Cap. 2 - Familas TTL y CMOS

Electrónica Digital (IN1200)
Unidad 2
Variables y funciones lógicas
Familias lógicas
Dr.Sc.(E) José J. Silva C.
Magíster en Ciencias de la Ingeniería Eléctrica
Ingeniero Civil Electrónico
¿Qué es una Familia Lógica?
Una familia lógica es un grupo de dispositivos digitales
que comparten una tecnología común de fabricación y
tienen estandarizadas sus características de entrada y
de salida; es decir, son compatibles entre sí.
Como consecuencia de la estandarización, la

interconexión entre dispositivos lógicos de una misma
familia es particularmente sencilla y directa: no requiere
de etapas adicionales de
acoplamiento.
Variables y funciones lógicas Electrónica Digital

2
Características
• mide la rapidez de respuesta de las salidas de un

Velocidad circuito digital a cualquier cambio en sus entradas.
• El consumo de potencia mide la cantidad de corriente o

Potencia de potencia que consume un circuito digital en operación.
• La confiablidad mide el período útil de servicio de un

Confiabilidad circuito digital.
• La inmunidad al ruido mide la sensibilidad de un

Ruido circuito digital al ruido electromagnético ambiental.

3
Lógica TTL (Transistor-Transistor Logic)
La Lógica TTL (Lógica Transistor-Transistor) es una de

las tecnologías de circuitos integrados más extendidas
hasta el momento desde principios de los años sesenta.
La tecnología TTL es de tipo bipolar, se basa en los

transistores bipolares (NPN, PNP), aunque la tecnología
sea bastante antigua, se puede decir que es la más
popular (introducida por Texas Instruments en 1964).

4
Lógica TTL
 La Lógica TTL se apoya en los estados de corte y

saturación de los transistores bipolares
SATURACIÓN CORTE

5
Familia TTL
La tensión de alimentación es de + 5 Volt, con

Vmín = 4.75 Volt y Vmáx = 5.25 Volt en los
circuitos integrados digitales TTL
Por encima del voltaje máximo el circuito

integrado se puede dañar y por debajo del voltaje
mínimo el circuito integrado no funcionaría
adecuadamente.
Su realización (fabricación) es con transistores

bipolares multiemisores.

6
Familia TTL

7
Familia TTL
Con la señal de entrada en nivel bajo (LOW = 0),

la entrada de la compuerta entrega corriente a la
fuente de señal de aproximadamente 10 mA.
Con la señal de entrada en nivel alto (HIGH = 1),

la entrada de la compuerta pide a la fuente de la
señal de entrada una corriente aproximadamente
del orden de los mA.

8
Familia TTL
La entrada no conectada actúa como una señal de

nivel alto (HIGH)
La carga mayor ocurre cuando la señal de entrada

es de nivel bajo (LOW). En este momento el
transistor de salida tiene que aguantar la mayor
corriente.
Generalmente los transistores de esta serie

aguantan hasta 100 mA. Entonces solo se pueden
conectar 10 entradas en paralelo (FAN IN = 10)

9
Subfamilias TTL
 La familia TTL o bipolar se divide en las siguientes

categorías o subfamilias básicas:
 TTL estándar.
 TTL Schottky (S).
 TTL de baja potencia (L).
 TTL Schottky de baja potencia (LS).
 TTL de alta velocidad (H).
 TTL Schottky avanzada (AS).
 TTL Schottky de baja potencia avanzada (ALS).

10
Subfamilias TTL

11
Subfamilias TTL
FAMILIA TTL 74 74L 74H 74S 74LS 74AS 74ALS 74F
Parámetros de funcionamiento
Retraso de propagación típico (ns) 9 33 6 3 9 1.6 5 3
Disipación de potencia (mW) 10 1 22 20 2 20 1,3 6
Producto velocidad-potencia (pJ) 90 33 132 60 18 13.6 6.5 18
Máxima frecuencia de reloj (MHz) 35 3 50 125 45 200 70 100
Factor de carga de la salida

10 20 10 20 20 40 20 33
(para la misma serie)
Parámetros de Voltaje
VOHmín (V) 2.4 2.4 2.4 2.7 2.7 2.7 2.7 2.5
VIHmín (V) 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 0.5
VOLmáx (V) 0.4 0.4 0.4 0.5 0.5 0.5 0.4 2
VILmáx (V) 0.8 0.7 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8

12
Niveles lógicos TTL
5V 5V
1 Lógico (ALTO) VOH

1 Lógico (ALTO) VIH
2,4V
2V
Indefinido No permitido
0,8V
0 Lógico (BAJO) VIL 0,4V
0 Lógico (BAJO) VOL
0V 0V
Entrada
Salida
ENTRADA SALIDA
BAJO 0 - 0,8V 0 - 0,4V
ALTO 2 - 5V13 2,4 – 5 V
TERMINOLOGÍA USADA EN LOS
CIRCUITOS DIGITALES
• VILmáx: El voltaje máximo que una entrada garantiza reconocer como un
estado BAJO.
• VOLmáx: El voltaje máximo que una salida, en el estado BAJO, garantiza
producir (siempre que no se exceda el valor IOLMAX especificado
también por el fabricante)
• VIHmín: El voltaje mínimo que una entrada garantiza reconocer como un
estado ALTO.
• VOHmín: El estado mínimo que una salida, en el estado ALTO, garantiza
producir (siempre que no se exceda el valor IOHmáx también
especificado por el fabricante)
• IILmáx: La corriente máxima que una entrada podría requerir en el estado
BAJO.
• IOLmáx: La corriente máxima que una salida puede proporcionar en el estado
BAJO, mientras mantiene su voltaje menor o igual a VOLmáx.
• IIHmáx: La corriente máxima que una entrada podría requerir en el estado
ALTO.
• IOHmáx: La corriente máxima que una salida puede proporcionar en el estado
ALTO, mientras mantiene su voltaje mayor o igual a VOHmín.
14
¿Qué es el ruido en los circuitos
digitales?
Son perturbaciones transitorias indeseadas
que se producen en los niveles lógicos de los
circuitos, debido a causas internas o externas.
Entre las diferentes causas tenemos:
 Ruido eléctrico ambiental, generado por:

chispas en contactos de reles, motores,
fluorescentes.
 Ruido por la alimentación.
 Ruido por acoplo entre pistas cercanas.
Las señales de ruido distorsionan las formas de

onda de las señales digitales.
Si la magnitud del ruido es demasiado grande, se producen fallos en la información digital.

Pero si la amplitud del ruido a la entrada de cualquier circuito digital es mas
pequeña que un valor determinado, conocido como "margen de ruido", este no
afectará al buen funcionamiento del circuito.
Con respecto al ruido eléctrico, los sistemas digitales presentan una gran ventaja
frente a los analógicos , ya que el ruido no se acumula cuando pasa de un circuito a
otro.

15
Margen de ruido DC
Se define como la diferencia entre los niveles lógicos
límite del circuito de salida y los valores del circuito de
entrada, también se conoce por inmunidad al ruido,
indica hasta que punto los circuitos son inmunes a las
variaciones en los niveles lógicos debido a las
perturbaciones originadas por el ruido.
Se puede decir que el margen de ruido, es el máximo

voltaje de ruido adicionado a una señal de entrada de
un circuito digital de modo que no cause un cambio
indeseable en la salida del circuito.

16
Márgenes de Ruido DC
TTL Estándar
VNH= VOHmín – VIHmín (Margen de ruido DC de nivel alto)
VNL= VILmáx – VOLmáx (Margen de ruido DC de nivel bajo)
ENTRADA SALIDA
BAJO 0 - 0,8V 0 - 0,4V
ALTO 2 - 5V 2,4 – 5 V
VCC= 5V
Entrada Salida VCC= 5V
1 Lógico (ALTO) 1 Lógico (ALTO) VOH

VIH
VOHmín= 2,4V
VNH
VIHmín= 2V
Indefinido
VILmáx= 0,8V VNL
VIL 0 Lógico (BAJO) VOLmáx= 0,4V
0V 0 Lógico (BAJO) VOL
0V
Cálculo de los margen de ruido DC
VNH= VOHmín - VIHmín = 2,4V- 2V = 0,4 V
VNL= VILmáx - VOLmáx = 0,8V – 0,4V = 0,4V
17
Tiempo de transición
Es el tiempo que un circuito lógica tarda en cambiar su salida de un estado a otro.
Esto se debe, debido a que las salidas requieren tiempo para cargar las capacitancias parásitas de sus
conexiones y la de los componentes conectados.
Caso ideal de
conmutación en
tiempo cero
ALTO
VIHmín
Tiempos de
transición reales
VILmáx
BAJO tr tf
Modelado de los
tiempos de
transición
tr tf
Tiempo Tiempo
Variables y funciones lógicas de ascenso de descenso Electrónica Digital
18
Retraso de propagación (tp )
Es el promedio de la demora en el tiempo de transición para que un cambio en la señal de
entrada produzca un cambio en la señal de salida.
VENTRADA
VSALIDA
El retraso de propagación, nos da

una idea de la velocidad a la que
puede operar un dispositivo lógico.
tpH tpL
L H
A menor retardo de propagación, se
Tiempo entre el Tiempo entre el puede concluir que existe mayor
cambio de la cambio de la rapidez.
entrada y el entrada y el
correspondiente correspondiente
cambio en la salida cambio en la salida El retardo de propagación limita la
cuando la salida cuando la salida frecuencia a la que puede
cambia de ALTO a cambia de BAJO a trabajar. Cuanto mayor es el retardo
BAJO. ALTO. de propagación menor es la
frecuencia máxima.
tp es el promedio de tpHL y tpLH

19
Retraso de propagación (tp )

10 20 10 20 20 40 20 33
VOHmín (V) 2.4 2.4 2.4 2.7 2.7 2.7 2.7 2.5
VIHmín (V) 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 0.5
VOLmáx (V) 0.4 0.4 0.4 0.5 0.5 0.5 0.4 2
VILmáx (V) 0.8 0.7 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8

20
Factor de carga de salida (Fan-Out)
Es el número máximo de entradas pertenecientes a
otras compuertas que pueden conectarse a una salida,
respetando los niveles lógicos.
También se conoce como “cargabilidad de la salida”
Compuerta de Manejo Compuertas de Carga
Existe un máximo de compuertas

de carga que la compuerta de manejo
puede soportar sin degradar
.. los valores lógicos.
.
21
Factor de carga de salida (Fan-Out)
Es el numero máximo de entradas que una salida puede excitar, permaneciendo los niveles
dentro de los valores garantizados. El fan-out depende, por tanto, de la corriente que puede
dar la salida y de la corriente que absorben las entradas; la suma de todas las corrientes de
las entradas tiene que ser, como máximo igual a la máxima corriente que puede dar a la
salida. De una forma general se puede expresar:

- IOxmáx IIxmáx
IIxmáx
x: { L,H }
Debe cumplirse IIxmáx Existe un máximo de compuertas

de carga que la compuerta de manejo
- Σ IILmáx ≤ IOLmáx puede soportar sin degradar
.. los valores lógicos.
- Σ IIHmáx ≤ IOHmáx IIxmáx .

22
Factor de carga de salida de nivel bajo
(Fan-Out Bajo)
IOLmáx -IILmáx
En este caso la salida de la
-IILmáx compuerta de manejo se
Salida comporta como un drenaje de
Drenaje -IILmáx corriente para cada una de las
de Corriente entradas de las compuertas de
carga.
..
-IILmáx . -IILmáx> 0
IOLmáx>0
Fan-Out Bajo= | IOLmáx / IILmáx |
Carga Unitaria
de estado bajo

23
Factor de carga de salida de nivel alto
(Fan-Out Alto)
- IOHmáx IIHmáx
En este caso la salida de la
IIHmáx compuerta de manejo se
Salida comporta como una fuente de
Fuente IIHmáx corriente para cada una de las
de Corriente entradas de las compuertas de
carga.
..
IIHmáx . -IIHmáx> 0
IOHmáx>0
Fan-Out Alto= | IOHmáx / IIHmáx |
Carga Unitaria
de estado alto

24
Cálculo del Factor de carga de salida
(Fan-Out)
Fan-Out Bajo= | IOLmáx / IILmáx | Fan-Out Alto= | IOHmáx / IIHmáx |
Fan-Out=mín(Fan-Out Bajo, Fan-Out Alto)

25
Cálculo del Factor de carga de salida
(Fan-Out)
Ejemplo
Usando lógica TTL estándar (serie 74), tenemos las siguientes especificaciones técnicas:
IOHmáx = - 400 μA IIHmáx = 40 μA

IOLmáx = 16 mA IILmáx = -1,6 mA
Solución:
Fan-Out Alto= | IOHmáx / IIHmáx | = | 400/40 | = 10

Fan-Out Bajo= | IOLmáx / IILmáx | = | 16/(-1,6) |=10
Fan-Out=mín(Fan-Out Bajo, Fan-Out Alto) = 10
Pueden colocarse como máximo 10 cargas de la serie 74 a una salida de serie 74
26
¿Qué sucede si carga una salida con más
de su capacidad?
1. En el estado BAJO, el voltaje de salida (VOL) puede incrementarse más allá de su valor
máximo, pudiéndose reducir el margen de ruido DC, o inclusive llegarse a un valor lógico
indefinido.
Recuerde que existe una pequeña resistencia

RCE(SAT),donde
tiene lugar una caída de tensión que hace
crecer VOL a medida que se incrementa IOH
OFF
-IILmáx -IILmáx
Salida
Compuerta
de Manejo IOL Entradas de Compuerta de Carga VOL= VCE (SAT) + IOL*RCE(SAT)
+
0,2 V ≈ 50 Ω
ON VOL>VOLmáx
-
0,4V
Salida en
Drenaje
de Corriente
27
de su capacidad?
2. En el estado ALTO, el voltaje de salida (VOH) puede caer por debajo de valor mínimo,
pudiéndose reducir el margen de ruido DC, o inclusive llegarse a un valor lógico indefinido.
ON
IILmáx IILmáx
Salida
Compuerta
de Manejo
-IOH Entradas de Compuerta de Carga
+
OFF VOH< VOHmín
-
2,4V
Salida como
Fuente
de Corriente
28
de su capacidad?
3. El tiempo de propagación de la entrada a la salida puede incrementarse más allá de su valor máximo.
4. Los tiempos de ascenso y descenso de las transiciones de BAJO a ALTO y de ALTO a BAJO, pueden
incrementarse más allá de sus valores máximos.
5. La temperatura de operación del dispositivo puede incrementarse, con lo que se reduce la confiabilidad del
dispositivo y a la larga ocasionar su falla.

29
Mientras la salida esta estable.
Depende de:
•Corriente que consume el circuito
en condiciones estáticas
•Voltaje de alimentación
Durante las transiciones.

Depende de:
•Actividad de conmutación (frecuencia
de operación)
•Capacitancia parásita en cada nodo

que conmuta
•Voltaje de alimentación.

30
DISIPACIÓN DE POTENCIA
Teniendo presente que los niveles de tensión de entrada y salida de los
circuitos digitales pueden adoptar dos valores perfectamente definidos (L o H)
y la disipación de potencia para cada uno de estos dos estados es diferente, la
disipación de potencia en circuitos digitales se define bajo las
condiciones de un ciclo de trabajo del 50 %; es decir, trabajando en un
régimen en que la mitad del tiempo hay niveles bajos y la otra mitad niveles
altos.
Cuanto menor sea el consumo por puerta lógica, para una

determinada tecnología de fabricación, mayor será el número de
puertas que se podrán integrar sobre un mismo chip sin superar los
límites de disipación del sustrato del mismo. De ahí la importancia, para altas
densidades de integración, de que la disipación de potencia sea lo menor
posible.
Desde el punto de vista global de un equipo digital, la potencia disipada

es un parámetro importante (que depende del consumo de cada uno de
los elementos que lo constituyen), que deberá reducirse en la medida de
lo posible, ya que ello supone minimizar los costos de refrigeración,
fuente de alimentación y líneas de distribución.
31
EN LOS CIRCUITOS TTL
La disipación de potencia en un circuito TTL
es esencialmente constante dentro de su rango
de frecuencias de operación, a diferencia de la
Lógica CMOS (que se estudiará más adelante).
Por lo tanto, en la lógica TTL la Disipación de

Potencia Dinámica es igual a la Disipación de
Potencia Estática.
Se considera un ciclo de trabajo de 50% ⇒ ICC = (ICCH +ICCL)/2 ⇒ PD=VCC·ICC

32
EN LOS CIRCUITOS TTL

10 20 10 20 20 40 20 33
VOHmín (V) 2.4 2.4 2.4 2.7 2.7 2.7 2.7 2.5
VIHmín (V) 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 0.5
VOLmáx (V) 0.4 0.4 0.4 0.5 0.5 0.5 0.4 2
VILmáx (V) 0.8 0.7 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8

33
Series TTL
 Serie 54: se refiere a dispositivos recomendados para
uso militar, debido que poseen cierto rango de operación
en lo que respecta al voltaje de alimentación y la
temperatura, de manera tal que incrementan su
confiabilidad ante ciertas condiciones.
 Serie 74: versión comercial de la serie 54

34
SN54LS00
Fabricante Serie Familia Función

Lógica Lógica Lógica
SN74LS00

35
Dual, Cuádruple, Séxtuple
Nombre de la Compuerta
Encapsulado Físico
Parámetros Eléctricos

36
Tabla Lógica
Estructura Lógica
Circuito Equivalente
Descripción
de Pines

37
38
Ejemplos de compuertas TTL

39
Lógica CMOS (Complementary Metal Oxide
Semiconductor )
En español Semiconductor complementario del óxido de metal. Es
una tecnología utilizada para crear circuitos integrados, como pueden
ser compuertas lógicas, contadores (entre éstos, muy populares los
Decimales Johnson), etc. El inversor CMOS, y en general cualquier
circuito CMOS, es una configuración en donde se utilizan tanto
transistores NMOS como PMOS, de allí el nombre.
Los chips CMOS consumen menos potencia que aquellos que

usan otro tipo de transistor. Tienen especial atractivo para emplearlo
en componentes que funcionen con baterías, como los ordenadores
portátiles. Los ordenadores de sobremesa también contienen
dispositivos de memoria CMOS de bajo consumo de potencia para
almacenar la fecha, hora y configuraciones (BIOS).

40
Lógica CMOS (Complementary Metal Oxide
Semiconductor )
La tecnología cmos fue desarrollada por Wanlass y Sah, de Fairchild
Semiconductor, a principios de los años 60. Sin embargo, su introducción
comercial se debe a RCA.
El inversor CMOS, y en general cualquier circuito CMOS, es una
configuración en donde se utilizan tanto transistores NMOS como PMOS.
CMOS significa Semiconductor de Metal Óxido Complementario.
Existen una cantidad muy grade de compuertas lógicas CMOS, que son una
alternativa muy importante ante la otra tecnología: TTL (Lógica Transistor
Transistor).
Es la tecnología más usada para la fabricación de circuitos integrados. Usa
pares de transistores PMOS y NMOS de los cuales, en un instante dado, solo
uno está encendido.
Los dispositivos CMOS consumen poca potencia y pueden fabricarse en
gran escala dentro de los circuitos integrados (chips).
Los circuitos CMOS (incluyendo procesadores digitales) se pueden
combinar con MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) en un solo chip.
CMOS es la tecnología usada para fabricación de microprocesadores,
memorias y ASICs (Application Specific Integrated Circuits).

41
Tecnología CMOS

42
Tecnología CMOS
 CMOS analógicos
Los transistores mos se han venido empleando, también, en circuitos

analógicos, debido a dos características importantes:
• Alta impedancia de entrada: La puerta de un transistor mos viene a

ser un pequeño condensador, por lo que no existe corriente de polarización.
• Reducida resistencia de canal. Un mos saturado se comporta como

una resistencia cuyo valor depende dela superficie del transistor. Es decir, que
si se le piden corrientes reducidas, la caída de tensión en el transistor llega a
ser muy reducida.
Estas características posibilitan la fabricación de amplificadores

operacionales "Rail-to-Rail, en los que el margen de la tensión de salida abarca
desde la alimentación negativa a la positiva. También es útil en la realización de
reguladores de tensión "Low-Dropout, filtros de capacidades conmutadas, etc.

43
Tecnología CMOS
 CMOS y Bipolar
Se emplean circuitos mixtos bipolar y cmos tanto en

circuitos analógicos como digitales, en un intento de
aprovechar lo mejor de ambas tecnologías. En el ámbito
analógico destaca la tecnología BiCMOS, que permite
mantener la velocidad y precisión de los circuitos bipolares,
pero con la alta impedancia de entrada y márgenes de
tensión cmos. En cuanto a las familias digitales, la idea es
cortar las líneas de corriente entre alimentación y masa de
un circuito bipolar, colocando transistores mos, ya que un
transistor bipolar se maneja por corriente, mientras que
uno mos, por tensión.
44
Tecnología CMOS
En un circuito CMOS, la función lógica a sintetizar se implementa por
duplicado mediante dos circuitos: uno basado exclusivamente en transistores
pMOS, y otro basado exclusivamente en transistores nMOS. El circuito pMOS
es empleado para propagar el valor binario 1 , y el circuito nMOS para
propagar el valor binario 0. Véase la figura. Representa una puerta lógica NOT
o inversor.Tambien llamada Logitech.
Cuando la entrada es 1, el transistor nMOS está en estado de conducción. Al
estar su fuente conectada a tierra (0), el valor 0 se propaga al drenador y por
tanto a la salida de la puerta lógica. El transistor pMOS, por el contrario, está
en estado de no conducción
Cuando la entrada es 0, el transistor pMOS está en estado de conducción. Al
estar su fuente conectada a la alimentación (1), el valor 1 se propaga al
drenador y por tanto a la salida de la puerta lógica. El transistor nMOS, por el
contrario, está en estado de no conducción.
Otra de las características importantes de los circuitos CMOS es que son
regenerativos: una señal degradada que acometa una puerta lógica CMOS se
verá restaurada a su valor lógico inicial 0 o 1, siempre y cuando aún esté
dentro de los márgenes de ruido.

45
Lógica CMOS
La lógica CMOS ha emprendido un crecimiento constante en el área
de la MSI, principalmente a expensas de la TTL, con la que compite
directamente. El proceso de fabricación de CMOS es más simple que
el TTL y tiene una mayor densidad de integración, lo que permite que
se tengan más circuitos en un área determinada de sustrato y reduce
el costo por función. La gran ventaja de los CMOS es que utilizan
solamente una fracción de la potencia que se necesita para la serie TTL
de baja potencia (74L00), adaptándose de una forma ideal a
aplicaciones que utilizan la potencia de una batería o con soporte en
una batería. El inconveniente de la familia CMOS es que es más lenta
que la familia TTL, aunque la nueva serie CMOS de alta velocidad
“HCMOS” (SERIES HC y HCT), que vio la luz en 1983, puede
competir con las series bipolares avanzadas en cuanto a velocidad y
disponibilidad de corriente, y con un consumo menor, con las series 74
y 74LS.
Un dispositivo CMOS consiste en distintos dispositivos MOS
interconectados para formar funciones lógicas. Los circuitos CMOS
combinan transistores PMOS y NMOS, cuyos símbolos más comunes
son los que se muestran en la siguiente Figura.
46
Transistores CMOS

47
Inversor CMOS
El INVERSOR CMOS tiene dos MOSFET en serie de modo que, el dispositivo con
canales P tiene su fuente conectada a + VDD (un voltaje positivo) y el dispositivo
de canales N tiene su fuente conectada a masa. Las compuertas de los dos
dispositivos se interconectan con una entrada común. Los drenajes de los dos
dispositivos se interconectan con la salida común.

48
Características de Dispositivos CMOS
VOLTAJE DE ALIMENTACIÓN
Las series 4000 y 74C funcionan con valores de VDD, que van de 3 a 15 V, por lo
que la regulación del voltaje no es un aspecto crítico. Las series 74HC y 74RCT
funcionan con un menor margen de 2 a 6 V.
Cuando se emplean dispositivos CMOS y TTL, juntos, es usual que el voltaje de
alimentación sea de 5 V para que una sola fuente de alimentación de 5 V
proporcione VDD para los dispositivos CMOS y VCC para los TTL. Si los
dispositivos CMOS funcionan con un voltaje superior a 5V para trabajar junto con
TTL se deben de tomar medidas especiales
NIVELES DE VOLTAJE
Cuando las salidas CMOS manejan sólo entradas CMOS, los niveles de
voltaje de la salida pueden estar muy cercanos a 0V para el estado bajo, y
a VDD para el estado alto. Esto es el resultado directo de la alta 8
resistencia de entrada de los dispositivos CMOS, que extrae muy poca
corriente de la salida a la que está conectada.

49
De esta forma, cuando un CMOS funciona con VDD = 5 V, acepta voltaje

de entrada menor que VIL(máx) = 1.5 V como BAJO, y cualquier voltaje
de entrada mayor que VIH (mín) = 3.5 V como ALTO.
INMUNIDAD AL RUIDO
Se denomina ruido a “cualquier perturbación involuntaria que puede
originar un cambio no deseado en la salida del circuito.” El ruido puede
generarse externamente por la presencia de escobillas en motores o
interruptores, por acoplo por conexiones o líneas de tensión cercanas o
por picos de la corriente de alimentación. Los circuitos lógicos deben
tener cierta inmunidad al ruido la cual es definida como “la capacidad
para tolerar fluctuaciones en la tensión no deseadas en sus entradas sin
que cambie el estado de salida”. Los fabricantes establecen un margen
de seguridad para no sobrepasar los valores críticos de tensión conocido
como MARGEN DE RUIDO.

50
VELOCIDAD DE CONMUTACIÓN
Los CMOS, al igual que N-MOS y P-MOS, tiene que conducir capacitancias
de carga relativamente grandes, su velocidad de conmutación es más rápida
debido a su baja resistencia de salida en cada estado.
Recordemos que una salida N-MOS tiene que cargar la capacitancia de carga
a través de una resistencia relativamente grande (100 k). En el circuito CMOS,
la resistencia de salida en el estado ALTO es el valor RON del P-MOSFET, el
cual es generalmente de 1 k o menor. Esto permite una carga más rápida de
la capacitancia de carga.
Los valores de velocidad de conmutación dependen del voltaje de
alimentación que se emplee, por ejemplo en una a compuerta NAND de la
serie 4000 el tiempo de propagación es de 50 ns para VDD =5
V y 25ns para VDD = 10 V. Como podemos ver, mientras VDD sea mayor
podemos operar en frecuencias más elevadas. Por supuesto, mientras más
grande sea VDD se producirá una mayor disipación de potencia. Una
compuerta NAND de las series 74HC o 7411CT tiene un tpd promedio
alrededor de 8 ns cuando funciona con un VDD = 5V. Esta velocidad es
comparable con la de la serie 74LS.

51
La potencia disipada, es la media de potencia disipada a nivel alto y bajo. Se
traduce en la potencia media que la puerta va a consumir.
Uno de los principales motivos del empleo de la lógica CMOS es su “muy bajo
consumo de potencia”. Cuando un circuito lógico CMOS se encuentra en estático
(sin cambiar) o en reposo, su disipación de potencia es extremadamente baja,
aumentando conforme aumenta la velocidad de conmutación.
SUSCEPTIBILIDAD A LA CARGA ESTÁTICAS
Las familias lógicas MOS son especialmente susceptibles a daños por carga
electrostática. Esto es consecuencia directa de la alta impedancia de entrada de
estos CI. Una pequeña carga electrostática que circule por estas altas
impedancias puede dar origen a voltajes peligrosos. Los CMOS están protegidos
contra daño por carga estática mediante la inclusión en sus entradas de diodos
zéner de protección. Diseñados para conducir y limitar la magnitud del voltaje de
entrada a niveles muy inferiores a los necesarios para provocar daño. Si bien los
zéner por lo general cumplen con su finalidad, algunas veces no comienzan a
conducir con la rapidez necesaria para evitar que el CI sufra daños. Por
consiguiente, sigue siendo buena idea observar las precauciones de manejo
presentadas antes para todos los CI.
52
Ventajas e Inconvenientes
Hay tres problemas principales relacionados con la tecnología cmos,

aunque no son exclusivos de ella:
1. Sensibilidad a las cargas estáticas. Históricamente, este

problema se ha resuelto mediante protecciones en las entradas
del circuito. Pueden ser diodos en inversa conectados a masa y a
la alimentación, que, además de proteger el dispositivo, reducen
los transitorios o zener conectados a masa. Este último método
permite quitar la alimentación de un sólo dispositivo.
2. Latch-Up: Consiste en la existencia de un tiristor parásito en la

estructura cmos que se dispara cuando la salida supera la
alimentación. Esto se produce con relativa facilidad cuando
existen transitorios por usar líneas largas mal adaptadas,
excesiva impedancia en la alimentación o alimentación mal
desacoplada.

53
Ventajas e Inconvenientes
El Latch-Up produce un camino de baja resistencia a la corriente de

alimentación, de modo que, si no se ha previsto, acarrea la
destrucción del dispositivo. Las últimas tecnologías se anuncian como
inmunes al latch-up.
3. Resistencia a la radiación. El comportamiento de la estructura MOS es

sumamente sensible a la existencia de cargas atrapadas en el óxido. Una
partícula alfa o beta que atraviese un chip cmos puede dejar cargas a su
paso, cambiando la tensión umbral de los transistores y deteriorando o
inutilizando el dispositivo. Por ello existen circuitos "endurecidos"
(Hardened), fabricados habitualmente en silicio sobre aislante (SOI)

54
Compuerta NAND CMOS
Formada por la adición de un MOSFET de canales P en

paralelo y un MOSFET de canales N en serie al INVERSOR
básico.

55
Compuerta NOR CMOS
Una compuerta NOR CMOS se forma agregando un P-

MOSFET en serie y un N-MOSFET en paralelo al inversor
básico.

56
ESCALAS DE INTEGRACION
(SSI, MSI, LSI, VLSI, WLSI )
Dependiendo del número de compuertas que se

encuentren integrados en un chip se dice que ese circuito
está dentro de una determinada escala de integración.

57
ESCALAS DE INTEGRACION
(SSI, MSI, LSI, VLSI, WLSI )
 SSI (Short Scale Integration): Es la escala de integración mas pequeña de
todas, y comprende a todos aquellos integrados compuestos por menos de
20 compuertas
 MSI (Médium Scale Integration): Esta escala comprende todos aquellos

circuitos integrados cuyo número de compuertas oscila ente 20 y 200
compuertas. Es común en sumadores, multiplexores,... Estos integrados son
los que se usaban en los primeros ordenadores aparecidos hacia 1970.
 LSI (Large Scale Integration): A esta escala pertenecen todos aquellos

integrados que contienen más de 200 compuertas lógicas (lo cual conlleva
unos 1000 componentes integrados individualmente), hasta 20.000
compuertas. Estos integrados realizan una función completa, como es el caso
de las operaciones esenciales de una calculadora o el almacenamiento de una
gran cantidad de bits.
 La aparición de los circuitos integrados a gran escala, dio paso a la construcción

del microprocesador . Los primeros funcionaban con 4 bits (1971) e integraban
unos 2.300 transistores; rápidamente se pasó a los de 8 bits (1974) y se
integraban hasta 8.000 transistores. Posteriormente aparecieron los
microprocesadores de circuitos integrados VLSI (Very Large Scale
Integration)

58
Electrónica Digital (IN1200)
Unidad 2
Variables y funciones lógicas
Dr.Sc.(E) José J. Silva C.

Magíster en Ciencias de la Ingeniería Eléctrica
Ingeniero Civil Electrónico

Cap. 2 - Familas TTL y CMOS

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Electrónica Digital (IN1200)

Como consecuencia de la estandarización, la

Variables y funciones lógicas Electrónica Digital

• mide la rapidez de respuesta de las salidas de un

• El consumo de potencia mide la cantidad de corriente o

• La confiablidad mide el período útil de servicio de un

• La inmunidad al ruido mide la sensibilidad de un

Variables y funciones lógicas Electrónica Digital

La Lógica TTL (Lógica Transistor-Transistor) es una de

La tecnología TTL es de tipo bipolar, se basa en los

Variables y funciones lógicas Electrónica Digital

 La Lógica TTL se apoya en los estados de corte y

Variables y funciones lógicas Electrónica Digital

La tensión de alimentación es de + 5 Volt, con

Por encima del voltaje máximo el circuito

Su realización (fabricación) es con transistores

Variables y funciones lógicas Electrónica Digital

Variables y funciones lógicas Electrónica Digital

Con la señal de entrada en nivel bajo (LOW = 0),

Con la señal de entrada en nivel alto (HIGH = 1),

Variables y funciones lógicas Electrónica Digital

La entrada no conectada actúa como una señal de

La carga mayor ocurre cuando la señal de entrada

Generalmente los transistores de esta serie

Variables y funciones lógicas Electrónica Digital

 La familia TTL o bipolar se divide en las siguientes

Variables y funciones lógicas Electrónica Digital

Variables y funciones lógicas Electrónica Digital

FAMILIA TTL 74 74L 74H 74S 74LS 74AS 74ALS 74F

Retraso de propagación típico (ns) 9 33 6 3 9 1.6 5 3

Disipación de potencia (mW) 10 1 22 20 2 20 1,3 6

Producto velocidad-potencia (pJ) 90 33 132 60 18 13.6 6.5 18

Máxima frecuencia de reloj (MHz) 35 3 50 125 45 200 70 100

Factor de carga de la salida

VOLmáx (V) 0.4 0.4 0.4 0.5 0.5 0.5 0.4 2

Variables y funciones lógicas Electrónica Digital

1 Lógico (ALTO) VOH

 Ruido eléctrico ambiental, generado por:

Las señales de ruido distorsionan las formas de

Si la magnitud del ruido es demasiado grande, se producen fallos en la información digital.

Variables y funciones lógicas Electrónica Digital

Se puede decir que el margen de ruido, es el máximo

Variables y funciones lógicas Electrónica Digital

1 Lógico (ALTO) 1 Lógico (ALTO) VOH

El retraso de propagación, nos da

tp es el promedio de tpHL y tpLH

FAMILIA TTL 74 74L 74H 74S 74LS 74AS 74ALS 74F

Disipación de potencia (mW) 10 1 22 20 2 20 1,3 6

Producto velocidad-potencia (pJ) 90 33 132 60 18 13.6 6.5 18

Máxima frecuencia de reloj (MHz) 35 3 50 125 45 200 70 100

Factor de carga de la salida

VOLmáx (V) 0.4 0.4 0.4 0.5 0.5 0.5 0.4 2

Variables y funciones lógicas Electrónica Digital

Existe un máximo de compuertas

.. los valores lógicos.

Compuerta de Manejo Compuertas de Carga

Debe cumplirse IIxmáx Existe un máximo de compuertas

.. los valores lógicos.

- Σ IIHmáx ≤ IOHmáx IIxmáx .

Variables y funciones lógicas Electrónica Digital

Variables y funciones lógicas Electrónica Digital

Fan-Out Bajo= | IOLmáx / IILmáx | Fan-Out Alto= | IOHmáx / IIHmáx |

Fan-Out=mín(Fan-Out Bajo, Fan-Out Alto)

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