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•1
1
Circuitos Integradores
a) Integrador Pasivo
Vi (t) i (t)
C Vo (t)
•2
2
R
Vi (t) i (t)
C Vo (t)
1 Vi (t ) 1
C RC
Vo i (t ) dt i (t ) Vo (t ) Vi (t )dt
R
1 E
Vo (t )
Representa la
Edt Vo (t ) t ecuación de la recta
RC RC
•3
3
Ejercicio
L
Vi (t) R Vo ( t )
Circuito RL
•4
4
Plantear ecuaciones que determina los puntos A y B
en función de E
Vi
t
Vo
E
A
B t
Para que efectivamente la carga del condensador sea lineal, la corriente de carga debe ser
constante.
•5
5
Fuente de corriente constante
V
Slew Rate
+V dVo
Velocidad de barrido
dt Seg
VZ Vbe
+ + I
VZ dz R
R
- VBE + -
I = cte
-
I Velocidad de barrido
RS C
+
V0 Vo t [V/seg]
C
-
I = Corriente Constante
C = Condensador
6
b) Integrador Activo
•Investigar forma de
onda de salida
• Investigar otro circuito
C integrador, cuya
ganancia no dependa de
la frecuencia
+ -
+V
A - Salida
R
B
+ -V
Integrador Activo
•7
7
b) Integrador Activo
•8
8
Circuito Diferenciador
C
Condición:
<< T / 2
Vi (t ) R Vo (t)
Ecuación de diseño
Diferenciador Pasivo
•9
9
a) Diferenciador Pasivo ( Pasa Alto)
+ V -
R Vo Vo = -V
•10
10
C Vi
E
Vi (t ) R Vo (t)
Vc
E
dVi
i (t ) C Vo
dt E
Vo(t ) i(t ) * R
dVi (t ) -E
Vo (t ) RC
dt 5
aprox.
•11
11
b) Diferenciador Activo
C
+V
-
Vi (t)
+ Vo (t)
-V
R1
Diferenciador Activo
•12
12
b) Diferenciador Activo
•13
13
Elementos Activos como Interruptores
Diodo
Transistor
FET
Amplificador Operacional
•14
14
Diodo
Polarización Polarización
directa inversa
+ - - +
= =
COCI CIAB
Real Ideal
Vj Vj
•15
15
Aplicación
OR D1
Vj
V1
D2 Vj Vo
V2
Circuito AND - OR
R
E
•16
16
Ejercicio
+V
D1 Resolución AND
V1
Vj
D2
V2 Vo
Vj
•17
17
El Diodo como Recortador
Vo
D
R
Vi Vo
VR t
D cortado
D conduciendo
•18
18
El Diodo como Restaurador de Nivel Continuo y como
Multiplicador de Tensión.
Vm
- +
-
90°
D Vo t
Vm Sen Wt
+ Vm
•El diodo conduce máximo 90°, conduce solo para inyectarle tensión al
condensador.
•En el semiciclo ( + ) Vo = Vi + Vm. Diodo Restaurador
•19
19
Vm Vo
2Vm
Vo Vm
t
• Cuando el Diodo está
-Vm al revés la señal se
-2Vm desplaza hacia abajo.
•20
20
Doblador de Tensión Simétrico Media Onda
Vo
2Vm
C1 D2
+ Vm
D1 C2 RL Vo
-
t
21
Duplicador de Media Onda
2Vm 2Vm
Vm Vm
t t
Se carga C1 Conduce D2
( recarga de C2 )
•22
22
Doblador de Tensión Asimétrico Onda Completa
+ +
D1 C1 Vm
-
+ - + RL 2Vm
C2 Vm
D2
Vm Sen Wt - -
- +
Doblador Onda Completa
•23
23
Doblador de Tensión Asimétrico Onda Completa
+ +
D1 C1 Vm
-
+ - + RL 2Vm
C2 Vm
D2
Vm Sen Wt - -
-+
2Vm
Vo con RL
•24
24
Multiplicador de Tensión
SALIDA IMPAR
C1 C3 C5
Vm sen wt D1 D2 D3 D4
C2 C4
SALIDA PAR
Multiplicador de Tensión
•25
25
Multiplicador de Tensión
SALIDA IMPAR
- Vm +
C1 C3 C5
-
Vm sen wt D1 D2 D3 D4
+
C2 C4
SALIDA PAR
•26
26
Multiplicador de Tensión
SALIDA IMPAR
- Vm +
C1 C3 C5
- +
Vm sen wt D1 D2 D3 D4
+ -
C2 C4
- 2Vm +
SALIDA PAR
•27
27
Multiplicador de Tensión
SALIDA IMPAR
- Vm + - 2Vm +
C1 C3 C5
- + -
Vm sen wt D1 D2 D3 D4
+ - +
•28
28
Multiplicador de Tensión
SALIDA IMPAR
D2 sólo conduce
- Vm + - 2Vm + para "recargar " a C2
C1 C3 C5
- + - +
Vm sen wt D1 D2 D3 D4
+ - + -
C2 C4
- 2Vm + - 2Vm +
SALIDA PAR
•29
29
Multiplicador de Tensión
SALIDA IMPAR
- Vm + - 2Vm + - 2Vm +
C1 C3 C5
- + - + -
Vm sen wt D1 D2 D3 D4
+ - + - +
C2 Los diodos D y D sólo conduce C4
1 3
para "recargar" a C y C
- 2Vm + - 2Vm +
1 3
SALIDA PAR
•30
30
Multiplicador de Tensión
SALIDA IMPAR
- Vm + - 2Vm + - 2Vm +
C1 C3 C5
- + - + -
Vm sen wt D1 D2 D3 D4
+ - + - +
C2 C4
- 2Vm + - 2Vm +
SALIDA PAR
Multiplicador de Tensión
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31
El Transistor y el FET como Dispositivos
de Conmutación
Configuración
Vcc
Vi(1)
Rc
Vi(0)
R1
Vo
V
ó ó =
•32
32
Existe un tiempo repetitivo que puede entregar más corriente, lo da el
fabricante y es distinto de la corriente nominal.
Lo mismo vemos para el voltaje inverso, se pueden sacar o soportar más Vinv máx ,
pero por tiempos pequeños.
Rc Rc Rc
Corte Saturación
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33
El Transistor como Dispositivo de Conmutación
Ic
Zona Activa Zona de Saturación
S
A Vce 0
T
U Ic máx
R
A
C
I Zona de Corte
O
N
Vce Ic0
CORTE
Vce (máx.)
•34
34
El Transistor como Dispositivo de Conmutación
Ecuación Recta
de Carga Vcc Ic * Rc Vce
Vcc Icsat * RC
Saturación
Vce 0
•35
35
Vcc
Para el diseño Rc
IcSAT
36
AND
Vcc
Rc
I L s at
R1 Ib sat
Vi Ic I carga
Vo
I1
I2 R2
37
Formas de disparo Vcc
Rc
R1
SALIDA DE
Vi TENSIÓN
SALIDA DE
CORRIENTE
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38
El Transistor como Dispositivo de Conmutación
Vcc
Por corriente
RC RL
–
V
SCR
+
IE = IG
RESET
Configuración
Darlington Nota: Para bloquear el SCR se abre el circuito
RL con RESET ó se
Carga polariza en forma inversa.
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39
El FET como Dispositivo de Conmutación
VDD
RD
Vo Vi
Vi
40
El FET como Dispositivo de Conmutación
ID
Zona Activa Saturación = VDS min.
S ID máx.
A
T
U
R
A
C
I Corte = VDS máx.
Ó ID min.
N
VDS
CORTE
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41
El FET como Dispositivo de Conmutación
ID
ID max.
( Saturación ) Saturación y Corte
del FET
( Corte )
ID min.
-VGS
VP (pinch-off)
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El FET como Dispositivo de Conmutación
VDD
FET de canal N
RD
Saturación :
VDD
0 VO
VDD
RD
Vi ID Sat
-V RG 0
Vi Vo Estado
-V VDD Corte
0 0 Saturación
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BIBLIOGRAFÍA
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