10-Diodo de Juntura

Servicio Nacional de Aprendizaje
DIODO DE JUNTURA Modelo de la

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CARACTERÍSTICAS DEL DIODO DE JUNTURA
1.0 OBJETIVOS
Una vez completado este módulo, usted debe estar capacitado para:
1. Dibujar el símbolo utilizado para representar diodos y marcar el ánodo y el cátodo.
2. Realizar la conexión de diodo para que quede polarizado de forma directa.
3. Bosquejar el diodo ideal en un circuito que produce polarización directa.
4. Bosquejar el circuito resistivo equivalente de un diodo real.
5. Identificar en un circuito cuando un diodo está polarizado en forma inversa.
6. Bosquejar el diodo ideal en un circuito que produce polarizaci6n inversa.
7. Graficar la curva característica de un diodo (V- I).
8. Reconocer el modelo de un diodo que usa la resistencia dinámica.
2.0 EXPLICACION
Los diodos semiconductores se usan en prácticamente todos los equipos electrónicos que se hallan
en el hogar, el comercio y la industria. Uno de los usos primarios de los diodos consiste en cambiar
AC a CC. Los diodos son representados por el símbolo de la Figura 1a, y vienen en una variedad de
formas, como las mostradas en la Figura 1b.
Figura 1a. Símbolo del diodo
Figura 1b. Formas típicas de los diodos (Package)
Figura 1c. Diodo de juntura PN
Los materiales semiconductores utilizados para fabricar diodos son germanio o silicio. La mayoría de
los diodos en uso son de silicio. El diagrama de la Figura 1c muestra que un diodo esta compuesto
por dos partes, separadas por una JUNTURA (también denominada BARRERA o UNIÓN). Los extremos
están fabricados de:
a. Germanio o silicio tipo P

b. Germanio o silicio tipo N
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El silicio utilizado para fabricar diodos se presenta en forma cristalina, creado artificialmente en un
laboratorio. Para hacer un material tipo N, dentro del cristal se introduce una impureza que tiene
un electrón de valencia más que el silicio. Este proceso de agregar impurezas es denominado
IMPURIFICACION. Las impurezas agregan electrones extra, denominados PORTADORES, como se
muestra en la Figura 2.
Figura 2. Juntura o Unión PN
El otro extremo del cristal es un material tipo P, producido mediante la impurificación con una
impureza que tiene un electrón de valencia menos que el silicio. Los portadores en los materiales
tipo P aparecen como cargas positivas, denominadas HUECOS. En un rnatetia1 semiconductor el
hueco es producido por la ausencia de un e1ectrón.
En la juntura entre materiales tipo P y N existe una barrera, que es el resultado de la migración de
las cargas a través de la juntura y sus recombinaciones. Las cargas que cruzan la juntura o que se
combinan con cargas opuestas, dejan atrás suyo iones que forman la barrera. Esta barrera es de
unos 0.2 voltios para el germanio y de 0.6 voltios para el silicio. La región cerca de la barrera es
denominada REGION DE DEPLECCIÓN (también llamada “región de agotamiento” o “región de
transición”), debido a la ausencia de portadores.
POLARIZACION DIRECTA
En la Figura 3ª el diodo esta conectado en polarización directa, y muestra la corriente que circula
a través del diodo. Note que la dirección de la corriente convencional es en el sentido de la flecha.
Recuerde que las cargas iguales se repelen en circuitos eléctricos, y que por lo tanto, el terminal
negativo de la batería en la Figura 3b repele los portadores de cargas negativas en el material tipo
N, y ellos se mueven a través de la barrera hacia el terminal positivo de la batería. Los huecos son
repelidos por el terminal positivo de la batería, y también se mueven a través de la batería. Si la
tensión de la batería es menor que la tensión de la barrera, a través de la juntura pasarán muy
pocos portadores.

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Figura 3a Figura 3b
Polarización Directa Portadores que cruzan la barrera
DIODO IDEAL
El diodo ideal, aunque por su misma definición es inexistente, es muy útil para explicar cómo
operan los diodos en los circuitos. Cuando el diodo ideal tiene polarización directa, actúa como un
CORTOCIRCUITO con una resistencia de 0 ohmios, como se muestra en la Figura 4a.
Debido a que un interruptor cerrado tiene también una resistencia de 0 ohmios, el diodo ideal que
tiene polarización directa puede ser representado por un interruptor cerrado, como se muestra en
la Figura 4b.
La resistencia DIRECTA de los diodos IDEALES siempre tiene un valor de CERO ohmios.
Figura 4a Figura 4b
Cortocircuito Interruptor Cerrado
POLARIZACION INVERSA
Si se invierte la batería como se muestra en la Figura 5a, el diodo está INVERSAMENTE POLARIZADO.
El diagrama de la Figura 5b muestra que el terminal negativo de la batería esta conectado al
material tipo P, que tiene los portadores positivos. Estos huecos (o portadores positivos) serán
atraídos hacia el terminal negativo de la batería, alejadolos de la barrera. De manera similar, el
terminal positivo de la batería atraerá los electrones alejándolos de la barrera.

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Figura 5a Figura 5b
Polarización Inversa La polarizaci6n inversa produce una región
grande de deplección
A cada lado de la barrera se produce una región de deplección muy grande, que no tiene
portadores. Para que la corriente pueda fluir en cualquier circuito, debén haber presentes
portadores. El diodo actúa como un resistor con resistencia de muy alto valor.
DIODO IDEAL CON POLARIZACION INVERSA
Los materiales que no tienen portadores tienen una resistencia muy alta. El diodo ideal con
polarizaci6n inversa tiene una resistencia infinita y actúa como un circuito abierto, como se
muestra en la Figura 6a.
Figura 6a: Figura 6b:

Circuito abierto Interruptor abierto
Debido a que un interruptor abierto tiene resistencia infinita, el diodo ideal con polarización inversa
puede ser considerado como un interruptor abierto, como se muestra en la Figura 6b. La corriente
inversa, representada por IR, es igual a cero para un diodo ideal.
DIODOS REALES
Hemos incluido el diodo ideal porque es muy útil durante la explicación de la operación de los
circuitos. Por supuesto, usted también debe saber cómo difieren los diodos reales de los diodos

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ideales, para poder analizar y localizar fallas en los circuitos. El diodo real de la Figura 7a actúa
como el resistor mostrado en la Figura 7b.
Figura 7a: Figura 7b:

Polarizaci6n directa Modelo de resistor
La resistencia se denomina “resistencia directa”, y se representa por el símbolo R F. El valor de la
resistencia directa puede ser calculado por medio de la ley de Ohm.
VF Vf = Voltaje directo- Voltaje en entre los terminales del diodo

RF = If = Corriente directa – Corriente que circula por el diodo
IF F = fordward (directo)
El valor de la resistencia directa no es un valor crítico, sino que posee una amplia gama de valores.
Cuando la tensión directa es muy pequeña, la resistencia directa es muy alta. Cuando la tensión
directa es mayor que la gama de tensiones operativas normales de los diodos, la resistencia directa
es menor que 100 ohmios. Se utiliza una curva característica para mostrar la relación entre
corriente y tensión directas.
CURVA CARACTERISTICA DE UN DIODO REAL

Para obtener una curva característica, el diodo es conectado en el circuito de prueba mostrado en
la Figura 8a. La corriente es medida con el amperímetro, cuando es aumentado el valor de la fuente
de tensión. También se mide la tensión directa a través del diodo. Estos valores son graficados, y se
obtiene la curva característica mostrada en la Figura 8b.
FIGURA 8a: FIGURA 8b:

Circuito de prueba Curva característica

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En cualquier punto de la curva puede calcularse el valor de la resistencia directa RF. En el punto A
de la curva el valor es:
VF 0.8V
RF = = = 20Ω
IF 0.04A
En el punto B de la curva característica, el valor de la resistencia directa es diferente.
También se grafican en el tercer cuadrante los valores de la tensión y la corriente para el diodo de
polarización inversa. Para un diodo ideal la corriente inversa es de cero amperios, pero para un
diodo real siempre hay una pequeña cantidad de corriente inversa. La corriente inversa circula
porque la resistencia inversa tiene un valor alto, pero nunca tiene la resistencia infinita de un diodo
ideal. A veces la corriente inversa se denomina CORRIENTE DE FUGA (o “corriente de escape” o
“corriente de perdida”), porque no es deseada en circuitos de diodos.
MODELOS PARA DIODOS DE POLARIZACION DIRECTA
En muchas aplicaciones, los diodos son operados con polarización directa en la región mostrada en
la curva característica de la Figura 9a. La resistencia del diodo es hallada por medio de la pendiente
de la línea dibujada a través del punto operacional, como se muestra en la Figura 9b. Esto es
denominado RESISTENCIA DINAMICA, que es igual a la pendiente de la línea, y se calcula a partir de
la ecuación:
Cambio en tensión directa ΔVF

Resistencia dinámica = =
Cambio en corriente directa ΔI F
FIGURA 9a: FIGURA 9b:

Región operacional La pendiente es la resistencia
de un diodo real dinmica
Figura 9c: Modelo para polarizaci6n directa

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La línea toca el eje horizontal en un valor de la tensión que es aproximadamente igual a la tensión
de barrera de 0,6 voltios para el silicio y 0,3 voltios para el germanio. A partir de este grafico puede
obtenerse otro modelo del diodo. El diodo puede ser representado por la resistencia dinámica Rd
en serie con una fuente de tensión que es igual a la tensión de barrera y con un diodo ideal, corno
se muestra en la Figura 9c. El análisis del circuito se efectúa en dos pasos.
Paso 1: Si la fuente de tensión Vs es menor que la tensión de barrera Vd. La corriente no puede
circular por el circuito porque el diodo ideal tiene polarización inversa causada por la
tensión de barrera.
Paso 2: Si la fuente de tensión Vs es mayor que la tensión de barrera Vd. El diodo ideal tiene
polarización directa, y actúa como un cortocircuito. La fuente de tensión que produce la
corriente en el circuito es la diferencia entre Vs y Vd. La resistencia en el circuito es la
resistencia dinámica y la resistencia de carga. La corriente en este circuito puede ser
calculada para cualquier valor de fuente de tensión, a partir de:
VS - VD
IF =
Rd + RL
Los diodos pueden ser representados como diodos reales por el modelo del diodo ideal o por el
modelo de diodo que utiliza la resistencia dinámica. Usted debe seleccionar el modelo que mejor se
adapte a su aplicación.
MODELO PARA DIODOS DE POLARIZACION INVERSA
El diodo ideal de polarización inversa posee el circuito equivalente mostrado en la Figura l0a. El
hecho de actuar como un interruptor abierto significa que la corriente inversa es cero. Los diodos
reales poseen una cantidad muy pequeña de corriente inversa, la cual es denominada “corriente de
fuga”, tal como se muestra en la curva característica del diodo real de la Figura 10b. Los diodos de
polarización inversa pueden ser representados por el modelo de la Figura 10c.
FIGURA l0a: FIGURA 10b:

Diodo ideal con polarizaci6n Curva característica del diodo
inversa real

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FIGURA 10c:
Modelo para polarización inversa
El diodo es representado por un diodo ideal con un resistor que tiene un valor alto, conectado en
paralelo. El diodo ideal no conducirá, pero la corriente inversa circulara a través del resistor en
paralelo.
Aproximaciones del Diodo

Diodo Ideal.
Aproximemos el funcionamiento del diodo. ¿Qué hace el diodo? Conduce bien en polarización
directa y mal en la inversa. En esencia el diodo ideal actúa exactamente igual a un conductor
perfecto (cero caída de voltaje), cuando se encuentra polarizado directamente y como un aislador
perfecto (cero corriente) cuando está polarizado inversamente, como se muestra la figura 11a.
En términos de circuitos, un diodo ideal actúa como un interruptor. Cuando el diodo está
polarizado directamente, es un interruptor cerrado, (figura 11b). Si el diodo está polarizado
inversamente, es como un interruptor abierto.
Aun cuando esta aproximación del diodo ideal parezca exagerada, esto es un buen principio para
saber cómo operan los circuitos con diodos. Habrá ocasiones en que la aproximación ideal será
demasiado inexacta; por esta razón se necesita una segunda y una tercera aproximación.
Figura 11
a) Diodo Ideal. b) Un interruptor es equivalente a un diodo

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Segunda aproximación.
Se necesita alrededor de 0,7V para que el diodo de silicio realmente sea un buen conductor. Cuando
el voltaje de la fuente es grande, no tiene importancia los 0,7V mencionados, por ser tan
pequeños; pero cuando el voltaje de la fuente no es tan grande, se hace necesario tomar en
consideración el voltaje de codo.
La figura 12a muestra la gráfica para la segunda aproximación. Ésta indica que no hay flujo de
corriente hasta que aparecen los 0,7V aplicados al diodo. En este momento el diodo conduce, sin
importar la magnitud de la corriente directa; se supone que el voltaje de diodo es de 0,7V para el
silicio y 0,2V para el germanio.
La figura 12b es el circuito equivalente para la segunda aproximación. La idea es pensar que el
diodo es un interruptor en serie con una batería de de 0,7V; si el voltaje de la fuente es mayor
que 0,7V, el interruptor se cierra y el voltaje del diodo es 0,7V. Si el voltaje de la fuente es menor
de 0.7V, o si el voltaje es negativo, el interruptor se abre.
Figura 12
a) Segunda aproximación. b) El interruptor y la batería forman el circuito equivalente
Tercera aproximación.
En la tercera aproximación del diodo se incluye la resistencia macroscópica Rd. Como se dijo
anteriormente, el diodo conduce al tener 0,7V. Un voltaje adicional aparece aplicado a la
resistencia Rd, de tal manera que el voltaje total del diodo es mayor a 0,7V. La figura 13a muestra
los efectos de Rd; después que el diodo de silicio conduce, la corriente produce un voltaje a través
de Rd. Cuánto mayor sea la corriente, mayor será el voltaje. El voltaje aumenta linealmente
conforme aumenta la corriente, debido a que Rd es lineal.
El circuito equivalente de tercera aproximación es un interruptor en serie con una batería de 0,7V y
una resistencia Rd (figura 13b). Después que el circuito externo ha superado el potencial de
barrera, la corriente del diodo produce una caída de tensión I×R en la resistencia Rd. Por tanto el
voltaje total en el diodo de silicio es:
VF = 0,7 + IF × R d

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Figura 13
a) Tercera aproximación. b) Circuito equivalente
Cual modelo seleccionar?

En la mayoría de los casos prácticos, la segunda aproximación es la mejor elección; a menos que se
indique lo contrario.
Ejemplo:
El diodo 1N4001 tiene una resistencia interna de 0,23Ω (Rd). Calcular la corriente que circula por la
carga, y la potencia del diodo, empleando los tres modelos.
Figura 14.
Modelo 1: Diodo ideal conduce si esta polarizado en directa.

VF 10V
IL = = = 1A
RL 10Ω
Potencia del Diodo, la ciada de tensión Vd = 0V
PD = ID × VD
PD = 1A×0V
= 0W
Modelo 2: Diodo conduce si la fuente es mayor a 0,7V. Se aplica la ley de tensiones de Kirchoff; el
diodo se reemplaza por una batería de 0,7V, quiere decir que la caída de tensión en el diodo es de
0.7V

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-VF + VD + VR = 0
-VF + VD + I L ×R L = 0
Despejando IL tenemos:
VF -VD 10V - 0,7V
IL = =
RL 10Ω
= 930mA
PD = 930mA×0,7V
= 0,651W
Modelo 3: El diodo conduce si la fuente es mayor a 0,7V y se asume la resistencia interna de éste.
Se aplica la ley de tensiones de Kirchoff; el diodo se reemplaza por una batería de 0,7V en serie
con una resistencia de 0,23Ω
-VF + VD + VRL + VRD = 0

-VF + VD + I×R L + I×R D = 0
Despejando I tenemos:
VF - VD 10V - 0,7V
I= =
RL + RD 10Ω + 0,23Ω
909.1mA
PD = ID × VF
= ID × (0,7V + VRD )
PD = 909.1mA×(0,7V+909mA 0,23 )
= 0,8264W

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TALLER 1
1. Un diodo tiene una resistencia en serie de 4.7K (Figura 1), Cual es la corriente del diodo si
Vs = 15V?
Obtenga la corriente con los tres modelos del diodo. Asuma que rb es de 2Ω.
Figura 1.
Solución:
Primer modelo:
Vs 15V
Id 319.1 A
R1 47 k
Segundo Modelo:
Vs Vd 15V 0.7V
Id 304.25 A
R1 47 k
Tercer modelo
Vs Vd 15V 0, 7V
Id 304.25 A
R1 Rd 47k 2
2. Si el voltaje en un diodo es de 0.65V y la corriente que circula por él es de 50mA. Cual es la

potencia que disipa?
Solución:
Pdiodo Vdiodo I diodo
0.65V 50mA 32.5mW
3. Dos diodos Conectados en serie (D1 y D2), tiene una caída de voltaje de 0.5V y 0.8V
respectivamente, y la corriente por el primero es de 50mA. Cual es la potencia de cada
uno?
Solución: Como los diodos están en serie la corriente por los dos es la misma (50mA)
Pdiodo1 Vd1 Id
0.5V 50mA 25mW
Pdiodo 2 Vd 2 Id
0.8V 50mA 40mW

Mejora Continua
4. Si la resistencia en serie del circuito anterior es de 5.1K . Cual es el voltaje de la fuente?.

Calcular la potencia entregada por la fuente.
5. Para el siguiente circuito, calcular la corriente I si Vd1 = 0.6V y Vd2 = 0.65.

Calcular la potencia de cada uno de los elemento del circuito.
Figura 2.
6. Para el ejemplo anterior grafique la corriente por los diodos en función del voltaje de
entrada.
7. Calcular el porcentaje de error en el cálculo de la corriente del siguiente circuito, si se

desprecia la caída de voltaje en los diodos.
Figura 3.
8. Calcular la resistencia que limita la corriente por un diodo LED en 20mA, si la fuente de
voltaje es de: 5V, 12V, 15V y 24V. Asuma una caída de voltaje en el LED es 1.5V.
9. De la figura 5. Cual es la corriente por el circuito?. Cual es el voltaje V1?. Los diodos LED
tienen una caída de voltaje de 1.7V.

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Figura 4.
10. El circuito de la siguiente figura registra un voltaje en el diodo de 5V. El diodo se encuentra
abierto o en corto.
Figura 7.
11. Si por alguna razón la resistencia del circuito anterior se pone en corto circuito.
Cual es el voltaje del diodo y que le sucede?
12. Si el voltaje del diodo es de 0V, (Ejercicio 11) y el voltaje de la fuente es de 5V. Cual o
cuales son las posibles fallas?
Para resolver en clase.

13. Analizar como esta polarizado cada diodo (inverso o directo), si esta con polarización
inversa, abrir el circuito; si esta con polarización directa, reemplazarlo por una fuente de
0.3V o 0.7V si es de Ge o Si respectivamente. Calcular las corrientes (I) en cada rama de
circuito. (Todas las resistencia son de 1kΩ y los diodos son de silicio).

Mejora Continua
Figura 6 Figura 7
14. Cual o cuales son las posibles fallas del siguiente circuito? Realiza un análisis por mallas y
obtenga I1 e I2 con el circuito funcionando correctamente.
Figura 8.
15. Graficar el voltaje de salida en función del voltaje de entrada para el circuito de la figura
3. La fuente de DC es variable de 0 a 15V.

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D1 = 0.6V
D2 = 0.7V
D3 = 0.45V
Figura 9.
Bibliografía:
Práctica de Laboratorio EB2000 EB-111 Degem.
Principios de electrónica. Sexta Edición. Malvino Albert Paul. McGraw-Hill
Materiales de apoyo laboratorio EB2000B. Instructor Ricardo Jaime Murillo.
Desarrollado por:
Andrey Julián Rentería Scarpetta.

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DIODO DE JUNTURA Modelo de la

CARACTERÍSTICAS DEL DIODO DE JUNTURA

Figura 1a. Símbolo del diodo

Figura 1b. Formas típicas de los diodos (Package)

Figura 1c. Diodo de juntura PN

a. Germanio o silicio tipo P

DIODO DE JUNTURA Modelo de la

Figura 2. Juntura o Unión PN

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DIODO IDEAL CON POLARIZACION INVERSA

Figura 6a: Figura 6b:

DIODO DE JUNTURA Modelo de la

Figura 7a: Figura 7b:

VF Vf = Voltaje directo- Voltaje en entre los terminales del diodo

CURVA CARACTERISTICA DE UN DIODO REAL

FIGURA 8a: FIGURA 8b:

DIODO DE JUNTURA Modelo de la

MODELOS PARA DIODOS DE POLARIZACION DIRECTA

Cambio en tensión directa ΔVF

FIGURA 9a: FIGURA 9b:

Figura 9c: Modelo para polarizaci6n directa

DIODO DE JUNTURA Modelo de la

MODELO PARA DIODOS DE POLARIZACION INVERSA

FIGURA l0a: FIGURA 10b:

DIODO DE JUNTURA Modelo de la

Aproximaciones del Diodo

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DIODO DE JUNTURA Modelo de la

Cual modelo seleccionar?

Modelo 1: Diodo ideal conduce si esta polarizado en directa.

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-VF + VD + VRL + VRD = 0

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2. Si el voltaje en un diodo es de 0.65V y la corriente que circula por él es de 50mA. Cual es la

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4. Si la resistencia en serie del circuito anterior es de 5.1K . Cual es el voltaje de la fuente?.

5. Para el siguiente circuito, calcular la corriente I si Vd1 = 0.6V y Vd2 = 0.65.

7. Calcular el porcentaje de error en el cálculo de la corriente del siguiente circuito, si se

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Para resolver en clase.

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