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Ruído em Sistemas de Telecomunicações

SEL 413 Telecomunicações

Amílcar Careli César


Departamento de Engenharia Elétrica da EESC-USP
Atenção!

 Este material didático é


planejado para servir de apoio
às aulas de SEL-413:
Telecomunicações, oferecida
aos alunos regularmente
matriculados no curso de
engenharia aeronáutica.
 Não são permitidas a
reprodução e/ou
comercialização do material.
 solicitar autorização ao
docente para qualquer tipo de
uso distinto daquele para o
qual foi planejado.

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Ruído em sistemas de telecomunicações
Efeito
– Limita o desempenho dos sistemas; distorce e
degrada informação recebida
Fontes
– Interna: ruído gerado pelos componentes
– Externa: ruído cósmico de fundo, ruído das
estrelas (incluindo o Sol), eletricidade estática,
raios, ignição de motores

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Efeitos do ruído sobre sinais

http://davidwills.net/cmit265/Images/noise.jpg

Si Wang, Ting-Zhu Huang, Xi-le Zhao, and Jun Liu, “An


Alternating Direction Method for Mixed Gaussian Plus
Impulse Noise Removal”
Abstract and Applied Analysis
v.2013 (2013), Article ID 850360,
http://dx.doi.org/10.1155/2013/850360

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Tipos de ruído
 Ruído térmico
– Gerado por agitação térmica de elétrons em condutor
 Ruído shot
– Gerado quando há barreira de potencial; junção PN;
semicondutores. Em geral, semicondutores produzem
ruído shot e ruído térmico
 Ruído flicker (tremulação, lampejo)
– Associado à defeitos superficiais em semicondutores;
produzido em dispositivos a vácuo (revestimento
óxido de cátodo); fenômeno natural como radiação
nuclear
– Inversamente proporcional à frequência (1/f)

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Ruído adicionado ao canal de comunicação

TRANSMISSOR CANAL RECEPTOR

Fonte da Destino da
informação informação
Distorção
Interferência
Ruído

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Potência média de ruído vs. frequência
produzido pelo homem na cidade
50
produzido pelo homem nos
40 subúrbios
dB acima de kTB

atmosférico
30

galáctico
20

10

290 K 0

-10
10 102 103 104
Frequência (MHz)
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Ruído térmico-1
Movimento aleatório de elétrons livres em
condutores causado por agitação térmica
Nos terminais do condutor há tensão em
circuito aberto
A resistência do condutor comporta-se como
um gerador de ruído
O gerador de ruído pode ser representado
pelo circuito equivalente de Thevenin
O espectro de ruído de faixa larga é conhecido
como ruído Johnson (1928)
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Ruído térmico-2

Valor médio quadrático

2
volt2 rms
n

k: constante de Boltzmann, = 1,38.10-23 , J/K


T: temperatura do resistor, K
R: resistência, Ω
B: largura de faixa, Hz

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Ruído térmico-3

R, sem ruído

T R, com ruído
± vn  4kTBR

v  4kTRB
Fonte de tensão
2 de ruído
volt2 rms
n

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Ruído térmico-4

R, sem ruído

4kTB
± vn  4kTBR  in 
R
R,
Sem ruído

Fonte de tensão Fonte de corrente


de ruído de ruído

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Exemplo
Exemplo: R=50 ohms; T=290 K; B=1 GHz

vn  (4)(1, 38  1023 )(290)(1  109 )

vn  28, 3 V rms

50 ohms, sem ruído

± vn  28, 3 V rms

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Potência disponível de ruído
Máxima potência que uma fonte de ruído transfere para uma carga resistiva.
Esta carga é igual à resistência interna do gerador

 v  v  v 2
4KTBR
 n  n 

Pdisp  VR I R       n

  2R  4R
 2  4R

vn ± IR R VR 
vn Pdisp  KTB watt
2

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Temperatura ambiente
T  20 0C

PN  KTB

 1, 38  1023 J / K 293 K 1 Hz   
 4, 057  1021 J  Hz 
 4, 057  1021 J  s 1  
 4, 057  1021 W
Equivalente a
PN  174 dBm
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Largura de faixa e potência de ruído
Largura de faixa Potência de Ruído Térmico
(Hz) (dBm)
1 −174
10 −164
100 −154
1k −144
10 k −134
100 k −124
180 k −121,45
200 k −120,98
1M −114
2M −111
6M −106
20 M −101

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Ruído nas portas de amplificador

N i  KTB watt N 0  GAN i  N 0,int watt

R,
290 K F, GA

Ni : ruído gerado na entrada pelo resistor R em temperatura ambiente T


No : ruído na saída do amplificador
No,int : ruído gerado internamente
GA: ganho de potência disponível
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Figura de ruído
 SNR 
F (dB )  10 log  i 

 SNR0 
Si
SNRi  Relação sinal-ruído na entrada
Ni
S0
SNR0  Relação sinal-ruído na saída
N0

SNRi
Se SNRi  SNR0 ;  1e F  0 dB
SNR0

Na prática, SNR0< SNRi e F>0 dB

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Fator de ruído de amplificador

Si ; N i S0 ; N 0

F, GA

SNRi Si N i Si N 0 N0 1 N0
F    
SNR0 S0 N 0 S 0N i N i S 0 Si GAN i

GA: ganho de potência disponível

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Fator de ruído de amplificador

N i  KTB watt N 0  GAN i  N 0,int watt

F, GA

N0 GAN i  N 0,int N 0,int


F  1
GAN i GAN i GAN i

N 0,int
F 1 Relação entre potências de ruído
GAN i
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Amplificadores em cascata-1

F1, GA1, B F2, GA2, B

N i  KTB
N 01  GA1N i  N 01,int

N 02  GA2GA1N i  GA2N 01,int  N 02,int

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Amplificadores em cascata-2

N i  KTB N 02

F1, GA1, B F2, GA2, B

N 01,int N 02,int
F1  1  F2  1 
GA1N i G A 2N i

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Amplificadores em cascata-3

N i  KTB N 01 N 02

F1, GA1, B F2, GA2, B

N 01,int  F1  1GA1N i N 02,int  F2  1GA2N i

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Amplificadores em cascata-4

N 01,int  F1  1GA1N i N 02,int  F2  1GA2N i

N 02  GA2GA1N i  GA2N 01,int  N 02,int

N 02  GA2GA1N i  F1  1GA2GA1N i  F2  1GA2N i

Dividindo por GA2GA1N i

N 02 F  1
 1  F1  1 
2

GA2GA1N i GA1
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Amplificadores em cascata-5

N 02 F  1
 1  F1  1 
2

GA2GA1N i GA1

N 02
 FA Fator de ruído da associação dos 2 amplificadores
GA2GA1N i

F2  1
FA  F1 
GA1
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Amplificadores ruidosos em cascata-6

R,
290 K F1 , G 1 , B F2, G2, B F3, G3, B Fn , G n , B

F2  1 F3  1 Fn  1
F1,n  F1   
G1 G1G2 G1G2 Gn 1
F1,n: fator de ruído global (relação entre potências); Fn: fator de ruído do
n-ésimo estágio; Gn: ganho do n-ésimo estágio (relação entre potências);
B: largura de faixa dos estágios amplificadores
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Figura de ruído de 3 amplificadores em cascata

4.0
F1=2,5 dB
3.8
F2=3,0 dB
F2  1 F3  1 F3=3,0 dB
3.6
F1,3  F1  
G1 G1G2 GA2=10 dB
Figura de ruído (dB)

3.4
GA3=15 dB
3.2

3.0

2.8

2.6
2,5
2.4
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
Ganho de potência disponível do primeiro amplificador (dB)

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Figura de ruído de 3 amplificadores em cascata
1200
F2=3,0 dB
1000 F3=3,0 dB
F2  1 F3  1 GA1=3 dB
F1,3  F1  
800
G1 G1G2 GA2=10 dB
Figura de ruído (dB)

GA3=15 dB
600

400

200

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
Figura de ruído do primeiro amplificador (dB)

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Exemplo-1

OL

A1 × A2

Amplificador RF Oscilador local Amplificador FI


F1=3 dB (2×) Misturador F3=8 dB (6,3×)
GA1=20 dB (100×) F2=6,8 dB (4,79×) GA3=20 dB (100×)
L2=6 dB (3,98×)
Perda de conversão
F2=L2Tm
Tm : temperatura do
misturador

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Exemplo-2

F1=3 dB (2×) F2=6,8 dB (4,79×) F3=8 dB (6,3×)


GA1=20 dB (100×) L2=6 dB (3,98×) GA3=20 dB (100×)

F2  1 F3  1
F1,3  F1  
GA1 GA2GA1

F1  2; F2  4, 79; F3  6, 3
1 1
GA1  100; GA2  = ;GA3  100
L2 3, 98

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Exemplo-3

F1=3 dB (2×) F2=6,8 dB (4,79×) F3=8 dB (6,3×)


GA1=20 dB (100×) L2=6 dB (3,98×) GA3=20 dB (100×)

F1  2; F2  4, 79; F3  6, 3
1 1
GA1  100; GA2  = ;GA3  100
L2 3, 98

4, 79  1 6, 3  1 F1,3  2, 25 ou 3, 52 dB
F1,3  2  
100 1
 100
3, 98
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Exemplo-4

F1=3 dB (2×) F2=6,8 dB (4,79×) F3=8 dB (6,3×)


GA1=13 dB (20×) L2=6 dB (3,98×) GA3=20 dB (100×)

F1  2; F2  4, 79; F3  6, 3
1 1
GA1  20; GA2  = ;GA3  100
L2 3, 98

4, 792  1 6, 3  1
F1,3  2   F1,3  3, 29 ou 5, 17 dB
20 1
 20
3, 98
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Exemplo-5

F1=3 dB (2×) F2=6,8 dB (4,79×) F3=8 dB (6,3×)


GA1=20 dB 100×) L2=6 dB (3,98×) GA3=20 dB (100×)
GA1=13 dB (20×)

F1,3  2, 25 ou 3, 52 dB

F1,3  3, 29 ou 5, 17 dB

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Temperatura equivalente de ruído (1)

 Os ruídos são gerados por fontes distintas


 A potência de ruído resultante é expressa como se o
ruído fosse gerado exclusivamente por fonte de ruído
térmico
 Esta fonte está em temperatura hipotética, a
temperatura equivalente de ruído, Te.

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Temperatura equivalente de ruído (2)
Em um determinado local a potência de ruído
medida em T  290 K ; B  1 MHz é PN  1012 W .
Determinar a temperatura equivalente de ruído.
Solução
A potência de ruído térmico é
PN ,térmico  4,11  103  1012 W .
Como PN  PN ,térmico há outras fontes de ruído.
Se PN fosse gerada por ruído térmico, então
KTN B  1012 W e
1012
TN   72.464 K
1, 38  10  10
23 6

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Temperatura de ruído de amplificador-1
Ni  0 NA

T0 =0 K

entrada amplificador
NA : ruído gerado internamente
Sem ruído ruidoso

N i  KTe B N o  GAKTeB

R, Te

ruído interno
representado amplificador
NA : ruído gerado internamente
em fonte externa sem ruído

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Temperatura de ruído de amplificador-2

R, Te

ruído interno
representado amplificador
em fonte externa sem ruído

NA
Te  NA : ruído gerado

GAKB internamente

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Temperatura e figura de ruído-1

Si , Ni , (T0+Te) So , N o

Si So
SNRi  SNRo 
Ni amplificador No
sem ruído

S Si So So
SNRi  i  SNRo  
Ni KToB N o GAK To  Te  B

SNRi Si GAK To  Te  B GA To  Te  GA To  Te  To  Te 


F     
SNRo KToB ToSo To So Si ToGA  To 
Te  F  1 T0
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Temperatura e figura de ruído-2

Exemplo:
Um sistema downlink de comunicação via satélite operando na faixa 3,7 a 4,2 GHz
utiliza um LNA (low noise amplifier), cuja temperatura de ruído é Te=30 K. Calcular
A figura de ruído em dB.

Solução:

Te 30
F1  1  1  1,103 ou 0, 43 dB
T0 290

Outro LNA com temperatura de ruído Te=10 K exibe figura de ruído F2=1,034 ou
0,147 dB.
Os valores de F não são muito apropriados para distinguir tal especificação.
O uso de temperatura de ruído é mais conveniente.

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EXTRAS

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Ruído gaussiano
função densidade de probabilidade
(z  )2
1 
pG (z )  e 22

 2
 : média;  2 : variância;  : desvio padrão
  0 ;   1 : distribuição normal padrão

Ref.: www.edn.com/design/analog/4422645/Managing-noise-in-the-signal-chain--Part-1--
Annoying-semiconductor-noise--preventable-or-inescapable--
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Ruído térmico-2
Valor médio quadrático para f
4hfBR
vn 
2
volt2

exp hf / kT   1

k  1,38.10-23 J  K-1; constante de Boltzmann


h  6,62.10-34 J  s; constante dePlack
T : temperatura do resistor, K
R: resistência, 
f : frequência, Hz
B: largura de faixa, Hz
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Ruído térmico-3

Para f  100 GHz; T  100 K


hf  6, 626  1034  100  109  6, 626  1023
kT  1, 38  10 23
 100  1, 38  10 21

Portanto, hf  kT

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Ruído térmico-4
4hfBR
v  2

exp hf / kT   1
n

Expansão em série de Taylor da exponencial



xn x2 x3
exp x     1x   
n 0 n ! 2! 3!
hf
exp(x ) - 1  1  x  1 
kT
4hfBR
vn 
2

hf / kT

vn2  4kTBR volt2


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