistores bipolares, el usarlos presenta las


siguientes ventajas:

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a) Estructura más simple y menor tamaño.


b) Menor consumo de potencia : µW.
c) Mayor densidad de integración: gracias a las ventajas a y b.
d) Por las tres razones anteriores más económicos.
e) Casi inmune a la radiación.
f) Resistencia de entrada alta, del orden de M-ohms.
g) Menos ruido.
h) No tiene tensión umbral para corriente cero.
i) Más estable térmicamente.

Y sus desventajas:

• No maneja potencias altas: limitado en voltajes y corrientes.

Símbolos

Para un JFET los símbolos que lo representan son los


mostrados en las figuras 2.19 y 2.20.

Figura 2.19
JFET canal N

Figura 2.20
JFET canal P

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4.1.2. ANÁLISIS CUALITATIVO

En la figura 2.21 se muestra un JFET de canal N. El drenador


(drain) y el surtidor (source) están en los extremos del canal.

El material tipo P, que conforma la puerta, se encuentra a


ambos lados del canal formando uniones de semiconductores.

Cuando las puertas 1 y 2 se unen se tiene un FET de una sola


puerta.

Figura 2.21
JFET canal N a) puerta y. b) dos puertas.

Estudiemos el funcionamiento. Si colocamos una batería VPP


entre el colector y surtidor. Los portadores mayoritarios del
canal N (electrones) se desplazarán desde el surtidor hacia el
drenador, atraídos por el terminal positivo de la bacteria, tal
como se muestra en la figura 2.22.

Figura 2.22
Vpp entre drenador y surtidor

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Para controlar el flujo de corriente a través del canal se polariza


la unión de la puerta inversamente, tal como se muestra en la
figura 2.23. El polarizar inversamente la unión crea una zona
sin portadores libres, estrechando el canal y por lo tanto
disminuyendo la corriente entre drenador y surtidor, tal como
se muestra en la figura 2.23 b. Si se aumenta la polarización
inversa, el canal se hace más estrecho hasta llegar al
estrangulamiento, tal como se muestra en la figura 2.23 c.

Figura 2.23
a) Polarización inversa de la puerta. b) Estrechamiento de canal.
c) Estrangulamiento

4.1.3. CURVAS CARACTERÍSTICAS

Para determinar el funcionamiento del JFET utilizaremos el


circuito de la figura 2.24 manteniendo la tensión VGS en cero.

En la figura 2.24 se muestra como varía el ancho del canal al


variar la tensión VDS , la referencia es el voltaje VPO que es un
valor característico de cada FET, y se le conoce como voltaje de
estricción, de contracción, de pinchoff o de threshold.

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S2
S2

VD VDD
VG
VG

(a) (b)

Figura 2.24
Circuito para determinar características de salida

Al variar VDsse obtiene la curva característica mostrada en la


figura 2.25 el primer tramo es casi lineal, en el segundo tramo
el canal se estrangula y la corriente ID se mantiene constante y
prácticamente dependiente del voltaje VDS. Si aumentamos
mucho el voltaje se produce la ruptura por avalancha tal como
se muestra en el tercer tramo y el FET se destruye, esta
tensión se conoce como BVDSS; voltaje de ruptura drenador
surtidor con VGS = 0.

Figura 2.25
Característica de salida (VGS = 0)

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Similarmente a como obtuvimos la curva anterior podemos


obtener toda una familia de curvas manteniendo constante el
valor de VGS´ y variando VDS´ utilizando un circuito similar al de
la figura 2.26

ID

VDS

Figura 2.26
Circuito para características ID VS . VDS

Obtendremos una serie de curvas como las mostradas en la


figura 2.27

VDssmax

Figura 2.27
Característica de salida.

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A partir de la curva de la figura podemos obtener la


característica de transferencia , para esto debe tomar la zona
en el cual VDS es mayor que VP y constante , la característica
conocida como transferencia se muestra en la figura 2.28.

Figura 2.28
Curva de transferencia

Se observa en esta curva el valor VGS OFF = -2V, que es el


voltaje para el cual ID es igual a cero y, también IDSS que es la
corriente de saturación del drenador cuando VGS = 0V = VP

4.2. TRANSISTOR MOSFET

Los MOSFETs tienen mayor capacidad e impedancia de entrada que los


JFETs. Los hay de dos tipos: de enriquecimiento y de empobrecimiento.

4.2.1. MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO

En la figura 2.29 se muestra un MOSFET de enriquecimiento o


de acumulación, canal n, la puerta se encuentra aislada por una
fina capa de dióxido de Silicio (SiO2).

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Figura 2.29
MOSFET de enriquecimiento canal N

Como se observará no existe un canal físico entre el surtidor y


el drenador. Para crear el canal se necesita polarizar la puerta a
mayor potencial que el surtidor, pues el dióxido de silicio se
comporta como el dieléctrico de un condensador,
produciéndose una acumulación de cargas negativas entre el
drenador y surtidor creándose un canal inducido.

Símbolos:

Figura 2.30
MOSFET de enriquecimiento a)canal n, b) canal p

4.2.2. CURVAS CARACTERÍSTICAS

La figura 2.31 muestra las curvas características de salida y de


transferencia de un MOSFET canal n.

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Figura 2.31
Curvas Características, MOSFET enriquecimento canal n, b) de
transferencia

4.2.3. MOSFET EMPOBRECIMIENTO

La figura 2.32 muestra un MOSFET canal n de empobrecimiento


o deplexión. En este casi si existe un canal n físico.

Figura 2.32
Canal n de empobrecimiento

Símbolo:

Figura 2.33
MOSFET de empobrecimiento a) canal n, b) canal p.

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4.2.4. CURVAS CARACTERÍSTICAS

En la figura 2.34 se muestra las curvas características de un


Mosfet canal n de empobrecimiento.

Figura 2.34
Curvas características, MOSFET de empobrecimiento, canal n,
a) De salida, b) de transferencia.

El voltaje puerta - surtidor ( VGS ) puede ser negativo o positivo,


trabajando el MOSFET de canal n en las zonas de
empobrecimiento y enriquecimiento respectivamente.

La característica de transferencia se aproxima a la ecuación:

ID = IDSS (1 - VGS / VGST )2

Donde IDSS y VGST son parametros especificados por el


fabricante para cada FET. VGST es positivo para canal n y
negativo para el p.

4.2.5. MOSFET DE DOBLE PUERTA AISLADA

Un caso interesante es el mostrado en la figura 2.35 de un


MOSFET con doble puerta aislada. Esta estructura permite
trabajar a mayores frecuencias, como el caso del 2N187 que
puede operar hasta 300 Mhz.

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Figura 2.35
MOSFET de doble puerta aislada 3N 187

El sustrato está internamente conectado con el surtidor. Se


utilizan dos pares de diodos para que desacoplen cualquier
transitorio de voltaje que excede los + 10 V, protegiendo las
puertas. Recordemos que el diodo de silicio es una capa muy
delgada y puede destruirse fácilmente por tensiones estáticas,
los diodos también protegen contra este fenómeno.

4.2.6. POLARIZACIÓN DE FETS

Para polarizar un FET debemos considerar la polaridad de las


tensiones VDS; según el FET sea de canal n ó p, de juntura o de
resistencia de entrada muy grande se considera que la
corriente de puerta IG es cero, y por lo tanto no hay caída de
tensión en las resistencias colocadas en serie con ella.

En la figura 2.36 se muestra la polarización de un JFET canal n


por divisor de voltaje, similarmente a como se hacia con la
resistencia de emisor se coloca un condensador en paralelo con
la resistencia de surtidor RS para que no disminuya la ganancia
en señal.

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Figura 2.36
Polarización por divisor de voltaje

En el cálculo del punto de operación debemos considerar:

VG = R1 VPP / ( R1 + R2 )

VS = IP RS

VGS = VG - VS

XC1 = RS / 10

En este circuito se debe cumplir que VGS sea negativo, por ser
un JFET de canal n, esto se logra ajustando los valores
resistivos, y hallando el punto de operación con la ley
cuadrática:

IP = IDSS ( 1 - VGS / VP )

Donde IDSS y VP son valores característicos de cada JFET.


Por la polaridad de la fuente en la figura 36 VDS es positivo.

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La figura 2.36 muestra un circuito de autopolarización, donde:

VG = 0
VS = ID RS
VGS = - ID RS

Que siempre es negativo. Con la ecuación cuadrática hallamos


el punto de operación, conociendo VP e IDSS

Figura 2.37
Autopolarización

La figura 2.38 es una polarización por surtidor. Se utilizan dos


fuentes y, se cumple que:

VG = 0

VS = ID RS - VSS

VGS = VSS - ID RS

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En este caso para tener un VGS negativo tenemos que ajustar


VSS y RS en función de la ecuación cuadrática.

Figura 2.38
Polarización por surtidor

4.2.7. ESPECIFICACIONES DE FETS

En la tabla 2.1 se dan especificaciones de un JFET y un


MOSFET:

ECG 312 3CG 462 A


5,500 Umhos
1 GFS 2,2250
6 V máx
2 GS (off) 7
5 – 15 mA
3 IDSS 2–6
min máx
mín máx
30 Vmín
4 BVGSS 20
4.5 PF máx
5 CISS 8
1 PF máx
6 CrSS 0.8
360 mW
7 Pd máx 300

Tabla 2.1
JFET canal n, MOSFET deplexión Canal n

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Donde:

G FS : es la transconductancia : G FS = ID / VGS

VGS (off) es el voltaje de estricción que hemos observado en la


característica de la transferencia.

IDSS es la corriente de drenador cuando VGS = 0

CISS capacidad de entrada cuando VDS = 0

CrSS capacidad de transferencia reserva entre drenador y puerta


cuando VDS =0

PD máx potencia máxima disipada PD = ID . VDS

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ANOTACIONES
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