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ELETRÔNICA BÁSICA I

AMPLIFICADORES COM FET – MODELOS


DE JFET PARA PEQUENOS SINAIS

Profa. Rosimeire Aparecida Jerônimo

Parte IA - JFET
2018/1
ANÁLISE DO FET PARA
PEQUENOS SINAIS
CARACTERÍSTICAS
▪ Ótimo ganho de tensão 𝑨𝑽
▪ Alta impedância de entrada 𝒁𝒊
▪ Baixo consumo de potência
▪ Ampla resposta em frequência

CONFIGURAÇÕES
▪ Fonte comum
▪ Dreno comum
▪ Porta comum 2
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
A tensão porta-fonte controla a corrente de dreno-fonte
(canal) de um JFET.

▪ A análise CA de um circuito que utiliza dispositivos JFET requer


o desenvolvimento de um modelo CA de pequenos sinais para
o dispositivo.

▪ Uma tensão porta-fonte controla o valor da corrente CC de


dreno por meio de uma relação conhecida como equação de
Shockley:
𝑽𝑮𝑺 2
𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 𝟏 −
𝑽𝑷
3
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS

▪ A variação na corrente de dreno que resultará de uma


variação na tensão porta-fonte pode ser determinada
utilizando-se o fator de transcondutância 𝒈𝒎 da seguinte
maneira:
𝑰𝑫 = 𝒈𝒎 𝑽𝑮𝑺 (1)

▪ O prefixo trans na terminologia aplicada a 𝒈𝒎 revela que


esse parâmetro estabelece uma relação entre uma
quantidade de saída e a quantidade de entrada.

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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
▪ O radical condutância foi escolhido porque 𝒈𝒎 é
determinado por uma razão corrente-tensão similar à razão
𝟏 𝑰
que define a condutância de um resistor 𝑮 = = .
𝑹 𝑽

▪ Determinado 𝒈𝒎 na Equação (1), temos:

𝑰𝑫
𝒈𝒎 = (2)
𝑽𝑮𝑺

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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DETERMINAÇÃO GRÁFICA DE 𝒈𝒎

▪ Se examinarmos a característica
de transferência da Figura 1,
veremos que 𝒈𝒎 é na verdade a
inclinação da curva no ponto de
operação. Isto é:

𝒚 𝑰
𝒈𝒎 = m = = 𝑫 (3)
𝒙 𝑽𝑮𝑺
Figura 1 – Definição de 𝒈𝒎 a partir
da curva característica de transferência.

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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DETERMINAÇÃO GRÁFICA DE 𝒈𝒎
▪ Ao acompanharmos a curvatura
da característica de transferência,
fica claro que a inclinação, e
portanto 𝒈𝒎 , aumenta à medida
que a curva é percorrida de 𝑽𝑷 até
𝑰𝑫𝑺𝑺 .

▪ Em outras palavras, conforme 𝑽𝑮𝑺


se aproxima de 0 V, o valor de 𝒈𝒎 Figura 1 – Definição de 𝒈𝒎 a partir
aumenta. da curva característica de transferência.

7
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DETERMINAÇÃO GRÁFICA DE 𝒈𝒎

▪ A Equação (2) revela que 𝒈𝒎 pode


ser determinado em qualquer
ponto Q sobre a curva
característica de transferência,
bastando para isso que
escolhamos um incremento finito
em 𝑽𝑮𝑺 (ou em 𝑰𝑫 ) em torno do
ponto Q e depois determinemos a Figura 1 – Definição de 𝒈𝒎 a partir
variação correspondente em 𝑰𝑫 da curva característica de transferência.
(ou 𝑽𝑮𝑺 , respectivamente).
8
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DETERMINAÇÃO GRÁFICA DE 𝒈𝒎

▪ As variações resultantes em
cada variável são então
substituída na Equação (2)
para determinar 𝒈𝒎 .

Figura 1 – Definição de 𝒈𝒎 a partir


da curva característica de transferência.
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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DETERMINAÇÃO GRÁFICA DE 𝒈𝒎
▪ Exemplo 1:
Determine o valor de 𝒈𝒎 para um JFET que
apresenta 𝑰𝑫𝑺𝑺 = 8 mA e 𝑽𝑷 = -4 V nos
seguintes pontos de operação:
Tabela 1– VGS versus ID utilizando
a equação de Shockley.
a) 𝑽𝑮𝑺 = -0,5 V.
b) 𝑽𝑮𝑺 = -1,5 V. VGS (V) ID (mA)
c) 𝑽𝑮𝑺 = -2,5 V. 0 8
Solução: -1,2 4
Determinemos primeiramente a curva de -2 2
transferência, utilizando-se a equação de
-4 0
Shockley, conforme e Tabela 1.
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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DETERMINAÇÃO GRÁFICA DE 𝒈𝒎
▪ Exemplo 1 - Continuação:
Solução - Continuação:
▪ A curva de transferência é gerada como
mostra a Figura 2.

▪ Cada ponto de operação é então


identificado, e uma reta tangente é
traçada sobre cada ponto para melhor
refletir a inclinação da curva na região.

▪ Escolhemos um incremento apropriado Figura 2 – Cálculo de 𝒈𝒎 em


para 𝑽𝑮𝑺 que reflita uma variação para vários pontos de polarização.
ambos os lados de cada ponto Q. 11
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DETERMINAÇÃO GRÁFICA DE 𝒈𝒎
▪ Exemplo 1 - Continuação:
Solução - Continuação:
▪ A Equação (2) é a seguir aplicada para a
determinação de 𝒈𝒎 .
𝑰
a) 𝒈𝒎 = 𝑫
𝑽𝑮𝑺

𝟐,𝟏 𝒎𝑨
𝒈𝒎 =
𝟎,𝟔 𝑽

𝒈𝒎 = 𝟑, 𝟓 𝒎𝑺
Figura 2 – Cálculo de 𝒈𝒎 em
vários pontos de polarização.
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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DETERMINAÇÃO GRÁFICA DE 𝒈𝒎
▪ Exemplo 1 - Continuação:
Solução - Continuação:
𝑰𝑫
b) 𝒈𝒎 =
𝑽𝑮𝑺

𝟏,𝟖 𝒎𝑨
𝒈𝒎 =
𝟎,𝟕 𝑽

𝒈𝒎 = 2, 𝟓𝟕 𝒎𝑺

Figura 2 – Cálculo de 𝒈𝒎 em
vários pontos de polarização.
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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DETERMINAÇÃO GRÁFICA DE 𝒈𝒎
▪ Exemplo 1 - Continuação:
Solução - Continuação:
𝑰𝑫
c) 𝒈𝒎 =
𝑽𝑮𝑺

𝟏,𝟓 𝒎𝑨
𝒈𝒎 =
𝟏,𝟎 𝑽

𝒈𝒎 = 1, 𝟓 𝒎𝑺

▪ Note que 𝒈𝒎 se torna menor à medida Figura 2 – Cálculo de 𝒈𝒎 em


que 𝑽𝑮𝑺 se aproxima de 𝑽𝑷 . vários pontos de polarização.
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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DEFINIÇÃO MATEMÁTICA DE 𝒈𝒎

A derivada de uma função em um ponto é igual à


inclinação da reta tangente traçada nesse ponto.

▪ Se utilizarmos, a derivada de 𝑰𝑫 em relação a 𝑽𝑮𝑺 (cálculo


diferencial) por meio da equação de Shockley, podemos
deduzir uma equação para 𝒈𝒎 da seguinte maneira:

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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DEFINIÇÃO MATEMÁTICA DE 𝒈𝒎
𝒅𝑰𝑫
𝒈𝒎 = ቚ
𝒅𝑽𝑮𝑺 Ponto Q

𝒅 𝑽𝑮𝑺 𝟐
𝒈𝒎 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 𝟏 −
𝒅𝑽𝑮𝑺 𝑽𝑷

𝒅 𝑽𝑮𝑺 2
𝒈𝒎 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 𝟏 −
𝒅𝑽𝑮𝑺 𝑽𝑷

𝑽𝑮𝑺 𝒅 𝑽𝑮𝑺
𝒈𝒎 = 𝟐𝑰𝑫𝑺𝑺 𝟏 − 𝟏 −
𝑽𝑷 𝒅𝑽𝑮𝑺 𝑽𝑷
0 1
𝑽𝑮𝑺 𝒅 𝟏 𝒅𝑽𝑮𝑺
𝒈𝒎 = 𝟐𝑰𝑫𝑺𝑺 𝟏 − 𝟏 −
𝑽𝑷 𝒅𝑽𝑮𝑺 𝑽𝑷 𝒅𝑽𝑮𝑺

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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DEFINIÇÃO MATEMÁTICA DE 𝒈𝒎

▪ Logo:
𝑽𝑮𝑺 𝟏
𝒈𝒎 = 𝟐𝑰𝑫𝑺𝑺 𝟏 − 𝟎−
𝑽𝑷 𝑽𝑷

▪ E portanto:
𝟐𝑰𝑫𝑺𝑺 𝑽𝑮𝑺
𝒈𝒎 = 𝟏− (4)
𝑽𝑷 𝑽𝑷

▪ Sendo que 𝑽𝑷 representa somente a magnitude para


garantir um valor positivo para 𝒈𝒎 .
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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DEFINIÇÃO MATEMÁTICA DE 𝒈𝒎
▪ Conforme mencionado, a inclinação da curva de
transferência é máxima em 𝑽𝑮𝑺 = 0 V.

▪ Introduzindo 𝑽𝑮𝑺 = 0 V na Equação (4), temos a seguinte


equação para o valor máximo de 𝒈𝒎 em um JFET no qual
𝑰𝑫𝑺𝑺 e 𝑽𝑷 foram especificados:
𝟐𝑰𝑫𝑺𝑺 𝟎
𝒈𝒎 = 𝟏 −
𝑽𝑷 𝑽𝑷

e
𝟐𝑰𝑫𝑺𝑺
𝒈𝒎𝟎 = (5)
𝑽𝑷
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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DEFINIÇÃO MATEMÁTICA DE 𝒈𝒎

▪ Sendo que o subscrito 0 (zero) adicionado serve para indicar


que se trata do valor de 𝒈𝒎 quando 𝑽𝑮𝑺 = 0 V.

▪ A Equação (4) então se transforma em:

𝑽𝑮𝑺
𝒈𝒎 = 𝒈𝒎𝟎 𝟏 − (6)
𝑽𝑷

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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DEFINIÇÃO MATEMÁTICA DE 𝒈𝒎
▪ Exemplo 2:
Para o JFET com a curva de transferência do Exemplo 1:

a) Determine o valor máximo de 𝒈𝒎 .


b) Determine o valor de 𝒈𝒎 em cada ponto de operação do Exemplo 1
utilizando a Equação 6 e compare esse valor com os resultados gráficos.

𝑽𝑮𝑺
𝒈𝒎 = 𝒈𝒎𝟎 𝟏 − (6)
𝑽𝑷

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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DEFINIÇÃO MATEMÁTICA DE 𝒈𝒎
▪ Exemplo 2 - Continuação:
Solução:

a) Na equação (6) fazendo-se 𝑽𝑮𝑺 = 0 V, temos.

𝒈𝒎 = 𝒈𝒎𝟎 𝒈𝒎𝟎 = 𝟒 𝐦𝐒
𝟐𝑰𝑫𝑺𝑺
𝒈𝒎𝟎 = Logo:
𝑽𝑷

𝒈𝒎 =4 mS (Valor máximo possível de 𝒈𝒎)


𝟐.(𝟖 𝐦𝐀)
𝒈𝒎𝟎 =
𝟒𝐕

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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DEFINIÇÃO MATEMÁTICA DE 𝒈𝒎
▪ Exemplo 2 - Continuação:
Solução - Continuação:

b) Em 𝑽𝑮𝑺 = -0,5 V
𝑽𝑮𝑺
𝒈𝒎 = 𝒈𝒎𝟎 𝟏 −
𝑽𝑷 Logo:
(−𝟎,𝟓)
𝒈𝒎 = 𝟒 𝐦𝐒 𝟏 − 𝒈𝒎 =3,5 mS
(−𝟒)

𝒈𝒎 = 𝟒 𝐦𝐒 𝟏 − 𝟎, 𝟏𝟐𝟓 (Versus 3,5 mS obtidos graficamente, conforme


o Exemplo 1 )

𝒈𝒎 = 𝟒 𝐦𝐒 𝟎, 𝟖𝟕𝟓
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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DEFINIÇÃO MATEMÁTICA DE 𝒈𝒎
▪ Exemplo 2 - Continuação:
Solução - Continuação:

Em 𝑽𝑮𝑺 = -1,5 V
𝑽𝑮𝑺
𝒈𝒎 = 𝒈𝒎𝟎 𝟏 −
𝑽𝑷 Logo:
(−𝟏,𝟓)
𝒈𝒎 = 𝟒 𝐦𝐒 𝟏 − 𝒈𝒎 =2,5 mS
(−𝟒)

𝒈𝒎 = 𝟒 𝐦𝐒 𝟏 − 𝟎, 𝟑𝟕𝟓 (Versus 2,57 mS obtidos graficamente, conforme


o Exemplo 1 )

𝒈𝒎 = 𝟒 𝐦𝐒 𝟎, 𝟔𝟐𝟓
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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DEFINIÇÃO MATEMÁTICA DE 𝒈𝒎
▪ Exemplo 2 - Continuação:
Solução - Continuação:

Em 𝑽𝑮𝑺 = -2,5 V
𝑽𝑮𝑺
𝒈𝒎 = 𝒈𝒎𝟎 𝟏 −
𝑽𝑷 Logo:
(−𝟐,𝟓)
𝒈𝒎 = 𝟒 𝐦𝐒 𝟏 − 𝒈𝒎 =1,5 mS
(−𝟒)

𝒈𝒎 = 𝟒 𝐦𝐒 𝟏 − 𝟎, 𝟔𝟐𝟓 (Versus 1,5 mS obtidos graficamente, conforme


o Exemplo 1 )

𝒈𝒎 = 𝟒 𝐦𝐒 𝟎, 𝟑𝟕𝟓
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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DEFINIÇÃO MATEMÁTICA DE 𝒈𝒎
▪ Exemplo 2 - Continuação:
Solução - Continuação:

Obs.: Podemos verificar que os resultados do Exemplo 2 são suficientemente


próximos para validar as equações (4) e (6) para uso futuro quando for
necessário determinar 𝒈𝒎 .

25
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
DEFINIÇÃO MATEMÁTICA DE 𝒈𝒎

▪ Nas folhas de dados, 𝒈𝒎 é frequentemente dado como 𝒈𝒇𝒔


ou 𝒚𝒇𝒔 , sendo que 𝒚 indica que esse parâmetro faz parte de
um circuito equivalente de admitâncias.

▪ A letra 𝒇 significa condutância de transferência direta, e o


𝒔 indica que está conectada ao terminal de fonte.

▪ Na forma de equação:
𝒈𝒎 = 𝒈𝒇𝒔 = 𝒚𝒇𝒔 (7)

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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
GRÁFICO DE 𝒈𝒎 versus 𝑽𝑮𝑺
O valor máximo de 𝒈𝒎 ocorre
onde 𝑽𝑮𝑺 = 0 V e o valor
mínimo em 𝑽𝑮𝑺 = 𝑽𝑷 . Quanto
mais negativo o valor de 𝑽𝑮𝑺 ,
menor o valor de 𝒈𝒎 .
𝑽𝑮𝑺
▪ Visto que o fator 𝟏− da
𝑽𝑷
Equação (6) é menor do que 1 para
qualquer valor de 𝑽𝑮𝑺 diferente de
0 V, o valor de 𝒈𝒎 diminui à medida
que 𝑽𝑮𝑺 se aproxima de 𝑽𝑷 , e a razão
𝑽𝑮𝑺
aumenta de valor. Em 𝑽𝑮𝑺 = 𝑽𝑷 , Figura 3 – Cálculo de 𝒈𝒎 versus 𝑽𝑮𝑺 .
𝑽𝑷
𝒈𝒎 = 𝒈𝒎𝟎 𝟏 − 𝟏 = 0. 27
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
GRÁFICO DE 𝒈𝒎 versus 𝑽𝑮𝑺
▪ A Equação (6) define uma
linha reta com um valor
mínimo igual a zero (0) e um
valor máximo igual a 𝒈𝒎 .

▪ A Figura 3 mostra também


que, quando o valor de 𝑽𝑮𝑺 é
metade do valor de pinch-off
(estrangulamento), o valor de
𝒈𝒎 é metade do valor
máximo.

Figura 3 – Cálculo de 𝒈𝒎 versus 𝑽𝑮𝑺 .


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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
GRÁFICO DE 𝒈𝒎 versus 𝑽𝑮𝑺

▪ Exemplo 3:
Trace o gráfico 𝒈𝒎 versus 𝑽𝑮𝑺 para os JFETs dos exemplos 1 e 2.

29
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
GRÁFICO DE 𝒈𝒎 versus 𝑽𝑮𝑺
▪ Exemplo 3 - Continuação:
Solução:

Figura 4 - Gráfico de 𝒈𝒎 versus 𝑽𝑮𝑺 para um JFET com 𝑰𝑫𝑺𝑺 = 8 mA e 𝑽𝑷 = -4 V.


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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
EFEITO DE 𝑰𝑫 sobre 𝒈𝒎

𝑽𝑮𝑺 2 𝑽𝑮𝑺 𝑰𝑫
𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 𝟏 − 1− = (8)
𝑽𝑷 𝑽𝑷 𝑰𝑫𝑺𝑺

▪ Substituindo a Equação (8) na Equação (6), temos:


𝑽𝑮𝑺
𝒈𝒎 = 𝒈𝒎𝟎 𝟏 −
𝑽𝑷

𝑰𝑫
𝒈𝒎 = 𝒈𝒎𝟎 (9)
𝑰𝑫𝑺𝑺

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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
EFEITO DE 𝑰𝑫 sobre 𝒈𝒎

▪ Usando a Equação (9) para determinar 𝒈𝒎 para alguns


valores específicos de 𝑰𝑫 , obtemos os seguintes resultados:
a) Se 𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 1
𝑰𝑫𝑺𝑺
𝒈𝒎 = 𝒈𝒎𝟎
𝑰𝑫𝑺𝑺

𝒈𝒎 = 𝒈𝒎𝟎

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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
EFEITO DE 𝑰𝑫 sobre 𝒈𝒎

b) Se 𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺
𝟐
𝑰𝑫𝑺𝑺
𝟐
𝒈𝒎 = 𝒈𝒎𝟎
𝑰𝑫𝑺𝑺

𝒈𝒎 = 𝟎, 𝟕𝟎𝟕𝒈𝒎𝟎

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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
EFEITO DE 𝑰𝑫 sobre 𝒈𝒎

c) Se 𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺
𝟒
𝑰𝑫𝑺𝑺
𝟒
𝒈𝒎 = 𝒈𝒎𝟎
𝑰𝑫𝑺𝑺

𝒈𝒎 = 𝟎, 𝟓𝒈𝒎𝟎

34
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
EFEITO DE 𝑰𝑫 sobre 𝒈𝒎

▪ Exemplo 4:
Trace o gráfico de 𝒈𝒎 versus 𝑰𝑫 para o JFET dos exemplos 1 a 3.

35
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
EFEITO DE 𝑰𝑫 sobre 𝒈𝒎
▪ Exemplo 4 - Continuação:
Solução:
Os valores mais altos de
𝒈𝒎 são obtidos quando
𝑽𝑮𝑺 se aproxima de 0 V e
quando 𝑰𝑫 se aproxima de
seu valor máximo 𝑰𝑫𝑺𝑺 .

Figura 5 – Gráfico de 𝒈𝒎 versus 𝑰𝑫 para um JFET com 𝑰𝑫𝑺𝑺 = 8 mA e 𝑽𝑮𝑺 = -4 V. 36


MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
IMPEDÂNCIA DE ENTRADA DO JFET 𝒁𝒊
𝒁𝒊 (JFET) = ∞  (10)

Suficientemente alta para assumirmos que os terminais


de entrada aproximam-se de um circuito aberto.

Exemplo:

JFET 𝟏𝟎𝟗  (1000 M)

MOSFETs 𝟏𝟎𝟏𝟐  a 𝟏𝟎𝟏𝟓  (são mais comuns)


37
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS

IMPEDÂNCIA DE SAÍDA DO JFET 𝒁𝒐


𝟏 𝟏
𝒁𝒐 (JFET) = 𝒓𝒅 = = (11)
𝒈𝒐𝒔 𝒚𝒐𝒔

▪ Possui valor similar ao da impedância de saída dos TBJs convencionais.


▪ O parâmetro 𝒚𝒐𝒔 é um componente do circuito equivalente de
admitâncias.
▪ O subscrito o significa parâmetro de saída do circuito (output) e, s, o
terminal de fonte (source) ao qual está ligado no modelo.

Exemplo:
𝒚𝒐𝒔 = 50 S 𝒁𝒐 = 20 k
38
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
IMPEDÂNCIA DE SAÍDA DO JFET 𝒁𝒐
▪ A impedância de saída é definida
nas curvas características da Figura
6 como a inclinação da curva
característica horizontal no ponto
de operação.

▪ Quanto mais horizontal a curva,


maior a impedância de saída.

▪ Se a curva for perfeitamente


horizontal, a situação ideal estará
de acordo com a impedância de
Figura 6 – Definição de 𝐫𝐝 a partir
saída infinita (um circuito aberto) – das curvas características de
uma aproximação bastante comum. dreno JFET. 39
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
IMPEDÂNCIA DE SAÍDA DO JFET 𝒁𝒐
𝑽𝑫𝑺 (12)
𝒓𝒅 = ฬ
𝑰𝑫 𝑽𝑮𝑺 = constante
▪ Ao aplicarmos a Equação (12), a
tensão 𝑽𝑮𝑺 deve permanecer
constante quando 𝒓𝒅 for
determinada.
▪ Isso é feito traçando-se uma linha
reta que se aproxima da linha de
𝑽𝑮𝑺 no ponto de operação.
▪ Um  𝑽𝑫𝑺 ou  𝑰𝑫 é então
escolhido, e a outra variável é Figura 6 – Definição de 𝐫𝐝 a partir
medida para ser utilizada na das curvas características de
equação. dreno JFET.
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MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
IMPEDÂNCIA DE SAÍDA DO JFET 𝒁𝒐
▪ Exemplo 5:

Determine a impedância de
saída para o JFET da Figura 7
com 𝑽𝑮𝑺 = 0 V e 𝑽𝑮𝑺 = -2 V em
𝑽𝑫𝑺 = 8 V.

Figura 7 – Curvas características


de dreno utilizadas para calcular
𝒓𝒅 no Exemplo 5. 41
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
IMPEDÂNCIA DE SAÍDA DO JFET 𝒁𝒐
▪ Exemplo 5 - Continuação:
Solução:
▪ Para 𝑽𝑮𝑺 = 0 V, uma reta
tangente é desenhada e
∆𝑽𝑫𝑺 é escolhida como
sendo igual a 5 V, o que
resulta em ∆𝑰𝑫 de 0,2 mA.
Temos que:
∆𝑽𝑫𝑺
𝒓𝒅 = ቚ
∆𝑰𝑫 𝑽 =𝟎𝑽
𝑮𝑺

𝟓𝐕
𝒓𝒅 = Figura 7 – Curvas características
𝟎,𝟐 𝐦𝐀
de dreno utilizadas para calcular
𝒓𝒅 = 25 kΩ 𝒓𝒅 no Exemplo 5. 42
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
IMPEDÂNCIA DE SAÍDA DO JFET 𝒁𝒐
▪ Exemplo 5 - Continuação:
Solução:
▪ Para 𝑽𝑮𝑺 = -2 V, uma reta
tangente é desenhada e
∆𝑽𝑫𝑺 é escolhida como
sendo igual a 8 V, o que
resulta em ∆𝑰𝑫 de 0,1 mA.
Temos que:
∆𝑽𝑫𝑺
𝒓𝒅 = ቚ
∆𝑰𝑫 𝑽 =−𝟐 𝐕
𝑮𝑺
𝟖𝐕
𝒓𝒅 =
𝟎,𝟏 𝐦𝐀
Figura 7 – Curvas características
de dreno utilizadas para calcular
𝒓𝒅 = 80 kΩ 𝒓𝒅 no Exemplo 5. 43
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
IMPEDÂNCIA DE SAÍDA DO JFET 𝒁𝒐
▪ Exemplo 5 - Continuação:

Solução:

Obs.: Nota-se que o valor de


𝒓𝒅 muda de uma região de
operação para outra com
valores menores ocorrendo
para valores menores de 𝑽𝑮𝑺
(próximos de 0 V).

Figura 7 – Curvas características


de dreno utilizadas para calcular
𝒓𝒅 no Exemplo 5. 44
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
CIRCUITO EQUIVALENTE CA DO JFET

▪ Um modelo de transistor JFET no


domínio CA é apresentado,
conforme a Figura 8.

▪ O controle de 𝑰𝑫 por 𝑽𝒈𝒔 é


incluído como uma fonte de
corrente 𝒈𝒎 𝑽𝒈𝒔 conectada ao
dreno para a fonte, como
ilustrado na Figura 8.
Figura 8 – Circuito
equivalente CA do JFET.
45
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
CIRCUITO EQUIVALENTE CA DO JFET
▪ A seta da fonte de corrente
aponta o dreno para a fonte
para estabelecer um
deslocamento de fase de 180o
entre as tensões de saída e de
entrada, assim como ocorrerá na
operação real.

▪ A impedância de entrada é
representada pelo circuito
aberto nos terminais de entrada,
e a impedância de saída é Figura 8 – Circuito
representada pelo resistor 𝒓𝒅 do equivalente CA do JFET.
dreno para a fonte. 46
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
CIRCUITO EQUIVALENTE CA DO JFET

▪ Nesse caso, a tensão porta-fonte


é representada por 𝑽𝒈𝒔
(subscritos em letras minúscula)
para que seja distinguida dos
valores CC.

▪ A fonte é comum aos terminais


de entrada e saída, enquanto os
terminais de porta e dreno se
“relacionam” apenas através da
fonte de corrente controlada Figura 8 – Circuito
equivalente CA do JFET.
𝒈𝒎 𝑽𝒈𝒔 .
47
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
CIRCUITO EQUIVALENTE CA DO JFET

▪ Em situações em que 𝒓𝒅 é ignorado


(considerado suficientemente alto
em relação aos outros elementos
do circuito para ser aproximado
por um circuito aberto), o circuito
equivalente é simplesmente uma
fonte de corrente cujo valor é
controlado pelo sinal 𝑽𝒈𝒔 e pelo
parâmetro 𝒈𝒎 - claramente um
dispositivo controlado por tensão .
Figura 8 – Circuito
equivalente CA do JFET.
48
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
CIRCUITO EQUIVALENTE CA DO JFET
▪ Exemplo 6:
Sabendo que 𝒈𝒇𝒔 = 𝟑, 𝟖 𝐦𝐒 e 𝒈𝒐𝒔 = 20 S, esboce o modelo equivalente CA
do FET.
Solução:
𝒈𝒎 = 𝒈𝒇𝒔
Logo:

𝒈𝒎 = 3,8 mS

𝟏
𝒓𝒅 =
𝒈𝒐𝒔
49
MODELO DE JFET PARA
PEQUENOS SINAIS
CIRCUITO EQUIVALENTE CA DO JFET
▪ Exemplo 6:
Solução:

𝟏
𝒓𝒅 =
𝟐𝟎 𝝁𝑺

Portanto: Figura 9 – Modelo equivalente


CA do JFET para o Exemplo 6.
𝒓𝒅 = 𝟓𝟎 𝒌

O modelo equivalente CA é dado


na Figura 9.

50
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA

▪ A configuração com polarização


fixa da Figura 9 inclui os
capacitores de acoplamento 𝑪𝟏
e 𝑪𝟐 , que isolam o circuito de
polarização do sinal aplicado e
da carga; eles atuam como
curto-circuito equivalentes para
a análise CA.

Figura 9 – Configuração do JFET


com polarização fixa.
51
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA
▪ Uma vez que os valores
de 𝒈𝒎 e 𝒓𝒅 são
determinados a partir da
polarização CC, da folha
de dados ou da curva
característica, o modelo
CA equivalente pode ser
substituído entre os
terminais apropriados,
Figura 10 – Substituição do circuito
como mostra a Figura equivalente CA do JFET no circuito da
10. Figura 9.
52
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA

▪ Ambos os capacitores possuem


curtos-circuitos equivalentes
porque seus valores de reatância
𝟏
𝑿𝑪 = são suficientemente
𝟐𝒇𝑪
pequenos, se comparados com
os outros valores de impedância
do circuito, e as fontes CC (𝑽𝑮𝑮 e
𝑽𝑫𝑫 ) são colocados em 0 V por Figura 10 – Substituição do circuito
equivalente CA do JFET no circuito da
um curto-circuito equivalente. Figura 9.
53
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA

▪ O circuito da Figura 10 é então


cuidadosamente redesenhado,
como mostra a Figura 11.

▪ Observe a polaridade definida


para 𝑽𝒈𝒔 , que define o sentido
de 𝒈𝒎 𝑽𝒈𝒔 .

▪ Se 𝑽𝒈𝒔 for negativa, o sentido da Figura 11 – Circuito redesenhado da Figura


fonte de corrente é invertido. 10.

54
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA

▪ O sinal aplicado é representado


por 𝑽𝒊 , e o sinal de saída através
de 𝑹𝑫 ԡ𝒓𝒅 é representado por
𝑽𝒐 .

▪ Impedância de Entrada 𝒁𝒊 :

𝒁𝒊 = 𝑹𝑮 (13)

Figura 11 – Circuito redesenhado da Figura


devido à impedância de entrada 10.
infinita nos terminais de entrada do
JFET. 55
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA
▪ Impedância de Saída 𝒁𝒐 :

𝑽𝒊 = 𝟎 𝑽 𝒊𝒎𝒑𝒍𝒊𝒄𝒂 𝑽𝒈𝒔 → 0 V  𝒈𝒎 𝑽𝒈𝒔 = 0 mA

E a fonte de corrente pode ser


substituída por um circuito aberto
equivalente, como mostra a Figura
12.

A impedância de saída é: Figura 12 – Determinação


de 𝒁𝒐 .
𝒁𝒐 = 𝑹𝑫 ԡ𝒓𝒅 (14)
56
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA
▪ Impedância de Saída 𝒁𝒐 :
Se a resistência 𝒓𝒅 for suficientemente
alta (pelo menos 10:1), comparada
com 𝑹𝑫 a aproximação 𝒓𝒅 ԡ𝑹𝑫 ≅ 𝑹𝑫
poderá ser aplicada e:

𝒁𝒐 ≅ 𝑹𝑫 (15)
𝒓𝒅 ≥ 𝟏𝟎𝑹𝑫

Figura 12 – Determinação
de 𝒁𝒐 .

57
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA
▪ Ganho de Tensão 𝑨𝒗 :
Calculando 𝑽𝒐 na Figura 11,
determinamos:

𝑽𝒐 = −𝒈𝒎 𝑽𝒈𝒔 𝒓𝒅 ԡ𝑹𝑫

Mas:
𝑽𝒈𝒔 = 𝑽𝒊
e: Figura 11 – Circuito redesenhado da Figura
10.
𝑽𝒐 = −𝒈𝒎 𝑽𝒊 𝒓𝒅 ԡ𝑹𝑫
58
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA
▪ Ganho de Tensão 𝑨𝒗 :
de modo que:
𝑽𝒐
𝑨𝒗 = = -𝒈𝒎 𝒓𝒅 ԡ𝑹𝑫 (16)
𝑽𝒊

Se 𝒓𝒅 ≥ 𝟏𝟎𝑹𝑫 :
𝑽𝒐
𝑨𝒗 = = -𝒈𝒎 𝑹𝑫 (17)
𝑽𝒊 𝒓𝒅 ≥ 𝟏𝟎𝑹𝑫 Figura 11 – Circuito redesenhado da Figura
10.

59
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA
▪ Relação de Fase:

O sinal negativo na equação resultante de 𝑨𝒗 revela claramente


que há um deslocamento de fase de 180o entre as tensões de
entrada e saída.

60
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
➢ 𝑹𝑺 com desvio
▪ A configuração com polarização fixa
apresenta a desvantagem de exigir
duas fontes de tensão CC.

▪ A configuração com autopolarização


da Figura 13 requer somente uma
fonte CC para estabelecer o ponto
de operação desejado.
Figura 13 – Configuração do JFET
com autopolarização.

61
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
➢ 𝑹𝑺 com desvio
▪ O capacitor 𝑪𝑺 em paralelo com a
resistência de fonte representa um
circuito aberto equivalente para a
operação CC, o que permite que 𝑹𝑺
defina o ponto de operação.

▪ Sob condições CA, o capacitor


assume o estado de curto-circuito e
“curta-circuita” o efeito de 𝑹𝑺 . Figura 13 – Configuração do JFET
com autopolarização.

62
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
➢ 𝑹𝑺 com desvio
▪ O circuito equivalente do JFET é apresentado na Figura 14 e
cuidadosamente redesenhado na Figura 15.

Figura 14 – Circuito da Figura 13 após a substituição do circuito equivalente CA do JFET.


63
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
➢ 𝑹𝑺 com desvio
▪ O circuito equivalente do JFET é
apresentado na Figura 14 e
cuidadosamente redesenhado
na Figura 15.

▪ Visto que a configuração


resultante é a mesma mostrada
na Figura 11, as equações para Figura 15 – Circuito redesenhado da
𝒁𝒊 , 𝒁𝒐 e 𝑨𝒗 são as mesmas. Figura 14.

64
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
➢ 𝑹𝑺 com desvio
▪ Impedância de Entrada 𝒁𝒊 :

𝒁𝒊 = 𝑹𝑮 (18)

▪ Impedância de Saída 𝒁𝒐 :
Figura 15 – Circuito redesenhado da
𝒁𝒐 = 𝑹𝑫 ԡ𝒓𝒅 (19)
Figura 14.

65
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
➢ 𝑹𝑺 com desvio

▪ Impedância de Saída 𝒁𝒐 :
Se 𝒓𝒅 ≥ 𝟏𝟎𝑹𝑫 :
𝑽𝒐
𝑨𝒗 = = -𝒈𝒎 𝑹𝑫 (20)
𝑽𝒊
𝒓𝒅 ≥ 𝟏𝟎𝑹𝑫

Figura 15 – Circuito redesenhado da


Figura 14.

66
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
➢ 𝑹𝑺 com desvio

▪ Ganho de Tensão 𝑨𝒗 :

𝑽𝒐
𝑨𝒗 = = -𝒈𝒎 𝒓𝒅 ԡ𝑹𝑫 (21)
𝑽𝒊

Se 𝒓𝒅 ≥ 𝟏𝟎𝑹𝑫 :
Figura 15 – Circuito redesenhado da
Figura 14.
𝑽𝒐
𝑨𝒗 = = -𝒈𝒎 𝑹𝑫 (22)
𝑽𝒊 𝒓𝒅 ≥ 𝟏𝟎𝑹𝑫
67
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
➢ 𝑹𝑺 com desvio

▪ Relação de Fase:

O sinal negativo na equação resultante de 𝑨𝒗 revela claramente


que há um deslocamento de fase de 180o entre 𝑽𝒊 e 𝑽𝒐 .

68
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
➢ 𝑹𝑺 sem desvio

▪ Se 𝑪𝑺 for removido da Figura


13, o resistor 𝑹𝑺 será parte do
circuito equivalente CA, como
mostra a Figura 16.

▪ Nesse caso, não há uma


forma óbvia de reduzir o
circuito para diminuir seu Figura 16 – Configuração do JFET com
nível de complexidade. autopolarização que inclui o efeito de
𝑹𝑺 com 𝒓𝒅 = ∞ .
69
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
➢ 𝑹𝑺 sem desvio

▪ Ao determinar 𝒁𝒊 , 𝒁𝒐 e 𝑨𝒗 ,
devemos tomar cuidado com a
notação, com as polaridades e
com os sentidos de corrente
definidos.

▪ Inicialmente a resistência 𝒓𝒅
não será incluída na análise Figura 16 – Configuração do JFET com
para que possa ter uma base autopolarização que inclui o efeito de
de comparação. 𝑹𝑺 com 𝒓𝒅 = ∞ .
70
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
➢ 𝑹𝑺 sem desvio
▪ Impedância de Entrada 𝒁𝒊 :

Devido à condição de circuito


aberto entre a porta e o circuito de
saída, a entrada mantém como a
seguir:

𝒁𝒊 = 𝑹𝑮 (23) Figura 16 – Configuração do JFET com


autopolarização que inclui o efeito de
𝑹𝑺 com 𝒓𝒅 = ∞ .
71
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
➢ 𝑹𝑺 sem desvio
▪ Impedância de Saída 𝒁𝒐 :

A impedância de saída é
definida por:
𝑽𝒐
𝒁𝒐 = ቚ
𝑰𝒐 𝑽𝒊 = 0

Estabelecer 𝑽𝒊 = 0 V na Figura
16 faz com que o terminal da Figura 16 – Configuração do JFET com
porta fique no potencial do terra autopolarização que inclui o efeito de
(0 V). 𝑹𝑺 com 𝒓𝒅 = ∞ .
72
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
➢ 𝑹𝑺 sem desvio
▪ Impedância de Saída 𝒁𝒐 :

▪ Assim, a tensão através de


𝑹𝑮 é 0 V, o que equivale a
“cortá-lo” da figura.

▪ Aplicando a Lei das


Correntes de Kirchhoff, e
trabalhando nas equações Figura 16 – Configuração do JFET com
resulta em: autopolarização que inclui o efeito de
𝑹𝑺 com 𝒓𝒅 = ∞ .
73
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
➢ 𝑹𝑺 sem desvio
▪ Impedância de Saída 𝒁𝒐 :

𝑽𝒐
𝒁𝒐 = = 𝑹𝑫 (24)
𝑰𝒐 𝒓𝒅 = ∞ 

▪ Se 𝒓𝒅 for incluído no
circuito, o equivalente
aparecerá como mostra a
Figura 16 – Configuração do JFET com
Figura 17. autopolarização que inclui o efeito de
𝑹𝑺 com 𝒓𝒅 = ∞ .
74
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
➢ 𝑹𝑺 sem desvio
▪ Impedância de Saída 𝒁𝒐 :
𝑽 𝑰𝑫 𝑹𝑫
▪ Visto que 𝒁𝒐 = 𝑰 𝒐ቚ 𝑽 =0
=-
𝑰𝒐
𝒐 𝒊

▪ Aplicando a Lei das


Correntes de Kirchhoff, e
trabalhando nas equações
resulta em: Figura 17 – Inclusão dos efeitos de 𝒓𝒅
na configuração de autopolarização do
JFET.
75
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
➢ 𝑹𝑺 sem desvio
▪ Impedância de Saída 𝒁𝒐 :

𝑹
𝟏+ 𝒈𝒎 𝑹𝑺 + 𝒓 𝑺
𝒁𝒐 = 𝒅
𝑹𝑫 (25.a)
𝑹 𝑹
𝟏+ 𝒈𝒎 𝑹𝑺 + 𝑺 + 𝑫
𝒓𝒅 𝒓𝒅

▪ Para 𝒓𝒅 ≥ 𝟏𝟎𝑹𝑫 :

𝒁𝒐 ≅ 𝑹𝑫 (25.b)
Figura 17 – Inclusão dos efeitos de 𝒓𝒅
𝒓𝒅 ≥ 𝟏𝟎𝑹𝑫
na configuração de autopolarização do
JFET.
76
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
➢ 𝑹𝑺 sem desvio
▪ G𝐚𝐧𝐡𝐨 𝐝𝐞 𝐓𝐞𝐧𝐬ã𝐨 𝑨𝒗 :

𝑽𝒐 𝒈𝒎 𝑹 𝑫
𝑨𝒗 = =- 𝑹 +𝑹 (26)
𝑽𝒊 𝟏+ 𝒈𝒎 𝑹𝑺 + 𝑫𝒓 𝑺
𝒅

▪ Novamente, se 𝒓𝒅 ≥ 𝟏𝟎 𝑹𝑫 + 𝑹𝑺 :
𝑽𝒐 𝒈𝒎 𝑹 𝑫
𝑨𝒗 = ≅- (27) Figura 17 – Inclusão dos efeitos de 𝒓𝒅
𝑽𝒊 𝟏+ 𝒈𝒎 𝑹𝑺 𝒓𝒅 ≥ 𝟏𝟎 𝑹𝑫 + 𝑹𝑺 na configuração de autopolarização do
JFET.
77
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
➢ 𝑹𝑺 sem desvio
▪ Relação de Fase:

O sinal negativo na Equação (26) indica novamente que há um


deslocamento de fase de 180o entre 𝑽𝒊 e 𝑽𝒐 .

78
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM DIVISOR DE TENSÃO
▪ A configuração com
divisor de tensão mais
comum para o TBJ pode
ser aplicada também ao
JFET, como demonstra a
Figura 18.

▪ Substituindo o JFET para


o modelo equivalente de
pequenos sinais (modelo
equivalente CA), resulta Figura 18 – Configuração do JFET com
divisor de tensão.
na Figura 19. 79
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM DIVISOR DE TENSÃO
▪ Impedância de Entrada 𝒁𝒊 :

▪ 𝑹𝟏 e 𝑹𝟐 estão em paralelo com


o circuito aberto equivalente do
JFET, o que resulta em:

𝒁𝒊 = 𝑹𝟏 ԡ𝑹𝟐 (28)

▪ Impedância de Saída 𝒁𝒐 :

▪ Estabelecer 𝑽𝒊 = 0 V significa que Figura 19 – Circuito da Figura 18 sob


𝑽𝒈𝒔 e 𝒈𝒎 𝑽𝒈𝒔 também são iguais condições CA.
a zero e: 80
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM DIVISOR DE TENSÃO
▪ Impedância de Saída 𝒁𝒐 :

𝒁𝒐 = 𝒓𝒅 ԡ𝑹𝑫 (29)

▪ Para 𝒓𝒅 ≥ 𝟏𝟎𝑹𝑫 :

𝒁𝒐 ≅ 𝑹𝑫 (30)
𝒓𝒅 ≥ 𝟏𝟎𝑹𝑫

Figura 19 – Circuito da Figura 18 sob


condições CA.
81
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM DIVISOR DE TENSÃO
▪ G𝐚𝐧𝐡𝐨 𝐝𝐞 𝐓𝐞𝐧𝐬ã𝐨 𝑨𝒗 :

𝑽𝒐
𝑨𝒗 = = -𝒈𝒎 𝒓𝒅 ԡ𝑹𝑫 (31)
𝑽𝒊

▪ Se 𝒓𝒅 ≥ 𝟏𝟎𝑹𝑫 :
𝑽𝒐 (32)
𝑨𝒗 = = -𝒈𝒎 𝑹𝑫
𝑽𝒊 𝒓𝒅 ≥ 𝟏𝟎𝑹𝑫

Figura 19 – Circuito da Figura 18 sob


condições CA.
82
CIRCUITOS CA E
POLARIZAÇÃO DO JFET
CONFIGURAÇÃO COM DIVISOR DE TENSÃO

▪ Observe que as equações 𝒁𝒐 e


𝑨𝒗 são as mesmas obtidas para
as configurações com polarização
fixa e autopolarização (com 𝑹𝑺
com desvio).

▪ A única diferença é a equação


para 𝒁𝒊 , que agora é sensível à
combinação em paralelo de 𝑹𝟏 e
𝑹𝟐 . Figura 19 – Circuito da Figura 18 sob
condições CA.
83
REFERÊNCIA
BIBLIOGRÁFICA

- Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos.


R. L. Boylestad, L. Nashelsky.
11a. ed. Editora Pearson Prentice Hall.

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