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“Año del Buen Servicio al Ciudadano”

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

(UNIVERSIDAD DEL PERÚ, DECANA DE AMERICA)

ESCUELA DE INGENIERIA MECANICA DE FLUIDOS

 ASIGNATURA: Materiales de ingeniería


 TEMA : Informe 3 (semiconductores)
 SEMESTRE ACADEMICO : 2017-I
 PROFESOR : PEDROSA ALANYA BENJAMÍN CARLOS
 INTEGRANTE

- Ortiz Flores, Jean Carlo (15130197)


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Semiconductor

Un Semiconductor es un material aislante, que cuando se le añaden ciertas sustancias se


vuelve conductor. Esto quiere decir que de acuerdo a determinados factores, el semiconductor
actúa a modo de aislante o como conductor.
Todos los elementos químicos se califican en:
 conductores
 aislantes
 semiconductores
Los conductores tienen baja resistencia a la circulación de la corriente eléctrica.
Los aislantes tienen alta resistencia a la circulación de la corriente eléctrica.
Los semiconductores se ubican entre ambos ya que permiten el paso de la corriente sólo en
ciertos casos.

La temperatura, la presión, la radiación y los campos magnéticos pueden hacer que un


semiconductor actúe como conductor o como aislante según el contexto.
Entre los semiconductores más empleados en el ámbito de la industria, se encuentran el silicio(Si),
el azufre(S) y el germanio (Ge). Estos elementos se utilizan para la producción de chips y
transistores, entre otros productos.
La conductividad eléctrica de los cuerpos materiales (σ) constituye la capacidad que. Tienen de
conducir la corriente eléctrica. La fórmula matemática para hallar la. conductividad es la siguiente:

En esta fórmula, la conductividad (σ) se obtiene hallando primeramente el resultado de la


recíproca de la resistencia (o sea, 1/R) multiplicándolo a continuación por el resultado que se
obtiene de dividir la longitud del material (L) entre su área (A). También se observa que la
resistencia (R) es inversamente proporcional a (σ), por lo que, a menor resistencia (ohm) de un
cuerpo, la conductividad resultante será mayor.

Los materiales semiconductores

Según su pureza, se clasifican de la siguiente manera:

 Intrínsecos
 Extrínsecos
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Semiconductores Intrínsecos

Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro (no contiene
ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura). En ese caso, la cantidad de
huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual
a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.

Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco,


algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de
valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos
electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de
conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura
cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente
eléctrica.

Como se puede observar en la ilustración, en el caso


de los semiconductores el espacio correspondiente a la
banda prohibida es mucho más estrecho en
comparación con los materiales aislantes. La energía
de salto de banda (Eg) requerida por los electrones
para saltar de la banda de valencia a la de conducción
es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores
de silicio (Si), la energía de salto de banda requerida
por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los
de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco,


compuesta solamente por átomos de silicio (Si) que forman
una celosía. Como se puede observar en la ilustración, los
átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en la
última órbita o banda de valencia), se unen formando enlaces
covalente para completar ocho electrones y crear así un cuerpo
sólido semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se
comportará igual que si fuera un cuerpo aislante.
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Semiconductores Extrínsecos

Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteración,
esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por su cuerpo en una sola
dirección. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los
átomos de silicio o de germanio con pequeñas cantidades de átomos de otros elementos o
"impurezas".

Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a elementos semiconductores


que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su última órbita [como el galio (Ga) o el indio (In)],
o que poseen cinco electrones también en su última órbita [como el antimonio (Sb) o el arsénico (As)].
Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores “extrínsecos” y serán
capaces de conducir la corriente eléctrica.
En la actualidad el elemento más utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria
electrónica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. La
materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de los
materiales más abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la
forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un
espejo.

A la izquierda se muestra la ilustración de una oblea (wafer) o cristal semiconductor


de silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la fabricación de transistores y
circuitos integrados. A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo
cientos de minúsculos dados o “chips”, que se pueden obtener de cada una. Esos chips
son los.que después de pasar por un proceso tecnológico apropiado se convertirán
en.transistores o circuitos integrados. Una vez que los chips se han convertido
en.transistores o circuitos integrados serán desprendidos de la oblea y colocados
dentro.de una cápsula protectora con sus correspondientes conectores externos.
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El segundo elemento también utilizado como semiconductor, pero en menor proporción que el silicio,
es el cristal de germanio (Ge).

Durante mucho tiempo se empleó también el selenio (S) para fabricar


diodos semiconductores en forma de placas rectangulares, que
combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para rectificar
la corriente alterna y convertirla en directa. Hoy en día, además del silicio y
el germanio, se emplean también combinaciones de otros elementos
semiconductores presentes en la Tabla Periódica.
Placa individual de 2 x 2 cm de área, correspondiente
a un antiguo diodo de selenio.

Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsénico (As) utilizada para
obtener arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricación de diodos láser empleados
como dispositivos de lectura en CDs de audio.

Lente (señalada con la flecha) detrás de la cual se encuentra instalado un


diodo láser de arseniuro de galio (GaAs) empleado para leer datos de texto,
presentaciones multimedia o música grabada en un CD. En esta ilustración
el. CD se ha sustituido por un disco similar transparente de plástico común.

En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es decir, como
elementos intrínsecos, los electrones de su última órbita tienden a unirse formando "enlaces
covalentes", para adoptar una estructura cristalina. Los átomos de cualquier elemento,
independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su última órbita, tratan siempre
de completarla con un máximo de ocho, ya sea donándolos o aceptándolos, según el número de
valencia que le corresponda a cada átomo en específico.
Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen sólo cuatro electrones en su última
órbita, sus átomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes, compartiendo entre sí los cuatro
electrones que cada uno posee, según la tendencia de completar ocho en su órbita externa. Al
agruparse de esa forma para crear un cuerpo sólido, los átomos del elemento semiconductor
adquieren una estructura cristalina, semejante a una celosía. En su estado puro, como ya se mencionó
anteriormente, esa estructura no conduce la electricidad, por lo que esos cuerpos semiconductores se
comportan como aislantes.
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Incremento de la conductividad en un elemento semiconductor

La mayor o menor conductividad eléctrica que pueden presentar los materiales semiconductores
depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la
temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente también aumenta, disminuyendo la
conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores, pues mientras su
temperatura aumenta, la conductividad también aumenta.
En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de los
siguientes métodos:

 Elevación de su temperatura
 Introducción de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina
 Incrementando la iluminación.

Con relación a este último punto, algunos tipos de semiconductores, como las resistencias dependientes de
la luz (LDR – Light-dependant resistors), varían su conductividad de acuerdo con la cantidad de luz que
reciben.

Resistencia dependiente de la luz (LDR), conocida


también como fotorresistor o célula fotoeléctrica.
Posee la característica de disminuir el valor de su
resistencia interna cuando la intensidad de luz que
incide sobre la superficie de la celda aumenta. Como
material o elemento semiconductor utiliza el sulfuro de
cadmio (CdS) y su principal aplicación es en el
encendido y apagado automático del alumbrado
público en las calles de las ciudades, cuando disminuye
la luz solar.

En dependencia de cómo varíen los factores de los puntos más arriba expuestos, los materiales
semiconductores se comportarán como conductores o como aislantes.
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Mecanismo de conducción de un semiconductor

Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o corriente eléctrica,


se producen dos flujos contrapuestos: uno producido por el movimiento de electrones libres que
saltan a la “banda de conducción” y otro por el movimiento de los huecos que quedan en la “banda de
valencia” cuando los electrones saltan a la banda de conducción.

Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina del elemento


semiconductor, notaremos que mientras los electrones se mueven en una dirección, los huecos o
agujeros se mueven en sentido inverso. Por tanto, el mecanismo de conducción de un elemento
semiconductor consiste en mover cargas negativas (electrones) en un sentido y cargas positivas
(huecos o agujeros) en sentido opuesto.

Ese mecanismo de movimiento se denomina "conducción propia del semiconductor", que para las
cargas negativas (o de electrones) será "conducción N", mientras que para las cargas positivas (de
huecos o agujeros), será "conducción P".

Microelectrónica
La microelectrónica se define como el conjunto de ciencias y técnicas con las que se realizan y
fabrican circuitos electrónicos sobre una pastilla de un semiconductor, lo cual formará un circuito
integrado (CI). Además, es la aplicación de la ingeniería electrónica a componentes y circuitos de
dimensiones muy pequeñas, microscópicas y hasta de nivel molecular para producir dispositivos y
equipos electrónicos de dimensiones reducidas pero altamente funcionales.

Dentro de estos circuitos integrados, podemos encontrar diferentes estrategias de diseño, como
pueden ser los circuitos integrados en los que se deben construir tanto las puertas como las
conexiones, denominados habitualmente ASICs (Application Specific Integrated Circuits), circuitos
programables en los que se encuentran ya construidos todas las puertas y conexiones de tal forma
que únicamente hay que indicar cuales están habilitadas mediante una programación,
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denominados dispositivos programables (un ejemplo de los cuales pueden ser las FPGAs, Field
Programmbled Gate Arrays). La división existente en los circuitos electrónicos también es válida
para la Microelectrónica, es decir, podemos diferenciar entre Microelectrónica Analógica y Digital,
según la naturaleza de las señales tratadas. No obstante, el auge de la Microelectrónica surgió
gracias a una propiedad de los sistemas digitales: la jerarquía. La propiedad de jerarquía es aquella
por la cual un sistema puede estar compuesto de bloques conectados entre sí, de tal forma que
dichos bloques son independientes entre sí y de su conexión. A pesar de que un circuito analógico
también puede ser construido por una serie de bloques conectados entre sí; estos bloques no
serán independientes de su conexión (e incluso su situación en la base del semiconductor) debido
a la naturaleza real de las señales analógicas (pueden tener un rango infinito de valores). En
cambio, el carácter digital de las señales de los sistemas digitales provee dicha independencia y así
la posibilidad de desarrollar un sistema completamente jerárquico.

El teléfono celular, el microprocesador de la CPU y la computadora tipo Palm son claros ejemplos
de los alcances actuales de la Tecnología Microelectrónica. En los primeros años de la década de
1950 comenzó a desarrollarse la microelectrónica como efecto de la aparición del transistor en
1948. Sin embargo, la microelectrónica solo fue utilizada por el público en general hasta los años
setenta, cuando los progresos en la tecnología de semiconductores, atribuible en parte a la
intensidad de las investigaciones asociadas con la exploración del espacio, llevo al desarrollo del
circuito integrado. El mayor potencial de esta tecnología se encontró en las comunicaciones,
particularmente en satélites, cámaras de televisión y en la telefonía, aunque más tarde la
microelectrónica se desarrolló con mayor rapidez en otros productos independientes como
calculadoras de bolsillo y relojes digitales. Y también a principios de los ochentas empezaron los
“microchips”.

NANOTECNOLOGIA

La nanotecnología es un campo de las ciencias aplicadas dedicado al control y manipulación de la


materia a una escala menor que un micrómetro, es decir, a nivel de átomos y moléculas (nano
materiales). Lo más habitual es que tal manipulación se produzca en un rango de entre 1 - 100 nm.

Nano es un prefijo griego que indica una medida. La nanotecnología es el estudio, diseño,
creación, síntesis, manipulación y aplicación de materiales, aparatos y sistemas funcionales a
través del control de la materia a nano escala, y la explotación de fenómenos y propiedades de la
materia a nano escala.
Por lo tanto, científicos utilizan la nanotecnología para crear materiales, aparatos y sistemas
novedosos y poco costosos con propiedades únicas.
La nanotecnología promete soluciones vanguardistas y más eficientes para los problemas
ambientales, así como muchos otros enfrentados por
la humanidad.

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