UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARIA Página:1/6

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FISICAS Y FORMALES

ESCUELA PROFESIONAL INGENIERÍA MECÁNICA, MECÁNICA-
Jefe de Prácticas:
ELÉCTRICA Y MECATRÓNICA Ing. Christiam G. Collado Oporto

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

Código:
TRANSISTOR BJT Semestre:
Grupo: FECHA:
Prado Cornejo, Aguilar Chavez, Valdivia Portugal, Azcue Mollinedo Lab. Nº:

OBJETIVOS
Determinar los parámetros eléctricos de conductividad de un
transistor. Determinar las características físicas y eléctricas de un
transistor BJT Analizar las características de transistores BJT
Calcular la curva de los transistores BJT

MARCO TEÓRICO

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o
silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada
caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor
(E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de transistor.

Transistor NPN Transistor PNP

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si

le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el
entregará por otra (emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor que se
llama amplificación. Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada
transistor.
Entonces:

 Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de

amplificación) por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
 Ic = β * Ib
 Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que
Ic, sólo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro
caso
sale de el, o viceversa.

Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que

alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib
cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura 1.
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En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a más corriente
la curva es más alta

Regiones operativas del transistor

Región de corte: Un transistor esta en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie =
0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del
circuito. (como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, Ley de Ohm). Este caso
normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

Región de saturación: Un transistor está saturado

cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I
máxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de
las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como
para
inducir una corriente de colector β veces más grande. (recordar que Ic = β *
Ib)

Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte

entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente de un amplificador, es
un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta región
es la mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

CUESTIONARIO PREVIO
1. ¿Qué tipos de transistores existen según su tecnología de fabricación? Explique.
2. ¿Qué materiales se utilizan en la fabricación de transistores? Indique sus características.
3. ¿Qué curvas características nos permiten explicar el funcionamiento del transistor?
4. ¿En su estructura, en qué se diferencian los transistores PNP y NPN?

EQUIPOS Y MATERIALES
 Protoboard
 Resistencias
 Transistor BC548
 Miliamperímetro DC
 Voltímetro DC
 Fuente DC

PROCEDIMIENTO

Identificación del transistor

Identifique los terminales del transistor BJT

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Tabla 1.
Terminal Terminal Lectura del
Rojo (+) Negro (-) DMM
1 2 OL
2 1 0.706
1 3 OL
3 1 OL
2 3 0.703
3 2 OL

Identificar las características del Transistor en la siguiente tabla

Tabla 2.
Terminal BASE 3
Terminal COLECTOR 2
Terminal EMISOR 1
Tipo de transistor NPN
Material del Transistor Si

Esquema
Vref
+V

Rc1

Rb1

Rc2

T1
Rb2

1. Mediante el multímetro, obtenga las siguientes características del transistor: deducción del tipo de transistor
(NPN o PNP en los BJT), configuración de cada patilla y 
(hFE).

2. Para ello, encontrar cuál es la situación de los diodos y su polaridad. Una vez conocida la
correspondencia de cada patilla, colocar adecuadamente en el multímetro para medir  en el caso de un
BJT. De esta forma se puede deducir si se trata de un PNP, de un NPN si son BJTs.

3. Utilizando la hoja de datos analizar las siguientes características del transistor: tipo de transistor,
configuración de cada patilla, potencia máxima, VCE máxima, IC máxima,  (hFE) y frecuencia de corte.

4. En el circuito, T1= BC548B; Vref= 15V; Rb1= 4.7K; Rb2 = 5M; Rc1= 100 y Rc2 = 10K. Se
requiere ajustar Rb2 de tal manera que I B alcance los 25uA. A continuación se varía Rc2 de forma de
VCE sea 0V,
0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la corriente
I C.

Vce=0V Vce=0.5V Vce=1 V Vce=1.5V

Ib = 25uA Ic = 1.3 mA 8.4 mA 8.7 mA 8.0 mA
Ib = 50uA Ic = 3.7 mA 14.8 mA 16.5 mA 10.2 mA
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5. Grafique Vce vs Ic.

6. Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el multímetro, repitiendo el proceso para I B igual a 50uA,
75uA y 125uA. Grafique Vce vs Ic para cada caso.

Características del Colector

a. Construya el circuito de la fig 2.

b. Fijar el voltaje VRB a 3.3V variando el potenciómetro de 1M. Esto fijará IB = VRB/RB a 10A como se indica
en la Tabla 3.

c. Luego fijar VCE a 2V variando el potenciómetro de 5K como se indica en la primera línea de la Tabla

3. d. Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 3.

e. Variar el potenciómetro de 5K parta incrementar V CE de 2 V hasta los valores que aparecen en la Tabla 3.
Notar que IB es mantenida a 10A en los diferentes niveles de VCE.

f. Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala de mV para VBE.

g. Repita los pasos B hasta F para todos los valores indicados en la Tabla 3. Cada valor de V RB establecerá
un nivel diferente de IB para la secuencia de valores de VCE.

h. Después de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de I C = VRC / VC y el valor de IE = Ic + IB. Use
los valores medidos de Rc.
i.
Usando los datos de la Tabla 3, dibuje la curva característica del transistor en la fig. 3 La curva es I C vs. VCE
para los diferentes valores de IB Seleccionar una escala adecuada para Ic e indique cada valor de IB.
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Tabla 3

VRB (V) IB(uA) VCE (V) VRC(V) Ic (mA) VBE (V) IE (mA) α β
(medido) (calculado) (medido) (medido) (calculado) (medido) (calculado) (calculado) (calculado)
3.3 10 2 2.14 1.07 0.689 11.07 0.0966576 0.107
3.3 10 4 2.176 0.544 0.047 10.544 0.0515933 0.0544
3.3 10 6 2.204 0.3673333 0.689 10.367333 0.0354318 0.036733
3.3 10 8 2.233 0.279125 0.685 10.279125 0.0271545 0.027913
3.3 10 10 2.266 0.2266 0.67 10.2266 0.0221579 0.02266
3.3 10 12 2.288 0.1906667 0.66 10.190667 0.0187099 0.019067
3.3 10 14 2.322 0.1658571 0.64 10.165857 0.0163151 0.016586
3.3 10 16 2.347 0.1466875 0.556 10.146688 0.0144567 0.014669

6.6 20 2 4.184 2.092 0.705 22.092 0.0946949 0.1046

6.6 20 4 4.01 1.0025 0.75 21.0025 0.0477324 0.050125
6.6 20 6 4.091 0.6818333 0.75 20.681833 0.0329677 0.034092
6.6 20 8 4.168 0.521 0.75 20.521 0.0253886 0.02605
6.6 20 10 4.261 0.4261 0.75 20.4261 0.0208606 0.021305
6.6 20 12 4.341 0.36175 0.74 20.36175 0.0177662 0.018088
6.6 20 14 4343 310.21429 0.74 330.21429 0.9394333 15.51071

9.9 30 2 5.497 2.7485 0.76 32.7485 0.0839275 0.091617

9.9 30 4 5.654 1.4135 0.76 31.4135 0.0449966 0.047117
9.9 30 6 5.79 0.965 0.76 30.965 0.0311642 0.032167
9.9 30 8 5.942 0.74275 0.75 30.74275 0.0241602 0.024758
9.9 30 10 6.097 0.6097 0.75 30.6097 0.0199185 0.020323

13.2 40 2 7.57 3.785 0.77 43.785 0.0864451 0.094625

13.2 40 4 7.76 1.94 0.76 41.94 0.0462566 0.0485
13.2 40 6 7.99 1.3316667 0.76 41.331667 0.032219 0.033292
13.2 40 8 8.22 1.0275 0.75 41.0275 0.0250442 0.025688

16.5 50 2 9.53 4.765 0.77 54.765 0.0870081 0.0953

16.5 50 4 9.89 2.4725 0.77 52.4725 0.0471199 0.04945
16.5 50 6 10.31 1.7183333 0.76 51.718333 0.0332248 0.034367
16.5 50 8 10.57 1.32125 0.75 51.32125 0.0257447 0.026425

Variación de  y 
Para cada línea de la Tabla 3 Calcule los niveles correspondientes de  y  usando las siguientes ecuaciones:

 = Ic / IE
 = Ic / IB
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CUESTIONARIO FINAL

1 La gráfica Vce vs Ic, ¿qué características tiene?, ¿las intersecciones con el eje ‘x’ i ‘y’ qué representan?

Amplifica la señal de entrada, la intersección con el eje Y indica que esta en saturación y la intersección con
el eje X indica que esta en saturacion

2 ¿Qué diferencias encuentra entre las gráficas para 25, 50, 75 y 125 uA?

La región de saturación se va ampliando mas a medida que aumenta la corriente

3 ¿Cuándo se dice que un transistor está en corte?, ¿se da esta caso en la práctica?

No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor también
es nula.La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. El transistor, entre Colector
y Emisor se comporta como un interruptor abierto.

4 Cuándo se dice que un transistor está en saturación, ¿se logra en la práctica?

Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de

colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta
como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensión de la batería
se encuentra en la carga conectada en el Colector.

5 Indique la relación entre Ic e Ib que encontró en la práctica.

a medida que la corriente IB se mantiene constante la corriente IC disminuye su valor

CONCLUSIONES, OBSERVACIONES Y RECOMENDACIONES