Curvas caracteristicas y regiones de operaciones

Curvas características

Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parámetros para
determinar el estado eléctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las leyes
básicas de resolución de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parámetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito determinado y bajo la
acción de unas excitaciones concretas, existirán unos valores de estos cuatro parámetros que
caracterizan por completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de
operación (Q).

Las curvas características más empleadas en la práctica son las que relacionan VBE con IBy VCE con
IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes.

Características VBE-IB

Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las variaciones de la tensión
de polarización VBE sobre la corriente de base IB. Estas gráficas reciben el nombre de curvas
características de transferencia. Las curvas que se obtienen son muy similares a la de un diodo
cuando se polariza directamente.

Estas tensiones permanecen prácticamente constantes, por lo que serán de gran ayuda para
localizar averías en circuitos con transistores.

La función que liga VBE con IB es la característica de un diodo, y puede aplicarse dado que la unión
base - emisor, es una pn normal, igual que la de diodo, y al polarizarla, seguirá el mismo
comportamiento que aquel.

La curva representada en la figura sigue la expresión:

Características VCE-IC

Estas características también son conocidas como familia de colector, ya que son las
correspondientes a la tensión e intensidad del colector. En la siguiente figura, se muestran una
familia de curvas de colector para diferentes valores constantes de la corriente base.

Idealmente, en la Región Activa, la corriente de colector depende exclusivamente de la de base, a

través de la relación IC=β+IB. Por lo tanto, en el plano VCE-IC la representación estará formada por
rectas horizontales (independientes de VCE) para los diversos valores de IB (en este caso se ha
representado el ejemplo para β=100).

Evidentemente, no se dibujan más que unos valores de IB para no emborronar el gráfico. Para IB=0,
la corriente de colector también debe ser nula. La región de corte está representada por el eje de
abscisas. Por contra, para VCE=0 el transistor entra en saturación, luego esta región queda
representada por el eje de ordenadas.

Hasta aquí se presenta la característica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un poco
más compleja, y las curvas quedarán como representa la siguiente figura:

Las diferencias son claras:

 En la Región Activa la corriente del colector no es totalmente independiente de la

tensión colector-emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia la resistencia
interna del transistor.
  La región de saturación no aparece bruscamente para VCE=0, sino que hay una transición
gradual. Típicamente se suele considerar una tensión de saturación comprendida entre
0.1V y 0.3V.

Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de funcionamiento del transistor. Se puede
comprobar que, para una tensión constante de colector-emisor, si se producen pequeñas
variaciones de la corriente de base (del orden de µA) esto origina unas variaciones en la corriente
de colector mucho más elevadas (del orden de mA), de lo cual se deduce la capacidad del
transistor para amplificar corrientes.

Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensión VCE afecta muy poco a la corriente de
colector IC. Si se aumenta VCE demasiado (por encima de VCEO), la unión del colector entra en la
región de ruptura y éste puede llegar a destruirse. Sin embargo, si la tensión VCE es muy pequeña
(por debajo de los 0.7V), la corriente de colector será muy débil, obteniéndose una ganancia de
corriente muy baja. En conclusión, para conseguir que el transistor trabaje como amplificador de
corriente, la tensión de polarización inversa VCE debe mantenerse por encima de 0.7V y por debajo
de la tensión de ruptura.

Recta de carga del transistor

Hemos de conocer el comportamiento del transistor trabajando con una determinada resistencia
de carga y averiguar el punto de funcionamiento del mismo. Para ello, trazamos la recta de carga
del transistor en las curvas de colector para poder determinar los puntos de funcionamiento.

Para determinar la corriente que circula por el colector (emisor común), podemos aplicar la ley de
Ohm entre los extremos de la resistencia de carga RL. La tensión aplicada a esta resistencia se
corresponderá con la tensión total aplicada por la fuente VCC menos la caída de tensión que se
produce entre el colector y el emisor VCE. De esta forma obtendremos la siguiente expresión, que
se corresponderá con la ecuación de la recta de carga:

Para dibujar esta recta sobre la cruva característica, lo primero que hay que hacer es encontrar sus
extremos (IC=0 y VCE=0).

Para VCE=0

Para IC=0

Llevando estos valores a la curva característica de colector, obtendremos la recta de carga para
una determinada resistencia de carga RL y una fuente VCC.

A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres partes fundamentales: puntos de corte, punto de
saturación, punto de trabajo.
El punto de corte es donde la línea de carga corta a la curva correspon-
diente a la corriente de base igual a cero (IB=0). Dada la escasa polarización directa a que queda
sometido el diodo de emisor-base, la corriente que aparece por el colector es prácti-
camente nula (sólo circula una pequeñísima corriente de fuga ICEO). Haciendo una aproximación, se
puede decir, sin equivocarse mucho, que el punto de corte se da en la intersección de la recta de
carga con el eje horizontal, es decir cuando VCecorte=VCC.

El punto de saturación aparece donde la línea de carga corta a la intensidad de base de

saturación. En este punto, la corriente de colector es la máxima que se puede dar para la
operación de transistor, dentro de los límites de la recta de carga. Haciendo una aproximación, se
puede decir que el punto de saturación aparece en la intersección de la recta de carga con el eje
vertical, es decir, cuando:

Para corrientes de base superiores a la de saturación se produce también el efecto de saturación

en el transistor.
El punto de trabajo es aquél donde el transistor trabaja de una forma normal y que, normalmente,
se encuentra entre la zona de corte de saturación. Para determinar el punto de trabajo (Q) de
transistor para una determinada corriente de base (IB), se busca el punto de intersección de la
recta de carga con la curva correspondiente a dicha corriente de base.

Por último, hay que indicar que, cuando se diseña un circuito para un transistor, se tiene que
procurar que el transistor nunca opere por encima de la curva de potencia máxima. Esto se
consigue eligiendo valores adecuados de la tensión de fuente VCC y de la resistencia de carga RL, de
tal forma que la recta de carga trazada con dichos valores, esté siempre por debajo de la curva de
potencia máxima. En la figura siguiente, es esquematiza esta situación:

Obtención de la Ganancia a partir de las curvas características

La ganancia en corriente de un transistor se definía como la relación que se da entre la variación
de la corriente d el colector y la variación de corriente de base. Para determinar dicha ganancia se
puede recurrir a las características del colector.

Como ejemplo, supongamos que las curvas características del transistor ensayado es la que se
muestra en la figura de la izquierda.

Para un punto de funcionamiento situado en VCE=20V, según las cruvas de la figura de la izquierda,
la intensidad de colector variará entre IC=28mA e IC=43mA, mientras que la intensidad de base lo
hará entre IB=0.10mA e IB=0.15mA. La ganancia se calcula así:

Hemos de tener en cuenta que punto de funcionamiento se encuentra trabajando el transistor, es

decir, la tensión que se le está aplicando al mismo, y con ello, la ganancia calculada, será para esa
tensión de trabajo, siendo para otra, otra ganancia diferente de la calculada en otro punto.

Curva de máxima potencia del transistor

Una de las aplicaciones de las curvas características de un transistor, es que, a partir de éstas se
pueden determinar los límites de funcionamiento del mismo. Estos límites están determinados por
una potencia máxima que puede desarrollar un transistor sin provocar su destrucción.

Veamos en qué consiste éste fenómeno:

El transistor posee una resistencia entre el colector y el emisor, que varía en función dela
intensidad que se le aplique a su base IB. Por esta resistencia variable circula una corriente IC,
relativamente grande, que provoca en la misma una potencia calorífica o calentamiento, debido
al efecto Joule. Esta potencia se calcula realizando el producto de la tensión VCE, aplicada entre el
colector y el emisor, por la instensidad de colector IC. (P = VCE·IC).

Como esta potencia se transforma íntegramente en calor, provoca un aumento de la temperatura

en el transistor que, en el caso de salirse de los límites admisibles, provocará la destrucción del
mismo.

La potencia máxima trabajo de un transistor es un dato que proporciona los fabricantes en las
hojas de especificaciones técnicas.

Así, por ejemplo, para el transistor BC107 se indica una potencia máxima de 300mW.

Con este dato se puede trazar una curva de potencia máxima sobre la familia de curvas de
colector, para así poder determinar para qué tensiones de colector-emisor y corrientes de colector
es posible trabajar con el transistor sin que se deteriore.

Por ejemplo, para no superar los valores límite, en el caso del transistor BC107 se deberá cumplir
en todo momento la expresión:

Luego la curva de potencia máxima para este transistor será tal que el producto VCE·IC=0.3W.

En la figura de la derecha, se muestran las curvas correspondientes a la familia de colector del

transistor BC107, y en las que se ha añadido la curva de potencia máxima.

La hipérbola divide a la característica en dos zonas diferenciadas: la zona prohibida de funcionami-

ento, que queda por encima de la misma (sombreado con naranja), en la cual la potencia es mayor
de 300mW y, por lo tanto, es donde el transistor corre peligro de destrucción por la acción del
calor; y la zona de trabajo, que queda por debajo de la hipérbola, y en la cual la potencia es
inferior a 300mW.

Influencia de la temperatura ambiente en la potencia máxima de un transistor

La potencia máxima que puede disipar un transistor, en forma de calor, depende de la

temperatura máxima permitida en la unión colector Tj(max). Esta temperatura nunca debe ser
superada, ya que a partir de ella se puede destruir el transistor. Este dato aparece en las hojas de
características del componente. Así, por ejemplo, el transistor BC107 posee una Tj (max) de 175ºC.

La potencia máxima a que puede trabajar un transistor también depende de la temperatura

ambiente. Hay que tener en cuenta que el calor producido en las uniones se conduce a través del
encapsulado del transistor y se disipa al aire que le rodea. Cuanto mayor sea la temperatura de
este aire (temperatura ambiente), peor será la ventilación del transistor, y por lo tanto, menor la
potencia máxima que se le puede exigir al mismo.

Por lo general, en las hojas de características técnicas se indica la potencia máxima para una
temperatura ambiente de 25ºC.

En el caso de que la temperatura ambiente fuese superior habría que encontrar la potencia
máxima de funcionamiento para que el transistor trabaje dentro de sus límites de temperatura
admisibles. En algunas hojas de especificaciones técnicas aparece la curva de reducción, como la
que se encuentra en la figura de la derecha.

Esta curva, nos indica que para una temperatura ambiente de 25ºC, la potencia máxima es de
125mW. Sin embargo, para 55ºC, la potencia máxima disminuye a 50mW.

En el caso de que se desee aumentar la potencia de un transistor, se puede acoplar un disipador

de calor, o aleta de refrigeración en la superficie de la cápsula del mismo, de esta forma, se
consigue que el calor se evacúe con mayor facilidad hacia el aire exterior.