INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR “SUCRE”

ELECTRONICA INDUSTRIAL
SEMESTRE. MAYO 2017 – OCTUBRE 2017

CARRERA: ELECTRICIDAD INDUSTRIAL DOCENTE: ING, PABLO SILVA

ESTUDIANTE: JENNY QUINAUCHO FECHA: 01 / 06/ 2018.

NIVEL: QUINTO PARALELO: SESIÓN: VESPERTINA NOTA:

TEMA: FUNCIONAMIENTO DEL DIODO, TIRISTOR

OBJETIVO

Analizar el funcionamiento del diodo, transistor con conceptos básicos.

INTRODUCCION

DIODO

Componente electrónico que permite el paso de la corriente en un solo sentido.

Consiste fundamentalmente en la unión de dos piezas de cristal semiconductor compuestas
por átomos de silicio puro, procesadas cada una de una forma diferente, de forma que una
sea de tipo P (con carga positiva) y otra tipo N (con carga negativa). Para lograr esto, a las
piezas se les añade algunas moléculas de otro elemento semiconductor, denominadas
impurezas.

Principio de funcionamiento

Diodo de unión PN

Al unir estas dos piezas obtenemos el diodo de unión PN. La región cargada positivamente y
la cargada negativamente conforman la región de agotamiento de la unión PN, en la que
esencialmente no hay electrones o huecos en movimiento. De esta forma, se obtiene un
diodo semiconductor de silicio de unión PN, en el que la parte positiva (P) constituye el
ánodo (A) y la parte negativa (N) el cátodo (K).

Polarización directa:
Cuando la corriente circula en sentido directo. En este caso la corriente atraviesa el diodo
con mucha facilidad comportándose prácticamente como un corto circuito. El diodo
conduce.
Diodo en polarización directa
Polarización inversa:
Cuando una tensión negativa en bornes del diodo tiende a hacer pasar la corriente en
sentido inverso. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta
prácticamente como un circuito abierto. El diodo está bloqueado.

Diodo en polarización inversa

En la gráfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento

 Región de conducción en polarización directa (PD).

o Región de corte en polarización inversa (PI).
o Región de conducción en polarización inversa.

Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequeña, hasta que no se alcanza la
tensión de barrera (VON). El paso de conducción a corte no es instantáneo: a partir de VON la
resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye progresivamente,
hasta quedar limitada sólo por las resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad que
circula por la unión aumenta rápidamente. En el caso de los diodos de silicio, V ON se sitúa en
torno a 0,7 V.

Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho menor que la
que se obtiene para los mismos niveles de tensión que en directa, hasta llegar a la ruptura,
en la que de nuevo aumenta.

Diferencias entre el diodo de unión PN y el diodo ideal

Las principales diferencias entre el comportamiento real y ideal son:

1. La resistencia del diodo en polarización directa no es nula.

2.
 3. La tensión para la que comienza la conducción es VON.
4. En polarización inversa aparece una pequeña corriente.
5. A partir de una tensión en inversa el dispositivo entra en conducción por avalancha

TRANSISTOR

Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una PEQUEÑA señal de mando.

- Funciona como un elemento AMPLIFICADOR de señales.

Hay dos tipos básicos de transistor:

a) Transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor)

b) Transistor de efecto de campo, FET (Field Effect Transistor) o unipolar

El tiristor en conducción.

Límite de corriente Cuando está conduciendo, el tiristor se comporta como una llave
cerrada y circula por el una corriente IT impuesta por el circuito externo. IT no puede ser
mayor que un valor ITmax , el cual depende de la forma de onda de la corriente y del tiempo
durante el cual esa corriente circula por el tiristor. El fabricante da varios valores de
corrientes máximas en distintas condiciones de funcionamiento.

Tensión durante la conducción

En estado de conducción la tensión sobre el dispositivo ideal es cero. En el tiristor real la

tensión en estado de conducción UAK = UT > 0. UT depende de la corriente y la temperatura
y es del orden de 1 a 2 V.

En el transistor cuando la corriente es cero no permite flujo de corriente en el circuito de

salida debido a la barrera de carga positiva. Pero conforme la corriente en base sube la
corriente en la salida también aumenta y la barrera positiva disminuye, hasta llegar a un
punto donde la corriente en la base es la suficiente para permitir el flujo completo en la carga.
APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES
EN DISPOSITIVOS ELECTRICOS

 Semiconductores intrínsecos: poseen una conductividad eléctrica fácilmente

controlable y, al combinarlos correctamente adecuadamente, pueden actuar como
interruptores, amplificadores o dispositivos de almacenamiento. Ejemplo: Si y Ge puros.
 Semiconductores extrínsecos: estos se forman al agregar, intencionadamente, a un
semiconductor intrínseco sustancias dopantes. Su conductividad dependerá de la
concentración de esos átomos dopantes. Dependiendo de esas impurezas habrá dos
tipos:
a) Semiconductores de tipo n: En las redes de Si o Ge se introducen elementos del
grupo 15 los cuales debido a que tienen un electrón mas en su capa de valencia que
los elementos del grupo14 se comportan como impurezas donadoras de electrones o
 b) portadores negativos.
c) Semiconductores de tipo p: En este caso se introducen elementos del grupo 13
que presentan un electrón menos en su capa de valencia, por lo que se comportan
como aceptores o captadores de electrones.
APLICACIONES EN LAS INDUSTRIAS

 Termistores: se basan en la propiedad de que la conductividad depende de la

temperatura para medir dicha temperatura. También se usan en otros dispositivos,
como en alarmas contra incendio.
 Transductores de presión: al aplicar presión a un semiconductor, los átomos son
forzados a acercarse, el gap de energía se estrecha y la conductividad aumenta.
Midiendo la conductividad, se puede conocer la presión que actúa sobre ese material.
 Rectificadores (dispositivos de unión tipo p-n): se producen uniendo un
semiconductor tipo n con otro tipo p, formando una unión tipo p-n. Los electrones se
concentran en la unión tipo n y los huecos en la unión p. El desequilibrio electrónico
resultante crea un voltaje a través de la unión.
 Transistores de unión bipolar: un transistor se puede usar como interruptor o como
amplificador. El transistor de unión bipolar (BJT), se suele utilizar en unidades de
procesamiento central de computadoras por su rápida respuesta a la conmutación.
 Transistores de efecto de campo: utilizado frecuentemente para almacenar
información en la memoria de los ordenadores. El transistor de efecto de campo (FET),
se comporta de forma algo distinta a los de unión bipolar.
TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR.

Un transistor de unión bipolar es un apilamiento de materiales semiconductores en

secuencia n-p-n-p-n-p. En el transistor se pueden distinguir tres zonas:

 Emisor: emite portadores de carga, como es de tipo n, emite electrones.

 Base: controla el flujo de los portadores de carga, es de tipo p. Esta se hace muy
delgada (del orden de 10-3 cm de espesor) y se dopa, de forma que solo una pequeña
fracción de los portadores que viene del emisor se combinará con los portadores
mayoritarios de la base con carga opuesta.
 Colector: recoge los portadores de carga provenientes del emisor; la zona del colector
es del tipo n, recoge electrones.

BIBLIOGRAFIA

1. Donald R. Askeland, Ciencia e ingeniería de los materiales, Ed. Paraninfo Thompson

Learning, 2001
William F Smith, Fundamentos de la ciencia e ingeniería de materiales, 3ª Edición, Ed. Mc
Graw Hill

https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/Diodo_de_potencia/Estructu
ra_y_principio_de_funcionamiento

http://funciondetransistor.blogspot.com/2012/12/funcion-del-transistor.html