Proyecto final electrónica análoga I: Detector

de proximidad con transistores

Álvarez Lozano, Camilo Andrés

Higuera Flórez, Óscar Javier
Pedraza Aguirre, Paula Alejandra

{caaalvarezlo, ojhigueraf, papedrazaa}@unal.edu.co

Universidad Nacional de Colombia – Sede Bogotá

Facultad de ingeniería. Departamento de ingeniería eléctrica y electrónica.
Resumen— 0.17 7.5
0.11 0
Palabras clave—
Abstract—
Keywords— Sin embargo, para el cliente el rango de detección
I. MOTIVACIÓN es bajo; y no es 100 % fiable.

Aquí va la motivación  Sensor CNY70: Es otro sensor común en

II. INTRODUCCIÓN el mercado. Es económico, ergonómico y
Aquí va la introducción sencillo de polarizar. Sin embargo, el
III. DISEÑO, CÁLCULOS PREVIOS Y rango de detección reportado en el
SIMULACIONES datasheet [3] no cumple con los
requerimientos, por lo tanto no es un
Este detector de proximidad; está compuesto por sensor ideal para el proyecto.
varias secciones independientes, que juntas dan
formación al dispositivo.  Sensor GP2Y0A21YK. A pesar de su
precio, este sensor de la compañía Sharp,
A continuación se muestran los diseños y las funciona con una tensión de polarización
simulaciones de todos las partes del prototipo. baja de 5 V (ideal para el prototipo), así
como un rango de detección alto
III.A. Proceso de detección del objeto reportado que se muestra en la figura tal
[4].
La detección del objeto se realizó a través de un par
infrarrojo, es decir, un dispositivo optoelectrónico
capaz de medir la radiación electromagnética
infrarroja (imperceptible para el ojo humano) [1].
A partir de un proceso de consulta preliminar, se
seleccionaron tres tipo de sensores disponibles en
el mercado para realizar el proceso de detección de
los objetos. A continuación se muestra cada uno de
ellos, sus características y ventajas:

 Par diodo – fotodiodo: Esta disposición,

resulta la más común para la detección de
objetos. Entre sus ventajas está la relación
calidad – precio; además de su sencillez.
Según el informe “Diodos:
Características y aplicaciones” de Camilo Figura tal. Relación distancia – tensión de salida
Álvarez, Óscar Higuera y Paula Pedraza para el sensor GP2Y0A21YK reportada por el
[2]; el par fotodiodo tiene la siguiente fabricante
caracterización, expuesta en la tabla I:
Luego de realizar una comparación entre estos
sensores, se tomó la decisión de usar el sensor
GP2Y0A21YK, no solo por su rango de detección,
TABLA I. CARACTERIZACIÓN sino por su tensión de polarización baja (entre 5.5
FOTODIODO V y 7.5 V) y por su tensión de salida, que
Tensión de salida (V) Distancia máxima (cm) usualmente es mayor a 0.6 V; y resulta óptima para
4.9 37 el comparador (explicado en la sección I.B. del
3.1 36.4 presente informe).
2.92 34.3
2.53 32.4 Sin embargo, es bien sabido que los datos
1.0 30.2 reportados en el datasheet, usualmente no son
1.62 27.8
0.76 24.9
totalmente fiables; así que se realizó la
0.28 24.9 caracterización del dispositivo, polarizándolo con 5
0.28 22.5 V, con los siguientes resultados expuestos en la
0.23 17.6 tabla II.
 TABLA II. CARACTERIZACIÓN SENSOR
GP2Y0A21YK
Tensión de salida Distancia máxima
(V) (cm)
4 0.5
2.83 1
2.77 4.9
1.92 8.5
1.55 10.9
1.26 14.4
1.14 16.8
1 19.7
0.98 24.4 Figura tal. Comparador básico de tensiones.
0.88 29.8
0.86 34.3
0.85 38.4
0.84 45.2
0.62 51.7 En donde VB1 y VB2 funcionan como referencias
0.79 58.7 para emitir o no una señal en la salida; y VCC y –
VCC son la respuesta positiva y negativa del
Con estos datos, se construyó la gráfica de la comparador, correspondientemente.
relación distancia – tensión salida del dispositivo,
reflejada en la figura tal, que se asemeja a la dada Sin embargo, en búsqueda de reducir la cantidad de
por el fabricante tensiones de entrada en el circuito, se diseñó una
versión alternativa del comparador. Esta se aprecia
a continuación en la figura tal.
Tensión vs. Distancia
4

3
Tensión [V]

0
0 20 40 60 80
Distancia [cm]

III.B. Proceso de comparación Figura tal. Comparador usado en el proyecto.

A partir de los datos obtenidos de la caracterización

del sensor, es posible afirmar que el objeto está
En donde VB1 es tierra, VB2 es la entrada del
cuando el sensor emite una tensión de salida de
sensor (que varía entre 0.6 V y 4 V cuando se
entre 0.6 V y 4 V.
detecta un objeto) y con dos salidas: VCC de 10 V
para polarizar el transistor de la etapa de
La función del comparador es permitir que la
amplificación (que será explicada en la sección I.C.
bocina suene solo cuando se genera esta diferencia
del presente informe) y 0 V para no polarizar el
de tensión en la salida del detector. Para ello, se
mismo, y no generar una señal de salida en el
implementó en primera medida el siguiente circuito
parlante.
(figura tal) de comparación a partir de transistores
de unión bipolar (BJT).
La figura tal corresponde a la simulación de este
circuito comparador, variando la tensión de salida
del emisor, de entre – 3 V a 3 V.

Figura tal. Señal generada por el MP3 Zen

Mozaic.
Figura tal. Salida del comparador variando la
tensión del sensor entre – 3 V y 3 V.

De esta gráfica es posible interpretar que la tensión

de salida del comparador es 10 V; cuando la tensión
del detector es mayor a 0.6 V y 0 V cuando es
menor a 0.6 V; lo cual hace del circuito, un
comparador óptimo para el proyecto.

III. C. Proceso de generación de la señal

Pensando en los usuarios del dispositivo, no es

posible la utilización de un generador de señales, o
un dispositivo similar, ya que la mayoría de
beneficiarios del producto no tienen este
instrumento. Por tanto, se decidió extraer la señal Figura tal. Caracterización del MP3 Zen Mozaic.
de algo tan común, como un MP3, un celular e
incluso un radio.

Para la presentación de este proyecto, se  IPHONE 6 – La señal generada con el

caracterizaron tres dispositivos distintos, para
determinar cual de ellos poseía una resistencia de
salida menor, y una mayor amplitud en la señal.
Para caracterizarlos se usó un conector Jack de 3.5
mm para un solo canal (mono) y se conectó este
último al osciloscopio, con el fin de visualizar la
forma de onda.
volumen en su tope máximo, en el caso
del Iphone 6, fue una de 0.35 V tal y como
se muestra en la figura tal. Cabe recalcar
que la impedancia de salida del
dispositivo es de 8 Ω.

 MP3 ZEN MOZAIC: Al caracterizar

este MP3 se encontró que su impedancia
de salida de es de aproximadamente 10 Ω;
sin embargo, la señal entregada con el
máximo volumen es de 0.2 V al reproducir
un tono de 1 kHz de frecuencia; tal y como
se muestra en la figura tal. Así mismo, en
la figura tal se muestra el proceso de
caracterización del dispositivo.
  Ipod Shuffle: Por último, se caracterizó el
Ipod Shuffle, quien logró entregar 1.7
Vpp; tal y como se muestra en la siguiente
figura.
Figura tal. Señal generado por el Ipod Shuffle.
Ya que este dispositivo mostró una
resistencia de 20 Ω y una señal de 0.85 V;
fue el escogido para el proyecto. Sin
embargo, se dará la posibilidad de
conectar distintos elementos al usuario,
con la seguridad que ninguno de estos se
verá afectado por el propio
funcionamiento del circuito.
III.D. Proceso de amplificación
Para el proceso de amplificación se escogieron
transistores de unión bipolar (BJT) ya que, a pesar
de tener mayor incertidumbre al momento de
amplificar debido al efecto término sobre el
dispositivo semiconductor, las ganancias son más
altas debido al parámetro β del mismo.
En contraposición, los transistores de efecto de
campo metal-óxido-semiconductor; tienden a
entregar menores ganancias en tensión; y
adicionalmente son más costosos.
A partir de esta decisión, se diseñaron varios
circuitos de amplificación bajo la configuración
emisor común, la más usada para amplificar
tensión.
El primer circuito se muestra a continuación:
Figura tal. Señal generado por el Iphone 6.
Figura tal. Primer propuesta de amplificación.
Al realizar el análisis D.C. del circuito se deben
reemplazar las fuentes de tensión alterna por
cortoscircuitos, y los condensadores por circuitos
abiertos. A partir de lo anterior se puede determinar
que 𝑉𝑇𝐻 = 1.51 por el divisor de tensión sobre la
resistencia de 10 kΩ; y que la resistencia Thevenin
es el paralelo de las resistencias conectadas al nodo
del a base; es decir: 𝑅𝑇𝐻 = 56 𝑘Ω ||10 𝑘Ω =
8484 Ω
Para hallar la corriente en el colector, se puede
formular la malla inferior (aquella que incluye al
emisor y a la resistencia de 10 kΩ) de la siguiente
manera: (Asumiendo el peor β posible, es decir, 50)
𝐼𝐶
𝑉𝑇𝐻 − 𝑅 − 0.7 − 𝑅𝐸 𝐼𝐶 = 0
𝛽 𝑇𝐻
8484𝐼𝐶
1.51 𝑉 − − 0.7 𝑉 − 220𝐼𝐶 = 0
50
0.81 = (160 + 220)𝐼𝐶
𝐼𝐶 = 2.13 𝑚𝐴
Por lo tanto, la caída en la resistencia del colector
es de 2.56 V aproximadamente, y en la resistencia
del emisor es de 0.47 V. Así las cosas 𝑉𝐶𝐸 = 6.97 𝑉
Esta última tensión indica que el transistor no opera
en la zona óptima de funcionamiento, sin embargo,
se cumple que 0 < 𝑉𝐶𝐸 < 𝑉𝐶𝐶 𝑦𝑎 𝑞𝑢𝑒 0 <
6.97 𝑉 < 10 𝑉
Al realizar el análisis en D.C., se desprecia la
resistencia de entrada del dispositivo; y se calcula
la resistencia de entrada como el paralelo entre las
resistencias en las bases: 𝑅𝑖𝑛 = 56 𝑘Ω ||10 𝑘Ω =
8484 Ω. La resistencia de salida es el paralelo entre
220 y 1200; es decir 𝑅𝑜𝑢𝑡 = 220 Ω ||1.2 𝑘Ω =
185.91 Ω. (Se desprecia 𝑅𝜋 )

La corriente de base, si tomamos como señal de
entrada 200 mV sen(ωt), es de 23.80 µA
sen(ωt).Partiendo de que la tensión de salida para
esta configuración es el producto de la resistencia
de salida, la corriente de base y el parámetro β;
tendríamos que la tensión es 0.221 mV; es decir una
ganancia solo 1.1. Por tanto este circuito, fue
descartado.
Para mejorar la ganancia, se implementó un cambio
en el circuito. Al considerar un condensador en
paralelo con la resistencia del emisor, se obtiene
que dicha resistencia se comporta como un
cortocircuito en el análisis A.C.
Así las cosas, la corriente de base sigue siendo
23.80 µA; sin embargo, si se toma de nuevo que la
tensión de salida es el producto entre la corriente de
base, el parámetro β y la resistencia de salida (que
en este caso sería 1200 Ω) tendríamos que la señal
sobre la carga es 1.428 V. Para esta ocasión, la
ganancia sería de 7.14. Esta cifra es aceptable, sin
embargo, ya que el parlante tiene una resistencia de
8 Ω y funciona bajo una potencia de 0.5 W; se
necesitan aproximadamente 3 V para hacerlo
funcionar, y por lo tanto, este circuito resulta ser
insuficiente para alimentar la carga.
La figura tal muestra la simulación de este circuito.
Se evidencia que la tensión de salida alcanza los 8
Vpp, lo cuál no concuerda con los cálculos
mencionados anteriormente. Esto es porque el
simulador usado usa un β de 300; mientras que en
el análisis realizado se usó un β de 50 teniendo en
cuenta que los transistores a usar (2N2222) tienen
un rango de entre 50 y 350; y por supuesto, se
deben tener en cuenta las peores características
posibles para dar con un buen diseño.
Figura tal. Primer propuesta de amplificación.
Para superar este problema, se diseñó otro circuito
que se adaptara más a las especificaciones del
usuario; este se muestra a continuación en la figura
tal
Figura tal. Circuito definitivo de amplificación.
En el análisis D.C., para hallar la corriente en el
colector, se puede formular la malla inferior
(aquella que incluye al emisor y a la resistencia de
10 kΩ) de la siguiente manera: (Asumiendo el peor
β posible, es decir, 50)
𝐼𝐶
𝑉𝑇𝐻 − 𝑅 − 0.7 − 𝑅𝐸 𝐼𝐶 = 0
𝛽 𝑇𝐻
6428𝐼𝐶
6.42 𝑉 − − 0.7 𝑉 − 10𝐼𝐶 = 0
50
5.72 = (128.5 + 10)𝐼𝐶
𝐼𝐶 = 41.36 𝑚𝐴
Ya que la caída sobre la resistencia del colector es
4.13 V y la caída del resistor del emisor (usado para
que no exista una variación considerable por la
corriente de fuga debido al efecto término sobre la
juntura bipolarizada) es de 0.41 V; la caída entre el
colector y el emisor es de 5.46 V. Esta última
tensión indica que el transistor no opera en la zona
óptima de funcionamiento, aunque se acerca
mucho (ya que debería ser 5 V, es decir, la mitad
de la tensión usada para polarizar) y además se
cumple que 0 < 𝑉𝐶𝐸 < 𝑉𝐶𝐶 𝑦𝑎 𝑞𝑢𝑒 0 < 5.46 𝑉 <
10 𝑉.
Al realizar el análisis A.C. para determinar la
ganancia; se tiene que a la entrada están ambas
resistencias de base en paralelo con 𝑅𝜋 ; ya que esta
𝑉 𝛽 25 𝑚𝑉 (50)
se calcula como 𝑇 𝑒𝑛𝑡𝑜𝑛𝑐𝑒𝑠 𝑅𝜋 = =
𝐼𝐶 41.36 𝑚𝐴
30.22 Ω. La resistencia de salida es 100 Ω; así que
la corriente de base es 6.61 mA y la tensión de
salida es 33.09 V. Es decir, que hay una ganancia
de 165 en tensión.
Así las cosas, este circuito constituye un buen
amplificador para nuestro proyecto, a continuación
se muestra la simulación del mismo en la figura tal.

Figura tal. Circuito definitivo de amplificación.

Figura tal. Circuito de acople de impedancias.

III.E. Proceso de acoplamiento de impedancias La resistencia de salida de este circuito es 𝑅𝑜𝑢𝑡 =

El mayor desafío de este proyecto es el pequeño
valor de la resistencia de carga. Los cálculos
anteriores mostraron que la resistencia de salida es
de aproximadamente 100 Ω; es decir, muchísimo
más grande que la resistencia de carga que es
apenas 8 Ω.
𝑅𝑖𝑛 100
= =2, sin embargo, la resistencia de salida
𝛽 50
del circuito sigue siendo comparable con la
resistencia de carga de la bocina; adicionalmente
genera una gran distorsión, tal y como se muestra
en la figura tal.

Ante este problema, común en el campo de la

ingeniería, es necesario acoplar la etapa de
amplificación a un nuevo circuito, comúnmente
llamado “acople de impedancias”.

Existen distintas configuraciones para realizar este

acople, que permite disminuir sustancialmente la
impedancia de salida del circuito, para que la
tensión caiga totalmente sobre el parlante.

 Primer circuito de acople: Acople de

impedancias con transistores de unión
bipolar en configuración colector Figura tal. Circuito de acople de impedancias.
común

En base a la teoría de la electrónica análoga, se
decidió diseñar un acoplador a partir de transistores
BJT (por su precio y su facilidad de manejo) en
configuración colector común. Este es
caracterizado por tener una ganancia casi unitaria
de tensión (despreciando la caída de 0.7 V en la
juntura bipolar emisor – base); y por tener una
𝑅
resistencia de salida teórica: 𝑅𝑜𝑢𝑡 = 𝑖𝑛
𝛽
El primer diseño es el mostrado en la figura tal:
De nuevo, es importante resaltar que los cálculos se
realizaron con un parámetro beta de 50; mientras
que el simulador toma valores superiores para este
valor.
Ya que este circuito, no suplió las especificaciones
necesarias para el detector de proximidad; se tomó
la decisión de buscar otro tipo de configuración
para realizar el acople de impedancias.
  Segundo circuito de acople:
Configuración en serie de transistores
Darlington
Un transistor Darlington; también conocido como
AMP, es un dispositivo semiconductor que
combina dos transistores bipolares. Su gran
característica es la capacidad de proporcionar una
gran ganancia de corriente elevado gracias al
modelo de parámetro beta que tienen. [5]

𝛽𝐷𝑎𝑟𝑙𝑖𝑛𝑔𝑡𝑜𝑛 = 𝛽1 𝛽2 + 𝛽1 + 𝛽2

Si las betas de ambos transistores internos son lo

suficientemente grandes, entonces:

𝛽𝐷𝑎𝑟𝑙𝑖𝑛𝑔𝑡𝑜𝑛 = 𝛽1 𝛽2

Teniendo en cuenta el peor de los betas posibles Figura tal. Circuito de acople de impedancias.
(50); tendríamos un 𝛽𝐷𝑎𝑟𝑙𝑖𝑛𝑔𝑡𝑜𝑛 = (50)(50) =
2500; lo cual proporciona una gran ganancia y un La siguiente simulación, mostrada en la figura tal,
mejor acople; aunque a su vez, es necesario tener muestra la salida de este circuito:
en cuenta que dichos transistores consumen una
tensión alta y disminuyen la amplitud de la señal.

Al probar el circuito con una resistencia de similar

orden a la del parlante, aumentó la temperatura al
punto de “quemar” la resistencia. Es decir, la
ganancia en corriente fue demasiada y
posiblemente causaría daños al parlante, por tanto,
se decidió cambiar los transistores por unos con
menor ganancia.

 Tercer circuito de acople:

Configuración en serie con transistores
de potencia

Usando la misma configuración del circuito Figura tal. Salida del acoplador de impedancias.
anterior, y cambiando los transistores por TIP41C
(NPN) y TIP42C (PNP) de ganancia 75 [6] [7], se
A pesar de que la simulación no muestra una señal
diseñó el siguiente circuito:
como la que se espera; se implementó este circuito
para la etapa final; ya que mostró los resultados
esperados. La diferencia con la simulación
anteriormente mostrada, se dio ya que la señal de
entrada experimental es mucho mayor; y además,
el programa usado para realizar las simulaciones
(LTspice XVII) no posee el modelo de los
transistores TIP41C y TIP42C

IV. IMPLEMENTACIÓN DEL

CIRCUITO
[1] Organización Wikipedia. “Sensor infrarrojo”.
Octubre 2017. [En línea]. Disponible en:
https://es.wikipedia.org/wiki/Sensor_infrarrojo
[2] C. A. Álvarez; O. J. Higuera & P. A. Pedraza.
“Diodos: Características y aplicaciones. Segunda
guía de laboratorio”. 2017.
[3] Vishay. “CNY70. Reflective optical sensor
with transistor output”. [En línea]. Disponible en:
https://www.vishay.com/docs/83751/cny70.pdf
[4] Sharp. “GP2Y0A21YK/GP2Y0D21YK” [En
línea]. Disponible en:
https://www.sparkfun.com/datasheets/Component
s/GP2Y0A21YK.pdf
[5] Organización Wikipedia. Transistor
Darlington. [En línea] Disponible en:
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_Darlingto
n
[6] Mospec. “Complementary silicon plastic power
transistor” [En línea]. Disponible en:
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/2785/MOSPEC/TIP41C.html
[7]